DE2608522A1 - Schaltungsplatte fuer elektronische schaltungen - Google Patents
Schaltungsplatte fuer elektronische schaltungenInfo
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Description
26ÜB522
V/. 790
Augsburg, den 25. Februar 1976
Dipl. ing. B. HOLZEB
89 AÜQSBÜBG
Augat Inc., 33 Perry Avenue, Attleboro, Massachusetts 02703,
V. St.A0
Schaltungsplatte für elektronische Schaltungen
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsplatte für elektronische Schaltungen, mit drei jeweils durch eine
Isolierschicht voneinander getrennten, verschiedenen Potentialen zugeordneten Leiterschichten.
609845/0658
Derartige Schaltungsplatten finden in schnellen logischen Schaltungen Anwendung,
In der elektronischen Schaltungstechnik sind bereits
Schaltungsplatten mit zwei Potentialebenen allgemein in Gebrauch, In vielen Fällen ist die Verwendung derartiger
Schaltungsplatten mit zwei Leiterschichten für gedruckte
Schaltungen zur Herstellung der erforderlicnen elektrischen Verbindungen in schnellen Schaltungen infolge eines verhältnismäßig
großen Hochfrequenzrauschpegels, der oftmals bei derart aufgebauten logischen Schaltungen in Erscheinung
tritt9 nicht voll befriedigend.
Es sind auch schon vielschichtige Schaltungsplatten mit drei verschiedenen Potentialebenen für schnelle logische
Schaltungen in'Gebrauch, bei denen drei verschiedene
Potentiale benötigt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsplatte der eingangs dargelegten Art im Sinne einer Verringerung
des Hochfrequenzrauschens zu verbessern.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist gemäß der Erfindung eine solche Schaltungsplatte durch eine Vielzahl von regel-
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mäßig parallel nebeneinander und fluchtend hintereinander
angeordneten zweizeiligen Sockelstiftanordnungen, deren in entsprechend angeordnete Bohrungen der Schaltungsplatte
eingesetzte Sockelstifte jeweils einen von einer Plattenseite aus in die Schaltungsplatte hineinragenden Buchsenteil
und einen von der anderen Plattenseite wegragenden Anschlußstiftteil aufweisen, und durch Mittel zur elektrischen
Verbindung der beiden äußeren Leiterschichten miteinander gekennzeichnet.
Die Erfindung beinhaltet also eine Schaltungsplatte mit
drei Leiterschichten, welche jedoch elektrisch das Äquivalent von nur zwei Potentialebenen darstellen. Die mittlere
Leiterschicht liegt auf einem bestimmten Potential, während die beiden äußeren Leiterschichten beide auf dem Bezugspotential
liegen und mittels einer Anzahl von Sockelstiften, nämlich jeweils einem aus jeder der erwähnten Vielzahl
von doppelzeiligen Sockelstiftanordnungen, miteinander verbunden sind. Die Leiterflächen der Schaltungsplatte
sind um die doppelzeiligen Bohrungsanordnungen herum in geeigneter Weise abgeätzt und in jede Bohrung ist ein
Sockelstift eingesetzt, der an der von seinem Buchsenteil abgewandten Schaltungsplättenseite einen Anschlußstiftteil
zum Aufwickeln eines damit zu verbindenden Drahtes aufweist.
Diese Schaltungsplattenausbildung vergrößert wesentlich
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die zwischen den Potential- und Bezugspotentialebenen verteilte Kapazität bis zum Faktor 4 gegenüber herkömmlichen Schaltungsplatten mit zwei Leiterschichten, Aufgrund dieser erhöhten
Kapazität ist das Hochfrequenzrauschen im Potentialverteilungssystem
dieser Schaltungsplatte beträcntlich verringert. Da der Leiterquerschnitt des Bezugspotentialsammelleiters zwischen
zwei beliebigen Schaltungspunkten im wesentlichen verdoppelt
ist, ist der Reihenwiderstand des Bezugspotentialleitungsnetzes wesentlich verringert, wodurch die Wirksamkeit der
Bezugspotentialebene und folglich die Übertragungseigenschaften
der Schaltungsplatte wesentlich verbessert sind. Infolge der direkten Verbindung von Sockelstiften mit den jeweiligen
Leiterschichten wird eine beträchtlich geringere Impedanz
erzielt, während gleichzeitig die Notwendigkeit der Herstellung
dieser Verbindungen durch Wiekelverbindungen vermieden wird.
Die erfindungsgemäße Schaltungsplatte kann als Schottky-Schaltungsplatte
bezeichnet werden. Die Schottky-Logik ist die schnellste gegenwärtig bekannte Form einer sättigenden
Logik und ist Transistor-Transistor-gekoppelt«, Diese Logik wird daher auch als Schottky-TTL-Logik bezeichnet. Die
erfindungsgemäße Schaltungsplatte vermeidet das bei schlechten
Bezugspotentialschaltungen auftretende Rauschen, welches bei bekannten Schaltungsplatten in Erscheinung treten kann,
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wenn diese für derartige schnelle Logiksehaltungen verwendet
werden. Trotzdem eignet sich die erfindungsgemäße Schaltungsplatte gut für Dran Wickel verb indungen.
Die Schaltungsplatte enthält bei jeder der doppelzeiligen Sockelstiftanordnungen Maßnahmen zur kapazitiven
Entkopplung, beispielsweise Anschlußbereiche für Entkopplungselektrolytkondensatoren
an allen Spannungszuführungsstellen«
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend
mit Bezug auf die anliegenden Zeichnungen näher besenrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Teilansicht
einer Schaltungsplatte nach der Erfindung, und
Fig. 2 einen wesentlich vergrößerten Teil
schnitt längs der Linie II-II in
Fig. 1, wobei in die Sockelstifte ein elektronischer Baustein mit doppelzeiliger Anschlußanordnung
eingesetzt ist.
— 5 —
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In den Zeichnungen ist eine Schaltungsplatte 11 dargestellt, welche in doppelzeiligen Anordnungen 12 angeordnete
Sockelstifte 13 enthält. Jeder Sockelstift 13 weist einen von der Schaltungsplattenunterseite wegragenden Anschlußstift
für Drahtwickelverbindungen auf» Die Schaltungsplatte 11 kann
eine beliebige Anzahl derartiger Sockelstiftanordnungen 12 aufweisen, wobei diese in Gruppen zu jeweils dreißig Anordnungen
in Form einer fünf-mal-sechs-Matrix angeordnet sind.
In die Sockelstiftanordnungen 12* sind elektronische Bausteine 15 mit doppeIzeiliger Anschlußanordnung einsetzbar„
Eine Schaltungsplatte der in den Zeichnungen dargestellten Art enthält oftmals mehrere Dutzend solcher Bausteine, bei denen
es sich normalerweise um integrierte Schaltkreise handelt, die bei manchen Typen logischer Schaltungen Anwendung
finden.
Die Schaltungsplatte 11 besteht aus Isolierschichten und 17, die durch eine Leiterschicht 21 voneinander getrennt
ist, welch letztere eine Potentialebene darstellt. Auf der Außenseite der Isolierschicht 16 befindet sich eine Leiterschicht
22, welche eine Bezugspotentialebene darstellt, und auf der Außenseite der Isolierschicht 17 befindet sich eine
Leiterschicht 23, welche ebenfalls eine 3ezugspotentialebene bildet. In die Schaltungsplatte 11 ist eine Vielzahl von
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Sockelstiften 13 eingesetzt, welche jeweils einen in die Schaltungsplatte hineinragenden Buchsenteil und einen von
der Schaltungsplattenunterseite wegragenden Anschlußstift aufweisen. Die Anschlußstifte 14 werden vorzugsweise mittels
Drahtwickelverbindungen 25 angeschlossen und weisen eine für zwei oder drei Wickelverbindungen ausreichende Länge
aufo
Die Sockelstifte einer Sockelstiftanordnung 12 sind, sofern Bausteine 15 mit jeweils 16 Anschlußstiften vorgesehen
sind, jeweils derart numeriert, daß der Sockelstift 26 die' Nummer 8 und der Sockelstift 27 die Nummer 16 aufweist. Ein
als integrierter Schaltkreis ausgebildeter Baustein 15, der mit seinen.Anschlußstiften 31 in die Sockelstifte der
Schaltungsplatte eingesetzt ist, ist beispielsweise in Fig. dargestellt. Der Sockelstift 26 ist durch Lötverbindungen
und 33 mit den Bezugspotentialebenen 22 und 23 verbunden und von der mittleren Potentialebene 21 isoliert» Der
Sockelstift 27 weist keine elektrische Verbindung mit den Bezugspotentialebenen 22 und 23 auf, sondern ist durch
eine öffnung 34 in der Isolierschicht 17 hindurch durch
eine Lötverbindung 35 mit der Potentialebene 21 verbunden.
Die Schaltungsplatte wirkt elektrisch zwar wie eine
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zwei Leiterschichten, nämlich eine Potentialscnicht und eine
ßezugspotentialschiciit, aufweisende Schaltungsplatte, jedoch
weist sie dieser gegenüber beträchtliche Vorteile wegen der verdoppelten Größe der Bezugspotentialebene auf.
Die Impedanz des Bezugspotentialnetzwerks ist infolge der Verdopplung des Leiterquerschnitts der ßezugspotentialverbindung
zwischen zwei beliebigen Schaltungspunkten wesentlich verringert. Es wird nicht nur die elektrische
Wirksamkeit der Bezugspotentialebene vergrößert, sondern da die Potentialebene zwischen zwei Bezugspotentialebenen
gelegen ist, wird die zwischen der Potentialebene und den Bezugspotentialebenen verteilte Kapazität beträchtlich
erhöht, nämlich bis zu 400 Prozent über die bei einer herkömmlichen Schaltungsplatte mit nur zwei Leiterschichten
vorhandenen Kapazität. Diese Kapazitätserhöhung verringert das Hochfrequenzrauschen im Potentialverteilungssystem der
Schaltungsplatte. Da es sich bei der Transistor-Transistor-Logik (TTL) und insbesondere bei der Schottky-TTL-Logik
um eine sehr schnell sättigende Logik handelt, stellt diese Verminderung des Rauschens eine wesentliche Verbesserung
dar, wenn die Schaltsignale nur kleine Pegeländerungen, nämlich in der Größenordnung von 5 V, im Vergleich zu
möglichen, in der gleichen Größenordnung liegenden Rausch-
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spannungsspitzen erfahrene Durcn Verringerung des Rauschens
wird die Reinheit der Informationssignale und daher die Leistungsfähigkeit der gesamten Schaltunε verbessert.
In Pig. 1 sind an einem Ende jeder doppelzeiligen
Sockelsti ftanordnung 12 zwei Bohrungen 36 und 37 dargestellt.
Ein in die Bohrung 36 eingesteckter Leiter ist elektrisch
von den Bezugspotentialebenen 22 und 23 isoliert, da die Leiterschicht 22 im Bereich dieser Bohrung weggeätzt ist
und die Leiterschicht 23 und die Isolierschicht 17 durch eine größere Bohrung (nicht dargestellt) ausgespart ist,
so daß die beiden Bezugspotentialschichten jeweils einen Abstand von dem in die Bohrung 36 eingesetzten Leiter haben,
ebenso wie es in Fig. 2 bei der Bohrung 34 gezeigt ist.
Der in die Bohrung 36 eingesetzte Leiter ist elektrisch mit
der Potentialschicht 21 verbunden, wobei diese Potentialschicht
durch die eben erwähnte größere Bonrung in der Leiterschicht 23 und der Isolierschicht 17 zugänglich isto
Ein in die Bohrung 37 eingesetzter Leiter ist an den Bezugspotentialschichten 22 und 23 angelötet und stellt dadurch
eine weitere Verbindung zwischen diesen beiden Schichten her. Die beiden Bohrungen 36 und 37 können zum Anschluß
von Sntkopplungskondensatoren verwendet werden, die
gewünschtenfalls jedem Baustein 15 zugeordnet werden können.
Π 9 8 4 S / Π R 5 8
Diese Entkopplungskondensatoren dienen zur weiteren Rauschverminderung,
falls dies notwendig ist.
Eine v/eitere Maßnahme zur Verbesserung der Übertragungseigenschaf
ten der Schaltungsplatte besteht in der Verringerung
der Größe der abgeätzten Bereiche 41 von einem üblichen
Durchmesser von 4 mm auf etwa 3»0 bis 3,5 mia, Dadurcn wird
die Gesamtfläche von leitendem Material, normalerweise Kupfer, weiter vergrößert, was "zur weiteren Erhöhung der
vergrößerten Gesamtwirksamkeit der Bezugspotential- und Potentialebenen beiträgt.
Die Schaltungsplatte 11 kann beispielsweise aus 3 mm dickem Glasfaserepoxidharz mit drei 56-g-Kupferleiterschichten
bestehen, wobei die Kupferschichten verzinnt sind.
Die relative Dicke der Leiters chicnten ist der Klarheit
wegen in der Zeichnung übertrieüen dargestellt. Der Anscnluföstiftteil
der Sockelstifte 13 besteht vorzugsweise aus Messing und ist vernickelt und vergoldet und der Kontaktwerkstoff
des Buchsenteilinneren ist ßerylliumkupfer, das
ebenfalls vernickelt und vergoldet ist. Der Abstand zwischen den die Sockelstifte 26 und 27 enthaltenden Sockelstiftreihen
beträgt 7j5 mm. Der Abstand zwischen parallelen
benachbarten Bausteinen bzw. Sockelstiftanordnungen beträgt
- 10 -
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5 ram, während der Abstand zwischen jeweils zwei benachbarten Sockelstiften einer Sockelstiftreiiae 2,5 min beträgt β Der
Endabstand zwischen hintereinander liegenden Bausteinen beträgt 7,5 mm. Alle Abstände sind Vielfache von 2,5 mm,
dem üblichen Rastermaß für Schaltungsplatten für bausteine mit doppelzeiliger Ans chlußstift anordnung«,
- 11 6090 4 5/0658
Claims (1)
- AlPatentansprüche'' Io B cn a It un es P latte für elektronische Schaltungen, mit drei jeweils durcn eine Isolierschicht voneinander getrennten, verschiedenen Potentialen zugeordneten Leiterschichten, gekennzeichnet durch eine Vielzahl von regelmäßig parallel nebeneinander und fluchtend hintereinander angeordneten zweizeiligen Sockelstiftanordnungen (12), deren in entsprechend angeordnete Bohrungen der Schaltungsplatte (11) eingesetzte Sockelstifte (13) jeweils einen von einer - Plattenseite aus in die Schalungsplatte hineinragenden Buchsenteil und einen von der anderen Plattenseite wegragenden Anschlußstiftteil (14) aufweisen, und durch Mittel (26) zur elektrischen Verbindung der beiden äußeren Leiterschichten (22, 23) miteinander.2 ο Schaltungsplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zur Verbindung der beiden äußeren Leiterschichten (23, 22) jeweils einen Sockelstift (26) jeder Sockelstiftanordnung (12) enthalten,3. Schaltungsplatte nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein weiterer Sockelstift (27) jeder Sockel-- 12 609845/06582 6 Li 8 b 2stiftanordnunv (12) ele^triscii von cl&n oeiden äuoeren Leit&rschichtan (22, 23) isoliert mid r„it der uittieren Leiterschicht (21) verbunden ist.ü. Schaltungsplatts nach einem der Ansprüche 1 bis j>> dadurcn ^kennzeichnet, da/i dieselbe mit elektronischen Bausteinen (15) be3tüc£:t ist, die :'sweiis aine ^//c-i Anschluss ti ftanordnun^ (31) aufifeis^n und r;dt aieser Anschluss ti ft anordnung jew'sils in eine Sockels ti f tan-Ordnung (13) eingesteckt sind.5 . ochaltungsplatte nacn Anspruch 3S dadurcn zeichnetj daß eine der Isolierschichten (17) Durchbrücne aufV/eist, Vielehe die mittlere Leiterschicht (21) für das Anlöten des genannten anderen Sockelstiftes (27) jeder Sockelstiftanordnung zucänr-ilicn inacht.- 13 609845/0658Le S 6 ? ί Θ
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US57142875A | 1975-04-24 | 1975-04-24 |
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Publication Number | Publication Date |
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DE (1) | DE2608522A1 (de) |
GB (1) | GB1514401A (de) |
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CA1045240A (en) | 1978-12-26 |
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8130 | Withdrawal |