DE1521728B2 - Verfahren zum chemischen Polieren von Halbleiterkristallen - Google Patents
Verfahren zum chemischen Polieren von HalbleiterkristallenInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US45479665A | 1965-05-11 | 1965-05-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1521728A1 DE1521728A1 (de) | 1969-06-12 |
| DE1521728B2 true DE1521728B2 (de) | 1970-02-12 |
Family
ID=23806130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19661521728 Pending DE1521728B2 (de) | 1965-05-11 | 1966-05-03 | Verfahren zum chemischen Polieren von Halbleiterkristallen |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH469103A (ref) |
| DE (1) | DE1521728B2 (ref) |
| GB (1) | GB1114609A (ref) |
| NL (1) | NL6606411A (ref) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4838494A (ref) * | 1971-09-18 | 1973-06-06 |
-
1965
- 1965-12-29 GB GB55082/65A patent/GB1114609A/en not_active Expired
-
1966
- 1966-05-03 DE DE19661521728 patent/DE1521728B2/de active Pending
- 1966-05-11 NL NL6606411A patent/NL6606411A/xx unknown
- 1966-05-11 CH CH684466A patent/CH469103A/de unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1114609A (en) | 1968-05-22 |
| DE1521728A1 (de) | 1969-06-12 |
| CH469103A (de) | 1969-02-28 |
| NL6606411A (ref) | 1966-11-14 |
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