DE102006015141A1 - Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben mit Hilfe eines Brechkeils - Google Patents
Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben mit Hilfe eines Brechkeils Download PDFInfo
- Publication number
- DE102006015141A1 DE102006015141A1 DE200610015141 DE102006015141A DE102006015141A1 DE 102006015141 A1 DE102006015141 A1 DE 102006015141A1 DE 200610015141 DE200610015141 DE 200610015141 DE 102006015141 A DE102006015141 A DE 102006015141A DE 102006015141 A1 DE102006015141 A1 DE 102006015141A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- wafer
- wedge
- semiconductor wafer
- semiconductor
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0017—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools
- B28D5/0023—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools rectilinearly
Abstract
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben bzw. Wafern oder ähnlichen Substraten an der Oberseite der Halbleiterscheibe durch eine Ritzung markierten und jeweils längs einer Gerade verlaufenden Sollbruchlinien unter Verwendung eines an der Unterseite der Halbleiterscheibe fluchtend zur jeweiligen Sollbruchlinie ausgerichteten Brechkeils und wenigstens eines Gegenhalters, der sich auf der Oberseite der Halbleiterscheibe abstützt und im Augenblick des sich an der Unterseite der Halbleiterscheibe andrückenden Brechkeils einen Gegendruck auslöst. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass für lediglich im Anfangsbereich einer Sollbruchlinie vorgeritzte Halbleiterscheiben der Brechkeil gegenüber der Ebene der Halbleiterscheibe derart geneigt ausgerichtet werden kann, dass eine Druckausübung seitens des Brechkeils ausschließlich in dem durch die Ritzung vorbehandelten Anfangsbereich der Sollbruchlinie erfolgt.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben bzw. Wafern nach den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1.
- Als Wafer (engl. "Scheibe") wird in der Halbleiterindustrie und Mikroelektronik eine kreisrunde, wenige 100 μm dicke Scheibe bezeichnet, auf der elektronische Bauelemente, vor allem integrierte Schaltkreise (IC, "Chip") oder mikromechanische Bauelemente durch verschiedene technische Verfahren hergestellt werden.
- Diese Scheibe besteht in den meisten Fällen aus monokristallinem Silizium, es werden aber auch andere Materialien wie Siliziumcarbid, Gallium-Arsenid und Indium-Phosphid verwendet. In der Mikrosystemtechnik werden auch Glaswafer mit einer Dicke im 1-mm-Bereich verwendet.
- Die Scheiben werden in verschiedenen Durchmessern gefertigt. Die zur Zeit hauptsächlich verwendeten Waferdurchmesser unterscheiden sich je nach Halbleiterwerkstoff und vorgesehenem Verwendungszweck und liegen für Silizium z. B. bei 150 mm, 200 mm, 300 mm und künftig auch bei 450 mm, für Gallium-Arsenid bei 2 Zoll, 3 Zoll, 100 mm, 125 mm oder 150 mm. Je größer der Wafer, desto mehr integrierte Schaltkreise, auch Chips genannt, können darauf untergebracht werden. Da bei größeren Wafern der geometrische Verschnitt kleiner wird, können die integrierten Schaltkreise kostengünstiger produziert werden.
- Für die meisten Anwendungen müssen die Oberflächen der Wafer optisch spiegelnd poliert sein. Hinsichtlich der Ebenheit der Wafer, der Perfektion der Politur und der Reinheit der Oberfläche gelten extreme Forderungen. So sind beispielsweise nur Unebenheiten von wenigen nm über die gesamte Waferfläche zulässig.
- Da für die Verarbeitung der Wafer die exakte Position in der bearbeitenden Maschine wichtig ist, werden die Wafer mit sogenannten Flats gekennzeichnet. Dabei wird mit Hilfe eines primären und eventuell einem sekundären Flat angezeigt, welche Winkelorientierung vorliegt und welche Kristallorientierung die Oberfläche hat. In neuerer Zeit werden an Stelle der Flats Kerben, so genannte Notches, eingesetzt. Sie bieten den Vorteil der besseren Positionierung und verursachen vor allem weniger Verschnitt.
- Um die einzelnen Schaltkreise voneinander zu trennen, werden die Halbleiterscheiben mit Hilfe bereits bekannter Verfahren und Vorrichtungen zunächst in einzelnen Streifen unterteilt. Dabei werden die jeweiligen Trennlinien vorab mittels eines Diamantstichels an der Oberseite der Halbleiterscheibe durch eingeritzte Kerben entsprechend markiert. Bei der beispielsweise aus der aus
EP 0 740 598 B1 bekannten Vorrichtung drückt anschließend ein Impulsstab an der insoweit vorbereiteten Sollbruchlinie von der Unterseite gegen die Halbleiterscheibe, deren Oberseite sich an einem Amboss abstützt. Da bei der bekannten Vorrichtung Impulsstab und Amboss direkt übereinander angeordnet sind, muss der seitens des Impulsstabes ausgeübte Druck einerseits ausreichend groß sein, um gegen den Druck des Ambosses einen kontrollierten Trennvorgang auszulösen. Andererseits darf der Druck nicht zu gering sein, weil sonst die Gefahr besteht, dass keine ausreichende und vollständige Trennung erreicht werden kann. Es bedarf deshalb einer hohen Präzision hinsichtlich des Anpressdruckes, um eine möglichst geringe Trennfehlerquote zu gewährleisten. - Insbesondere bei Halbleiterscheiben auf Gallium-Arsenid-Basis, die im Prinzip einen vergleichsweise kleineren Durchmesser aufweisen, wird gelegentlich darauf verzichtet, die Oberfläche jeweils über die gesamte Länge der Sollbruchlinie anzuritzen. Üblicherweise wird dann nur ein kleinerer Abschnitt, vorzugsweise nur ein relativ kurzer Anfangsbereich einer Sollbruchlinie durch eine Einritzung markiert.
- Der vorliegenden Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art so zu verbessern, dass auch für Halbleiterscheiben, deren Sollbruchstellen nur in einem kurzen Anfangsbereich durch eine vorab durchgeführte Einritzung markiert sind, eine einfache und sichere Trennung bei gleichzeitig möglichst geringer Fehlerquote erzielt werden kann.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass für lediglich im Anfangsbereich einer Sollbruchlinie vorgeritzte Halbleiterscheiben der Brechkeil gegenüber der Ebene der Halbleiterscheibe derart geneigt ausgerichtet ist, dass eine Druckausübung seitens des Brechkeils ausschließlich in dem durch die Ritzung vorbehandelten Anfangsbereich der Sollbruchlinie erfolgt.
- Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der Unteransprüche.
- Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im Folgenden an Hand der Zeichnungen näher beschrieben.
-
1 . zeigt den prinzipiellen Aufbau einer erfindungsgemäß ausgebildeten Vorrichtung zur Aufteilung einer Halbleiterscheibe in einzelne Teilbereiche. Zur lösbaren Befestigung der kreisförmigen Halbleiterscheibe1 dient eine ringförmige Halterung2 , an der die auf einer flexiblen Unterlage befestigte Halbleiterscheibe1 an den Randbereichen fixiert wird. Vorzugsweise geschieht dies dadurch, dass über mehrere Ansaugdüsen ein Unterdruck erzeugt wird. Zur Trennung der Halbleiterscheibe1 entlang einer Sollbruchlinie, die vorab durch eine an der Oberseite eingeritzte Kerbe markiert ist, dient ein fluchtend zur Sollbruchlinie ausgerichteter Brechkeil3 , der gegen die Unterseite der Halblei terscheibe1 drückt. Für Halbleiterscheiben, deren Sollbruchlinien aus Kostengründen nur einem relativ kurzen Anfangsbereich und damit nicht in voller Länge durch eine Anritzung vorbehandelt sind, was insbesondere bei Halbleiterscheiben mit kleinerem Durchmesser in Betracht kommt, ist der Brechkeil gegenüber der Ebene der Halbleiterscheibe derart geneigt ausgerichtet, dass eine Druckausübung seitens des Brechkeils ausschließlich in dem durch die Ritzung vorbehandelten Anfangsbereich der Sollbruchlinie erfolgt. Der Neigungswinkel des Brechkeils liegt in vorteilhafter im Bereich kleiner 5 Grad und ist in Anpassung an die jeweiligen Materialstärken der zu bearbeitenden Halbleiterscheiben vorzugsweise innerhalb des vorgegebenen Bereichs variabel und stufenlos einstellbar. In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist der Brechkeil derart steuerbar, dass in einer ersten Phase zunächst nur ein Aufbrechen und erst in einer zweiten Phase die vollständige Durchtrennung der Sollbruchlinie erfolgt. -
- 1
- Halbleiterscheibe
- 2
- Halterung
- 3
- Brechkeil
Claims (4)
- Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben bzw. Wafern an der Oberseite der Halbleiterscheibe durch eine Ritzung markierten und jeweils längs einer Gerade verlaufenden Sollbruchlinien, unter Verwendung eines an der Unterseite der Halbleiterscheibe fluchtend zur jeweiligen Sollbruchlinie ausgerichteten Brechkeils und wenigstens eines Gegenhalters, der sich auf der Oberseite der Halbleiterscheibe abstützt und im Augenblick des sich an der Unterseite der Halbleiterscheibe andrückenden Brechkeils einen Gegendruck auslöst, dadurch gekennzeichnet, dass für lediglich im Anfangsbereich einer Sollbruchlinie vorgeritzte Halbleiterscheiben (
1 ) der Brechkeil (3 ) gegenüber der Ebene der Halbleiterscheibe derart geneigt ausgerichtet ist, dass eine Druckausübung seitens des Brechkeils (3 ) ausschließlich in dem durch die Ritzung vorbehandelten Anfangsbereich der Sollbruchlinie erfolgt. - Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Neigungswinkel des Brechkeils (
3 ) im Bereich kleiner 5 Grad liegt. - Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Neigungswinkel des Brechkeils (
3 ) innerhalb des vorgegebenen Bereichs variabel und stufenlos einstellbar ist. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Brechkeil (
3 ) derart steuerbar ist, dass in einer ersten Phase ein Aufbrechen und in einer zweiten Phase eine vollständige Trennung der Solltrennlinie erfolgt.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200610015141 DE102006015141A1 (de) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben mit Hilfe eines Brechkeils |
EP07723841A EP2004375A1 (de) | 2006-03-31 | 2007-03-30 | Vorrichtung zum brechen von halbleiterscheiben mit hilfe eines brechkeils |
PCT/EP2007/002900 WO2007112984A1 (de) | 2006-03-31 | 2007-03-30 | Vorrichtung zum brechen von halbleiterscheiben mit hilfe eines brechkeils |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200610015141 DE102006015141A1 (de) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben mit Hilfe eines Brechkeils |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006015141A1 true DE102006015141A1 (de) | 2007-10-04 |
Family
ID=38198357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE200610015141 Withdrawn DE102006015141A1 (de) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben mit Hilfe eines Brechkeils |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2004375A1 (de) |
DE (1) | DE102006015141A1 (de) |
WO (1) | WO2007112984A1 (de) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1602002A1 (de) * | 1965-06-02 | 1970-01-08 | Nippon Electric Industry Compa | Einrichtung zum Brechen plattenfoermiger Gegenstaende,insbesondere Halbleiterplaettchen |
DD254085A1 (de) * | 1986-11-28 | 1988-02-10 | Elektronische Bauelemente Veb | Verfahren und vorrichtung zum vereinzeln von substratstreifen |
DE4029973A1 (de) * | 1990-09-21 | 1992-03-26 | Siemens Ag | Brecheinrichtung zum vereinzeln von angesaegten und/oder angeritzten halbleiterwafern zu chips |
JPH053242A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-01-08 | Fujitsu Ltd | チツプ剥離装置 |
JPH0629388A (ja) * | 1992-07-07 | 1994-02-04 | Hitachi Ltd | ウエーハブレーキング・分離方法及びその実施装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3958733A (en) * | 1973-08-27 | 1976-05-25 | Libbey-Owens-Ford Company | Method for simultaneously breaking a plurality of frangible sheets |
FR2749794B1 (fr) * | 1996-06-13 | 1998-07-31 | Charil Josette | Dispositif de clivage d'une plaque de materiau semi-conducteur |
JP2002127132A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-05-08 | Sharp Corp | 劈開装置および劈開方法 |
DE202006005238U1 (de) * | 2006-03-31 | 2006-08-17 | Dyntest Technologies Gmbh | Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben oder ähnlichen Substraten |
DE202006005237U1 (de) * | 2006-03-31 | 2006-11-23 | Dyntest Technologies Gmbh | Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben mit Hilfe eines Brechkeils |
-
2006
- 2006-03-31 DE DE200610015141 patent/DE102006015141A1/de not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-03-30 EP EP07723841A patent/EP2004375A1/de not_active Withdrawn
- 2007-03-30 WO PCT/EP2007/002900 patent/WO2007112984A1/de active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1602002A1 (de) * | 1965-06-02 | 1970-01-08 | Nippon Electric Industry Compa | Einrichtung zum Brechen plattenfoermiger Gegenstaende,insbesondere Halbleiterplaettchen |
DD254085A1 (de) * | 1986-11-28 | 1988-02-10 | Elektronische Bauelemente Veb | Verfahren und vorrichtung zum vereinzeln von substratstreifen |
DE4029973A1 (de) * | 1990-09-21 | 1992-03-26 | Siemens Ag | Brecheinrichtung zum vereinzeln von angesaegten und/oder angeritzten halbleiterwafern zu chips |
JPH053242A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-01-08 | Fujitsu Ltd | チツプ剥離装置 |
JPH0629388A (ja) * | 1992-07-07 | 1994-02-04 | Hitachi Ltd | ウエーハブレーキング・分離方法及びその実施装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2004375A1 (de) | 2008-12-24 |
WO2007112984A1 (de) | 2007-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2028164B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Trennen einer Planplatte aus sprödbrüchigem Material in mehrere Einzelplatten mittels Laser | |
AT500075B1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum verbinden von wafern | |
DE60024731T2 (de) | Ritzgerät | |
CN105198198A (zh) | 强化玻璃的机械划线和分离 | |
DE2028910A1 (de) | Einrichtung zur Prüfung und Sor tierung von elektrischen Schaltungsele menten | |
DE102006015142B4 (de) | Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben | |
DE102019212927A1 (de) | Bearbeitungsverfahren für ein sic-substrat | |
DE102019212100B4 (de) | Ablöseverfahren für trägerplatte | |
DE102019212840A1 (de) | SiC-SUBSTRATBEARBEITUNGSVERFAHREN | |
DE102020200724B4 (de) | Trägerplattenentfernungsverfahren | |
DE202006005237U1 (de) | Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben mit Hilfe eines Brechkeils | |
DE19801247B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum präzisen Ausrichten von Halbleiter-Chips auf einem Substrat | |
DE102006015141A1 (de) | Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben mit Hilfe eines Brechkeils | |
DE202006005238U1 (de) | Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben oder ähnlichen Substraten | |
WO2006072493A1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleiterchips aus einem wafer | |
WO2017129171A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum herauslösen eines mikro-chips aus einem wafer und aufbringen des mikro-chips auf ein substrat | |
DE112004001036T5 (de) | Diamantscheibe und Ritzvorrichtung | |
DE102020211312A1 (de) | Waferschleifverfahren | |
EP2143537B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Brechen von Halbleiterscheiben oder ähnlichen Substraten | |
DE102018217410A1 (de) | Werkstückschleifverfahren | |
DE102014219908A1 (de) | Herstellungsverfahren für eine Fotomaske | |
DE202006013398U1 (de) | Vorrichtung zum Ritzen von Halbleiterscheiben oder ähnlichen Substraten | |
DE10030004A1 (de) | Vorrichtung zur Lagerung eines optischen Elementes, z.B. einer Linse in einem Objektiv | |
DE102020202005A1 (de) | Waferbearbeitungsverfahren | |
DE102006040926A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Ritzen von Halbleiterscheiben oder ähnlichen Substraten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: ASYS AUTOMATISIERUNGSSYSTEME GMBH, 89160 DORNS, DE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20121002 |