DE1614218A1

DE1614218A1 - Verfahren zur Herstellung einer Kontaktschicht fuer Halbleitervorrichtungen und nach diesem Verfahren erhaltene Halbleitervorrichtung

Info

Publication number: DE1614218A1
Application number: DE19671614218
Authority: DE
Inventors: Rodolphe Lacal
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1966-02-16
Filing date: 1967-02-16
Publication date: 1970-06-25
Also published as: ES336799A1; BE694184A; US3522087A; FR1474973A; NL158322B; DE1614218B2; NL6702250A; GB1177414A; CH513250A; AT276487B

Description

Dipl.-ing. ERICH E. WALtHER

Patentanwalt Pfiff 1 578

Anmelder: H, V. PHILIPS¹ GLGEiUMPENFABRIEKEII /

IHK- 1578

1967 .

"Verfahren zur Herstellung einer Kontaktschieht für Halbleitervorrichtungen und nach .diesem Verfahren erhaltene Halbleiter-Vorrichtung'· : ^: /-'- :

*»» Die Erfindung bezieht sich auf ein^Verfahren iur

<n Herstellung^ einer Kontaktachioht für Halblei;terypr"riöhtungeh, wie

-^ Traneietoren, integrierte h»lbleitende Schaltungen ürid Dioden, wie

auch auf eine Xontalttaohioht oder eine nach diesem Verfahren erhaltene

. 2 - ^* ¹⁵⁷⁸

Halbleitervorrichtung. Der Begriff "Kontakt" kann in diesem Zusammenhang sowohl einen elektrischen als auch einen mechanischen Kontakt bedeuten« Eine derartige Schicht, die also gegebenenfalls eine elektrische Verbindung bilden kann, kann insbesondere sair Befestigung eines Halbleiterkörper, a. B. durch Löten, Hartlöten oder Aufschmelzen, auf einen Träger oder zur Bildung eines Kontaktes auf einem diskreten Teil, z.B. auf einer Emitter-, Basis- oder KollektorBone eines derartigen Körpers dienen.

Ee wurde bereite vorgeschlagen, Kontaktsohiohten aus einer Legierung zu bilden, die z.B. aus einem Metall, das ein kennzeichnender Störstoff darstellt, wie Indium, und einem Halbleitermaterial, wie Germanium, besteht (siehe britische Patentschrift Nr. 74Ο.655)· Oio Verwendung einer derartigen Legierung als Kontaktschicht ermöglicht es zu verhindern, dass, wenn diese Schicht auf einen derartigen Halbleiterkörper aufgeschmolzen wird, eine unerwünscht groBse Menge des Halbleitermaterials des Korpers in der Kontaktschicht gelöst wird. Mit anderen Worten, durch Verwendung derartiger Kontaktschichten wird deren Sindringtiefe in den Halbleiterkörper verringert*

Auch wurde bereits vorgeschlagen, eine Kontaktschicht

aus einer Legierung von Gold mit einem kleinen Gehalt an Germanium oder Silizium herzustellen, wobei die Legierung den Vorteil eines siemlioh niedrigen Schmelzpunktes, einer guten Haftung und ebenfalls einer geringen Eindringtiefe aufweist* Der Nachteil derartiger Legierungen besteht jedoch darin, dass sie sehr spröde sind und sich schwer verarbeiten lassen (siehe britische Patentschrift Nr. IO9.877).

Weiter hat man bereite vorgeschlagen. Metallkontaktschichten, wie Gold, auf galvanischem Wege auf einem Substrat nieder-

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zuschlagen und dabei zugleich ein Dotierungaelement, wie Antimon, gleichfalls auf galvanischem Wege niederzuschlagen* Dazu lässt sich B.B. ein Iöblichee Salz von Antimon, ζ. 3. Antiraonhydrochlorid, SbCl, verwenden. (3iehe amerikanische Patentschrift Hr. 2,796.563 und britische Patentschrift Hr,- 833.828). Dieses Verfahren ist zum gleichzeitigen Niederschlagen von Halbleitermaterial, wie Silizium oder Germanium, im allgemeinen nicht anwendbar.

Die Erfindung bezweckt u.a. die obenerwähnten Schwierigkeiten zu beheben. Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass es in vielen Füllen nicht notig is, dass die Kontaktschicht bereits vor dem Zusammenschmelzen mit einem Teil der Halbleitervorrichtung, insbesondere des Halbleiterkörpers, aus einer Legierung besteht) und dass es sogar in vielen Fällen nicht notwendig ist, dass eich die Schicht nach dem Anbringen und Zusammenschmelzen in eine Legierung umwandelt« Die Erfindung beruht weiter auf der Erkenntnis, dass Legierungen, die aus einem Metall und einem Halblei terinaterial bestehen, oft unerwünschte mechanische Eigenschaften besitzen· Sie sind insbesondere sehr spröde, auch im Falle dass das rine Metall an eicn, das den grossten Teil bildet, duktil ist. Mit anderen '"Hör ten, das lösen nur einer kleinen Menge Halbleitermaterial im Metall setzt die Doktilität in starkem Masse herab. Auch wurde ge-

fundön, dass, da die gewünschte Menge Halbleitermaterial, das in die Kontaktschicht eingebaut werden rauas, im Verhältnis zur Metallmenge oft gering ist, beide Materialien, wenn einmal in zweökmäBsiger Heise vereint, jedoch nicht legiert, besondere Vorteile, -wie sehr nützliche mechanische Eigensohaften, aufweisen können. · '

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Eine Kontaktschicht der eingangserwähnten Axt, velohe Schicht ein Metall und ein Halbleitermaterial enthllt, wird naoh der Erfindung daduroh hergestellt, dais das Metall als eine «u«ammenhangend· Schicht auf einem Substrat abgasetet wird, während bei. dies·» Abeetsen Teilchen» die aus Halbleitermaterial bestehen, das alt dem Metall legierbar ist, zugleich abgesetzt werden bei einer Temperatur, die niedriger ist als diejenige, bei der das Metall und das Halbleitermaterial zusammenschmelzen, und die Halbleiterteilohen mindestens teilweise Von abgesetzten Metall eingeschlossen werden· Es sei bemerkt, dass es für die Erfindung nicht wesentlich ist, dass die ganze Kontaktschicht durch gleichzeitiges Absetzen von Metall und Halbleitermaterial aufgebaut wird· So kann z.B. zunächst eine dünne Sohioht sue Metall und dann gleichzeitig Metall und Halbleitermaterial abgesetzt werden· Danach körnte z.B. wieder reines Metall abgesetzt werden·

Nach einer Ausftthrungeform der Erfindung wird die Kontaktschicht auf eine Temperatur gebraoht, bei der das Metall mit dem Halbleitermaterial zusammenschmilzt, nachdem sie alt eine* anderen Teil der Halbleitervorrichtung in mechanischen Kontakt gebracht worden ist* Dadurch iSset sich zwieohen den zu verbindenden Teilen ein guter elektrischer und/oder thermischer Kontakt durch Zusammenschmelzen der erwähnten Kontaktschicht erzielen· Es let ebenfalls möglich, οbschon nicht notwendig, die Legierung duroh Erhitzung auf dem Substrat zu bilden, bevor dieses mit dem erwShnten anderen Tqü der Halbleitervorrichtung in mechanischen Kontakt gebracht wird»

Das Metall wird vorzugsweise auf galvanischem Wege abgesetzt» da sich mit diesem Verfahren sehr reine Metalleohiehten erzielen .lassen, während es nicht schwierig 1st zugleich andere

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Teilchen, inabesondere nicht-metallische Teilche'n abzusetzen. In diesem Pall verhalten sich die Halbleiterteilchen als nicht-metallische Teilchen. Derartige Verfahren, bei denen ein sogenanntes "äusseres" elektrisches Feld Verwendet wird, sind an sich bekannt, insbesondere- für die Herstellung versohleissf ester-,. - Selbste chmierender Schichten, oder Schichten, die besonderen artistischen Anforderungen entsprechen müssen (siehe z.B. Tomaszewski, Clause und Brown, "Proc* Am. Blectroplaters¹ 3Oc." 50 (1963)» Seite 169-174). In diesem Fall kann das Niederschlagen der Halbleiterteilchen durch das Auftreten elektrophoretischer Effekte gefördert "Werden, die Erfindung muss jedoch nicht als an"der Richtigkeit dieser Erklärung gebunden angesehen werden.

-."-.; Das Metall kann gegebenenfalls äuch_: mit Hilfe eines sogenannten "electroless''-Prozesses, nämlich eines galvanischen Prozesses, abgesetzt werden, bei dem kein äueseres Feld verwendet wird. Derartige Prozesse, auch wohl als "Brenner"'-Prozesse bezeichnet, sind 2.3» von Brenner und Riddel in "Proc. Am. Electroplaters¹ Soo.", (1946) Seite*23- 33, und 34 (1947) Saite 156-170 besohrieben worden.

Das Metall kann jedoch auch auf trocknem Wege, insbesondere durch Aufdampfen oder durch Kathodenzerstäubung auf dem Substrat abgesetzt werden.

Das Absetzen der Halbleiter-teilöhen kann durch die Schwerkraft gefördert werderi, insbesondere, wenn das Metall ohne Anwendung eines aussehen elektrischen Feldea abgesetzt wird. Dies bietet die Möglichkeit eines selektiven Absetzens der Halbleiterteilchen, die sich, unter dem Einfluss der Schwerkraft, vorzugsweise auf waagereeilten. Flächen absetzen werden, während das Metall, das .

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mit Hilfe des "electroless"-Prozesses abgesetzt wurde, eich gleich- · massig auf allen Flächen absetzen wird. Wenn die Metallsohioht mit Hilfe eines äuaeeren elektrischen Feldes abgesetzt wird, ist der Einfluss der Schwerkraft auf die Halbleiterteilohen in allgemeinen nahezu vernachlässigbar.

'Das Substrat, auf dem die Kontaktschicht abgesetzt wird, kann aus einem Metall oder einer Legierung, vorzugsweise einem Metall oder einer Legierung mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten, entsprechend dem Ausdehnungskoeffizienten der üblichen Halbleiterkörper, wie Germanium und Silizium bestehen· Xusaerst aweckmüssig sind Substrate aus Wolfram, Molybdän, "Fernioo" (dies ist der Markenname einer aus 54 Gewichtsprozenten Sieen, 28 Gewichteprozenten Nickel und 18 Gewichtsprozenten Kobalt beetehender Legierung)· Als Substrat eignen sich weiter insbesonderes Nickel, ITickeleisenlegierungen oder keramisches Material wie Aluminiumoxyd.

Das Substrat, auf dem die Kontaktschicht abgesetzt

wird, kann jedoch auch aus einem Halbleiterkörpor bestehen. Die erwähnte Schicht kann insbesondere auf derjenigen Fläche eines derartigen Körpers abgesetzt werden, die dazu bestimmt ist, auf einen anderen Träger oder eine andere Unterlage aufgelötet zu werden. Bs ist möglich die Kontaktschicht nur auf einem sehr kleinen Teil einer Körperfläche abzusetzen, z.B. in einem Feneter, das in einer die erwähnte Fläche bedeckenden isolierenden Schicht, insbesondere in einer Oxydschicht, gebildet ist· In dieser Heise können die Elektroden von Planar-.transistoren und -dioden dadurch gebildet werden, dass die Schicht naoh dem Abset«en erhitzt und auf den Halbleiterkörper aufgeschmolzen wird, wobei dann das Vorhandensein des Halbleitermaterials

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in der Schicht ■-. auf an sich bekannte Weise - eine Herabsetzung der Schmelztemperatur herbeiführt, und,ausserderaverhindert, dass sioh zuviel Halbleitermaterial des Körpers in der Elektrode löst, oder mit anderen Worten, dass die Eindringtiefe der Elektrode au groas wird· Dabei ist es vorteilhaft, dass die Halbleiterteilchen in das Metall der Elektrode eingebaut werden können ohne Anwendung einer hohen Temperatur oder mechanischer Kräfte, die die Eigenschaften der Vorrichtung beeinträchtigen könnte, bzw. konnten*

; - ^; 3s sei bemerkt,- dass in den Fällen, wo in diesem Zusammenhang vom Absetzen einer Kontaktschicht auf einem Halbleitor- öder einem koraaisohen Körper die Rede ist, auch ein derartiger Körper, auf dem sich bereits eine dünne Schicht befindet, gemeint, sein kann» Diese dünne Schicht kann nänlich eine dünne Metallschicht sein, die zur Verbesserung dee Haftvermögens dienen kann, wie eine QoId- oder eine irickelBchicht, die zuvor .auf dem Korper aufgedampft und durch Erhitaung: darin eingebacken wird.

Obachon die Kontaktschicht im allgemeinen kontinuierlicii iilit dem Substrat verbunden ist, kann, nach einer weiteren AueiShasungafOrm der Erfindung, ein zeitweiliges Substrat, verwendet werden* yon.dem dijB Kontaktschicht danach in Form einer Folie entfernt wird. Biese Folie kann durch Walzen, Sohneiden, 3tanzen oder gleichartige nechanisehe Verfahren weiterverarbeitet werden. In diesem Fall kann insbesondere'der Vorteil auftreten, dass die OuktilitMtrder Folie an erster Stelle durch dag in der Kontaktschicht vorhandene Metall böstimmt wirdj dae Vorhandensein des noch nicht gelösten .Halbleiter— materials hat dann nur noch einen geringen Einfluss auf die Öuktili'- ._v, tat. Sie unerwünscliten: mechanischen Sigenschaften der .^legierung; könnten

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erst dann eine Holle spielen} nachdom die Folie zum Schmelzen gebracht ist, z.B. während dee Aufschmelzen auf einen Halbleiterkörper. . '

Das abgesetzte Metall besteht vorzugsweise au· Gold oder Silber, während die abgesetzten Halbleiterteilohen vorzugsweise aus Silizium oder Germanium bestehen.

Vorzugsweise werden dieses Metall und die Halbleiterteilchen derart gewählt, dass diese Materialien ein deutlich hervortretendes Eutektikum bilden, was bei den obenerwähnten Elenenten der Fall ist« Andere bei den erwähnten Halbleitern verwendbare Metall· sind insbesondere Aluminium, Kobalt und Niokel, die mit Oeraaniua und Silizium ebenfalls ein Eutektikum bilden. -

Die Erfindung ist i«dooh nicht auf diese Elemente beschränkt. Die Halbleiterteilohen brauchen nicht aus Elementarhalbleitern, wie Silizium oder Germanium, zu bestehen, auoh Halbleiterverbindungen, wie Galliumarsenid, sind verwendbar insbesondere In Kontaktscliichten, die auf aus derselben Verbindung bestehend· KSrper aufgeschmolzen werden· /

Die Halbleiterteilohen können sehr klein dimensioniert sein» es ist jedoch nicht notwendig, sie derart zu serkleinern₉ da·· sie z.B. in einem galvanischen Bade ständig diepergiert bleiben würden. Die Dispersion kann nämlich bei Verwendung gröseerer Teilchen durch Rühren aufrechterhalten werdenj dabei werden grSseere Teilchen gegen chemische Einflüsse aus ihrer Umgebung weniger eopfindliofe sein.

i)ie Grosse der Teilchen ist vorzugeweiee weniger ale ^ Mikron und sogar kleiner als 1 Mikron« von denen der grSsaer· Teil

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• BAD

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im allgemeinen noch kleiner ist:. ' ..„.

IDs ist meistens vorteilhaft, vronn die in die abgesetzte Metallschicht eingebrachte Menge Halbleitermaterial geringer als die oder gleich der der Bildung das erwähnten Eutektikuras entsprechenden Mengeist«

■Diese Monye kann aluo innerhalb weiter Grenzen variieren. Ute im nachts teilenden beschrieben wird, kann die Menge eo klein sein, dass, abschon die gröaseien in die Schicht eingebrachten Halbleiter teilchen durch ein Mikroskop mit einer massigen Vergrös3erung von z.3* 5^0 mal sichtbar aein können, die Menge jedoch · zu klein sein wird um auf analytischem Wege, wie mittels einer spe'ktröskopischen Analyse, entdeckt zu werdent ,

Die Schicht niosB im allgemeinen mindestens 0,^01 V0I./S, aber vorzuijsvreise inindeätons Ö,0i 1/Ol.;i Halblöitermateriivl enthalten^ damit die wiehtio'uten Vortöiie dor Erfindung verwir'klieht werden kÖli-· ii&ni Eä sind -jödooß viel grÖaBör'e Mengen, wie sölchey die" der Biidung einer völlig aus Eutöktiküm bestehenden Schicht entsprebheni öBenfails verwendbar. Auaserdem ist die Schichtdicke niGht kritiäefi und wird iöi allgeiäeinen geringer seih alö die des Stibö-trats oder' des Häittleitörkorpei?s> Mit dein diese SchibBl verbunden vjerden muäifi I|i^ gieichen ^ l)ickehi die" in der obenerwlhntön Ätft 'von Hetailsciiieii-igä verWe'niiii; tiirdeiij öiili geelgiifeiü , - .·-■ . ,

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die Rede ist,ist das Vorhandensein solcher Dotierungaelemente nioht ausgeschlossen. Zum Einschliesaen eines Dotierungselementee kann ein Salz des DotierungemitteIb im Bade eingeeohlossen werden·

Die Erfindung machtea besondere einfach der Kontaktschicht solche uotierungselemente zuzusetzen, indem diese dem abzusetzenden Metall und/oder dem abzusetzenden Halbleitermaterial zugesetzt werden· Bin Dotierungaelement, das sich aohwer mit Metallen legieren lässt ist ζ·3· Boriura. In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird mit Borium dotiertes Silizium abgesetzt indem das Bad mit mit Borium dotierten Siliziumteilchen versehen wird· Die Herstellung.von mit Borium dotiertem Silizium ist in der Halbleitertechnik: sehr üblich und bereitet praktisch keine Schwierigkeiten·

Sie dotierten Halbleitermaterialteilchen, di« nach der Erfindung den Metallen zugesetzt worden, lassen sich insbesondere von Resten von Stäben, die zur Fertigung von Halbleitervorrichtttngen Gedient haben, oder aus dem beim Zerschneiden der Halbleiteratäbe erhaltenen Abfall herstellen· Das erfindungsgemäaae Verfahren schafft somit eine neue' VerwendungsmÖglichkei-l! des von anderer Fertigung von Halbiöiteivorrichtuingen herrührenden .\bfailmaterisls« Dies isI umso vorteilhafter, da eich diese Rest von dotierten Stäben, äüaser denjöhigein von Qerfflänium^ niöht leicht zur äbermaiigeii Verwendung- reinige« läiseii« iJasäelbe gilt füf iiestevoii siliziuifisfifeeitii Mi örfiHdüiiijögäalöää Kohiäk-SiehiöSl wifä Irsiztipweiae auf einen Halbleiterkörper j der las dömsisiben Material wie dia der HälblöiterkörpQr in dieser SchicHi;, auf-geschmciiiSeiii

öiei fiifii Mf

richtungen oder Subaträte von Halbleiterkörpern und auf UiUi Schiohten

■ ■ ■■■ .■■■■ - öffiii/lil-1 "

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oder Teile dünner Schichten, die durch. Anwendung dee obenbescEriebenen Verfahrene erhalten werden·

Ausfuhrungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben» Es seigen

Fig· 1 einen Schnitt durch ein Substrat einer Halbleitervorrichtung,

Fig« 2 einen Schnitt durch eine Anordnung zum auf galvanischen Hege Absetzen,von Kontaktschichten auf kleinen Gegenstanden, insbesondere dem Substrat nach Flg. 1,

Fig· 3 einen Schnitt durch eine Kontaktschicht auf einem Substrat,

Fig· 4 einen Schnitt durch einen auf einer Kontaktschicht befestigten Halblei terkorper,

Fig· 5 eine Darstellung des Fhasendiagrainms von Gold und Silizium, - ■ .

Fig. ο und 7 Schnitte durch einen Halbleiterkörper, der erste ohne den zweiten mit eine? Kontaktschicht,

Fig. 8, 9 und 1^ Barstellangen der unterschiedlichen Äuftragungestadien einer Kontaktschicht in einem Fenster, angebracht in eine Isolierschicht auf eines Halbleiterkörper,

Fig· 11 eine Darstellung der Art und i/eiae, wie eine dünne Schicht nit Hilfe eines zeitweiligen Substrats erhalten wird,

Fig. 12 und 13 eine Darstellung zweier Stadien eines Verfahrens zur Befestigung eines HalbieiterkSrpers mit Hilfe einer kleinen aus der dünnen Kontaktschicht, wie die der Fig. 11, ausgeschnittenen kleinen Platte, auf einem-Substrat. -'

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Als erstes Beispiel wird das Anbringen einer Kontakt·' achioht auf einem Substrat» z.B. dem Hülleboden oder dem Tr'Sger einer Halbleitervorrichtung,beschrieben» die datsu bestimmt ist» dan Kristall dieser Vorrichtung bu tragen. Dieses Substrat (Fig* 1) besteht aus einer Ifiokelscheibe 1, durch die mit Hilfe von Durchführungen 2 eine Anzahl Leiter 3 durchgeführt ißt. Die obere Pllohe enthllt tin· Erhöhung 4-, auf der ein Halbleiterkörper befestigt werden kann« Auf den Rand 5 kann eine nicht dargeeteilte Kappe »uff«lötet werden·

Eine Anzahl dieser Unterlagen (Fig. S) wird la «ine Galvanikieranla&e &ebraoht» die z.3. aue einer sechswinkligen» au· Isoliermaterial hergestellten gelochten Trommel 10 besteht» die» UB eine waagerechte Keile 11 drehbar in einem Bohllter 12 angeordnet 1st· Unten im Behalter ist eine Anode 13 angeordnet und der Ka.thoden*nschluss geht über die Welle 11 eum Innern der Troaael 10· Di· Antriebsvorrichtuni,· der Trommel ist nicht dargestellt· Die TroMitl dreht sich vorzugsweise abwechselnd in der einen und dann In dw> entg-egeneeeeteten Richtung, dies um eu verhindern» dass sloh dl· ^eiter 3 verwirren. Die kontinuierlich verwendete Galvanisieranlage kann mit Vorteil mit einer Rührvorrichtung 14 versehen werden» ua die Dispersion der Halbleiterteilchen einsuhalten·

Hinsichtlich der Zusammensetzung des Elektrolyt· stellt die Erfindung keine besonderen Anforderungen» es sei dann» dass diese natürlich nicht in störendem Masse mit den Halbleiterteilchen, die darin dispergiert werden müssen» reagieren darf« Mit Rücksicht auf die vielen in der Galvanotechnik üblichen Blder oder Elektrolytβ und die Ansahl geeigneter Halbleitermaterialien» wird

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ea nicht schwer sein, geeignete Hlektrolyte und Halbleitermaterialien für das Galvanisieren zu wählen« Im Prinzip lassen sich die üblichen Elektrolyt« verwenden, man soll sich jedoch zuvor duroh .einen einfachen Versuch davon überzeugen, ob das suspendierte Halbleitermaterial während tiergewünschten Behandlung»zeit nicht oder, wenigstens nicht zu stark.'angegrif.'fen wird.

Zum üblichen Vergolden der in Fig« T dargestellten Unterlage ist ein Bad· verwendbar, das pro Liter Wasser enthaltt 100 g Ammoniumnitrat (M,)ρ CgHgO_{7 ;} Hä? Qo ldlcaliuraziranid RcH)₂AuI K (6B# Aa) 0, 5 g" pülveriaiertes Silizium«

: -' Mit Ausnahme des zugesetzten Siliziums ist das oben-. stehende j3ad ein Standardbad* " - ". "_

Die Tempora tür dieses Bades beträgt mi't Vorteil 50°C und die Stromstärke lie_et zwischen 5^0 und 800 mA/dm .

"""■■· Έ3 ißt vorteilhaft, die Halbleiter teilchen einige

Stunden in einer z»B. aus einem, Aphat hergestellten Kugelmühle zu mahlenj die vorzugsweise ^:i&ine kleine Menge des nachher zu' verwendenden Slefctrolyts enthält. - . . ■

Die AbmesaungeE der lüeiaten Heilchen si'nd kleiner als die Bick&ider niederäesca-lagehen Kbntaktscüicht von'6"' Mikron. Die. mittlere./Grosse kann z»3v 'ingeführ 1 Mikron betragen* Das Vorhandensein vaii-Teilchen, die grosser^ sind als 6 Mikron, bereitete"jedobh keine 3ciiwiei?igkei'tenr ^:; ^; * " "- ' '.

"'■■■■''.'-'*''■ "·^'Beetfeffs:^ der Stiibiadichte sei bemerkt^ dasa dafür .erwahntenr "Sade "ohne -suspendierte Siiiziamteilohen ein Wert von

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üblich ist und dasa es gefahr lieh ist, eine höher· Stroaetärke ssu verwenden, da sonst "Verorennungserscheinungen'¹ auf der niedergeschlagenen Schicht auftreten können·

Das Vorhandenaein der 3iiiziunteilchen im galvanischen Bade ist* also nicht störend, la Gegenteil, es bietet an eich bereits Vorteile· Auch scheint das Vorhandensein dieser Teilchen eine ■ gewisse Reinigung durch Adsorbtion herbeiführen zu können, wodurch Filter aus Aktivkohle, die sonst wohl bei galvanischen 3;idern verwendet werden, unterbleiben können·

In der Kontaktschicht 20, deren Querschnitt schematisch in Pig:. 3 dargestellt ist, konnten die dicke ten Silizium teilchen 21 durch ein Mikronakop mit einer Vergrösserung von weniger als 130 mal (lineare Ver£jrSuBerun±j) sichtbar tjemacht werden. Sie sind gross en teils in der auf der Unterlage 1 befindlichen Coldschickt 22 eingeschlossen· Wie im Oberratehenden beschrieben wurde, kann die Schicht 22 eine Dicke, von z.B» 6 Mikron haben, obschon dünnere Schichten mit einer Dicke von 3 Mikron auch sehr gut verwendbar sind.

Auf die Kontaktschicht wird ein Siliziurakrietallkörper

30, wie in Fig· 4 dargestellt ist, durch Legieren verbunden· Die Einzelheiten dieses Körpers, der z.3. eine Diode, ein Transistor oder eine integrierte Schaltung sein kann, sind für die Erfindung nicht von ve— sentiicher Bedeutung. Zum Erhalten dieser Verbindung wird das Ganze, das aus einem Substrat, einer Kontaktschicht und einem Halbleiterkörper besteht, einige Sekunden auf eine Temperatur von 410 C in einer niohtoxidierenden oder reduzierenden Atmosphäre erhitzt} die Erhitzungsseit und die Temperatur sind nicht kritisch, sofern die Unterlage eine

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Temperatur erreicht» dia etwas höher liegt als die Bitektikumtemperatur. Die verwendete Teaperator wird mit Vorteil auf ungefähr 40⁰C über dta Eutektikunpunktvon OoId und 31Iisinn geeteilt« Dieser Unterschied Von 40⁰C ist klein ie Vergleich sutt Unterschied ron 155°C bis 190⁰C den ·*" gibt, venn nach einem bekannten Verfahren ein au» 3iliBium bestehender Körper mit Hilfe einer zuvor hergestellten eutektiBchen Legierung von ööld und 31Iieius bei einerTemperatur von 525 Die 560 anlegiert wird. Sicht nur die Temperatur, sondern auch die Zeit der Erhiteungist wichtig» Aue vergleichenden Versuchen stellt es sich htrau;i, dass wenn man B.B. eine L8tseit von 2 Sekunden als maximal annimmt, bei Verwendung einer Kontaktschicht iuie Hold eine Temperatur von 46O°C notwendig ist. Wenn nan eine GoliBchicht mit eingebauten 31IiZi-Miteilohen Verwendet, dann reicht eine Lotteaperatur von 420°C

Sines der Kriterien für eine gute Verbindung ist die auereichende üebertragung der im Kriotall entwickelten USrme zum Sub-β trat hin. Bs wurde gefunden« dass die HSrnoübertragung bei einer nach der Erfindung hergestellten Vorrichtung sehr gut ist und wenig Streuung aufweist· Veiter ist die QualitSt der Lot- oder HarttjBtvcsrbindung zwischen dee Kristall utuLder unterlage besser als die von Gold allein. Aufgezeichnete elektrische Kontakte werden mit einem niedrigen thermiechen

Viderntand erhalten* Die HSglichkeit^^ einer Verbindung ;oder Äöfestigung

von Halbleiterkörpern durch Anscumelsen bei relativ niedrigen Temperaturen, bildet in vielen Fallen einen wiehtieen Vorteil, da die Gefahr von schldlichen ninfl'isaett auf den Körper und auf lessen Structur, auf dieee «eise verringert wird. Der Grund, dass es aögllch ist bei derartig

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niedrigen Tempersturen «u arbeiten, liest aioh nicht implicit erklären, aber untenstehend· Erwägungen können in dieser Hinsicht wichtig sein.

Wenn ein Halbleiterkörper zub Ansohne1«en «uf eine. Kontaktschicht gelegt wird, dann werden diene beiden Teile, da sie

anfangs

nie vollkommen .flach sind, einander/an drei Stellen berühren· Sie Bildung einer Legierung der beiden Materialien wird sich von diesen Stellen her allmählich verbreiten, wae eine gewisse Zeit und um nleht zu langsam ssu arbeiten, eine relativ hohe Temperatur erfordert. Bei Anwendung eines erfindungsgaa&ssen Verfahrens, das men als «in *Dlspersions-Verbindungeverfahren" beeeichnen könnten, fängt die Bildung einer'Legierung nicht en drei oder weniger Stellen an, sondern augleioh in vielen Gebieten, wo die Halbleiterteilchen in der Schicht Aiaper- £icrt sind. Natürlich werden eich besonders diejenigen Teilchen aa verbesserten Verbindung«verfahren beteiligen, die sich unter den an der Kontaktschicht zu befestigenden Halbleiterkörper befinden oder diejenigen Teilchen, die dicht an dieses Körper liegen· Dies erkl&rt auch die Tatsache, dass eine Verbesserung des Verbinduttßsverfahrene alt Schichten erhalten worden ist, in denen der Gehalt an le Ketall dispergieren Halbleiterteilchen viel niedriger war als derjenige, der notwendig sein würde, us eine Umwandlung der ganzen Sohioht In eine eutektische Legierung zu erreichen; dies erklärt auch den Umstand, dass me erwünscht ist, sehr kleine HaIbleiterteilchen eu dispergieren ο .

Wenn ein SiliciuokSrper Bit Hilfe einer OoId-SlIisiu»- Legieruhg auf bekannte Weise auf ein mit Gold bedecktes Substrat gebracht wird, dann ist es vorauszusehen, dass dieee Legierung beim eu— tektieohen Punkt, ^d®^r _ftlJQ S ^toS*?!&!?'c S* ^achiaelBen ej^PSngt. Venn nun

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diese Legierung jedoch mit dem Silizium einerseits und dem Gold andererseits zusammenzuschmelzen anfängt, steigt der Schmelzpunkt der dann ortlich gebildeten Legierungen schnell, so dass man, zur Gewährleistung einer„Verschmelzung über die ganze Oberfläche, mit höheren Temperaturen arbeiten muss. Das in Fig. 5 dargestellte Phasendiagramm, das aus dam Werk von Hanse "Constitution of binary ■alloys.¹* New York 1958» Seite 232, übernommen wurde, zeigt die schnelle Steigung dieser Schmelzpunkte· -

Venn dagegen die Kontaktschicht aus Metall besteht,

das Halbleiterteilchen enthalt, die also mit dem erwähnten Metall zusammenschmelzen werden, ao könnte eine Neigung bestehen, dass dieses Zusammenschmelzen erst oberhalb des eutektischen Punktes spürbar werden würde, aber dann auch schnell _?und leicht erfolgt·

• Bei mikroskopischer Betrachtung eines Schnitts durch das erhaltene Produkt wird man in der Kontaktschicht 31 (Fig. 4), ausser dem übliohen rekristallisierten Gebiet 32, Einschlüsse oder kleine Insel 33 finden, die aus Silizium, einem eutektischen Gemisch von Gold und SLIizium- bestehen können, oder einer Gold-Siliziumlegierung einer anderen Zusammenstellung als die des Eutektikums bestehen, die entweder unter dem Halbleiterkörper oder neben demselben anwesend sein können· Die Grösae'dieBer Einsohlüase 33 ist'nicht nur von der Gross©der niedergeschlagenen SiIi ziumtei lohen abhängig, sondern auch von anderen Faktoren, z.B. Erhitssungs- und Abkühlungsverhältriissen. Derartige Ein-· sphlüsee können auch auftreten, wenn ein Halbleiterkörper auf eine ausechliesslibh aus Metall bestehende Kontaktschicht aufgeschmolzen _; wird, aber eich dann aueschlieBslioh; unter"dem Körper oder in der : unmittelbaren Umgebung desselben befinden. In einer geinäös diesem Aus-

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führungabeiapiel naoh. der Erfindung hergestellten Halbleitervorrioh- ' tune» wird man Halbleitermaterial, gegebenenfalls in Form von Einschlüssen in der gangen Kontaktschicht verbreitet, nioht nur in der Umgebung des Körpers 30, sondern über die gansta Oberfläch· der Scheibe 1 und sogar unter den Leitern 3 (Fig. 1) finden. Teilchen des Halbleitermaterial oder" des Eutektikums werden oft auch nach Erhitsung über der eutektische» Temperatur in der Kontaktschicht gefunden. Das Absetzen von Halbleiterteilchen kann jedoch örtlich verhindert werden, 2.6. duroh örtliche Maskierung auf jenen Bezirke, wo Sie ungewünscht sind, z.B. am Band 5 (Fig· 1).

Wenn die Kontaktschicht auf galvanischem Weg« alt

Hilfe eines äasaeren elektrischen Feldes abgesetzt wird, wie in diesem Ausfiihrungebeiepiel, dann werden die Halbleiterteilchen ganz oder teil— weise durch elektrophoretisch« Phänomene auch abgesetzt werden. Wie bereits im Obenstehenden bemerkt wurde, läset sich das Metall der Kontaktschicht auch ohne Anwendung eines äusseren Feldes, nach einem chemischen Niederschlagsverfahren absetzen» Eine siliziumhältige Kontaktschicht kann auf diese Weise erhalten werden durch Verwendung von BSdern, wie beschrieben im Artikel von de Miηjer und Brenner In "Plating" Vol. 44, Dezember 1957j Seite 1297-1305, wobei den erwähnten BSdern Siliziumteilchen zugesetzt werden. So ist z.B..ein Bad verwendbar, dessen Tempera tar zwischen 95 ^c und 100 C liegt, und das pro Liter Wasser enthält!

30 g Niokölchlorid (KLGl₂.6HgO) 10 g Natriumphosphat (XaHgPOg.BLO') 25 g Hydroxyessigsäure (HOCHgCOOHj 1 g suspendiertea Siliziumpulver.

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In diesen PSllan lassen sioh keine elektrophoreseohen Effekte erwarten» Dadurch werden sieb, die Halbleiterteilchen vorsugsweise auf waagerechten Fliehen abaetsen. Dies kann vorteilhaft sein in denjenigen Füllen, wo ihrs Anwesenheit auf anderen FlSohen weniger erwünscht 1*1;* Se dürfte einleuchteng dass ee beta galvanischen Niederschlagen unter.Anwendung eines lasseren elektrischen Feldes möglich ist, > die ArbeitsverhEltniBs® su bestimmen, d.h. die Lage der Elektrode und des Substrate, und die Richtung doa Feldes, derart, dass die Ablagerung voreugeweiec auf einer bestiamten Fliehe erfolgt. Selbstverständlich gilt dieser Voreug sowohl für das Metall als auch for die HaIbIeItertelichen» Bb ist BeibetTeretSndliohraöglioh, hintereinander ein Verfahren mit eineiB Easseren elektrischen Feld und ein Verfahren ohne ein Hueeeres elektrisches Feld oder umgekehrt anzuwenden. ;

Sas Abe«tsen von Kontaktechichten^ sauf eiektrolytiechem Weg*, »or Herstellung von Halbleitervorrichtungen, hat den Vorteil, dass die erhaltene Schicht einen hohen Beinheitegrad auf weist und dass das Verfahren bei relativ niedriger Temperatur erfolgt· VeIter lasst sich das erfindungsgeaSssa Verfahren in vielen Päxlen mit ai anderen Zwecken bereits anwesender Apparatur durchführen, da den üblichen galvanischen Bädern' nur eine geringe Menge Halbleitermaterial in Fora von Pulver sugseeiet sü werden braucht. Weiter bietet dieses Verfahren den Verteil, dass die Verteilung der H»ltoleit»rteilohenüber die Metall-Bchioht leicht und effektiv"geeteuert werden kann«

Wenn es erwünscht let, Halbleiterteilchen, die in galvanischen SSdern nicht Stabil genug sind, wie AluminiumphoBphide und Aluminiuiaarsenide, abzusetzen, kann das Metall voreugeweiee auf trooknem

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Wege, s.B. duroh Aufdampfen oder duroh K&thodenserstftubuag aitdergeschlagen werden, während Halbleiterteilohen sugleiok oder t&tttraittii rend, s.B. duroh Gravitation, sur Ablagerung auf did gebildete oder ι bildende Schicht gebracht werden. ·

Ein® erfindungsgealtaee Kontakt*©hioht kenn auch auf einem Halbleiterkörper abgeastet werden« Dies kann alt Hilf««Int· Verfahrens erfolgen, das eich nur wenig tob bekannten V«sr£ah3?ea aur Anbringung von auf galvanischem Hege «bgesetsten 8ehioht«s& au« äreiitei Metall unterscheidet.

Ua ein» aus Gold und fuliiiua bestehend« Sohiefet SMf einen nur aus Silisiuakrietail beeiehes&Aea iCBrpef auf outrages^ z.B. auf einen aus Sillslua bestehenden Körper 4O v©rsug»w«i»« dänne Ooldsohioht 41 (Fig. 6} eufgedeapft, die durch Iraite^af «&f ungefihr 600⁶C einige Minuten eingebacken wird* Dies» Sobie&t Äitwt sur Verbesserung der Haftung der Kontakteohioht 42 (Pig. I)₉ t&ft «t* Hilfe dee obenbeschriebenen Ooldbadea Aufgetragen werden kAäüSj, WaA la dem sich Silisiuateiloheffi 43 (Fig* ?} befinden» Ber ßuf-Al·«» Weise erhaltene Körper kann, gegebenenfalle ssaeSidea er ta kieieeyffi i*8©it# geschnitten worden ist, eu£ elbea Subeteat anff«br©ols% t#@e4«a» fordert und beschleunigt &M ¥©rhaad*nee£a des Siiieiae» ia Mm schicht sowohl den Flues «ad die Haftung der Koataktseliiea^_1&L eiaüf: relativ niedrigen temperatur, und veiter beeokräüskt β« 4t#^: ÄiÜiitta-" menge_r die voa KSrper 40 h®v in der

kann suror eine gewisse Struktur gegeben sein «ad s.B« eine te Schaltung oder eine Ansahl derartiger Sch*ltungea : - Auf entepreohende ¥eiee kaaa eia^: «u» Ooid

Kontakt in eines Fenster einer auf eine» Halb!«iterkörp*!¹

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21 -■■ : - PHH 1578

isolierschicht mittels des sogenannten ''Planar'^Prozeseea angebracht werden. v^:: '""■' ;■-".-■" ■_■■--" ■--.'■-": "- _: _ -'''■.' /:~-~ : - . -

Fig. 8 aaigt einen ableitenden HalMeiterkorper 50 aus Silizium, au? dem, auf üblichem Weg»« eine Siliziuraoxydschicht 51..nit einem Fenster 52 angebracht lat* Mittels BoTiumdiffusion wird das Silizium unter dem Fenster bis au einer Tiefe von 3Q μ in eine p—leitende Zone 53 umgewandöä (Pig· 9)·

!Taoh Aufdampfen einer (nicht dargestellten) dünnen · Goldsohicht· in dag Pens tor und nach einigen Minuten Erhitzen "bei " ungefähr 6OQ⁰G wird auf die bereits beschriebene Weise die SiIiziümtöilchen enthärtend© Kontaktschicht 54.. aus HoId in dem Fenster abgelagerte J)er Körper 50 ist -dann: als Kathode (Fig. 1ö| zu verwenden. Weiter kann eine Ablagerunß von Gold oder Siiiziua aufungewün3Chten Stellen durch Anwendung einer MaukierungBtächnik verhindert werden.

In diesem Fall kann das Siliziuräfiulver wiü "Vorteil zuvor mit Bbriuö dotiert werden. Bin;e derartige! jedo_:ch mit Antimon dotierte Schicht 55 kann auf der Unterseite 5^ des Körpers angebracht wprden« Die Schichten 54 und 55 können durch eine kurz© Erhitzung auf 410 0 auf den Körper aufgeschmolzen werden. In diosera Fall ist es besondera wichtig dass die gebildet© PoId-Si-Iiziumlegiemng 54 nioht tief in di$ sehr dünne Zone 53 eindringt, liazu kann diel Konzentration der Halbleiterteilohen im Metall höher ββΐκ als die, welohs in einer Schicht zur YerMndüng des Halblsiterkörpers mit einem Substrat (Fig* 4) verwendet wird» Da das Eindringen sehr glöichmässig erfolgen mues» kann es vorteilhaft sein, dass die Siliziumteilchen, die in dieser Schicht abgesetzt werdsii sehr fein sind und eine, regelmässige Orösse aufweisen.

BAD ORIGINAL

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Sie Kontaktschicht kann gegebenenfalls auf einem ' zeitweiligen Substrat abgesetzt werden« Wenn das Metall auf galvanischen Wege abgesetzt wird; dann ist es möglich, dazu, wie in Fig* 11 schematisch dargestellt ist, z.B. ein Substrat 60 aue poliertem rostfreiem Stahl zu wHhlenj vor dem bekanntlich ein galvanischer Niederschlag leicht abgeht· Bs ist auch möglich ein gläsernes Substrat zu verwenden, das zuvor metallisiert worden ist» Mit Hilfe eines der obenerwähnten Bäder kann darauf die Kalblaiterteilchen 52 enthaltende Kontaktschicht 61 abgesetzt werden* Fig. 11 zeigt in einem viel grSsseren Detail eine Kontaktschicht, deren an der Oberfläche liegend« Zonen 63 und 64 auf beiden Seiten der Schicht keine Halbleiterteilchen enthalten, was dadurch erhalten wird, dass am Anfang und am linde des Vorgangs aueschllesslich reines Metall abgesetzt wird» Nachdem die Schicht 61 in I^porm eiiier Folie vom zeitweiligen Substrat 60 entfernt ist, kann sie in kleine 'icheibcn, Streifen oder Drähte verteilt werden, ohne dass es, insoweit das reine Metall duktil genug ist, Schwierigkeiten geben wird. Auf diese Weise ist z.3. eine aus Gold mit 3iliziUB-teilchen bestehende Kontaktschicht so duktil, dass sich leicht kleine Scheibchen daraus herstellen lassen, während es schwierig ist durch Legierung eine dünne Schicht derselben Materialien zu erhalten und bereust el ler..

Ton einer auf diese Weise erhaltenen dünnen Schicht ist es möglich insbesondere Soheibchen JQ (Fi^. 12) su stanzen, die zwischen einem Halbleiterkörper 71 und einem Substrat 72 angeordnet werden können, der danach durch kurzzeitige Erhitzung des Ganzen (Fig* 13) zueammengeateilt werden kennen» Im allgemeinen werden viele am Anfang vorhandene Halblsiterteilchen 62 während dieser Behandlung galSst und führen die Bildung von Einschlüssen 73 herbei, die aus eines?

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BAD ORSGlMAt

Im Qijenetehenden war die Rede von dia aue Gold und Stlisiivua-'-bee-tehea einerseits, weil SilislurakSrper aehr oft in SaloleiteiVo^rioiitungon v©ywend©t.'frerden- und anderer»? Seite veil Sold oft sowohl ale Kostakt auf dem Sillsiuraale auch sur Bedeokung gfcwlsaer Toi Ic₅ s. B*(te· JlüBan tee TpU@br vor Salbleiterkßrpsyn, der SfeXOBÄbnehmer für die Slektrod®n_? uew« verwendet tfirde ZwangslSiaffig 1st die Erfindung nicht auf diese Kombination von Materialien beschränkt» ■". ' ■--..- . .... - ■ ■'; --■.■"■- ' - .

In der Hntenstefeendfin-Tabelle werden--einige andere Beispiel« ve» KombinetIonen won Metüllen und Halbleitern gegeben» Bio eingeklaäßerten Tümperaturen stellen annähernddl® Sehaelstedaperatüren der siagehSrigaa EleEent© dar» Die eutsktischen Temperaturen auf den Kreueungen der Reihen-und der Spalten gefandena ' -

Al (^50⁰C): ku (1O63°C) Co

Oe (94?G) 65Ä 424⁰C 35S°C aiO°C 775°C

St (1415^C) 830⁰C 577°C 170⁰C 1t95°C 8o6°C

Es ei ad Ina besondere die»Legierungenrom.-'QoIdund

Silöer einerseits uad Oeraaaiu» odLtr Siliaiujs Änaerereeite, die deutlieh kervortreterade Sutektiken, ^iiden. Meh Alusiniuia bildet niedrigaohaelsende Le^ierusäg««, dies «β M& Serial ilsat «loh« da «s öJEydierbar ist» nicht so gut aur Srhiltung von Kontaktachiofeten verwenden sie die etehendea Kiterislien. Köbait und Tfiökel sind in dieeer iabelle aufgeführt, 'Veil «Ie, den Vorteil blöken, leicht mittele '• fahren abgöeets&t werden au fconnöin*

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16U218

Weiter sei bemerkt» dass es. ie Rahmen der Erfindung auch möglich ist, die Kontaktschicht mit anderen Schichten'su kombinieren. So 1st es β. B. möglich eint Qoldsohicht auf einer durch chemischen Niederschlag"erhaltenen und Halbleiterteilchen enthaltenden Nickeleohicht niederzuschlagen· Umgekehrt ist es möglich auf eines vernickelten Substrat eine aus QoId und Silisiumteilchen bestehend« Schicht abzusetzen·

Weiter sei bemerkt; dasβ mehrere Metalle sugleloh niedergeschlagen werden können und dass die Halbleiterteilchen «us . verschiedenen Halbleitermaterialien bestehen können. <

Se dürfte einleuchten, daes Abarten der obenbeeohrietunen AusfütirungßbeiEidele insbesondere darch Ereetnung durch gleiohwerti&er Techniken, mSglich Bind ohne aus dem Rahmen der Erfindung au treten·

G Q 9 8 2 6 / O 5 E 1

Claims

τ 25- ^: " PHN 1578

.'*■ PATEIiTAIfSPHtICHKl

1. Verfahren aur Herstellung einer Kontaktschicht für

Halbleitervorrichtungen, wie Transistoren» integrierte halbleitende Schaltungen, und Dioden, wobei die Schicht ein Metall und ein Halbleitermaterial enthält, dadurch gekennzeichnet, dass das Metall als eine busammenhängende Schicht auf einem Träger ausgeschieden wird wahrend bei diesem Ausscheiden Teilchen, die aus Halbleitermaterial bestehen das mit dem Metall, legierbar ist, zugleich abgesetzt werden bei einer Temperatur die niedriger ist als diejenige, bei der das Metall und das Halbleitermaterial zusammenschmelzen, und die Teilchen dieses Halbleitermaterial mindestens teilweise vom ausgeschiedenen Metall eingeschlogsen werden. ·

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass

die Kontaktschicht, nachdem aie mit einem anderen Teil einer Halbleitervorrichtung In mechanischen Kontakt gebracht ist, auf eine Temperatur, bei der die Materialien legieren, erhitzt wird.

3'· Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch

gekennzeichnet, dass das Metall galvanisch ausgeschieden wird. 4» Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch

gekennzeichnet, dass beim galvanischen^Ausscheiden ein äusäeres elektrisches Föid verwendet wird»

5· Verfahren nach einem". der-'vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausscheiden des Metalles nach dem ''electro !esa "-Verfahren erhalten wird. ■"■"", : 6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Metall durch Zerstäubung ausgeachieden ist.

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7· Verfahren nach einem der vorstehenden Anaprüohe, da-'

durch gekennzeichnet, dass das Metall mittels Kathodenzerstäubung
ausgeschieden wird.

8. Verfahren nach einem der voratehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dia Schwerkraft das Absetzen der Halbleiterteilchen fördert»

9· Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche,

dadaroh gekennzeichnet, dass das Substrat durch ein Metall gebildet wird, dessen thermischer AuedehnungBkoeffizient dem der üblichen Halbleiter entspricht.

10. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,■duas das Subetrat durch einen Halbleiterkörper gebildet wird.

11. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekonnzeichnet, dass das Substrat aus keramischem Material besteht*

12. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktschicht auf jenem Teril des
Halbreitarko'rpere angebracht wird, der dazu bestimmt ist, mit einem anderen Substrat verbunden zu werden.

13· Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktschicht in einem Fenster angebracht wird, das in einer.Isolierschicht, s.B» einer Oxyschicht auf ^ dem Halbleiterkörper, gebildet ist.

14· Verfahren nach einem dear vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktschicht auf einem zeitweiligen Substrat angebracht und in Form einer Folie von demselben entfernt / wird.

009826/OS 51 BADORiGlNAL

"15«-~ ■"'"'-■" -.Te^fatoea »aeli'elhem-der vorstaheridea"""
dadurch gükennzelchiietf dass ale Metall Cold auBgesoiiieasn wird.
16. Verfahren n&oh einen d@r vojpb teilenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet_t daee alE Mstall Silber auagasöhieden wird·
17· ' Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüohej, dadurch gekennael cane t* dseB "dag Ealbleit®^^ ist·
16· Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnets dasE dae Halbleitermaterial Germanium iet.
19* Verfahren naofe einem der yörBtehendenÄneprüche, da-' durch ffekenneeiohnctj, dase die Halbielterteilchen ia Anwesenheit dee weiter verwendeten ElektroIyte geeahlen Horden Bind. '

20. Verfahren nach einem der■■■ "Verstehenden AneprUche, dadurch gekenneeichnet$ dass das Metall and das Halbleitermaterial ein deutlich terror tretendes Kutektiiaia bildene

21. Verfahren nach einem der vorc tehenden Ansprüche j, dadurch gekenneei ohne t, däöB die Halbleiter teilchen kleiner als 5 kl krön Sind./ :-'';-"/' " ;"" ". "".-";':.- V-;.- ■" > " : '. - -""·■■ " :■

22. Ve^fahreK näoh efneis der'-. yb-reiehendeti;^ Anapriiche_t daduroh gekennseichnets dass die Menge Ealbleiteraaterial, .die in der Metalleohichi diepergiert iat₉ aindeatene O,O01 Vol. id*e Metalle beträgt., -'.ν..--. ." ■ _^: ';:'■ :-:\-^: :^:': '■■'"-:...: jy y '■ ■ ■ Γ ^: .". ' -.--.

2J· Verfahren naolt einem der"yorstehenden Ansprüche, dadurch gekennseichnet, dass 4ie Meng© Halbleitermaterial, die in der , Met^llechicht dispergiert ifft, iindöetena 0,0t Vol.% des Metalle beträgt. 24. · Verfahrennach einem ά,βτ vorstehenden Anap^ohe, dadurch (reK-enneeichnet, 4»38f iie Mengeι Halbleitermateriaii -die in der ause#schiedeneh Metallechicht diepergiertiät, wenigej· oder am höchsten

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16H218

gleich der Menge ist, die der Bildung dee betreffenden ButttktlkuiM entspricht. _;

23. Verfahren nach einen der vorstehenden An.*prüohe_f &A-

durch gekennzeichnet, does das ausgeschiedene Metall Doti «rung· elemente enthalt. -

26. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnetj dass die Halbleitertellche» Dotieruneeeleaente enthalten»

27. ' Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche_r dadurch gekennzeichnet, dass die Siliciumteilchen mit Soriua dotiert sind.' - " ■ ■

28l. VerfahTön nach einem der voretehenden AnaprScae» da-

duroh gekennzelchnot, dass die Kontukteohioht mit einem Halbleiter*· körper verschmolzen wird, der aus demselben Material besteht wie die Halbloiterteiichen in dieser Schicht.

23. Kontaktschicht t&r eine Halbleitersrorriühtus«, die

duroh Anwendung οines der vorstehenden Ansprüche hergestellt 1st« 30. Substrat fur einen HalbleiterkBrper, imbesondere '

ein Substrat das einen Teil einer Hülle eines Halbleiterkörper bildet, das mindestens teilweise mit einer Kontaktachicht bedeckt ist, die aus einer zusammenhangenden Metallschicht besteht, in <l*T aus einem Halbleitermaterial bestehende Teilchen eingeschlossen sind·

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