WO2001084629A2 - Detektor für computertomographen - Google Patents
Detektor für computertomographen Download PDFInfo
- Publication number
- WO2001084629A2 WO2001084629A2 PCT/DE2001/001617 DE0101617W WO0184629A2 WO 2001084629 A2 WO2001084629 A2 WO 2001084629A2 DE 0101617 W DE0101617 W DE 0101617W WO 0184629 A2 WO0184629 A2 WO 0184629A2
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- detector according
- contact
- substrate
- circuit board
- printed circuit
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Definitions
- the invention relates to a detector for computer tomographs.
- a photodiode array for a detector of a computer tomograph is known from DE 44 42 853 AI. There are a plurality of
- Photodiodes arranged in cells.
- a connection of an optically active area of each photodiode leads away from its narrow side and forms a contact on the substrate.
- the contact is connected to an evaluation electronics via a wire.
- Another connection of the photocathode is e.g. formed by the substrate.
- the known photodiode array is not suitable for the construction of densely packed multicell photodiode arrays, because a large number of wires have to be removed between each line.
- the object of the invention is to provide a detector which is as compact as possible for an X-ray computer tomograph.
- the detector should be as simple and inexpensive to manufacture as possible.
- a detector for computer tomographs is provided with a plurality of photodiodes arranged in a cell on a printed circuit board, the photodiodes each consisting of a substrate and an optically active region provided on an upper side of the substrate are formed and a scintillator is attached to the optically active region, and an electrical connection of the optically active region which extends to a lower side of the substrate is opposite a first contact arranged on the upper side of the printed circuit board.
- the proposed detector is particularly compact. It is inexpensive to manufacture. The opposite arrangement of the first contact and the connection enables direct contact. Wiring is not required.
- FIG. 2 shows the detector according to FIG. 1 in the assembled state
- FIG. 3 shows a schematic top view of a section of the detector according to FIG. 2,
- Fig. 4 is a perspective view of a multi-cell detector array according to the embodiment.
- Fig. 5 is a schematic cross-sectional view of the components of a second embodiment.
- 1, 1 denotes a photodiode of a photodiode arrangement
- 2 denotes a scintillator
- 3 denotes a printed circuit board.
- the photodiode 1 consists of a substrate 4, which has an optically active one on its top side OP
- the substrate 4 is preferably a chip made essentially of silicon.
- One connection of the photodiode 1 is attached to the optically active region 5 and has a second contact 6 at its edge.
- An electrically conductive means 7 is introduced in the space between two photodiodes 1 arranged next to one another. It can be a tough elastic conductive rubber.
- the electrically conductive means 7 advantageously has a preferred electrical conductivity in one direction, namely from the top side OP to an opposite bottom side UP of the substrate 4.
- the electrically conductive means 7 forms a third electrical contact 8 on the top side OP.
- the other connection of the photodiode 1 is formed in a conventional manner by the substrate 4 or a further contact (not shown here).
- the scintillator 2 essentially consists of scintillator ceramic elements 9 which are separated from one another by optically reflecting septa 10.
- the septa 10 are electrically insulating.
- a metallization 11 is applied to the edge region of each scintillator ceramic element 9.
- the metallization 11 is preferably made of a transparent alloy, in particular an InSn alloy.
- first electrical contact 12 on the upper side OL thereof, which is connected via a conductor 13 penetrating the printed circuit board 3 to a further contact 14 provided on the underside UL of the printed circuit board 3.
- the metallizations 11 electrically conductively connect the second electrical contacts 6 to the third electrical contacts 8, so that the electrical connection of the optically active region 5, which is on the outside or Circumferential surface of the respective photodiode 1 is guided to the printed circuit board 3 in a particularly short way.
- a transparent adhesive which connects the scintillator 2 to the photodiode arrangement is designated by the reference symbol 15.
- FIG. 3 A schematic plan view of the arrangement shown in FIG. 2 is shown in detail in FIG. 3. From this it can be seen in particular that the metallization 11 is designed in the form of a narrow strip. In the assembled state, it connects the second 6 to the third electrical contact 8. Both the second 6 and the third electrical contact 8 are each wider than the metallization 11. In this way, assembly tolerances can be compensated.
- FIGS. 1 to 3 shows a perspective view of a detector array which has been produced according to the exemplary embodiment explained in FIGS. 1 to 3.
- the detector array comprises a total of 16 photodiodes 1, on each of which a scintillator ceramic element 9 is mounted.
- the scintillator ceramic elements 9 are optically separated from one another by septa 10.
- the photodiode arrangement is accommodated on a coherent printed circuit board 3.
- Such a detector array can form a mounting unit, which in turn can be mounted on a further printed circuit board. On the side of the further printed circuit board opposite the mounting side, e.g. Evaluation electronics mounted in SMD technology can be provided. This enables a particularly compact construction of the detector.
- the photodiodes 1 show the components of a second detector.
- the photodiodes 1 are without the interposition of an electrically conductive means 7 arranged side by side.
- the connection of the optically active region 5 is guided through the substrate 4 to its underside UP and forms a fourth electrical contact 16 there.
- the other electrical connection of the photodiode 1 has a fifth electrical contact 17 also provided on the underside UP of the photodiode 1 ,
- a low-melting solder 19 e.g. be applied to the first 12 or the sixth electrical contact 18.
- the electrical solder 19 can be melted by the action of a sufficient temperature and thus an immediate, i.e. Without the use of a wire, electrical connection between the electrical contacts 12, 16, 17 and 18 can be made. Otherwise, the detector is constructed analogously to the first exemplary embodiment.
- the detector proposed here can be made even more compact than the previous one, because the electrically conductive means 7 between the photodiodes 1 is no longer required.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft einen Detektor für Computertomographen mit einer Mehrzahl von auf einer Leiterplatte (3) zeilenförmig angeordneten Photodioden (1), wobei die Photodioden (1) jeweils aus einem Substrat (4) und einem an einer Oberseite (OP) des Substrats (4) vorgesehenen optisch aktiven Bereich gebildet sind und auf dem optisch aktiven Bereich (5) ein Szintillator (9) angebracht ist, und wobei ein zu einer Unterseite des Substrats (4) reichender elektrischer Anschluß des optisch aktiven Bereichs (5) einem auf einer Oberseite (OS) der Leiterplatte (3) angeordneten ersten Kontakt (12) gegenüberliegt.
Description
Beschreibung
Detektor für Computertomographen
Die Erfindung betrifft einen Detektor für Computertomographen.
Nach dem Stand der Technik ist aus der DE 44 42 853 AI ein Photodiodenarray für einen Detektor eines Computertomographen bekannt. Dabei sind auf einem Substrat eine Mehrzahl von
Photodioden zellenförmig angeordnet. Ein Anschluß eines optisch aktiven Bereichs jeder Photodiode führt von dessen schmaler Seite weg und bildet auf dem Substrat einen Kontakt. Der Kontakt wird über einen Draht mit einer Auswerte- elektronik verbunden. Ein weiterer Anschluß der Photokathode wird z.B. durch das Substrat gebildet.
Das bekannte Photodiodenarray eignet sich nicht zum Aufbau dicht gepackter mehrzelliger Photodiodenarrays, weil eine Vielzahl von Drähten zwischen jeder Zeile wegzuführen ist.
Außerdem ist das Kontaktieren und Verlegen der Drähte kosten- und zeitaufwendig.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen möglichst kompakt aufge- bauten Detektor für einen Röntgen-Co putertomographen anzugeben. Der Detektor soll möglichst einfach und kostengünstig herzustellen sein.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Zweckmäßige Ausgestaltungen ergeben sich aus den Merkmalen der Ansprüche 2 bis 16.
Nach Maßgabe der Erfindung ist ein Detektor für Computertomographen mit einer Mehrzahl von auf einer Leiterplatte zellenförmig angeordneten Photodioden vorgesehen, wobei die Photodioden jeweils aus einem Substrat und einem an einer Oberseite des Substrats vorgesehenen optisch aktiven Bereich
gebildet sind und auf dem optisch aktiven Bereich ein Szin- tillator angebracht ist, und wobei ein zu einer Unterseite des Substrats reichender elektrischer Anschluß des optisch aktiven Bereichs einem auf der Oberseite der Leiterplatte angeordneten ersten Kontakt gegenüberliegt. - Der vorgeschlagene Detektor ist besonders kompakt aufgebaut. Er ist kostengünstig herstellbar. Die gegenüberliegende Anordnung des ersten Kontakts und des Anschlusses ermöglicht eine unmittelbare Kontaktierung. Eine Verdrahtung ist nicht erforderlich.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der Ansprüche 2 - 16. Sie werden anhand der in der Zeichnung gezeigten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1: eine schematische Querschnittsansicht der Bestandteile eines ersten Detektors,
Fig. 2 den Detektor nach Fig. 1 im zusammengefügten Zu- stand,
Fig. 3 eine ausschnittsweise schematische Draufsicht auf den Detektor gemäß Fig. 2,
Fig. 4 eine perspektivische Ansicht eines mehrzelligen Detektorarreys nach dem Ausführungsbeispiel, und
Fig. 5 eine schematische Querschnittsansicht der Bestandteile eines zweiten Ausführungsbeispiels .
In den Fig. 1 bis 4 ist schematisch der Aufbau eines ersten Detektors gezeigt. In Fig. 1 ist mit 1 eine Photodiode einer Photodiodenanordnung, mit 2 ein Szintillator und mit 3 eine Leiterplatte bezeichnet. Die Photodiode 1 besteht aus einem Substrat 4, das an seiner Oberseite OP einen optisch aktiven
Bereich 5 aufweist. Das Substrat 4 ist vorzugsweise ein aus im wesentlichen aus Silizium hergestellter Chip.
Der eine Anschluß der Photodiode 1 ist am optisch aktiven Bereich 5 angebracht und weist an dessen Rand einen zweiten Kontakt 6 auf. Im Zwischenraum zwischen zwei nebeneinander angeordneten Photodioden 1 ist ein elektrisch leitfähiges Mittel 7 eingebracht. Dabei kann es sich um einen zähelastisch aushärtenden Leitgummi handeln. Vorteilhafterweise weist das elektrisch leitfähige Mittel 7 eine bevorzugte elektrische Leitfähigkeit in eine Richtung, nämlich von der Oberseite OP zu einer gegenüberliegenden Unterseite UP des Substrats 4, auf. An der Oberseite OP bildet das elektrisch leitfähige Mittel 7 einen dritten elektrischen Kontakt 8. - Der andere Anschluß der Photodiode 1 wird in herkömmlicher Weise durch das Substrat 4 oder einen weiteren (hier nicht gezeigten) Kontakt gebildet.
Der Szintillator 2 besteht im wesentlichen aus Szintillator- keramikelementen 9, die durch optisch reflektierende Septen 10 voneinander getrennt sind. Die Septen 10 sind elektrisch isolierend. An einer Unterseite US des Szintillators 2 ist im
Randbereich jedes Szintillatorkeramikelements 9 eine Metallisierung 11 aufgebracht. Die Metallisierung 11 ist vorzugsweise aus einer transparenten Legierung, insbesondere einer InSn-Legierung, hergestellt.
Auf der Leiterplatte 3 befinden sich an deren Oberseite OL ein erster elektrischer Kontakt 12, der über einen die Leiterplatte 3 durchgreifenden Leiter 13 mit einem an der Unterseite UL der Leiterplatte 3 vorgesehenen weiteren Kontakt 14 verbunden ist.
In Fig. 2 ist die Photodiode 1 mit dem darauf montierten Szintillator 2 gezeigt. Die Metallisierungen 11 verbinden elektrisch leitend die zweiten elektrischen Kontakte 6 mit den dritten elektrischen Kontakten 8, so daß über das elektrisch leitfähige Mittel 7 der elektrische Anschluss des optisch aktiven Bereichs 5 gebildet ist, der an der Außenseite bzw.
Umfangsflache der jeweiligen Photodiode 1 auf einem besonders kurzen Weg zur Leiterplatte 3 geführt ist. Bei der vorgeschlagenen Anordnung ist es nicht erforderlich, vom zweiten elektrischen Kontakt 6 einen Draht zur Leiterplatte 3 zu führen. Eine solche Anordnung läßt sich zeit- und kostensparend herstellen. Ein den Szintillator 2 mit der Photodioden- anordnung verbindender transparenter Klebstoff ist mit dem Bezugszeichen 15 bezeichnet.
In Fig. 3 ist ausschnittsweise eine schematische Draufsicht der in Fig. 2 dargestellten Anordnung gezeigt. Daraus ist insbesondere ersichtlich, daß die Metallisierung 11 in Form eines schmalen Streifens ausgebildet ist. Im montierten Zustand verbindet sie den zweiten 6 mit dem dritten elektri- sehen Kontakt 8. Sowohl der zweite 6 als auch der dritte elektrische Kontakt 8 sind jeweils breiter als die Metallisierung 11 ausgebildet. So können Montagetoleranzen ausgeglichen werden .
In Fig. 4 ist in perspektivischer Ansicht eine Detektorarray gezeigt, das nach dem in den Fig. 1 bis 3 erläuterten Ausführungsbeispiel hergestellt worden ist. Das Detektorarray umfaßt insgesamt 16 Photodioden 1, auf denen jeweils ein Szin- tillatorkeramikelement 9 montiert ist. Die Szitillatorkera- mikelemente 9 sind voneinander durch Septen 10 optisch getrennt. Die Photodiodenanordnung ist auf einer zusammenhängenden Leiterplatte 3 aufgenommen. Ein solches Detektorarray kann eine Montageeinheit bilden, die wiederum auf eine weitere Leiterplatte montiert werden kann. An der der Montage- seite gegenüberliegenden Seite der weiteren Leiterplatte kann eine, z.B. in SMD-Technik montierte, Auswerteelektronik vorgesehen sein. Das ermöglicht einen besonders kompakten Aufbau des Detektors .
In Fig. 5 sind die Bestandteile eines zweiten Detektors gezeigt. In der Photodiodenanordnung sind die Photodioden 1 ohne Zwischenschaltung eines elektrisch leitfähigen Mittels 7
nebeneinander angeordnet. Der Anschluss des optisch aktiven Bereichs 5 ist durch das Substrat 4 hindurch zu dessen Unterseite UP geführt und bildet dort einen vierten elektrischen Kontakt 16. Der andere elektrische Anschluß der Photodiode 1 weist einen ebenfalls an der Unterseite UP der Photodiode 1 vorgesehenen fünften elektrischen Kontakt 17 auf.
Zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen dem vierten 16 bzw. dem fünften elektrischen Kontakt 17 und dem ersten 12 und einem sechsten elektrischen Kontakt 18 auf der Oberseite OL der Leiterplatte 3 kann ein niedrigschmelzendes Lot 19 z.B. auf dem ersten 12 bzw. dem sechsten elektrischen Kontakt 18 aufgebracht werden. Nach dem Aufbringen der Photodioden 1 kann das elektrische Lot 19 durch Ein- Wirkung einer ausreichenden Temperatur zum Schmelzen und damit eine unmittelbare, d.h. ohne die Verwendung eines Drahts, elektrische Verbindung zwischen den elektrischen Kontakten 12, 16, 17 und 18 hergestellt werden. Im übrigen erfolgt der Aufbau des Detektors analog zum ersten Ausführungsbeispiel.
Der hier vorgeschlagene Detektor kann noch kompakter als der vorhergehende aufgebaut werden, weil das elektrisch leitfähige Mittel 7 zwischen den Photodioden 1 nicht mehr erforderlich ist.
Claims
1. Detektor für Computertomographen mit einer Mehrzahl von auf einer Leiterplatte (3) zellenförmig angeordneten Photo- dioden (1) , wobei die Photodioden (1) jeweils aus einem Substrat (4) und einem an einer Oberseite (OP) des Substrats (4) vorgesehenen optisch aktiven Bereich (5) gebildet sind und auf dem optisch aktiven Bereich (5) ein Szintillator (9) angebracht ist, und wobei ein zu einer Unterseite (UP) des Sub- strats (4) reichender elektrischer Anschluß des optisch aktiven Bereichs (5) einem auf einer Oberseite (OL) der Leiterplatte (3) angeordneten ersten Kontakt (12) gegenüberliegt.
2. Detektor nach Anspruch 1, wobei der eine elektrische Anschluß an einer Umfangsflache des Substrats (4) zur Leiterplatte (3) geführt ist.
3. Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der eine elektrische Anschluß einen am Rand des optisch akti- ven Bereichs (5) vorgesehenen zweiten Kontakt (6) aufweist.
4. Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei auf der dem optisch aktiven Bereich (5) zugewandten Unterseite (US) des Szintillators eine Metallisierung vorgesehen ist, so daß bei montiertem Szintillator (9) der zweite Kontakt (6) mit einem am Außenumfang des Substrats (4) vorgesehenen elektrisch leitfähigen Mittel (7) verbunden ist.
5. Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das elektrisch leitfähige Mittel (7) in einem zwischen zwei nebeneinander liegenden Photodioden (1) gebildeten Spalt angeordnet ist.
6. Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das elektrisch leitfähige Mittel (7) eine zähelastisch aushärtende Masse; vorzugsweise ein Leitgummi, ist.
7. Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Metallisierung (11) aus einer transparenten Legierung, vorzugsweise aus eine InSn-Legierung, hergestellt ist.
8. Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Szintillator (9) in einem die Metallisierung (11) aussparenden Bereich mittels eines optisch transparenten Klebstoffs (15) auf der Photodiode (1) befestigt ist.
9. Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der eine elektrische Anschluß durch das Substrat (4) hindurch zu einem an der Unterseite (US) des Substrats (4) angeordneten vierten Kontakt (16) geführt ist.
10. Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste (12) und der vierte Kontakt (16) im Montagezustand einander gegenüberliegen.
11. Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein anderer elektrischer Anschluß der Photodiode (1) durch die Unterseite (US) des Substrats (4) oder einen dort vorgesehenen Kontakt (17) gebildet ist, die/der im Montagezustand einem sechsten Kontakt (18) auf der Oberfläche (OL) der Leiterplatte (3) gegenüberliegt.
12. Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste (12) und vierte (16) und/oder der fünfte (17) und sechste Kontakt (18) mittels eines niedrigschmelzenden Lots (19) verbunden sind.
13. Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mehrere Zeilen von Photodioden (1) nebeneinander angeordnet sind, so daß eine aus Zeilen und Spalten bestehende flächenhafte Anordnung gebildet ist.
14. Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste (12) und/oder sechste Kontakt (18) mit einem die Leiterplatte (3) durchgreifenden Leiter (13) verbunden ist.
15. Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei an einer der Oberseite (OL) gegenüberliegenden Unterseite (UL) der Leiterplatte (3) eine in SMD-Technik hergestellte elektrische Schaltung vorgesehen ist.
16. Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrische Schaltung auf einer weiteren Leiterplatte aufgenommen ist, die auf die Unterseite (UL) der Leiterplatte (3) montiert ist.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IL14732901A IL147329A0 (en) | 2000-05-02 | 2001-04-26 | Detector for computer tomographs |
JP2001581346A JP2003533026A (ja) | 2000-05-02 | 2001-04-26 | コンピュータトモグラフ用検出器 |
US10/019,840 US6512809B2 (en) | 2000-05-02 | 2001-04-26 | Radiation detector for an X-ray computed tomography apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10021367A DE10021367C2 (de) | 2000-05-02 | 2000-05-02 | Detektor für Computertomographen |
DE10021367.7 | 2000-05-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2001084629A2 true WO2001084629A2 (de) | 2001-11-08 |
WO2001084629A3 WO2001084629A3 (de) | 2002-05-23 |
Family
ID=7640540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/DE2001/001617 WO2001084629A2 (de) | 2000-05-02 | 2001-04-26 | Detektor für computertomographen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003533026A (de) |
DE (1) | DE10021367C2 (de) |
IL (1) | IL147329A0 (de) |
WO (1) | WO2001084629A2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006513411A (ja) * | 2003-01-06 | 2006-04-20 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | コンピュータ断層撮影のためのシールドエレクトロニクスを有する放射線検出装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005021991A1 (de) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Optoelektronische Anordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
CN111323082A (zh) * | 2020-03-20 | 2020-06-23 | 深圳市同创鑫电子有限公司 | 一种印刷电路板生产质量检测方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3787685A (en) * | 1972-05-30 | 1974-01-22 | Baird Atomic Inc | Zone grid assembly particularly for high resolution radioactivity distribution detection systems |
US4338521A (en) * | 1980-05-09 | 1982-07-06 | General Electric Company | Modular radiation detector array and module |
US4845731A (en) * | 1985-06-05 | 1989-07-04 | Picker International | Radiation data acquistion |
US5464984A (en) * | 1985-12-11 | 1995-11-07 | General Imaging Corporation | X-ray imaging system and solid state detector therefor |
JPH11258351A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3503685A1 (de) * | 1985-02-04 | 1986-08-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Detektorsystem fuer einen computer-tomographen |
DE4442853A1 (de) * | 1994-12-01 | 1995-10-26 | Siemens Ag | Photodiodenarray |
DE19841423C1 (de) * | 1998-09-10 | 1999-12-30 | Siemens Ag | Strahlendetektor, insbesondere eines Computertomographen |
-
2000
- 2000-05-02 DE DE10021367A patent/DE10021367C2/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-04-26 WO PCT/DE2001/001617 patent/WO2001084629A2/de active Application Filing
- 2001-04-26 JP JP2001581346A patent/JP2003533026A/ja not_active Withdrawn
- 2001-04-26 IL IL14732901A patent/IL147329A0/xx unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3787685A (en) * | 1972-05-30 | 1974-01-22 | Baird Atomic Inc | Zone grid assembly particularly for high resolution radioactivity distribution detection systems |
US4338521A (en) * | 1980-05-09 | 1982-07-06 | General Electric Company | Modular radiation detector array and module |
US4845731A (en) * | 1985-06-05 | 1989-07-04 | Picker International | Radiation data acquistion |
US5464984A (en) * | 1985-12-11 | 1995-11-07 | General Imaging Corporation | X-ray imaging system and solid state detector therefor |
JPH11258351A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1999, no. 14, 22. Dezember 1999 (1999-12-22) & JP 11 258351 A (HITACHI MEDICAL CORP), 24. September 1999 (1999-09-24) * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006513411A (ja) * | 2003-01-06 | 2006-04-20 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | コンピュータ断層撮影のためのシールドエレクトロニクスを有する放射線検出装置 |
US7379528B2 (en) | 2003-01-06 | 2008-05-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector with shielded electronics for computed tomography |
JP4833554B2 (ja) * | 2003-01-06 | 2011-12-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射線検出器モジュールと該放射線検出器モジュールを用いたコンピュータ断層撮影用スキャナ、および放射線検出方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003533026A (ja) | 2003-11-05 |
WO2001084629A3 (de) | 2002-05-23 |
DE10021367A1 (de) | 2001-11-15 |
IL147329A0 (en) | 2002-08-14 |
DE10021367C2 (de) | 2002-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69827687T2 (de) | Träger für integrierte Schaltung und seine Herstellung | |
DE2806858C2 (de) | ||
DE2542518C3 (de) | ||
DE4301915C2 (de) | Mehrfachchip-Halbleitervorrichtung | |
DE19626126C2 (de) | Verfahren zur Ausbildung einer räumlichen Chipanordnung und räumliche Chipanordung | |
DE3639367C2 (de) | ||
DE2752438C2 (de) | Träger für eine integrierte Schaltung | |
DE112006002516T5 (de) | Chip-Widertand | |
EP0878026B1 (de) | Leuchtdiodenmatrix | |
DE19517367A1 (de) | Verfahren zum Anschließen der Ausgangsbereiche eines Chips mit integrierter Schaltung und so erhaltener Mehr-Chip-Modul | |
DE3511082C2 (de) | ||
DE60315954T2 (de) | Laminierte kontakte in sockel | |
DE10332333B4 (de) | Detektormodul | |
EP1818980A2 (de) | Substrat für Hochspannungsmodule | |
DE10021367C2 (de) | Detektor für Computertomographen | |
DE10109542B4 (de) | Anordung zur Verbindung eines auf einer Leiterplatte angebrachten Bauelementes mit einer flexiblen Schichtanordnung | |
DE102019125854B4 (de) | Halterung für einen thermoelektrischen Kühler | |
EP0238823A2 (de) | Steckverbinderleiste mit in mindestens zwei parallelen Reihen angeordneten Kontaktfedern | |
DE3440925C2 (de) | ||
DE3436842C2 (de) | ||
EP0256378B1 (de) | Vorrichtung zum Lesen eines zweidimensionalen Ladungsbildes | |
EP2037553A1 (de) | Generatoranschluss einer Photovoltaikanlage | |
DE10063251B4 (de) | Kontaktanordnung zur Verbindung eines Steckers mit hoher Kontaktdichte mit einer Leiterplatte | |
DE102009015224A1 (de) | LED-Lichtquelle mit einer Vielzahl von LED-Chips und LED-Chip zur Verwendung in selbiger | |
CH655023A5 (de) | Ultraschallwandler. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AK | Designated states |
Kind code of ref document: A2 Designated state(s): IL JP US |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref country code: JP Ref document number: 2001 581346 Kind code of ref document: A Format of ref document f/p: F |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 10019840 Country of ref document: US |
|
AK | Designated states |
Kind code of ref document: A3 Designated state(s): IL JP US |