DE1602002A1 - Einrichtung zum Brechen plattenfoermiger Gegenstaende,insbesondere Halbleiterplaettchen - Google Patents

Einrichtung zum Brechen plattenfoermiger Gegenstaende,insbesondere Halbleiterplaettchen

Info

Publication number
DE1602002A1
DE1602002A1 DE19661602002 DE1602002A DE1602002A1 DE 1602002 A1 DE1602002 A1 DE 1602002A1 DE 19661602002 DE19661602002 DE 19661602002 DE 1602002 A DE1602002 A DE 1602002A DE 1602002 A1 DE1602002 A1 DE 1602002A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
plate
roller
rollers
breaking
individual elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19661602002
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiaki Nakamura
Katsuo Sato
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Nippon Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Industry Co Ltd filed Critical Nippon Electric Industry Co Ltd
Publication of DE1602002A1 publication Critical patent/DE1602002A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0052Means for supporting or holding work during breaking
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0017Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools
    • B28D5/0029Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools rotating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/02Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/023Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
    • C03B33/033Apparatus for opening score lines in glass sheets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043Making grooves, e.g. cutting
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T225/00Severing by tearing or breaking
    • Y10T225/10Methods
    • Y10T225/12With preliminary weakening
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T225/00Severing by tearing or breaking
    • Y10T225/30Breaking or tearing apparatus
    • Y10T225/336Conveyor diverter for moving work
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49789Obtaining plural product pieces from unitary workpiece
    • Y10T29/4979Breaking through weakened portion
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49995Shaping one-piece blank by removing material
    • Y10T29/49996Successive distinct removal operations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

Anmelderin; Stuttgart, den 2β. Mai I966
Nippon Electric Company Limited P l8j55 51/52 7 - 15j Shiba Gochome, Minato-ku
Tokio/Japan
Vertreter:
Patentanwalt
Dipl.-Ing. Max.Bunke
7000 Stuttgart 1
Schloßstraße 73 B
Einrichtung zum Brechen, plattenförmiger Gegenstände, insbesondere Halbleiterplättchen
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Brechen harter und spröder, plattenförmiger Gegenstände, insbesondere Halbleiterplättchen, längs Anreißlinien in Einzelelemente. Während dieser Brechbehandlung ist das betreffende Halbleiterplättehen normalerweise sandwichartig zwischen zwei Kunststoffolien eingeschlossen, die die Einzelelemente festhalten.
Ein Halbleiterplättchen wird normalerweise dadurch in Einzelelemente geteilt, daß es längs vorgeschriebener Anreißlinien angerissen wird, daß beide Flächen mit einer dünnen Kunststoffolie
909882/032/;
belegt werden und daß man eine Keilkante gegen die Rückseite der Anreißlinien wirken läßt. Zum vollständigen Zerbrechen des Plättchens muß man die Keilkante zunächst gegen die Rückseite der in einer Richtung verlaufenden Anreißlinien stoßen und dann gegen * die Rückseite der dazu senkrechten Anreißlinien. Das Brechen muß deshalb mit großer Sorgfalt erfolgen, damit nicht einige Einzelelemente von den Kunststoffolien abgelöst und gegeneinander verschoben, insbesondere übereinandergeschoben werden oder sonst in Unordnung kommen, wodurch einzelne Teile des Plättchens nicht gebrochen würden. Eine bekannte Einrichtung, wo das angerissene und sandwichartig eingelegte Plättchen zwischen zwei komplementär zueinander konvexe bzw. konkave Backen eingepreßt wird, weist den Nachteil auf, daß häufig ein Teil des Plättchens ungebrochen bleibt'. Ein vollständiges Brechen erreicht man durch Einwirken einer Keilkante gegen jede Anreißlinie, doch muß diese Arbeitsweise von Hand ausgeführt werden, was unzureichend ist und sich nicht mechanisieren läßt.
Die Fig. 1 und 2 zeigen in Ansicht und im Schnitt ein Halbleiterplättchen 1, das sandwichartig zwischen zwei dünne Kunststoffolien 2 und 3 eingelegt ist. Zuvor sind auf dem Halbleiterplättchen jeweils senkrecht zueinander Anreißlinien 5 aufgebracht, längs deren das Halbleiterplättchen 1 in Einzelelemente K gebrochen werden soll. Nach Pig. 2 sind die Einzelelemente K bereits längs der Linien 6 voneinander abgetrennt, werden jedoch noch durch die Kunststoffolien 2 und 3 zusammengehalten.
Fig. 3 zeigt eine bekannte Einrichtung zum Brechen bzw. Abtrennen der Einzelelemente. Dazu gehören ein konvexer zylindrischer Unterbacken Y, dessen Krümmung den Abmessungen der Einzelelemente 4 angepaßt ist, ein dazu komplementärer, konkaver Backen 8, der durch einen Druck P gegen das sandwichartig eingespannte Plrätt-
<£> chenl gedrückt werden kann, das auf dem konvexen Unterbacken 7
co liegt. Die Stirnfläche des Backens 8 kann mit einer Schicht 9 aus
O0 einem nachgiebigen Stoff bekleidet sein. Der schwerwiegendste Nach-1^ teil dieser Einrichtung liegt darin, daß es sich nicht vermeiden ο läßt, daß einzelne Elemente ungebrochen bleiben. Während der Ab-
fsj senkbewegung des konkaven Backens 8 setzt derselbe zunächst auf *"* die beiden Seitenkanten des Plättchens 1 auf, während der konvexe Unterbacken 7 längs der Mittellinie des Plättchens 1 anliegt. Dadurch wird innerhalb der Anreißlinien im Bereich der Mittellinie
desPlattchens ein größeres Biegemöment erzeugt. - Infolgedessen erfolgt das Brechen zunächst "In diesem Mxttelbereieh, so daß sich das Plättchen 1 abknickt undder konkave Backen 8 dem konvexen Backerrf näherkommen kann. Da jedoch nur die senkrecht zur Ober- :-··.. j fläche des Piättchehs Γ wirkende Komponente des Drucks P. zum; Bre- j Chen des" Plättchens 1' wirksam - ist--und da die seitlichen Teile des · Plättcheris" 1 stärker geneigt sind, läßt es sich nicht vermeiden,.,^ j daß auf den Seiten des Plättehens 1 Einzelelemente ungebrochen. '. i bleiben. Ferner führt die Biegung des Plättehens 1 zu., einer Dehnung der stirnseitigen KunststoffölfgngQEtnd auiginer-bEtisamBien- ; drückung der rückseitigen Kunststoffolie 3i Dadurch 'wird ein -Abflögen der Kunststoffolien 2Und 3 begünstigt. .
Fig. 4 zeigt eine andere bekannte Einrichtung, die eine entsprechende Unterläge aus Gummi oder einem ähnlichen Stoff aufweist, auf die das angerissene und sandwiehartig eingefaßte Plättchen 1 mit der Unterlage 10 zugewandten Anreißlinien 5 gelegt wird. Ein Keil 11 oder eine zylindrische Rolle wird längs jeder Anreißlinie auf die Rückseite des Plättehens' 1 gepreßt. Dabei können keine Einzelelemente ungebrochen bleiben. Es ist jedoch schwierig, den Keil 11 genau längs einer Anreißlinie 5 gegen das Plättchen 1 zu stoßen, da man von der Rückseite des Plättehens 1 aus arbeitet. Diese Einrichtung ist deshalb für eine Automatisierung.nicht geeignet. ' -■".-'" --■-"·. ,
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer Einrichtung, die ein solches Plättchen in Einzelelemente zerbrechen kann, wobei keine unzerbröchenen #tüeke zurückbleiben und keine Ablösung von den Kunststoff ollen auftritt. Ferner soll die Einrichtung nach der Erfindung zinn Brechen von Plättehen beliebiger Dicke in Einzelelemente jeweils"gewünschter Größe geeignet sein. Ferner soll die Einrichtung nach der Erfindung serienmäßig und automatisch arbeiten können. ■"■· '-■■.-... .... . . ·;ύ
Dies wird nach 4er-Erfindung: durch/ zwei parallel,, zueinander ge...... lagerte Walken erreicht» von depen;mindestens eine angetrieben. , .'■ ist1 und" die Auflagesehiehten ye^schiedener Nachgiebigkeit besit- r ' S zeriy wobei" die plattenTormigen-Gegenstände, mit der Anre.ißseite ; : der nachg-iebagen-Auflageschicht zugewandt und; mit den. Anreißlinien
parallel zu den-Walzenactiseö zwischen die Walzen;ieirigefüiirt''weräUn..
Die Auflageschichten haben vorzugsweise die Form von Umfangsbeschichtungen. Zumindest die nachgiebigere Auflageschicht kann jedoch auch als Band ausgebildet sein. Zur Steuerung des Anpreß- druckes ist zweckmäßigerweise eine Verstelleinrichtung zur Ver-* stellung des Abstandes der Walzenachsen vorgesehen.
Mit der erfindungsgemäßen Einrichtung sind die oben beschriebenen Nachteile der bekannten Einrichtungen ausgeschaltet. Die erfindungsgemäße Einrichtung ist zur Herstellung von Einzelelementen verschiedener Abmessungen geeignet und kann in einem kontinuierlichen Arbeitsgang benutzt werden. Es ergeben sich auch keine Einschränkungen hinsichtlich der Plättchendicke. Bspw. mußte man bei bekannten Einrichtungen die Dicke eines Siliziumplättehens auf 0,10 mm bis 0,15 mm beschränken, damit man Einzelelemente der
Abmessungen 0,5 χ 0,5 mm erhalten konnte. Demgegenüber kann man mit einer erfindungsgemäßen Einrichtung 0,25 mm dicke Siliziumplättchen in Einzelelemente brechen. Dadurch wird das Ätzen oder f Schleifen der Rückseite eines Plättchens überflüssig, was bis :; : jetzt erforderlich war, um die Dicke, insbesondere bei der Her- ( stellung von Epitaxial-Diffusions-Halbleiterelementen zu verkleinern. Unerwünschte Brüche bei dieser nicht mehr erforderlichen [ Ätzbehandlung fallen somit fort. Ebenso sind unerwünschte Brüahe : beim Anreißen ausgeschaltet, so daß die Ausbeute an Halbleiter- j >.' elementen wesentlich vergrößert wird. Infolge der Verminderung ! der Anzahl der Herstellungsstufen und der Vergrößerung der Ausbeute ergibt sich eine Herabsetzung der Herstellungskosten.
Nunmehr sollen Einzelheiten der Erfindung an Hand bevorzugter Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Fig. 5 bis 8 beschrieben werden. Es stellen dar:
Fig. 5 einen Schnitt durch eine Ausführungsform der Erfindung, Fig. 6 einen Ausschnitt aus Fig. 5 in vergrößertem Maßstab, Fig. 7 einen Schnitt durch eine abgewandelte Ausführungsform der Erfindung und
Fig. 8 einen Schnitt durch eine weitere Ausführungsform der Erfindung.
909882/039Δ
Die Ausführungsform der Erfindung nach Fig. 5 umfaßt.zwei zusammenwirkende Walzen 12 und 13 mit Auflageschichten· verschiedener Nachgiebigkeit, die auf Wellen IH- und 15 sitzen und in Pfeilrichtung l6 und 17 angetrieben werden, wobei Kräfte P die Walzen gegeneinanderdrücken. Die Antriebselemente für die Walzen 12 und 13 und die Verstelleinrichtung für den Anpreßdruck sind nicht dargestellt. Die Verstelleinrichtung bringt die Walzen 12 und 13 aneinander längs einer Erzeugenden zur Anlage, bevor ein Plattehen eingeschoben wird. Diese Verstelleinrichtung kann bspw. in der Weise aufgebaut sein, daß man eine Welle, bspw. die Welle 15, verschiebbar gegenüber der anderen Welle lagert und sie parallel dazu ausrichtet, wobei Schrauben oder Hebel zum Spannen der Welle in Richtung auf die andere Welle hin vorgesehen sind. Der Aufbau wird dadurch vereinfacht, daß man eine Walze, bspw. die Walze 12, als Antriebselement und die andere Walze als Andruckelement benutzt. Eine Außenschicht 18 der Walze 12 besteht aus einem Stoffgeringer Nachgiebigkeit, bspw. Metall, Keramik, Bakelit, Hartpolyvinylchloridharz oder dgl. Eine Außenschicht 19 der anderen Walze 13 besteht aus einem nachgiebigeren Stoff, bspw. Gummi, synthetischem Gummi, Silicongummi, Kunststoff -3 Schäumst off harz oder dgl. Das zwischen die dünnen Kunststoffolien 2 und 3 eingelegte Plättchen 1 wird zwischen den Walzen 12 und 13 in Pfeilrichtung 20 eingeschoben, wobei man die Anreißlinien 5 parallel zu den Walzenachsen hält und wobei die angerissene Fläche des Plättchens 1 der nachgiebigeren Walze 13 zugewandt ist. Wenn eine Anreißlinie 5 zwischen zwei Erzeugende der Walzen 12. und 13 eintritt, die an dem Plättchen 1 anliegen, wird das Plättchen 1 längs der betreffenden Anreißlinie gebrochen, wobei, die Teile durch die Kunststoffolien 2 und 3 festgehalten werden. Das Plättchen wird von den Walzen 12 und 13 wegbewegt. Im Anschluß an das Brechen der Anreißlinie 5 in einer Richtung erfolgt das Brechen der dazu senkrecht verlaufenden Anreißlinien 5 in entsprechender Weise. Während des Arbeitsganges muß'man die Anreißlinien 5 lediglich parallel zu den Walzenachsen halten.
Nach Fig. 6 berührt die weniger nachgiebige Walze 12 die Rückseite des Plättchens 1 nur längs der Linie 0,, wobei die untere Kunststoffolie 3 dazwischen liegt. Die nachgiebigere Walze I3 berührt das Plättchen 1 in. einem Bereich um eine Linie Og-. Infolge der
mi mm
elastischen Verformung erstreckt sich die betreffende Berührungsfläche über einen Bereich zwischen den Linien 0-, und O1,. Wenn eine Anreißlinie 5 zwischen den Linien 0, und Og durchläuft, wirkt % auf das Plättchen 1 ein Biegemoment, das durch die Walzenabschnit"-te 0,, O2 und O2, O1, bezüglich der Schneidenlinie 0, erzeugt wird. Durch Auswahl des Druckes P, der Berührungsflächen zwischen den Linien 0-, Op und Op O2, sowie der jeweiligen Nachgiebigkeit der Walzen 12 und 13 in der Weise, daß das wirksame Biegemoment gröslängs der Linie 5, jedoch kleiner als das, zum Brechen des .Plättchensl ser als das zum Brechen des Plattchens l/selbsi erforderliche Biegemoment ist, läßt sich erreichen, daß das Plättchen 1 fehlerfrei in Einzelelemente längs der Anreißlinie 5 gebrochen wird. Mit anderen Worten werden Krümmung, Stoffe und der Druck zwischen den Walzen 12 und I3 so ausgewählt, daß das Biegemoment zum jeweiligen Brechen jeweils hinsichtlich der Anreißlinie 5 wirksam ist. Die Vorschubgeschwindigkeit der Walzen muß derart bemessen sein, daß das Biegemoment für eine genügend lange Zeitdauer auf das Plättchen 1 einwirkt, damit sich der Bruch von der Anreißlinie 5 aus bis zur Rückseite des--Plättchens 1 ausbreiten kann.
Da der Bruch jeweils beim Durchlauf der Anreißlinien 5 zwischen der Linie 0, Op erfolgt, kann man eine einzige Einrichtung zum Brechen von Plättchen 1 in Einzelelemente 4 verschiedener Abmessungen verwenden, ohne daß man die Krümmung der Walzen 12 oder ändern muß. Da das Plättchen 1 bei einem bestimmten Druck P jeweils dasselbe Biegemoment längs jeder Anreißlinie 5 erleidet, ist nicht zu befürchten, daß Einzelelemente unzerbrochen bleiben. Da nicht das gesamte Plättchen 1 gebogen oder gekrümmt wird, werden die Kunststoffolien 2 und 3 weder gedehnt noch gestaucht, sondern ihr Pesthaften auf dem Plättchen 1 wird während des Bearbeitungsgangs verbessert. In der Einrichtung wurden Versuche mit einem kreisförmigen und spröden Siliziumplättchen 1 mit einem Durchmesser von 2,5 cm (Flächeninhalt 9*8 cm ), einer Dicke vcn 0,25 mm und einem Elastizitätsmodul von 11,3 x 10 kg/cm durchgeführt. Eine Oberfläche des Plättchens 1 wurde mit einer Diamantspitze in senkrecht zueinander verlaufenden Anreißlinie 5 mit .einem gegenseitigen Abstand von 0,5 mm angerissen, in welcher · Größe die Halbleiterbauelemente hergestellt werden sollten. Danach wurde das Plättchen 1 sandwichartig zwischen zwei etwa 1
dicke Kunstharzfolien 2 und 3 eingelegt, die vorzugsweise aus Polyvinyldienchlorid bestehen. Die bloße Auflage der Folien 2 und 3 auf das Plättchen 1 bringt eine genügende Haftung mit sich. Wenn die Oberfläche des Siliziumplättchens durch chemisches Ätzen oder mechanisches Schleifen optisch eben bearbeitet war, beträgt
2 2
die Haftspannung etwa 1,5 kg/cm bis 2,0 kg/cm . Damit können
Wachs- oder andere Bindemittel unnötig bleiben. Die weniger nachgiebige Walze 12 hatte einen Durchmesser von 25 mm und bestand aus Kohlenstoffstahl mit einem Elastizitätsmodul von 2,1 χ 10 kg/cm . Während des Einschiebens des Plättchens 1 in die Einrichtung wird die Welle 15 der nachgiebigeren Walze 13 durch Spannen
schrauben unter einem Druck von 4 kg/mm gegen die Welle 14 der weniger nachgiebigen Walze 12 gepreßt. Die Drehzahl der Walzen 12 und 13 betrug eine Umdrehung pro Minute. Das Plättchen 1 wurde längs der Anreißlinien 5 vollständig in Einzelelemente zerbrochen, die durch die dünnen Polyvinyldienfolien 2 und 3 in gerichteter Anordnung zusammengehalten wurden. Die Folien 2 und 3 konnten durch Abziehen parallel zu der Oberfläche des Plättchens leicht entfernt werden, so daß die Einzelelemente 4 geordnet zurückblieben*. Vorzugsweise zieht man die Folien 2 und 3 erst unmittelbar vor der Fertigbearbeitung der Einzelelemente 4 ab, damit dieselben luftdicht abgeschlossen durch die Folien 2 und 3 geschützt sind.
Die Arbeitsweise braucht nicht in einer besonderen Atmosphäre erfolgen sondern liefert auch in Luft ausreichende Ergebnisse. Wenn man die Einzelelemente 4 einige Tage aufbewahren möchte, legt man die Kunststoffolien,2 und 3 vorzugsweise in trockener, staubfreier Luft auf das Plättchen 1 auf (während bei dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel das Plättchen 1 in gereinigter Luft mit einem Staubanteil von weniger als O,öl mg/nr zwischen die Folien 2 und 3 eingelegt worden ist). Die Walzen 12 und 13 können verschiedenen Durchmesser haben. Man erhält bspw. zufriedenstellende Ergebnisse, wenn eine Walze einen Durchmesser von 5 mm und die andere einen Durchmesser von 15 mm hat. Zweckmäßigerweise sollen die Durchmesser zwischen 5 mm und 30 mm liegen. Mit Walzen 12 und I3 nach dem beschriebenen Ausführungsbeispiel kann man Halbleiter-Einzelelemente 4 mit einer Seitenlänge zwischen 0,3 mm und 5,2 mm erhalten.
909882/032
Im Rahmen des dargestellten Ausführungsbeispiels soll der Druck ' zwischen den Walzen 12 und 13 zwischen 4 kg/mm und 10 kg/mm "'",' und die Drehzahl zwischen einer und zwei Umdrehungen pro Minute liegen, wenn man Einzelelemente mit Seitenlängen zwischen 0,3 mm · j und 1,0 mm erhalten will. Wenn man andererseits Seitenlängen zwf- ■ ·· sehen 1 mm und 5 mm wünscht, soll der Druck zwischen den Walzen
ρ ρ
12 und 13 zwischen 4 kg/mm und β kg/mm und die Drehzahl zwischen einer und*vier Umdrehungen pro Minute liegen. Die bekann- j ten Einrichtungen sind bei Plättchen mit Dicken zwischen 0,10 mm und 0,15 mm brauchbar, während die Einrichtung nach der. Erfindung bei Plättchendicken zwischen 0,1 mm und 0,3 mm oder noch mehr wirksam ist. Sie ist insbesondere bei der Herstellung von Epitaxial-Haibleiteranordnungen von Vorteil.
Eine weitere Ausfühfungsform der Erfindung nach Fig. 7 besitzt Walzen 12 und 12' mit einem Durchmesser von 25 nun aus Kohlenstoffstahl mit einem Elastizitätsmodul von 2,1 χ 10 kg/etti und ein endloses Band 19' mit einer Dicke von 2 mm aus synthetischem Neo-
ο Ο *
prengummi mit einem Elastizitätsmodul von 8 kg/cm bis 10 kg/cm
2 2
und einer Zugfestigkeit von 200 kg/cm bis 300 kg/cm , das über Umlenkrollen 21 und 22 tangential vor der Walze 12f votfbeigefUhrt ist. Die bevorzugte Drehzahl der Walzen 12 und 12' liegt zwischen einer und vier Umdrehungen pro Minute bezüglich eines Pläfctchehs 1 ■ ~M< nach dem obigen Ausführungsbeiepiel. Das sandwichartig eingespannte Plättchen 1 wird in diese Einrichtung mit dem Band 19' zugewandter Anreißfläche eingeführt, übrigens lassen sich auch mit einem Band 19' mit einer Dicke zwischen 1 mm und 3 mm Und einem
2 2 *
Elastizitätsmodul zwischen 5 kg/cm und 30.kg/cm und mit Walzen 12 und 12', deren Durchmesser zwischen 5 mm und 30 mm liegt, , .* brauchbare Ergebnisse erzielen.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung nach Fig. 8 besitzt Bandwickel 23 und' 24 mit dünnen Kunststoffolien 2 und 3, die auf beide Oberflächen des Plättchens 1 aufgelegt werden. Bei dieser Ausführungsform der Erfindung wird das,Plättchen 1 nicht von Anfang an sandwichartig zwischen die Folien 2 und 3 eingelegt, sondern jeweils auf eine Kunststoffolie aufgestellt, die von einem der Wickel 23 und 24 auf die Walzen 12 und 13 abläuft.
9098 82/03 2 4

Claims (1)

  1. . s .. . 1B 0200t * ,
    'Die Erfindung wurde im vorstehenden in Zusammenhang mit dem Bre- .; chen eines Silizium-Halbieiterplättchens beschrieben. Die Erfindung 1st jedoch selbstverständlich auch zum Brechen anderer har- " ter und brüchiger, plättchenförmiger Stoffe anwendbar, bspw. aus Germanium, Galliumarsenid, Indiumantimonid, anderen intermetallischen- III, V-Verbindungen oder II, VI-Halbleiter-Verbindungen, die zur Herstellung von Transistoren, Halbleiter-Dioden oder Festkörperschaltungsanaränungen dienen. Die Erfindung ist auch zum Brechen von Glasplatten oder Qua^rzplatten geeignet, wenn man den Anpreßdruck und die Nachgiebigkeit tier Walzen unter Berücksichtigung der Bruchfestigkeit der jeweils zu bearbeitenden Stoffe entsprechend auswählt. Ein Stoff mit größerer Bruchfestigkeit erfordert bspw. einen größeren Änpreßdruck für die Walzen und :Überzugsstoffe mit vergleichsweise größerem Elastizitätsmodul für die'Weniger nachgiebige Walze £2, damit sich nicht die Berührungsfläche mit dem sandwichärtig eingebetteten Plättchen vergrößert., sowie einen'Überzugsstoff' mit^ entsprechend größerem Elastizitätsmodul für die nachgiebigere Walze 1/5 bzw. das Band 19'.
    Eat e
    1) Einrichtung zum Brechen harter und spröder plattenfprmiger Gegenstände, insbesondere Halbleiterplättchen, längs Anreißlinien in Einzeleiiemente, gekennzeichnet durch zwei parallel zueinander gelagerte Walzen (Ig, 15), von denen mindestens eine angetrieben ist, und die Auflageschichten (l8, 19 19') verschiedener Nachgiebigkeit besitzen, wobei die plattenförmigen Gegenstände mit der Anreißseite der nachgiebigeren Auflagejiehieht zugewandt und mit den Anreißlinien parallel zu den Walzengehsen zwischen Sie Walzen eingeführt werden.
    2) Einrichtung nach Anspruch 1../ gekennzeichnet durch Auf lageschicht'eh in Porm von Umfangsbeschlchtungen (Pig. 6),
    9 0.9 8 8 27 D 3 24 :, i i- 0R1G,L inspktH)
    - ίο '-
    j5) Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dajST zumindest die nachgiebigere Auflageschicht als endloses Band (Ί91 ) ausgebildet ist, das tangential an der zugehörigen Walze (12' )
    vorbeiläuft (Fig. 7). -
    4) Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3» gekennzeichnet durch eine Verstelleinrichtung zum Verstellen der Walzenachsen gegeneinander zwecks Steuerung des Anpreßdruckes.
    ORDINAL
    erieite
DE19661602002 1965-06-02 1966-05-28 Einrichtung zum Brechen plattenfoermiger Gegenstaende,insbesondere Halbleiterplaettchen Pending DE1602002A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3260065 1965-06-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1602002A1 true DE1602002A1 (de) 1970-01-08

Family

ID=12363339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19661602002 Pending DE1602002A1 (de) 1965-06-02 1966-05-28 Einrichtung zum Brechen plattenfoermiger Gegenstaende,insbesondere Halbleiterplaettchen

Country Status (2)

Country Link
US (1) US3396452A (de)
DE (1) DE1602002A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006015141A1 (de) * 2006-03-31 2007-10-04 Dyntest Technologies Gmbh Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben mit Hilfe eines Brechkeils
DE102006015142A1 (de) * 2006-03-31 2007-10-04 Dyntest Technologies Gmbh Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben oder ähnlichen Substraten

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3491929A (en) * 1968-01-15 1970-01-27 Us Industries Inc Abrasive breaking method
US3507426A (en) * 1968-02-23 1970-04-21 Rca Corp Method of dicing semiconductor wafers
US3535773A (en) * 1968-04-03 1970-10-27 Itt Method of manufacturing semiconductor devices
US3601296A (en) * 1968-12-30 1971-08-24 Texas Instruments Inc Device for breaking scribed slices of semiconductor material
US3493155A (en) * 1969-05-05 1970-02-03 Nasa Apparatus and method for separating a semiconductor wafer
US3578227A (en) * 1969-10-01 1971-05-11 Transitron Electronic Corp Method of breaking dice
US3743148A (en) * 1971-03-08 1973-07-03 H Carlson Wafer breaker
US3918150A (en) * 1974-02-08 1975-11-11 Gen Electric System for separating a semiconductor wafer into discrete pellets
US4203127A (en) * 1977-07-18 1980-05-13 Motorola, Inc. Package and method of packaging semiconductor wafers
NL7907115A (nl) * 1979-09-25 1981-03-27 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een permanente magneet ter plaatsing in een luchtspleet van een transformatorkern.
FR2516848A1 (fr) * 1981-11-25 1983-05-27 Radiotechnique Compelec Procede et machine pour subdiviser une plaque de ceramiqueŸa
JPS6469534A (en) * 1987-09-10 1989-03-15 Kazuo Sato Method for cutting workpiece, such as glass
JPH07100615B2 (ja) * 1988-03-29 1995-11-01 和郎 佐藤 ガラス加工物切断装置
EP0363548B1 (de) * 1988-10-10 1994-03-23 International Business Machines Corporation Verfahren zum Brechen eines plattenförmigen Werkstücks, insbesondere eines Halbleiterplättchens, und Vorrichtung zum Brechen des genannten zwischen zwei Folien sandwichartig angeordneten Werkstücks
DE4415132C2 (de) * 1994-04-29 1997-03-20 Siemens Ag Verfahren zur formgebenden Bearbeitung von dünnen Wafern und Solarzellen aus kristallinem Silizium
JP3619058B2 (ja) * 1998-06-18 2005-02-09 キヤノン株式会社 半導体薄膜の製造方法
WO2005056192A2 (en) * 2003-10-23 2005-06-23 Ivor Valice Aspeling A system and method for recovering of cullet from redundant laminated safety glass
CA2490849C (en) * 2004-12-22 2009-12-22 Ibm Canada Limited - Ibm Canada Limitee An automated singularization tool for brittle insulating arrays
WO2006129563A1 (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. 脆性材料基板分断装置および分断方法
US10090430B2 (en) 2014-05-27 2018-10-02 Sunpower Corporation System for manufacturing a shingled solar cell module
CN109545863B (zh) * 2014-05-27 2021-09-14 迈可晟太阳能有限公司 叠盖式太阳能电池模块
US11949026B2 (en) 2014-05-27 2024-04-02 Maxeon Solar Pte. Ltd. Shingled solar cell module
US11482639B2 (en) 2014-05-27 2022-10-25 Sunpower Corporation Shingled solar cell module
JP6690095B2 (ja) * 2014-10-31 2020-04-28 戸田工業株式会社 セラミック複合シートの分割装置及びセラミック複合シートの製造方法
US10861999B2 (en) 2015-04-21 2020-12-08 Sunpower Corporation Shingled solar cell module comprising hidden tap interconnects
JP7206829B2 (ja) * 2018-11-15 2023-01-18 日本電気硝子株式会社 板状部材の製造方法及び積層体

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2286960A (en) * 1941-11-27 1942-06-16 Acme Visible Records Inc Device for separating strip material
US2792623A (en) * 1952-01-30 1957-05-21 Italiana Di Posateria E Oggett Method and apparatus for forming metal blanks
US2971256A (en) * 1954-10-26 1961-02-14 Leflon Henri Fasteners for conveyor belts and the like
US2970730A (en) * 1957-01-08 1961-02-07 Motorola Inc Dicing semiconductor wafers
US3040489A (en) * 1959-03-13 1962-06-26 Motorola Inc Semiconductor dicing
US3182873A (en) * 1961-09-11 1965-05-11 Motorola Inc Method for dicing semiconductor material
NL284964A (de) * 1961-11-10 1900-01-01
US3195225A (en) * 1961-12-11 1965-07-20 Specialties Dev Corp Method of manufacturing resistance elements
US3254396A (en) * 1962-03-28 1966-06-07 John I Mushey Method of making watch bands
US3149765A (en) * 1963-05-28 1964-09-22 Western Electric Co Apparatus for removing waffrs from semiconductor slices

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006015141A1 (de) * 2006-03-31 2007-10-04 Dyntest Technologies Gmbh Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben mit Hilfe eines Brechkeils
DE102006015142A1 (de) * 2006-03-31 2007-10-04 Dyntest Technologies Gmbh Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben oder ähnlichen Substraten
DE102006015142B4 (de) * 2006-03-31 2014-02-20 Asys Automatisierungssysteme Gmbh Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben

Also Published As

Publication number Publication date
US3396452A (en) 1968-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1602002A1 (de) Einrichtung zum Brechen plattenfoermiger Gegenstaende,insbesondere Halbleiterplaettchen
DE102017213961A1 (de) Ablöseverfahren und ablösevorrichtung
DE3522465C2 (de)
DE60214182T2 (de) Methode und vorrichtung zur überführung eines scheibenförmigen werkstücks
DE2610628A1 (de) Vorrichtung zum ausschneiden von plattenfoermigen kernwerkstoffen fuer sandwichbauteile
DE2205354C3 (de) Vorrichtung zum Zerteilen einer Halbleiterscheibe
DE1006977B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Inversionsschicht
DE2829335A1 (de) Verfahren zur herstellung endloser schleifbaender und durch dieses verfahren hergestellte schleifbaender
DE202011108695U1 (de) Vorrichtung zum Schälen von mandelartigen Früchten
DE2602971A1 (de) Schleifwerkzeug mit loesbarer schmirgelleinwand oder schmirgelpapier mit wirksamer oberflaeche und kante, sowie entsprechende schmirgelleinwand oder schmirgelpapier und verfahren fuer die herstellung und montage des werkzeuges
DE1704999C3 (de) Vorrichtung zum Herstellen eines Förderbandes
DE2017029C3 (de) Bandschleifmaschine
DE112013004829B4 (de) Vorrichtung zum Herstellen einer Formkörperbaugruppe
DE1207592B (de) Maschine zum Strecken und Biegsammachen von Furnieren
EP1741517B1 (de) Vakuum-Spannvorrichtung zum Fixieren einer Nutzenplatte und entsprechendes Bearbeitungsverfahren
DE2919251C2 (de) Fördervorrichtung für flexible Streuunterlagen in einer Formstraße zum Streuen einer Streugutmatte im Zuge der Herstellung von Spanplatten u. dgl.
DE10332711A1 (de) Riemen für Wickelvorrichtung
DE2239703A1 (de) Selbsttaetig arbeitende fuehrungs- und vorschubeinrichtung
DE69003242T2 (de) Verfahren zum richten von bändern durch strecken und biegen.
DE2626410C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Vernichten fotografischer Materialien
DE664332C (de) Einspann- und Foerdervorrichtung fuer Bastfaseraufbereitungsmaschinen
DE2903962B2 (de) Vorrichtung zum Planschleifen ebener Flächen
DE1932371A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterplaettchen
DE2708536C2 (de) Reißverschlußmaschine mit Transporteinrichtung
DE102022128124A1 (de) Vorrichtung zur Halbleiterherstellung