DE1547810A1

DE1547810A1 - Photoresistmaterial

Info

Publication number: DE1547810A1
Application number: DE19671547810
Authority: DE
Inventors: Martinson Lawrence Elsworth
Original assignee: Eastman Kodak Co
Current assignee: Eastman Kodak Co
Priority date: 1966-07-01
Filing date: 1967-06-28
Publication date: 1969-12-04
Also published as: DE1547810B2; GB1185388A; US3497356A; BE700506A

Description

Eastman Kodak Company, 3-^3 State Street, Rochester, Staat New York, Vereinigte Staaten von Amerika

Photoresistmaterial

Die Herstellung von Photoresistmaterlalien erfolgt bekannt- ,■ lieh .durch beschichtung: von Metaliplatten oder Metallfolien . mit lichtempfindlichen Polymeren. Ein weit verbreitetes Verfahren zur Beschichtung metallischer Oberflächen mit Photoresistlösungen ist das sogenannte Schleuderbeschichtungsverfahren. Bei diesem Verfahren wird eine PhotoresJsblösung auf eine sich drehende yietallplatte gegossen und durch die auftretenden Zentrifugalkräfte gleichmäßig über die Plattenoberfläche verteilt. Die überschüssige Lösung wird hierbei gleichzeitig entfernt.

Ein anderes bekanntes Verfahren zum Auftragen einer Resist» lösung auf einen Träger besteht darin, die Resistlösung auf den Träger aufzusprühen.

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Bei beiden Verfahren wird jeweils eine frische Resistlosung zur Herstellung einer Resistschicht verwendet.

Neuerdings gewinnt das sogenannte Tauchbeschichtungsverfahren an zunehmender Bedeutung. Bei diesem Verfahren erfolgt die Beschichtung dadurch, daß einzelne öogen oder Platten in relativ große Volumina der liesehiehtungslosung getaucht werden. Die in einem Vorratstame aufbewahrte Lösung wird dabei zur Herstellung vieler Resistschichten verwendet..

Werden Kupferfolien oder -platten als Trägermaterial verwendet und nach dem Tauchbeschichtungsverfanren rait einer Photoresistlösung beschichtet, so besitzen insbesondere die nach inehrrnaligeir, Gebrauch dar ueschichtungslösun-,; r.it dieser Lösung hergestellten Hecjistsehicliten eine oeueutend dunklere 5'ärbung als die niit der frisciien. Losung hergestellten Schichten. Das "Dunklerwerden" von Resistschichten, Vielehe rait mehrmals verwendeten Resistlösunren ner.gestellt werden, ist deshalb unerwünscht, weil der erhalt reproduzierbarer Ergebnisse erschwert unü die er for aer Ii ehe Belichtungszeit aufeinanderfolgender, mit aer genannten Resistlosung hergestellter Resistschichten i:raier grcjler wird. Bei "dunklen" Resistschichten kann die Jelichturiprszeit beschichteter Platten unter Umstäncen 2, 3 oder um ein mehrfaches größer sein als die ijelichtungszeit "heller" Platten.

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"üunklerwerden" bedeutet/eine meßbare Zunahme der optischen Dichte»d. h. die Lichtdurehlässigkeit durch die Resistlösung und durch die damit hergestellten Resistschichten wird geringer.

Der* Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, ein Photoresistmaterial anzugeben, welches durch Tauchbeschichtung einer iiupferfolie oder -platte mit einer Resist lösung hergestellt

wird und welches die Nachteile der nach den bisher be- m

kannten Tauehbesehichtungsverfahren hergestellten Photoresistmaterialien nicht besitzt.

Der Erfindung lag die Erkenntnis zugrunde, daß Photoresistlaaterialien der gewünschten Eigenschaften dann erhalten

".. ■ man werden, wenn/den verwendeten Resistlösungen Verbindungen

zusetzt^ die Kupferionen komplex zu binden vermögen.ke*wwM*.

Derasufol^e betrifft die Erfindung ein Photöresistmaterial, bestehend aus einer Kupferfolien oder -platte als Träger f und einer hierauf aufgetragenen Resistschicht aus einem gegebenenfalls sensibilisierten, in einem organischen LosungSKiittel löslichen_? lichtempfindlichen, filmblldenden Polymer, bestehend aus einem lichtempfindlich gemachten Gummi und/oder einen» lichtempfindlichen, äthyleniseh ungesättigten linearen Polymeren, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß die Eeslstschicht einen Komplexbildner für Kupferionen enthält.

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Als besonders vorteilhafte Komplexbildner haben sich saure organische Verbindungen und organische Säuren, welche mit Kupferionen ein Chelat oder einen Komplex zu bilden vermögen, erwiesen* Der genaue Mechanismus der Reaktion von Kupferionen mit den organischen Säuren ist noch nicht bekannt. Auch ist noch unbekannt, warum eine Photoresistlösung nach längerem Gebrauch und die daraus hergestellten Photoresistschlchten in Gegem^art von Kupfer dunkel werden. _ Ebensowenig ist bekannt, warum durch den Zusatz saurer or-

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ganischer Verbindungen das Dunkelwerden einer Resistlösung nach längerem Gebrauch und das Dunkelwerden der daraus hergestellten Resistschiehten verhindert oder zumindest stafck zurückgedrängt werden kann.

Als Komplexbildner besonders geeignete organische Säuren sind beispielsweise Dicarbonsäuren, α-Aminosäuren und ο-Hydroxycarbonsäuren, wie z. B. Malonsäure, Bernsteinsäure, Adipinsäure und Sebacinsäure, Glycin, Asparagin- ^ säure und Alanin, Maleinsäure, Oxymalonsäure, Weinsäure- und Zitronensäure sov/ie Äthylendiamintetraessigsäure.

" Besonders gut geeignet sind Zitronensäure, Sebacinsäure

sich
und Vifeinsäure, obwohl/auch Säuren, wie Oxymalonsäure, Maleinsäure, Arabonsäure [cHgOH (CHOH)-COOIl]] und Tetrahydroxyadipinsäure als sehr geeignet erwiesen haben.

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Der durch die erfindungsgemäß verwendeten Komplexbildner

■- hervorgerufene Effekt unterscheidet sich von der bekannten

Hemmwirkung bestimmter Säuren, welche bekanntlich Photoresistmaterialien einverleibt werden. Letztere dienen dazu, eine frühzeitige Polymerisation ungesättigter Verbindungen zu verhindern, da diese Verbindungen sonst beispiels- ^;weise-auf- der.Oberfläche einer Zinkplatte unlöslich würden« Die bisher bekannten Zusätze eignen sich jedoch nicht zur Verhinderung eines fortschreitenden Dunklerwerdens von Photoresistlösungen, die zur Tauchbeschichtung von Kupferfolien oder- -platten verwendet werden. .

Die Herstellung der Photoresistmaterialien nach der Erfindung erfolgt in an sich bekannter Weise durch Auftragen einer üblichen lichtempfindlichen, jedoch einen Komplexbildner enthaltenden ßeschiehtungsmasse im Tauchbeschichturigsverfahren auf einen Kupferträger. Das lichtempfind- . liehe Polymer, ein Lösungsmittel hierfür, das Trägermaterial" sowie das Auftragsverfahren wird von dem jeweiligen Verwendungszweck des Resistmaterial beeinflußt.

Die Auswahl des filmbildenden, polymeren, photoempfindlichen.

Materials erfolgt aufgrund der benötigten photographischen co
ο Empfindlichkeit sowie der gewünschten Eigenschaften des

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fertigen, matrizenartigen Resistbildes. Zur Herstellung ^-' des Photoresistmaterials, das die Herstellung relief- oder matrizenartiger Resistbilder ermöglicht, können die verschiedensten bekannten photoempfindlichen filmbildenden !'lassen verwendet werden. Die filmbildenden Polymeren oder

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harzartigen Bindemittel können natürliche Gummi oder Kaut-" schuke oder modifizierte natürliche Gummi oder Kautschuke, wie beispielsweise Gurnmi oder Kautschuk selbst, Schellack,

Gelatine oder Leim oder synthetische Polymere, wie z. 3. Polyvinylalkohol, Polyäthylen, Polyamide (Mylon), Styrolbutadienmischpolymerisate oder auch Mischungen der genannten Polymeren sein. Die für praktische Zwecke ausreichende Photoempfindlichkeit, d. h. die Eigenschaft_s bei der Belichtung mit sichtbarem oder UV-Licht unlöslich zu werden, wird durch Zugabe photosensibilisierender Verbindungen erreicht. Die photosensibilisierenden Verbindungen können aus den verschiedensten chemischen Verbindungen bestehen und v/erden mit fUmbildenden Polymeren vermischt. Beispiele für photosensibilisierende Verbindungen sind Kaliumdichromat, welches zur Photosensibilisierung von Leiia, Gelatine undSchellackmassen geeignet ist oder die in den USA-Patentschriften 2 843 328 und 2 852 379 beschriebenen Arylazide, welche zur Photosensibilisierung von in Uasser dispergierbaren und in organischen Lösungsmitteln löslichen Polymeren verwendet werden.

Die erfindungsgemäß verwendeten Komplexbildner verleihen beispielsweise einer "^rrauchbeschichtungs^M-Resistlösung mit einem Gehalt an lichtempfindlichen, harzigen Massen aus äthylenisch ungesättigten linearen Polymeren, welche durch Veresterung hydroxylgruppenhaltiger Polymerer, wie

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beispielsweise Cellulose, Polyvinylalkohol und dergl. mit einem Zimtsäurehalogenid, wie beispielsweise mit Zimt-

sie säurechlorid, Chlor- oder Nitrozimtsäurechlorid, wie/z«B« in der USA-Patentschrift 2 670 286 beschrieben werden, erhalten werden, eine ausgezeichnete Stabilität.

Unter "äthylenisch ungesättigt" sind hier Verbindungen gemeint, welche die Gruppierung

aufweisen. Eine solche Gruppierung liegt beispielsweise in Zimtsäurederivaten vor. Zimtsäureester von Polyvinyl-· alkoholen und Cellulose verschiedenen Acylgruppengehaltes können z. B· durch Deacylierung praktisch vollständig veresterter Ziiatsäureester nach dem in der USA-Patentschrift 2 670 286 beschriebenen Verfahren hergestellt werden. Besonders gut geeignet sind die in Lösungsmitteln löslichen Ester mit 60 bis 100 Mol-£, vorzugsweise 87 bis 100 Hol-$ Vinylcinnamateinheiten.

Unter "Zlintsäure'ester von Polyvinylalkohol und Cellulose" sind in organischen Lösungsmitteln lösliche Ester, die etwa 60 bis 100 Άοί-% kombinierte Cinnamylestergruppierungen enthalten, zu verstehen. Geeignet sind einfache und Misch-Ester, wie beispielsweise Polyvinylacetatcinnamate und Celluloseaeetateiniiamate, welche vjenigstens 60 Mol-56

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CinnanWylestergruppen enthalten. Der Rest besteht entweder aus einer anderen Acylgruppe oder ist nicht ver-, '· estert oder ist teils unverestert und teils verestert.

Eine typische Resistschicht, welche sich zur Herstellung von Resistbildern eignet, wird αμΓΟΙι Auftragen einer Mischung aus folgenden Komponenten hergestellt:

Polyvinylcinnamat 2,5 g

Methylglycolacetat IQO,0 ml

Sensibilisatorverbindung 0,25 g

Geeignete Lösungsmittel und Lösungsmittelkombinationen zur Herstellung der Beschichtungsmassen und zur" Entwicklung der belichteten, lichtempfindlichen Photoresistschichten werden beispielsweise in der USA-Patentschrift 2 -67O beschrieben.

W Die Konzentration des Sensibilisator in der ßeschichtungsmasse hängt in der Regel etwas von der LöslichMt im jeweiligen Lösungsmittel, der Verträglichkeit des Sensibilisators mit dem lichtempfindlichen Polymeren und natürlich auch von der Menge des vorhandenen Polymeren ab. In der Regel und beispielsweise bei Verwendung von Polyvinylcinnamat erhält man mit etwa 2 bis 25, vorzugsweise etwa

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BAB ORIGWAL

-# Sensibilisator, bezogen auf das Gewicht des Polymeren, günstige Ergebnisse. Gegebenenfalls, je nach der Schichtdicke, können jedoch auch bereits Mengen von weniger ' als 2% zu meßbaren Empfindlichkeitszunahmen führen. Die Konzentration des Polymeren in der Beschichtungsmasse kann den jeweiligen erforderlichen Beschichtungsbedingungen angepaßt werden. ·

Die Menge des zur Resistlösung zugegebenen Komplexbildners . ^ kann sehr verschieden sein und hänjjt in der Regel etwas von der Löslichkeit des Komplexbildners in der Resdstlösung ab. Die Löslichkeit des Komplexbildners in der Resistlösung kann von einer lichtempfindlichen Beschichtungsmasse zur anderen ja sogar bei der gleichen Beschichtungsmasse von einer Charge zur anderen verschieden sein. Selten überschreitet sie jedoch 5 Gew.-^, bezogen auf das Gewicht der Beschichtungsmasse. Besonders günstige Konzentrationen liegen bei etwa 0,1 bis 5,0 Gew.4. Da der durch die Komplexbildner hervorgerufene Schutz eine Funktion ihrer Konzentration ist, " wird die zur Beschichtungsmasse zugegebene Konzentration an Komplexbildner zweckmäßig so berechnet, daß sie gerade unter dem Sättigungspunkt liegt« Auf diese Weise wird die ,größtmögliche Menge Säure zugegeben, ohne daß es zu AuafäZlungen kommt. ■

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Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung näher veran- • schaulichen.

Beispiel 1

Eine Resistlösung für die Erzeugung von Resistschichten auf Kupferplatten, welche sich zur Herstellung von Resistbildern eignen, wurde durch Zusammenmischen folgender Stoffe hergestellt:

Polyvinylcinnamat 10,0 g - Kristallviolett, Carbinolbase 0,50 g

Xylol 80,0 ml

Toluol . 80,0 ml

Isopropanol . 40,0 ml

Gegebenenfalls können die Lösungsmittel der angegebenen Resistlösung auch vollständig durch Methylglykolacetat w oder eine Mischung dieses Lösungsmittels mit Isopropanol,

Xylol-Chlorbenzol (3 Volumina zu einem Volumen) oder ' irgendeinem der in der USA-Patentschrift 2 670 286 beschriebenen Lösungsmittel oder Lösungsmittelmischungen ersetzt werden.

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200 ml der· angegebenen Resistlösung wurden in ein 250 ml fassendes Becherglas eingefüllt undmit 0,3 g Benzoesäure pro Liter versetzt. Die Lösung erhielt die Bezeichnung A-.

Ein gleiches Volumen derselben Resistlösung wurde in ein aweites 250 ml fassendes Becherglas gefüllt und diesmal mit 0,3 g pro Liter Weinsäure versetzt. Diese Lösung wurde mit B bezeichnet.

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Hierauf wurden jeweils 10 etwa 0,61 mm (0,024 inch),dicke Kupferstreifen einer Breite von 6,35 mm und einer Länge von 76»2 mm in beide Bechergläser gelegt und darin eine Woche lang liegen gelassen.

Nach einer V/o ehe war die Resistlösung A opak, die Resistlösung B war jedoch praktisch transparent geblieben.

Um den sensitometrischen Einfluß der Färbung von Lösung B zu messen, wurde unter Verwendung dieser Lösung eine Photoresistplatte hergestellt. Zum Vergleich wurde auch von der Resistlösung A eine Photoreslstplatte hergestellt*

Beide Platten wurden nach folgendem Verfahren hergestellt.

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Nach Entfernung der Kupferstreifen aus den Bechergläsern wurden die Lösungen umgerührt und anschließend jeweils auf ^% einen 127,0 χ 177»8 mm großen Kupferträger ausgegossen. Zur Entfernung überschüssiger Lösung wurden beide Platten geschleudert. Dabei wurden Platten derselben gleichmäßigen Schichtdicke erhalten. Hierauf wurden beide Platten getrocknet. Nach dem Trocknen wurden die Platten 1 Minute lang durch einen kontinuierlich getönten Stufenkeil mittels einer weißen Flamme eines 35 Ampere Kohlenbogens aus einer Entfernung von 121,9 cm belichtet. Anschließend wurden beide Platten 2 Minuten lang unter leichtem Schütteln in einem Gefäß mit Benzol gewaschen und dadurch entwickelt. Es wurden folgende sensitometrische Ergebnisse erhalten:

Anzahl der sichtbaren Stufen

Platte A (ohne Weinsäure) 2

Platte B (mit 0,3 g pro Liter Weinsäure) 6

Da jede Stufe des Stufenkeils einer Belichtungsänderung von 0,15 log E entspricht, entspricht die Differenz von 4 Stufen einer Belichtungsänderung von 0,60 log E. Dies bedeutet, daß Platte B viermal empfindlicher ist als die Platte A.

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Die Konzentration an Weinsäure (0,3 g pro Liter) lag nahe dem'Sättigungspunkt der Säure in der Resistlösung.

Beispiel 2 ·

Aus folgenden Bestandteilen wurde eine Resistlösung hergestellt:

Polyvinylcinnamat 12,5 g

1,2-ßenzanthrachinon 1,25 g

Hydrochinon 0,10 g ,

Benzoesäure 0,5 g

Xylol · 375,0 ml

Methylglykolacetat . 125,0 ml

Die Lösung wurde in zwei 250 ml Anteile aufgeteilt. Zu einem Anteil der Resistlösung, welcher mitA bezeichnet wurde, wurde keine Weinsäure zugefügt. Zu dem rait B bezeichneten Anteil der Resistlösung wurden 0,3 g pro Liter Weinsäure zugegeben. -

Aus beiden Lösungen wurden wiederum Photoresistmaterialien hergestellt, die, wie in Beispiel 1 beschrieben, weiterbehandelt und untersucht wurden.

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Es wurden folgende sensitometrischen Ergebnisse erhalten:

Platte A (ohne Weinsäure)

Platte B (mit 0,3 g pro Liter Weinsäure)

Anzahl der sichtbaren Stufen

Die ermittelte Differenz von 3 Stufen entspricht 0,45 log E, d. h. daß die Platte B dreimal empfindlicher ist als die Platte A.

Beispiel 3

Beispiel 2 wurde wiederholt, mit der Ausnahme, daß anstelle von Weinsäure Sebacinsäure verwendet wurde. Die Sebacinsäure wurde zu der Resistlösung in einer Konzentration von O»25 g pro Liter zugesetzt.

Es zeigte sich, daß nach 7 Tagen in der die Sebacinsäure enthaltenden Resistlösung nur eine geringe Färbung auftrat, wohingegen eine Vergleichsresistlösung ohne Sebacinsäure beträchtlich dunkler geworden war. Mit beiden Lösungen
wurden Resistplatten A und B hergestellt. Es wurde wiederum unter Verwendung eines Stufenkeils eine Empfindlichkeitsuntersuchung beider Platten durchgeführt.

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Dabei wurden folgende sens It ome tr !sehen Ergebnisse erhalten:

Anzahl der sichtbaren Stufen

Platte A (ohne Sebacinsäure) 2

Platte B-- (mit 0,25 g pro Liter Sebacinsäure) 4

Aus den Ergebnissen ergibt sich, daß die Resistschicht der Platte Bj welche zusätzlich Sebacinsäure enthielt, zweimal empfindlicher war als die keine Sebacinsäure enthaltende Resistschicht der Vergleichsplatte A.

Entsprechende Ergebnisse wurden bei Verwendung von Ascorbinsäure und Zitronensäure erhalten.

Beispiel H

Gelegentlich ist es zweckmäßig, die Filmadhäsionseigenschaften von Photoresistschichten durch Zugabe spezieller Filmßildner zu verbessern. Derartige geeignete Filmbildner oder thermoplastische Harze sind beispielsweise handelsübliche Phenol-Formaldehydharze. .

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Aus den im folgenden angegebenen Komponenten wurde eine Photoresistlösung, welche neben dem lichtempfindlichen Harz ein nichtlichtempfindliches, filmbildendes Harz enthielt j hergestellt.

Polyvinylcinnamat 20,8 g

2-Benzoylmethylen-l-methyl-

naphtho-fchiazolin 0,2 g

Hydrochinon 0,1 g

Monochlorbenzol 160,00 ml

Cyclohexanon 50,00 ml

Thermoplastisches Novolackharz

(Durite S-3937, Borden Co.) 1,6 g

Die erhaltene Resistlösung wurde in ein 250 ml fassendes Becherglas eingefüllt. Diese Lösung erhielt die Bezeichnung A. Eine gleiche Menge derselben Resistlösung wurde in ein,zweites Becherglas gefüllt. Diese Lösung, zu welcher 0,25 g pro Liter Weinsäure zugesetzt wurden, erhiaLt die Bezeichnung B.

Die Lösungen wurden,wie in Beispiel 1 beschrieben, getestet,

Die bei den Empfindlichkeitsuntersuchungen erhaltenen sensitometrischen Ergebnisse sind folgendeί

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Anzahl der sichtbaren Stufen

Platte A (ohne Weinsaure) 2

Platte B (mit 0,25 g pro Liter Weinsäure) 5

Die Differenz von 3 Stufen entspricht 0,^5 log E. Zwischen den beiden Resistschiehten besteht somit eine Empfindlichkeitsdifferenz entsprechend einem Faktor 3.

Beispiel 5 *

Nach dem in der USA-Patentschrift 2 852 379 beschriebenen Verfahren wurden Photoresistmaterialien durch Beschichten von Kupferplatten mit einer Lösung eines mit einem Arylazid empfindlich gemachten cyclisierten Gummis hergestellte Die Resistlösung wurde aus folgenden Bestandteilen hergestellt:

Cyclisierter Gummi 30,0 Teile

Chlorierter Gummi (Allopren B, I.C.I) 10,0 Teile

Trichloräthylen 100,0 Teile

iljV-Diazidochalcon 1,0 Teil

Durch Eintauchen von Kupferplatten in einen die Resistlösung enthaltenden Tank wurde auf die Platten eine dünne Resistschicht aufgetragen. Nachdem die Platten aus dem

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Tank herausgenommen wurden und getrocknet waren, wurden sie in bekannter Weise in Kontakt mit einem Strichdia mit einer Quecksilberdampflampe 3 Minuten lang belichtet. Die Belichtung erfolgte aus einer Entfernung von 45,7 cm durch zwei 400 Watt Hochdruck-Quecksilberdampfröhren (beispielsweise OSIRA-Lampen der Firma General Electric). Die belichteten Platten wurden dann in einen Tank gestellt, welcher Trichloräthylen enthi^gt. Die Platten wurden etwa 2 Minuten lang in der Trichloräthylenlösung bewegt, wobei der nichtbelichtete Gummi abgelöst wurde. Das zurückgebliebene Bild wurde unter fließendem Wasser gewaschen und getrocknet.

Nachdem etwa 185,8 dm² Kupferoberfläche in 3,785 Liter der Resistlösung beschichtet worden waren, wurde festgestellt, daß die restliche Lösung dunkel geworden war. Die mit dieser Lösung hergestellten Photoresistmaterialien benötigten bereits eine Belichtungszeit von 6 Minuten, um die Resistschicht genügend unlöslich zu machen.

Durch Zusatz von 1 g pro Liter Weinsäure konnte das Dunkel werden der Resistlösung verhindert werden. Die mit dieser Lösung beschichteten Kupferplatten erforderten auch nach

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2 einer Beschichtung von 464,5 dm Kupferoberfläche mit derselben Resistlösung noch keine Änderungen der Belichtungszeit.

Entsprechende Ergebnisse wurden bei Verwendung von Zitronensäure erhalten.

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Claims

P a t e η t a η s ρ r ü e h e

1. Photoresistmaterial, bestehend aus einer Kupferfolie oder -platte als Träger und einer hierauf aufgetragenen Resistschieht aus einem gegebenenfalls sensibilisierten, in einem organischen Lösungsmittel lös-' liehen lichtempfindlichen, filmbildenden Polymer, bestehend aus einem lichtempfindlich gemachten Gummi und/oder einem lichtempfindlichen, äthylenisch ungesättigten linearen Polymeren, dadurch gekennzeichnet, da£ die Resistschieht einen Komplexbildner für Kupferionen enthält.

2. Photoresistmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das lichtempfindliche Polymer der Resistschieht aus einem Zimtsäureester besteht.

3·. Photoresistmaterial nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daia das lichtempfindliche Polymer der Resistschieht aus Polyvinylcinnamat besteht.

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4. Photoresistmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das lichtempfindliche Polymer der Resistschicht aus einem lichtempfindlich gemachten natürlichen Gummi, einem lichtempfindlich gemachten eyclisierten Gummi oder einem lichtempfindlich gemachten synthetischen Gummi besteht.

5· Photoresistmaterial nach Ansprüchen 1 bis M_t dadurch gekennzeichnet, daß es als Komplexbildner eine Dicarbonsäure, eine a-Aminocarbonsäure oder eine o-Hydroxycarbonsäure enthält.

6· Photoresistmaterial nach Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß es als Komplexbildner Sebacinsäure, Weinsäure oder Zitronensäure enthält. .

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