JPH10229107A - 半導体解析装置 - Google Patents
半導体解析装置Info
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- JPH10229107A JPH10229107A JP3163697A JP3163697A JPH10229107A JP H10229107 A JPH10229107 A JP H10229107A JP 3163697 A JP3163697 A JP 3163697A JP 3163697 A JP3163697 A JP 3163697A JP H10229107 A JPH10229107 A JP H10229107A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- wafer
- stage
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハ搭載テーブルの昇降動作を迅速に行
ってテーブル移動時間を短縮させ解析作業効率の向上を
図るとともに、テーブルの移動ストロークを大きくし
て、ウェーハ交換時に充分テーブルを下降させてウェー
ハの着脱時の破損を防止し作業性の向上を図った半導体
解析装置を提供する。 【解決手段】 解析すべき半導体ウェーハを搭載するテ
ーブル１と、このテーブル１を上下動させるための気圧
式シリンダ６を備えた。
ってテーブル移動時間を短縮させ解析作業効率の向上を
図るとともに、テーブルの移動ストロークを大きくし
て、ウェーハ交換時に充分テーブルを下降させてウェー
ハの着脱時の破損を防止し作業性の向上を図った半導体
解析装置を提供する。 【解決手段】 解析すべき半導体ウェーハを搭載するテ
ーブル１と、このテーブル１を上下動させるための気圧
式シリンダ６を備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体解析装置に関
する。より詳しくは、半導体ウェーハの表面観察あるい
は特性試験を行う解析装置に関し、特にその半導体ウェ
ーハ搭載テーブルの昇降機構に関するものである。
する。より詳しくは、半導体ウェーハの表面観察あるい
は特性試験を行う解析装置に関し、特にその半導体ウェ
ーハ搭載テーブルの昇降機構に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、半導体ウ
ェーハの所定の処理工程が終了したとき或いは処理工程
中に、テストプロセスが設けられ、半導体ウェーハをサ
ンプリングして顕微鏡による半導体ウェーハの表面観察
を行ってその表面処理状態を解析したり、あるいはマニ
ュアル式のプローバを用いて回路パターン等の特性試験
が行われ各種電気的特性が解析される。このような顕微
鏡やマニュアルプローバ等の半導体解析装置において
は、解析すべき半導体ウェーハはテーブル上に搭載さ
れ、顕微鏡の観察位置あるいはマニュアルプローバの触
針位置の下側で上下に移動動作され所定の位置に微調整
され固定保持される。顕微鏡観察あるいは特性試験が終
了した半導体ウェーハは別の半導体ウェーハと交換され
再び顕微鏡観察あるいは特性試験が行われる。この場
合、半導体ウェーハを交換するときに、半導体ウェーハ
が顕微鏡やプローバに当たらないように、テーブルを最
下位置まで下降させて半導体ウェーハを交換している。
ェーハの所定の処理工程が終了したとき或いは処理工程
中に、テストプロセスが設けられ、半導体ウェーハをサ
ンプリングして顕微鏡による半導体ウェーハの表面観察
を行ってその表面処理状態を解析したり、あるいはマニ
ュアル式のプローバを用いて回路パターン等の特性試験
が行われ各種電気的特性が解析される。このような顕微
鏡やマニュアルプローバ等の半導体解析装置において
は、解析すべき半導体ウェーハはテーブル上に搭載さ
れ、顕微鏡の観察位置あるいはマニュアルプローバの触
針位置の下側で上下に移動動作され所定の位置に微調整
され固定保持される。顕微鏡観察あるいは特性試験が終
了した半導体ウェーハは別の半導体ウェーハと交換され
再び顕微鏡観察あるいは特性試験が行われる。この場
合、半導体ウェーハを交換するときに、半導体ウェーハ
が顕微鏡やプローバに当たらないように、テーブルを最
下位置まで下降させて半導体ウェーハを交換している。
【０００３】図４は、従来のこのような半導体解析装置
のウェーハ搭載用テーブルを解析位置に位置決めするた
めの上下移動機構を示す。半導体ウェーハを搭載するテ
ーブル２１はラックピニオン機構からなる微動機構２２
のラック２２ａに固定される。このラック２２ａは、ピ
ニオン２２ｂのつまみ２３の回転操作により上下に移動
して、テーブル１を矢印Ｋのように上下動させて位置決
め固定する。このように、テーブル２１の位置決め操作
は、手動のつまみ２３を回して微動させながら行ってい
た。また、半導体ウェーハを交換するときには、同じこ
の微動用の手動つまみ２３によりテーブル２１を最下位
置まで下降させ、最下位置で半導体ウェーハの着脱を行
なっていた。
のウェーハ搭載用テーブルを解析位置に位置決めするた
めの上下移動機構を示す。半導体ウェーハを搭載するテ
ーブル２１はラックピニオン機構からなる微動機構２２
のラック２２ａに固定される。このラック２２ａは、ピ
ニオン２２ｂのつまみ２３の回転操作により上下に移動
して、テーブル１を矢印Ｋのように上下動させて位置決
め固定する。このように、テーブル２１の位置決め操作
は、手動のつまみ２３を回して微動させながら行ってい
た。また、半導体ウェーハを交換するときには、同じこ
の微動用の手動つまみ２３によりテーブル２１を最下位
置まで下降させ、最下位置で半導体ウェーハの着脱を行
なっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウェーハ交換時に位置決め微動用の手動つまみを回して
テーブルを下降させることは、非常に時間がかかり解析
作業効率の低下を来す。また、移動機構が微調整用のラ
ックピニオン機構であるため、ストロークが小さく、移
動距離範囲が小さいため、ウェーハ交換時にテーブルを
充分に下降させることができない。このため、顕微鏡先
端部やプローバ等が邪魔して交換時のウェーハ着脱作業
がしずらく、またウェーハが顕微鏡先端部やプローバ等
に当接して破損するおそれもあった。
ウェーハ交換時に位置決め微動用の手動つまみを回して
テーブルを下降させることは、非常に時間がかかり解析
作業効率の低下を来す。また、移動機構が微調整用のラ
ックピニオン機構であるため、ストロークが小さく、移
動距離範囲が小さいため、ウェーハ交換時にテーブルを
充分に下降させることができない。このため、顕微鏡先
端部やプローバ等が邪魔して交換時のウェーハ着脱作業
がしずらく、またウェーハが顕微鏡先端部やプローバ等
に当接して破損するおそれもあった。
【０００５】本発明は上記従来技術の欠点に対処してな
されたものであって、ウェーハ搭載テーブルの昇降動作
を迅速に行ってテーブル移動時間を短縮させ解析作業効
率の向上を図るとともに、テーブルの移動ストロークを
大きくして、ウェーハ交換時に充分テーブルを下降させ
てウェーハの着脱時の破損を防止し作業性の向上を図っ
た半導体解析装置の提供を目的とする。
されたものであって、ウェーハ搭載テーブルの昇降動作
を迅速に行ってテーブル移動時間を短縮させ解析作業効
率の向上を図るとともに、テーブルの移動ストロークを
大きくして、ウェーハ交換時に充分テーブルを下降させ
てウェーハの着脱時の破損を防止し作業性の向上を図っ
た半導体解析装置の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、解析すべき半導体ウェーハを搭載する
テーブルと、このテーブルを上下動させるための気圧式
シリンダを備えたことを特徴とする半導体解析装置を提
供する。
め、本発明では、解析すべき半導体ウェーハを搭載する
テーブルと、このテーブルを上下動させるための気圧式
シリンダを備えたことを特徴とする半導体解析装置を提
供する。
【０００７】この構成によれば、圧縮空気あるいは窒素
ガス等の気体を用いた気圧式シリンダによりウェーハ搭
載テーブルを上下昇降動作させるため、移動速度が速く
なり半導体ウェーハ交換時のテーブル移動時間が短縮さ
れて作業効率が向上する。また、ストロークを大きくと
ることができるため、ウェーハ交換時にテーブルを充分
下降させてウェーハ着脱操作の作業性を向上させウェー
ハの破損を防止することができる。
ガス等の気体を用いた気圧式シリンダによりウェーハ搭
載テーブルを上下昇降動作させるため、移動速度が速く
なり半導体ウェーハ交換時のテーブル移動時間が短縮さ
れて作業効率が向上する。また、ストロークを大きくと
ることができるため、ウェーハ交換時にテーブルを充分
下降させてウェーハ着脱操作の作業性を向上させウェー
ハの破損を防止することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】好ましい実施の形態においては、
前記テーブルの上下方向の位置を微調整するための手動
操作手段を備えたことを特徴としている。
前記テーブルの上下方向の位置を微調整するための手動
操作手段を備えたことを特徴としている。
【０００９】この構成によれば、前述の気圧式シリンダ
に加えて、テーブル位置の微調整用手動操作手段が備わ
るため、半導体ウェーハをテーブル上にセットして前記
気圧式シリンダで所定位置まで上昇させた後、微調整手
段で正確な位置決めを行って解析操作をすることがで
き、解析作業が円滑に行われる。
に加えて、テーブル位置の微調整用手動操作手段が備わ
るため、半導体ウェーハをテーブル上にセットして前記
気圧式シリンダで所定位置まで上昇させた後、微調整手
段で正確な位置決めを行って解析操作をすることがで
き、解析作業が円滑に行われる。
【００１０】さらに好ましい実施の形態においては、前
記テーブル上の半導体ウェーハを観察するための顕微鏡
を備えたことを特徴としている。
記テーブル上の半導体ウェーハを観察するための顕微鏡
を備えたことを特徴としている。
【００１１】この構成により、本発明が顕微鏡装置に好
適に適用され、顕微鏡による半導体ウェーハの表面観察
が効率よく円滑に行われ、表面解析の作業性および信頼
性の向上が図られる。
適に適用され、顕微鏡による半導体ウェーハの表面観察
が効率よく円滑に行われ、表面解析の作業性および信頼
性の向上が図られる。
【００１２】別の好ましい実施の形態においては、前記
テーブル上の半導体ウェーハを試験するためのマニュア
ルプローバを備えたことを特徴としている。
テーブル上の半導体ウェーハを試験するためのマニュア
ルプローバを備えたことを特徴としている。
【００１３】この構成により、本発明がマニュアルプロ
ーバ装置に好適に適用され、前記テーブル上の半導体ウ
ェーハを試験する場合の操作が効率よく円滑に行われ、
試験解析の作業性および信頼性の向上が図られる。
ーバ装置に好適に適用され、前記テーブル上の半導体ウ
ェーハを試験する場合の操作が効率よく円滑に行われ、
試験解析の作業性および信頼性の向上が図られる。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の実施例に係る半導体解析装置
のテーブル移動機構部分の基本構成図である。半導体ウ
ェーハを搭載するためのテーブル１がラックピニオン機
構からなる微動機構２のラック２ａに固定される。ラッ
ク２ａは、つまみ３を矢印Ａのように回転させることに
より、テーブル１とともに支持台４に対し、矢印Ｂのよ
うに、上下動してテーブル１の上下方向の位置が微調整
される。支持台４は、２本のガイド５に沿って上下動可
能である。この支持台４の下面には気圧シリンダ６のピ
ストン６ａの先端が連結固定される。気圧シリンダ６
は、空気圧あるいは窒素ガス等の気体により駆動され、
ピストン６ａが矢印Ｃのように伸縮して支持台４を矢印
Ｄのように昇降動作させる。支持台４の移動範囲の最上
位置にはストッパ７が設けられる。ストッパ７は支持台
４のストロークの上限位置を規制する。このストッパ７
はラックピニオン機構からなる位置調整機構８に一体的
に設けられている。この位置調整機構８のつまみ９を矢
印Ｅのように回転させることにより、ストッパ７が矢印
Ｆのように上下に微動して支持台４の上限位置が調整さ
れて定まる。
のテーブル移動機構部分の基本構成図である。半導体ウ
ェーハを搭載するためのテーブル１がラックピニオン機
構からなる微動機構２のラック２ａに固定される。ラッ
ク２ａは、つまみ３を矢印Ａのように回転させることに
より、テーブル１とともに支持台４に対し、矢印Ｂのよ
うに、上下動してテーブル１の上下方向の位置が微調整
される。支持台４は、２本のガイド５に沿って上下動可
能である。この支持台４の下面には気圧シリンダ６のピ
ストン６ａの先端が連結固定される。気圧シリンダ６
は、空気圧あるいは窒素ガス等の気体により駆動され、
ピストン６ａが矢印Ｃのように伸縮して支持台４を矢印
Ｄのように昇降動作させる。支持台４の移動範囲の最上
位置にはストッパ７が設けられる。ストッパ７は支持台
４のストロークの上限位置を規制する。このストッパ７
はラックピニオン機構からなる位置調整機構８に一体的
に設けられている。この位置調整機構８のつまみ９を矢
印Ｅのように回転させることにより、ストッパ７が矢印
Ｆのように上下に微動して支持台４の上限位置が調整さ
れて定まる。
【００１５】このような構成のテーブル移動機構におい
ては、気圧ピストン６の駆動により、支持台４が上下に
速い速度で移動可能であり、またそのストロークはピス
トン６ａの伸縮範囲に対応して広くとれる。この場合、
ストッパ７により支持台４を所望の上昇位置で停止させ
ることができる。これにより、ラフなテーブル上昇位置
が定まり、その後、微動機構２のつまみ３の回転操作に
より、支持台４に対しテーブル１を微動させて高精度に
位置決めすることができる。
ては、気圧ピストン６の駆動により、支持台４が上下に
速い速度で移動可能であり、またそのストロークはピス
トン６ａの伸縮範囲に対応して広くとれる。この場合、
ストッパ７により支持台４を所望の上昇位置で停止させ
ることができる。これにより、ラフなテーブル上昇位置
が定まり、その後、微動機構２のつまみ３の回転操作に
より、支持台４に対しテーブル１を微動させて高精度に
位置決めすることができる。
【００１６】図２は、上記テーブル移動機構を半導体ウ
ェーハの表面観察用の顕微鏡装置に適用した場合の動作
説明図である。テーブル１上に観察対象となる半導体ウ
ェーハ１１が搭載される。この半導体ウェーハ１１を搭
載したテーブル１は、前述の気圧ピストン６（図１）に
より、矢印Ｄ１のように、ストッパ７により規制される
最上位置Ｐまで高速で上昇駆動される。続いて微動機構
２のつまみ３の回転操作により矢印Ｂのように微調整さ
れ、顕微鏡１０に対し半導体ウェーハ１１が高精度に位
置決めされる。半導体ウェーハ１１の観察が終了する
と、再び気圧シリンダ６の駆動により、テーブル１を、
矢印Ｄ２で示すように、顕微鏡１０から充分に離れた最
下位置Ｑまで高速で下降させる。この最下位置Ｑで半導
体ウェーハ１１を次に観察すべき半導体ウェーハと交換
し、再び気圧シリンダ６によりテーブル１を、矢印Ｄ１
のように、高速で上昇させ、矢印Ｂのように微調整した
後再び観察が行なわれる。
ェーハの表面観察用の顕微鏡装置に適用した場合の動作
説明図である。テーブル１上に観察対象となる半導体ウ
ェーハ１１が搭載される。この半導体ウェーハ１１を搭
載したテーブル１は、前述の気圧ピストン６（図１）に
より、矢印Ｄ１のように、ストッパ７により規制される
最上位置Ｐまで高速で上昇駆動される。続いて微動機構
２のつまみ３の回転操作により矢印Ｂのように微調整さ
れ、顕微鏡１０に対し半導体ウェーハ１１が高精度に位
置決めされる。半導体ウェーハ１１の観察が終了する
と、再び気圧シリンダ６の駆動により、テーブル１を、
矢印Ｄ２で示すように、顕微鏡１０から充分に離れた最
下位置Ｑまで高速で下降させる。この最下位置Ｑで半導
体ウェーハ１１を次に観察すべき半導体ウェーハと交換
し、再び気圧シリンダ６によりテーブル１を、矢印Ｄ１
のように、高速で上昇させ、矢印Ｂのように微調整した
後再び観察が行なわれる。
【００１７】図３は、上記テーブル移動機構を半導体ウ
ェーハの特性試験用のマニュアルプローバ装置に適用し
た場合の動作説明図である。前述の顕微鏡装置と同様
に、テーブル１上に観察対象となる半導体ウェーハ１１
が搭載される。この半導体ウェーハ１１を搭載したテー
ブル１は、前述の気圧ピストン６（図１）により、矢印
Ｄ１のように、ストッパ７により規制される最上位置Ｐ
まで高速で上昇駆動される。続いて微動機構２のつまみ
３の回転操作により矢印Ｂのように微調整され、プロー
バ１２に対し半導体ウェーハ１１が高精度に位置決めさ
れる。半導体ウェーハ１１の特性試験が終了すると、再
び気圧シリンダ６の駆動により、テーブル１を、矢印Ｄ
２で示すように、プローバ１２から充分に離れた最下位
置Ｑまで高速で下降させる。この最下位置Ｑで半導体ウ
ェーハ１１を次に試験すべき半導体ウェーハと交換し、
再び気圧シリンダ６によりテーブル１を、矢印Ｄ１のよ
うに、高速で上昇させ、矢印Ｂのように微調整した後再
び試験が行なわれる。
ェーハの特性試験用のマニュアルプローバ装置に適用し
た場合の動作説明図である。前述の顕微鏡装置と同様
に、テーブル１上に観察対象となる半導体ウェーハ１１
が搭載される。この半導体ウェーハ１１を搭載したテー
ブル１は、前述の気圧ピストン６（図１）により、矢印
Ｄ１のように、ストッパ７により規制される最上位置Ｐ
まで高速で上昇駆動される。続いて微動機構２のつまみ
３の回転操作により矢印Ｂのように微調整され、プロー
バ１２に対し半導体ウェーハ１１が高精度に位置決めさ
れる。半導体ウェーハ１１の特性試験が終了すると、再
び気圧シリンダ６の駆動により、テーブル１を、矢印Ｄ
２で示すように、プローバ１２から充分に離れた最下位
置Ｑまで高速で下降させる。この最下位置Ｑで半導体ウ
ェーハ１１を次に試験すべき半導体ウェーハと交換し、
再び気圧シリンダ６によりテーブル１を、矢印Ｄ１のよ
うに、高速で上昇させ、矢印Ｂのように微調整した後再
び試験が行なわれる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、圧縮空気あるいは窒素ガス等の気体を用いた気圧式
シリンダによりウェーハ搭載テーブルを上下昇降動作さ
せるため、移動速度が速くなり半導体ウェーハ交換時の
テーブル移動時間が短縮されて作業効率が向上する。ま
た、ストロークを大きくとることができるため、ウェー
ハ交換時に、テーブルを、顕微鏡やプローバが配設され
た観察位置あるいは試験位置から充分下降させて、ウェ
ーハ着脱操作の作業性を向上させ、ウェーハの破損を防
止することができる。
は、圧縮空気あるいは窒素ガス等の気体を用いた気圧式
シリンダによりウェーハ搭載テーブルを上下昇降動作さ
せるため、移動速度が速くなり半導体ウェーハ交換時の
テーブル移動時間が短縮されて作業効率が向上する。ま
た、ストロークを大きくとることができるため、ウェー
ハ交換時に、テーブルを、顕微鏡やプローバが配設され
た観察位置あるいは試験位置から充分下降させて、ウェ
ーハ着脱操作の作業性を向上させ、ウェーハの破損を防
止することができる。
【００１９】また、前述の気圧式シリンダに加えて、テ
ーブル位置の微調整用手動操作手段が備わる構成とすれ
ば、半導体ウェーハをテーブル上にセットして前記気圧
式シリンダで所定位置まで上昇させた後、微調整手段で
正確な位置決めを行って解析操作をすることができ、解
析作業が円滑に行われる。
ーブル位置の微調整用手動操作手段が備わる構成とすれ
ば、半導体ウェーハをテーブル上にセットして前記気圧
式シリンダで所定位置まで上昇させた後、微調整手段で
正確な位置決めを行って解析操作をすることができ、解
析作業が円滑に行われる。
【００２０】さらに、本発明の構成を顕微鏡装置に適用
することにより、顕微鏡による半導体ウェーハの表面観
察が効率よく円滑に行われ、表面解析の作業性および信
頼性の向上が図られる。
することにより、顕微鏡による半導体ウェーハの表面観
察が効率よく円滑に行われ、表面解析の作業性および信
頼性の向上が図られる。
【００２１】また、本発明の構成をマニュアルプローバ
装置に適用することにより、テーブル上の半導体ウェー
ハを試験する場合の操作が効率よく円滑に行われ、試験
解析の作業性および信頼性の向上が図られる。
装置に適用することにより、テーブル上の半導体ウェー
ハを試験する場合の操作が効率よく円滑に行われ、試験
解析の作業性および信頼性の向上が図られる。
【図１】 本発明に係る半導体解析装置の要部構成説明
図。
図。
【図２】 本発明を半導体ウェーハ観察用顕微鏡装置に
適用した場合の動作説明図。
適用した場合の動作説明図。
【図３】 本発明を半導体ウェーハの特性試験用マニュ
アルプローバ装置に適用した場合の動作説明図。
アルプローバ装置に適用した場合の動作説明図。
【図４】 従来の半導体ウェーハ搭載テーブルの昇降機
構の構成説明図。
構の構成説明図。
【符号の説明】 １：テーブル、２：微動機構、２ａ：ラック、２ｂ：ピ
ニオン、３：つまみ、４：支持台、５：ガイド、６：気
圧シリンダ、７：ストッパ、８：位置調整機構、９：つ
まみ、１０：顕微鏡、１１：半導体ウェーハ、１２：プ
ローバ。
ニオン、３：つまみ、４：支持台、５：ガイド、６：気
圧シリンダ、７：ストッパ、８：位置調整機構、９：つ
まみ、１０：顕微鏡、１１：半導体ウェーハ、１２：プ
ローバ。
Claims (4)
- 【請求項１】解析すべき半導体ウェーハを搭載するテー
ブルと、このテーブルを上下動させるための気圧式シリ
ンダを備えたことを特徴とする半導体解析装置。 - 【請求項２】前記テーブルの上下方向の位置を微調整す
るための手動操作手段を備えたことを特徴とする請求項
１に記載の半導体解析装置。 - 【請求項３】前記テーブル上の半導体ウェーハを観察す
るための顕微鏡を備えたことを特徴とする請求項１また
は２に記載の半導体解析装置。 - 【請求項４】前記テーブル上の半導体ウェーハを試験す
るためのマニュアルプローバを備えたことを特徴とする
請求項１または２に記載の半導体解析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3163697A JPH10229107A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 半導体解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3163697A JPH10229107A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 半導体解析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10229107A true JPH10229107A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=12336709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3163697A Pending JPH10229107A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 半導体解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10229107A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102179700A (zh) * | 2011-03-07 | 2011-09-14 | 天津大学 | 一种用于超声波加工的气浮工作台 |
| CN103511368A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-01-15 | 浙江工业大学 | 超长恒力输出气浮装置 |
| CN103511366A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-01-15 | 浙江工业大学 | 长距离恒力输出气浮装置 |
| CN113176166A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-27 | 安徽工程大学 | 一种磁流体试样磁场强度调节装置及使用方法 |
-
1997
- 1997-02-17 JP JP3163697A patent/JPH10229107A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102179700A (zh) * | 2011-03-07 | 2011-09-14 | 天津大学 | 一种用于超声波加工的气浮工作台 |
| CN103511368A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-01-15 | 浙江工业大学 | 超长恒力输出气浮装置 |
| CN103511366A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-01-15 | 浙江工业大学 | 长距离恒力输出气浮装置 |
| CN113176166A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-27 | 安徽工程大学 | 一种磁流体试样磁场强度调节装置及使用方法 |
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