JP2002127132A - 劈開装置および劈開方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 取り扱いが容易で位置精度および加工精度良
く劈開を行うことができる劈開装置および劈開方法を提
供する。 【解決手段】 劈開装置は、固定ステージ１上に、劈開
されるべきＬＳＩチップ４を載置した状態で該固定ステ
ージ１上を移動する移動ステージ２と、該移動ステージ
２上に載置されたＬＳＩチップ４と当接可能に上記固定
ステージ１上に立設された劈開刃３と、移動ステージ２
上に載置されたＬＳＩチップ４を劈開刃３に向かって押
し出す劈開ユニット５とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、走査型電子顕微鏡
等の解析機器にて断面を解析するために、例えば、ＬＳ
Ｉチップ等の試料の劈開を行うための装置および劈開方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ＬＳＩの開発において、その評
価、解析を行うためには、ＬＳＩチップの断面構造を解
析することが必要不可欠となっている。断面構造の解析
は、ＬＳＩチップを劈開し、その断面を解析することに
よって行われている。

【０００３】近年、ＬＳＩは高集積化および微細化が進
んでおり、ＬＳＩチップの断面構造の解析精度を向上さ
せることが必要となっている。それゆえ、ＬＳＩチップ
を解析するために行われる劈開加工の精度を向上させる
ことが必須となっている。また、ＬＳＩの開発競争が激
しくなっており、ＬＳＩの開発期間の短縮が求められて
いる。これに伴い、ＬＳＩチップにおける解析時間を短
縮化することが求められている。それゆえ、技術者の技
術力の差に左右されない高精度で安定した解析／加工
を、容易に繰り返し行えることが必須となってきてい
る。

【０００４】上記劈開加工を行う技術は、例えば、特開
平１−１３３７０４号公報に開示されている。上記公報
によれば、図１１に示すように、ステージ土台５７に回
転ステージ５６、ＸＹステージ５５、および半導体基板
５３を装着するための基板装着ステージ５４が順次配設
されると共に、半導体基板５３を観察することができる
ように顕微鏡５２が配置されている装置が劈開加工に用
いられている。さらに、上記装置には、分割用押さえ６
０を備えた分割部５０およびダイヤモンドポイント６１
を備えた圧痕形成部５１が別々に取り付けられている。

【０００５】上記装置を用いて、以下のように劈開が行
われている。まず、半導体基板５３を基板装着ステージ
５４に装着し、顕微鏡５２を見ながら劈開を行う箇所に
位置合わせを行う。次いで、ステージ土台５７ごと、半
導体基板５３を移動させ、ダイヤモンドポイント６１に
より、半導体基板５３上の劈開を行う箇所に沿って、図
１２に示すように、圧痕５８を付ける。次に、上記半導
体基板５３上の圧痕５８を挟んだ両側における等距離の
位置を、分割用押さえ６０を用いて押さえる。それと同
時に、半導体基板５３の裏面側（圧痕５８を形成した面
の裏面）から圧痕５８に沿って刃５９で押圧することに
より半導体基板５３の劈開を行っている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記公報で
は、ダイヤモンドポイント６１を用いて、手動で半導体
基板５３に圧痕５８を形成しているため、ダイヤモンド
ポイント６１と半導体基板５３との接触具合により、形
成された半導体基板５３の圧痕５８の大きさに差が生じ
てしまう。上記差が生じることにより、劈開時の半導体
基板５３における位置（劈開が行われる位置）精度が悪
くなるという問題点がある。従って、所望の位置で劈開
を行うために、劈開時の位置精度の向上が要求される。
また、上記従来技術では、作業者（加工技術者）が異な
る場合には、作業者によって圧痕５８の大きさに差が生
じ、安定した加工精度を得ることができなくなるという
問題点がある。従って、劈開装置においては、作業者が
異なっても安定した加工精度を得ることができる取り扱
いの容易さが要求される。さらに、上記公報によれば、
半導体基板５３の表面に圧痕５８を形成し、刃５９を半
導体基板５３の裏面に押圧する構成であるため、圧痕５
８が形成されたラインと刃５９との位置合わせが必要と
なる。上記位置合わせが不十分な場合、半導体基板５３
を位置精度良く劈開することができないという問題点が
ある。

【０００７】また、上記公報によれば、上記装置は、刃
５９を半導体基板５３の裏面に押圧する構成であるた
め、刃５９を上下方向に移動させる必要があり、従っ
て、劈開を行う装置を既存の顕微鏡に装着することがで
きない。その結果、顕微鏡と一体化した劈開装置が必要
となる。

【０００８】本願発明は、上記問題点に鑑みなされたも
のであり、その目的は、取り扱いが容易で位置精度およ
び加工精度良く劈開を行うことができる劈開装置および
劈開方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の劈開装置は、ステージ上に、劈開される
べき試料を載置した状態で該ステージ上を移動する移動
ステージと、該移動ステージ上に載置された試料と当接
可能に上記ステージ上に立設された刃と、移動ステージ
上に載置された試料を刃に向かって押し出す劈開ユニッ
トとを有することを特徴としている。

【００１０】上記の構成によれば、移動ステージ上に載
置された試料と当接可能に、刃がステージ上に立設され
ているので、試料における劈開ラインと刃との位置合わ
せ、および試料を刃に当接させる劈開動作が容易にな
る。それゆえ、位置精度および加工精度良く試料の劈開
を行うことができる劈開装置を提供することができる。
さらに、一連の劈開加工を平面（装置）上で行うことが
できるので、小型化した装置を提供することができる。

【００１１】本発明の劈開装置は、上記の構成に加え
て、上記刃の先端部が、移動ステージ上に載置された試
料に向かって傾斜していることを特徴としている。

【００１２】上記の構成によれば、上記刃は傾斜してい
るので、例えば、試料に形成された圧痕に直接当接させ
ることができる。それゆえ、より位置精度および加工精
度良く劈開を行うことができる。

【００１３】本発明の劈開装置は、上記の構成に加え
て、上記移動ステージおよび劈開ユニットの動作を制御
するコントローラを備えていることを特徴としている。

【００１４】上記の構成によれば、コントローラにより
上記移動ステージおよび劈開ユニットの動作を制御する
ことができるので、移動ステージおよび劈開ユニットの
移動を上記コントローラを操作するのみで、容易に任意
に行うことができる。それゆえ、作業者が異なったとし
ても、作業者による差がほとんど生じることなく、一連
の劈開加工を安定して行うことができる。

【００１５】本発明の劈開装置は、上記の構成に加え
て、試料表面に圧痕を形成する圧痕形成装置を備えてい
ることを特徴としている。

【００１６】上記の構成によれば、圧痕形成装置によ
り、試料上に一定の形状、大きさの圧痕を形成すること
ができる。劈開を行う際には、上記圧痕に沿って劈開が
起こるため、圧痕を劈開ラインに沿って形成することに
よって、より位置精度および加工精度良く劈開を行うこ
とができる。

【００１７】本発明の劈開装置は、上記の構成に加え
て、圧痕形成装置がレーザー照射装置であることを特徴
としている。

【００１８】上記の構成によれば、レーザー照射装置で
レーザー照射を行うことにより、試料上に劈開ラインに
沿ってレーザーマーク痕（圧痕）を形成することができ
る。また、上記レーザー照射の照射量を一定にすること
により、より安定した大きさおよび形状のレーザーマー
ク痕を形成することができる。従って、レーザーマーク
痕を劈開ラインに沿って形成することによって、より位
置精度および加工精度良く劈開を行うことができる。

【００１９】本発明の劈開装置は、上記の構成に加え
て、上記ステージが光学顕微鏡に装着されていることを
特徴としている。

【００２０】上記の構成によれば、劈開装置が光学顕微
鏡に装着されているので、光学顕微鏡で観察しながら一
連の劈開加工を行うことができる。それゆえ、より容易
に、位置精度および加工精度良く劈開を行うことができ
る。また、既存の光学顕微鏡に装着することができるた
め、コストを低減することができる。

【００２１】上記の課題を解決するために、本発明の劈
開方法は、試料に圧痕を形成する工程と、該試料に対し
て、圧痕が形成された面の側面方向から刃を当接させる
工程とを有することを特徴としている。

【００２２】上記の構成によれば、試料に圧痕を形成
し、該試料に対して、圧痕が形成された面の側面方向か
ら刃を当接させるので、試料における劈開ラインと刃と
の位置合わせ、および試料を刃に当接させる劈開動作が
容易になる。それゆえ、位置精度および加工精度良く劈
開を行うことができる。また、一連の劈開加工を平面上
で行うことができる。

【００２３】本発明の劈開方法は、上記の構成に加え
て、上記圧痕を少なくとも試料端部に形成することを特
徴としている。

【００２４】上記の構成によれば、試料端部に圧痕を形
成しているので、刃と該試料とを当接させて劈開を行う
際に、試料における劈開ラインと刃との位置合わせ、お
よび試料を刃に当接させる劈開動作がより容易になる。
それゆえ、より一層位置精度および加工精度良く劈開を
行うことができる。

【００２５】本発明の劈開方法は、上記の構成に加え
て、圧痕をレーザー照射により形成することを特徴とし
ている。

【００２６】上記の構成によれば、レーザー照射を行う
ことにより、圧痕を形成することができる。レーザー照
射の照射量を一定することにより、安定した大きさの圧
痕を形成することができるので、より位置精度および加
工精度良く劈開を行うことができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態を図１ない
し図１０に基づいて以下に説明する。尚、以下の説明に
おいては、試料がＬＳＩチップである場合を例に挙げる
こととする。

【００２８】本実施の一形態の劈開装置は、図１および
図２に示すように、固定ステージ（ステージ）１上に、
移動ステージ２、および劈開刃固定治具６を介して劈開
刃（刃）３が設けられ、該移動ステージ２に、劈開ユニ
ット５が設けられている構成である。

【００２９】移動ステージ２は、ＬＳＩチップ（試料）
４が載置される構成となっている。移動ステージ２は、
例えば、ＬＳＩチップ４が載置される載置部とその載置
部に立設した立設部とからなり、Ｌ字形の断面を有して
いる。上記立設部には、ＬＳＩチップ４を固定するため
の固定穴が設けられている。ＬＳＩチップ４は、上記固
定穴に嵌入されることによって、移動ステージ２の載置
部に固定される。さらに、上記載置部には、チップガイ
ド７が設けられている。上記チップガイド７は、ＬＳＩ
チップ４の大きさに応じてスライドさせられることによ
り、ＬＳＩチップ４を固定するようになっている。

【００３０】また、移動ステージ２は、固定ステージ１
上を任意に電動で移動するようになっている。さらに、
上記劈開ユニット５は、移動ステージ２上のＬＳＩチッ
プ４を、固定ステージ１上の劈開刃３の方向へ向かって
電動で押し出すようになっている。よって、移動ステー
ジ２および劈開ユニット５を動作させることにより、該
移動ステージ２上のＬＳＩチップ４を、固定ステージ１
上で任意に移動させることができる。

【００３１】また、上記移動ステージ２および劈開ユニ
ット５は、コントローラ８に接続されている。上記コン
トローラ８は、移動ステージ２および劈開ユニット５の
動作を、同時にまたはそれぞれ単独に制御することがで
き、これにより、容易に移動ステージ２およびＬＳＩチ
ップ４を移動させることができる。

【００３２】劈開刃３は、その先端部が鋭利な形状をし
ており、劈開刃固定治具６を介して固定ステージ１に立
設されている。劈開刃３は、移動ステージ２に固定され
ているＬＳＩチップ４における劈開を行う面に沿ったラ
イン（以下、劈開ラインと称する）の方向と一致するよ
うになっている。劈開刃３の先端部は、図３に示すよう
に、ＬＳＩチップ４側面に対して、ＬＳＩチップ４に向
かって任意の角度θで傾斜している。上記角度θは、鋭
角であることが好ましい。

【００３３】劈開装置は、圧痕形成装置を備えているこ
とが好ましい。圧痕形成装置によりＬＳＩチップ４表面
の端部から、所望の劈開ラインに沿って圧痕を形成する
ことができる。劈開は、劈開刃３にＬＳＩチップ４を当
接させた際に、上記圧痕に沿って起こる。よって、所望
の劈開ラインに沿って劈開を行うことができる。圧痕形
成装置には、ダイヤモンドポイント、レーザー照射装置
等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
特に、レーザー照射装置は、レーザー照射量を固定する
ことにより、ＬＳＩチップ４上により安定したレーザー
マーク痕（圧痕）を形成することができる。そのため、
形成されたレーザーマーク痕は、作業者（加工技術者）
が異なったとしても、作業者による位置精度等の劈開加
工における精度の差がほとんど生じない。従って、レー
ザー照射装置は、特に好ましい圧痕形成装置である。

【００３４】ところで、上記圧痕形成装置では、ＬＳＩ
チップ４の厚み方向（側面）に圧痕は形成されない。こ
のため、従来用いられていた先端部が傾斜していない劈
開刃では、ＬＳＩチップ４の端部に形成された圧痕に直
接当接させることができない。しかしながら、本実施の
一形態の劈開刃３は、角度θで傾斜しているので、上記
圧痕に直接当接させることができる。したがって、劈開
ラインに沿って圧痕を形成することによって、より位置
精度および加工精度良く劈開を行うことができる。

【００３５】また、上記劈開装置は、平面（装置）上で
劈開を行う構成であるので、既存の光学顕微鏡に装着す
ることができる。これにより、移動ステージ２に載置し
たＬＳＩチップ４への圧痕の形成、および劈開の動作等
の一連の劈開加工を常に観察しながら行うことができ
る。したがって、劈開を、位置精度および加工精度良く
行うことができる。さらに、既存の光学顕微鏡を利用す
ることができるので、コストの低減が可能となる。

【００３６】ここで、本実施の一形態の劈開装置を、レ
ーザー照射装置を搭載した光学顕微鏡に装着している一
例を挙げることにする。上記光学顕微鏡は、例えば、図
４に示すように、レーザー照射装置１１、観察用カメラ
１２、接眼レンズ１３、光学顕微鏡像モニタ１４、回転
ステージ１５、ＸＹＺ軸ステージ１６、Ｚ軸移動つまみ
１７、および対物レンズ１８から構成されており、上記
回転ステージ１５は取外し可能となっている。上記光学
顕微鏡は、一般に市販されているものである。ここで、
本実施の一形態の劈開装置は、回転ステージ１５を取り
外し、上記光学顕微鏡側の取付け部を利用することによ
り、その取り外した部分に、容易に装着することができ
る。また、劈開装置の取り扱いは、光学顕微鏡像モニタ
１４を観察しながら行うことができ、しかも、レーザー
照射によるレーザーマーク痕の形成、劈開動作等の一連
の劈開加工を劈開装置を移動させることなく平面（装
置）上で行うことができる。それゆえ、その取り扱いが
容易であり、作業者による位置精度および加工精度等の
差がほとんど生じることはない。したがって、ＬＳＩチ
ップ４を交換するだけで一連の劈開加工を安定して繰り
返し行うことができるので、劈開を高効率で行うことが
できる。

【００３７】本実施の形態の劈開装置では、上記の構成
を採用しているため、一連の劈開加工における動作が固
定ステージ１上、つまり平面上で行われる。よって、上
記劈開装置を小型化することができる。

【００３８】ここで、本実施の劈開を行う方法について
説明する。

【００３９】本実施の一形態にかかる劈開方法は、大き
く分けて２つの操作からなる。第一の操作は、ＬＳＩチ
ップ４の劈開を行うための準備段階に関する操作であ
る。上記操作は、ＬＳＩチップ４上の所望の劈開を行う
面に沿って、ＬＳＩチップ４の端部から、圧痕を形成す
る操作である。第二の操作は、劈開を行う操作である。
上記操作は、劈開刃３に向かって圧痕を形成したＬＳＩ
チップ４を押し出すことにより、その衝撃でＬＳＩチッ
プ４の端部から圧痕に沿って劈開を行う操作である。以
上の２つの操作により、ＬＳＩチップ４の所望の劈開ラ
インに沿って劈開を行うことができる。

【００４０】ここで、ＬＳＩチップの劈開方法につい
て、図５〜図１０を参照してより具体的に説明する。
尚、以下の第一〜第六工程を実施するに際して、移動ス
テージ２および劈開ユニット５の動作は、全て、コント
ローラ８によって制御される構成となっている。

【００４１】まず、図５に示すように、ＬＳＩチップ４
を移動ステージ２の載置部に置き、チップガイド７をス
ライドさせて固定する（第一工程）。

【００４２】次に、図６に示すように、劈開ライン１９
（図５）とレーザー照射ライン２０との位置合わせ、お
よびレーザーマークスポットエリア２１とＬＳＩチップ
４の端部との位置合わせを行う（第二工程）。上記レー
ザーマークスポットエリア２１は、レーザー照射装置か
らレーザー照射が行われる位置であり、レーザー照射を
行う際の照準となる。上記第二工程は、移動ステージ２
を移動させることによって行う。ここで、レーザー照射
ライン２０上に、レーザーマークスポットエリア２１お
よび劈開刃３の先端部が、位置するように設定する。上
記第二工程は、光学顕微鏡像モニタ１４を観察しながら
行うことができるので、容易に、精度良く、かつ短時間
で位置合わせを行うことができる。

【００４３】次に、図７に示すように、レーザー照射装
置を作動させ、レーザー照射を行うことにより、レーザ
ーマークスポットエリア２１へのレーザーマーク痕（圧
痕）２２の形成を開始する（第三工程）。上記工程で
は、レーザーマーク痕２２の形成の開始位置を、ＬＳＩ
チップ４の端部に設定している。

【００４４】次に、図８に示すように、レーザー照射ラ
イン２０に沿って、ＬＳＩチップ４上に、複数のレーザ
ーマーク痕２２を形成する（第四工程）。上記工程は、
レーザー照射を行っている状態で、例えば、移動ステー
ジ２を移動させることにより行う。あるいは、レーザー
照射装置を移動させることにより行っても良い。該レー
ザーマーク痕２２は、所定の間隔毎に複数形成してもよ
く、または、つなげて形成してもよい。また、ＬＳＩチ
ップ４の結晶方位と、劈開ラインの方向が一致している
場合には、レーザーマーク痕２２を、ＬＳＩチップ４に
おける劈開ラインに沿って全体的に形成する必要はな
い。

【００４５】上記のように、該劈開装置を取り扱う作業
者は、コントローラ８を操作するだけで、容易にレーザ
ーマーク痕２２をＬＳＩチップ４上に形成することがで
きる。また、レーザー照射強度を一定にし、移動ステー
ジ２の移動速度を一定して、レーザーマーク痕２２を形
成した場合には、上記劈開装置を取り扱う作業者によら
ず、安定した（一定の）大きさ、形状のレーザーマーク
痕２２を形成することができる。

【００４６】次に、図９に示すように、第四工程（図
８）において形成したＬＳＩチップ４の端部のレーザー
マーク痕２２を、劈開刃３の先端部に近づけていく（第
五工程）。上記工程は、移動ステージ２を移動させるこ
とにより行う。この工程においても、光学顕微鏡像モニ
タ１４を観察しながら行うことができるので、容易に、
位置精度よく、かつ短時間で位置合わせを行うことがで
きる。

【００４７】次に、図１０に示すように、劈開ユニット
５を動作させることによりＬＳＩチップ４を劈開刃３に
向かって押し出す。これにより、ＬＳＩチップ４を、レ
ーザーマーク痕２２が形成された面の側面方向から、劈
開刃３の先端部に押し当て、ＬＳＩチップ４に衝撃を与
えることにより、ＬＳＩチップ４上の劈開ラインにおい
て劈開を行う（第六工程）。ここで、劈開刃３の先端部
は、図３に示すように、角度θで傾斜しているので、上
記レーザーマーク痕２２に直接当接することができる。
従って、レーザーマーク痕２２に沿ってＬＳＩチップ４
の劈開を行うことができる。つまり、上記劈開方法によ
れば、位置精度および加工精度良く劈開を行うことがで
きる。

【００４８】以上のように、本実施の形態の劈開方法に
よれば、一連の劈開加工を平面上で行うことができる。
また、劈開を平面上で行うことができるので、例えば、
既存の光学顕微鏡に装着することができる小型化した劈
開装置を提供することができる。また、コントローラ８
を操作するだけで、移動ステージ２および劈開ユニット
５を動作させて、容易に位置合わせおよび劈開動作を行
うことができるので、位置精度および加工精度良く劈開
を行うことができる。また、ＬＳＩチップ４を交換し
て、上記工程を繰り返すことにより高効率にＬＳＩチッ
プ４の劈開を行うことができる。

【００４９】上記の説明においては、ＬＳＩチップ４を
劈開する場合を例に挙げたが、上記劈開を行うための劈
開装置および劈開方法は、ＬＳＩチップ４に限らず、劈
開を行う必要のある、いかなる試料に対しても用いるこ
とができる。

【００５０】

【発明の効果】本発明の劈開装置は、以上のように、ス
テージ上に、該ステージ上を移動する移動ステージと、
試料と当接可能に上記ステージ上に立設された刃と、試
料を刃に向かって押し出す劈開ユニットとを有する構成
である。

【００５１】上記の構成によれば、試料における劈開ラ
インと刃との位置合わせ、および試料を刃に当接させる
劈開動作が容易になるので、位置精度および加工精度良
く試料の劈開を行うことができる劈開装置を提供するこ
とができるという効果を奏する。さらに、一連の劈開加
工を平面（装置）上で行うことができるので、小型化し
た装置を提供することができるという効果を併せて奏す
る。

【００５２】本発明の劈開装置は、上記の構成に加え
て、上記刃の先端部が、傾斜している構成である。

【００５３】上記の構成によれば、例えば、試料に形成
された圧痕に直接当接させることができるので、より位
置精度および加工精度良く劈開を行うことができるとい
う効果を奏する。

【００５４】本発明の劈開装置は、上記の構成に加え
て、上記移動ステージおよび劈開ユニットの動作を制御
するコントローラを備えている構成である。

【００５５】上記の構成によれば、移動ステージおよび
劈開ユニットの移動を上記コントローラを操作するのみ
で、容易に任意に行うことができるので、一連の劈開加
工を安定して行うことができるという効果を奏する。

【００５６】本発明の劈開装置は、上記の構成に加え
て、試料表面に圧痕を形成する圧痕形成装置を備えてい
る構成である。

【００５７】上記の構成によれば、試料上に一定の形
状、大きさの圧痕を形成することができるので、より位
置精度および加工精度良く劈開を行うことができるとい
う効果を奏する。

【００５８】本発明の劈開装置は、上記の構成に加え
て、圧痕形成装置がレーザー照射装置である構成であ
る。

【００５９】上記の構成によれば、より安定した大きさ
および形状のレーザーマーク痕を形成することができる
ので、より位置精度および加工精度良く劈開を行うこと
ができるという効果を奏する。

【００６０】本発明の劈開装置は、上記の構成に加え
て、上記ステージが光学顕微鏡に装着されている構成で
ある。

【００６１】上記の構成によれば、光学顕微鏡で観察し
ながら一連の劈開加工を行うことができるので、より容
易に、位置精度および加工精度良く劈開を行うことがで
きるという効果を奏する。

【００６２】本発明の劈開方法は、以上のように、試料
に圧痕を形成する工程と、該試料に対して、圧痕が形成
された面の側面方向から刃を当接させる工程とを有する
構成である。

【００６３】上記の構成によれば、試料に圧痕を形成
し、該試料に対して、圧痕が形成された面の側面方向か
ら刃を当接させるので、試料における劈開ラインと刃と
の位置合わせ、および試料を刃に当接させる劈開動作が
容易になる。それゆえ、位置精度および加工精度良く劈
開を行うことができるという効果を奏する。また、一連
の劈開加工を平面上で行うことができるという効果を併
せて奏する。

【００６４】本発明の劈開方法は、上記の構成に加え
て、上記圧痕を少なくとも試料端部に形成する構成であ
る。

【００６５】上記の構成によれば、刃と該試料とを当接
させて劈開を行う際に、試料における劈開ラインと刃と
の位置合わせ、および試料を刃に当接させる劈開動作が
より容易になるので、より一層位置精度および加工精度
良く劈開を行うことができるという効果を奏する。

【００６６】本発明の劈開方法は、上記の構成に加え
て、圧痕をレーザー照射により形成する構成である。

【００６７】上記の構成によれば、レーザー照射の照射
量を一定することにより、安定した大きさの圧痕を形成
することができるので、より位置精度および加工精度良
く劈開を行うことができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態にかかる劈開装置の平面
図である。

【図２】上記劈開装置の側面図である。

【図３】上記劈開装置の劈開刃とＬＳＩチップとの位置
関係を示す側面図である。

【図４】上記劈開装置を装着することができる光学顕微
鏡の正面図である。

【図５】本発明の一実施の形態にかかる劈開方法の第一
工程を示す平面図である。

【図６】上記劈開方法の第二工程を示す平面図である。

【図７】上記劈開方法の第三工程を示す平面図である。

【図８】上記劈開方法の第四工程を示す平面図である。

【図９】上記劈開方法の第五工程を示す平面図である。

【図１０】上記劈開方法の第六工程を示す平面図であ
る。

【図１１】従来の劈開装置を示す正面図である。

【図１２】従来の劈開方法の工程を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ 固定ステージ（ステージ） ２ 移動ステージ ３ 劈開刃（刃） ４ ＬＳＩチップ（試料） ５ 劈開ユニット ８ コントローラ １１ レーザー照射装置 １９ 劈開ライン ２２ レーザーマーク痕（圧痕）

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ステージ上に、劈開されるべき試料を載置
   した状態で該ステージ上を移動する移動ステージと、該
   移動ステージ上に載置された試料と当接可能に上記ステ
   ージ上に立設された刃と、移動ステージ上に載置された
   試料を刃に向かって押し出す劈開ユニットとを有するこ
   とを特徴とする劈開装置。
2. 【請求項２】上記刃の先端部が、移動ステージ上に載置
   された試料に向かって傾斜していることを特徴とする請
   求項１記載の劈開装置。
3. 【請求項３】上記移動ステージおよび劈開ユニットの動
   作を制御するコントローラを備えていることを特徴とす
   る請求項１または２記載の劈開装置。
4. 【請求項４】試料表面に圧痕を形成する圧痕形成装置を
   備えていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一
   項記載の劈開装置。
5. 【請求項５】上記圧痕形成装置がレーザー照射装置であ
   ることを特徴とする請求項４記載の劈開装置。
6. 【請求項６】上記ステージが光学顕微鏡に装着されてい
   ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の
   劈開装置。
7. 【請求項７】試料に圧痕を形成する工程と、 該試料に対して、圧痕が形成された面の側面方向から刃
   を当接させる工程とを有することを特徴とする劈開方
   法。
8. 【請求項８】上記圧痕を少なくとも試料端部に形成する
   ことを特徴とする請求項７記載の劈開方法。
9. 【請求項９】上記圧痕をレーザー照射により形成するこ
   とを特徴とする請求項７または８記載の劈開方法。