DE1516745A1 - Piezoelektrische Resonatoren und Verfahren zu ihrer Nachstimmung - Google Patents

Piezoelektrische Resonatoren und Verfahren zu ihrer Nachstimmung

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Description

Podentcmwodl Frankfuit/Mcdn-l
4706 Clevite Corporation, Cleveland, Ohio, U.S.A.
Piezoelektrische Resonatoren und Verfahren zu ihrer Hochstimmung
Die Erfindung betrifft piezoelektrische Resonatoren und insbesondere Resonatoren für elektrische Pilter sowie ein Verfahren zum Nachstimmen derartiger Resonatoren.
Die Erfindung läßt sich auf piezoelektrische Resonatoren anwenden, die eine dünne Platte aus einem monokristallinen oder keramischen Material enthalten, deren Schwingungsformen zu (Teilchen-)Verschiebungen in Ebenen der Platte führen, die um die Mittelebeue der Platte antisymmetrisch sind. Derartige Schwiügungsformen umfassen die Dickenscherungs-, Dickendrehuugs- und Torsionsachwingungen, die in monokristallinen, piezoelektrischen Stoffen und in piezoelektrischen Keramiken auftreten können.
Bekannte plattenförmige Resonatoren von der Dicke (t) sind auf den beiden gegenüberliegenden ebenen Oberflächen mit Elektroden vorgewählter Größe belegt, damit die elektromechanisch in ihren Grundschwingungen angeregt werden können. Im Resonanzfall erhält man maximale Verschiebungen und Schv/ingungsamplituden.
Neuerungen, die die Ausbildung und die Herstellung von piezoelektrischen Resonatoren betreffen, haben zu Kriterien geführt, die bei der Herstellung von !Filtern aus Resonatoren oder aus Hehrfachresonatoren beachtet werden können. In der U.S. Patentschrift 3 2?2 62? ist z.B. ein Mehrfachresonator beschrieben, der mehrere Resonatoren auf einer einzigen Platte enthält. Man erhält eine derartige Anordnung, wenn man die Resonatorelektroden mit Rücksicht auf den "Aktionsbereich" oder die Wellenausbreitung der
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einzelnen Resonatoren in dem umgebenden Plattenmaterial ^abstandet. Die in dieser Patentschrift offenbarte Lehre ermöglicht die Herstellung winziger Filterpakete, wobei fir alle Resonatoren des Filters nur eine einzige Platte verwendet wird.
Es sind schon Resonatoren vorgeschlagen worden, bei denen die Schwingungsausbreitung über den mit den Elektroden versehenen Bereich hinaus auf ein Minimum reduziert ist, damit der "jiktionsbereich" verringert und das mechanische Q möglichst groß \ird.
Man erreicht dies dadurch, daß man strukturell eine Beziehung
" zwischen eine Beziehung zwischen der Resonanzfrequenz £ des mit den Elektroden versehenen Bereichs und der Resonanzfrequenz f, des diesen umgebenden und nicht mit Elektroden verseheuen Bereichs der Platte herateilt, durch die die Frequenz f^ als Sperrfrequenz für die Ausbreitung von Schwingungen aua derr mit den Elek+roden versehenen Bereich wirkt. Nach dieser Beziehung
liegt fo/fv vorzugsweise zwischen 0,8 und 0,999, d.h. unterhalb a υ
von 1. Diese Wert« sind in der Deutschen Patentanmeldung C 32 927 IXd/21a4 bereits vorgeschlagen worden. Eine Möglichkeit zur Einstellung der Frequenzbeziehung ist nach dieser Patent schrift die Verwendung einer bezüglich der Dicke t der Platte berechneten Elektrodendicke t , um eine vorgewählte Maßeenbelastung des mit den Elektroden versehenen Bereiches zu erhalten. Dadurch wird die Resonanzfrequenz dieses Bereiches bezligl.tch der des diesen umgebenden, aua dem Plattenmaterial bestehender Bereiches erniedrigt.
Wie aus 'iiner gleichzeitigen angemeldeten Patentanmeldung hervorgeht, existiert fir eine gegebene Platte der Dicke t und einen Elektrodendurchmesser d ein sehr enger Bereich» In welchem die Arbeitsfrequenz verändert oder nachgestimmt werden kann, indem matt die Massenbelastung des mit Elektroden versehenen Bereichs ändert, ohne Nebenresonanzen zu verursachen. Insbesondere kann unter Berücksichtigung der Massenbe las tung der Slektrodendurch-
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messer d eines HF-Resonators durch die Gleichung
ausgedrückt werden, die ebenfalls in der gleichzeitig angemeldeten Patentanmeldung vorgeschlagen wird. M ist dabei eine Konstante, t die Plattend!cke, η gibt die Ordnung der Harmonischen (1,5,5·-· an, f ist die Resonanzfrequenz des zwischen den Elektroden der Platte liegenden Bereichs und f^ ist die berechnete Sperr-(Resonanz-)frequenz des diesen umgebenden und nicht mit Elektroden versehenen Bereichs. Wenn die Gleichung (1) nicht erfüllt ist, dann treten unerwünschte, nicht harmonische Oberschwingungen bzw. deren Resonanzen auf.
Mit Hilfe der Gleichung (1) kann der maximale Abstand der Resonanzfrequenz des zwischen den Elektroden liegenden Bereichs von der Resonanzfrequenz des nicht zwischen den Elektroden liegenden Bereichs ausgerechnet werden, der noch ohne das Auftreten von Nebenresonanzen möglich ist. Insbesondere kann die Gleichung (1) für fg/ffc gelöst werden, um ein minimales Erequenzverhältnie zu erhalten.
Bei der Herstellung eines Resonators anhand der obigen Angaben wird zunächst der Elektrodendruchmesser je nach den besonderen erwünschten Eigenschaften vie Kapazitäten, Widerstand u.s.w. gewählt. Der gewählte Durchmesser und die Arbeitsfrequenz f. werden
GL
dann in die Gleichung (1) eingesetzt, woraufhin aus dieser Glelchui f^ ermittelt wird. Die relativen Dicken der Bereiche mit und ohne Elektroden werden erst anschließend festgelegt, um die erwünschte Beziehung zwischen f und f^ zu erhalten.
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Die Arbeitsfrequens kann bekanntlich durch die Torausberechnung der Dimensionen nie genau eingestellt werden, was hauptsächlich durch die hohen Herstellungstoleranzen bedingt ist. Daher muß der Resonator anschließend nachgestimmt werden. Bei der Herstellung von Mehrfachresonatoren, die z.B. in der U,S* Patentschrift 3 222 622 beschrieben sind, können außerdem verschiedene Arbeitsfrequenzen für die einzelnen Resonatoren erwünscht sein, so daß ein getrenntes Nachstimmen der einzelnen Resonatoren notwendig wird.
* Das Nachstimmen erfolgt bisher durch das Hessen der Resonanzfrequenzen des zwischen den Elektroden liegenden Bereichs nach der Herstellung des Resonators und durch das anschließende Verändern der Elektrodendicke durch Entfernung oder Hinzufügung von Elektrodenmaterial bis zur Einstellung der genauen Arbeitefrequenz. Die Frequeneverschiebung, die so erreicht werden kann, ohne, die Resonatoreigenschaften in schädlicher Weise zu beeinflussen, ist ziemlich gering. Wenn nämlich mehr als eine bestimmte Menge an Elektrodenmaterial hinzugefügt wird, dann wird die Jteseenbelastung des zwischen den Elektroden liegenden Bereichs derart verändert, daß das Verhältnis £a/£u modifiziert wird und Nebenresonanzen auftreten. Diese Beschränkung führt zu besonderen Schwierigkeiten
ι bei der Herstellung von Hehrfachresonatoren, bei denen wesentliche Frequenzunterschiede zwischen den einzelnen Resonatoren, die auf einer gleichförmig dicken Platte angeordnet sind, möglich sein sollten, um das gewünschte Verhältnis zwischen den Resonanz-und Antiresonanzfrequenzen der den Filter bildenden Resonatoren zu erhalten.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Resonator und ein Verfahren anzugeben, mit dem dieser Resonator nachgestimmt
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werden kann, ohne daß die Beziehung zwischen den Frequenzen im Bereich zwischen den Elektroden und im Bereich außerhalb der Elektroden beeinflußt wird.
Die Erfindung geht von einem Resonator aus, der eine dünne Platte aus einem piezoelektrischen Material mit einem mit ÜJlektroden versehenen Bereich und mit einem diesen umgebenden nicht mit Elektroden versehenen Bereich enthält, wobei die Resonanzfrequenz fw des nicht mit Elektroden versehenen Bereiche größer als die Resonanzfrequenz :f des mit Elektroden versehenen Bereichs ist.
Die Erfindung besteht in einer Schicht au3 einem Material mit hoher Süte Q auf den mit Elektroden und auf dem nicht mit Elektroden versehenen Bereich zur Modifizierung der Resonanzfrequenzen dieser Bereiche, bis eine vorgewählte Arbeitsfrequenz des mit Elektroden versehenen Bereichs ohne Veränderung der Differenz der Frequenzen beider Bereiche eingestellt 1st.
Sie Erfindung wird nun auch anhand der beillegenden Abbildungen ausführlich beschrieben, wobei alle aus der Beschreibung und den Abbildungen hervorgehenden Einzelheiten oder Merkmale zur lösung der Aufgabe im Sinne der Erfindung beitragen können und mit dem Villen zur Patentierung in die Anmeldung aufgenommen wurden*
Die Fig. 1 zeigt einen piezoelektrischen Resonator nach der Erfindung.
Die Fig. 2 zeigt einen Schnitt durch die Linie 2-2 der Flg. 1.
Sie Fig. 3 la eine Draufsicht auf einen Mehrfachreeonator nach der Erfindung, und
die Fig. 4 ein Ersatzschaltbild für den Mehrfachreeonator nach der Fig. 3.
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Die Pig. 1 zeigt einen piezoelektrischen Resonator 10. Er enthält eine dünne Platte 12 aus piezoelektrischem Material» welche mit zwei Elektroden 14 und 16 auf entgegengesetzten Seiten versehen ist, die mit dem dazwischen liegenden piezoelektrischen Material zusammenwirken. Die Platte 12 ist auf ihren entgegengesetzten Oberflächen außerdem mit elektrisch leitenden Zuführungen 18 und 20 versehen, die von den entsprechenden Elektroden bis zum Plattenrand verlaufen, damit die Einschaltung des Resonators 10 in eine elektrische Schaltung erleichtert wird. Die Elektroden 14 und 16 und die Zuführungen 18 und 20 können durch Aufdampfen eines elektrisch leitenden Materials, z. B. Aluminium, Gold oder
) Silber, auf die Plattenoberflächen hergestellt werden» wenn man außerdem bekannte Maskierungsverfahren verwendet. Die Slektroden und Zuführungen können jedoch auch in geeignete Ausnehmungen in den Plattenflächen eingesetzt v/erden. Der Resonator 10 kann außerdem verschiedene Formen aufweisen, damit man vorgewählte Verhältnisse zwischen den Resonanzfrequenzen des zwischen den elektroden und des nicht zwischen den Elektroden liegenden Bereiche erhält. Um jedoch die Offenbarung der Erfindung zu vereinfachen» enthält der dargestellte Resonator 10 eine kreisförmige Platte gleich -förmiger Dicke mit kreisförmigen Elektroden und Zuführungen auf ihren Oberflächen. Die Dicke der Elektroden reicht aus, um die erwünschte Massenbelastung im mit Elektroden versehenen Bereich zu erhalten, wie es nach der oben vorgelegten Theorie erforderlich
^ ist.
Die Platte 12 besteht vorzugsweise aus einem monokristallinen oder keramischen Material und weist Schwingung«formen auf, die in der um die Mittelebene der Platte antisymnetrischeu iibene zu (Seilchen-)7erschiebungen führen, d.h. es handelt sich on Dickenscherungs-, Dickendrehungs- und Torsionsschwingungen.
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-Τι ■ Bekannte monokristalline piezoelektrische Stoffe sind Quaj?£» Rochelle Sals, DKX (Dlkallumtartrat), Mthiumaulfat, oder dgl. Die Grundschwingung einer Kristallplatte let bekanntlich durch die Orientierung der Platte bezüglich der EristallograpMschea Achse dee Kristalls, aus dem sie geschnitten wird, bestimmt. Für eine Dlckenscherungsschwingung kann beispielsweise ein O°-Z-Sclinitt bei HKX oder ein AI-Schnitt bei Quarz dienen·
Ton den zahlreichen monokristallinen piezoelektrischen Stoffen 1st das Quarz wegen seiner Stabilität und seiner hohen mechanischen QUte Q_ das bevorzugte Material, wenn es sich um die Herstellung von Filtern enger Bandbreite handelt. Eine Quarzplatte mit AX- ™ Schnitt spricht auf einen Potentialgradienten zwischen de:·, beiden Hauptflächen mit der Dlckencoherungsechwingungen an und i?t auch wegen seiner Frequenzstabilität bei Xemperaturschwankungen besondere geeignet.
Für Filter Bit größerer Bandbreite werden die Platten vorzugsweise aus geeigneten polariaierbaren ferroelektrisch^ Keramiker.1, wie Bariumtltanat, Bleizirkonat-Bleititanat oder verschiedenen Modifikationen davon hergestellt· Für die Zwecke der Erfindung; eignen sich beispielsweise keramische Zusammensetzungenv die in der U.S. Patentschrift 3 006 857 beschrieben sind. Derartige Keramiken könne in bekannter Welse vorpolarisiert werden. Eine Dickenscherungs -schwingung kann beispielsweise dadurch erhalten werden, daß in einer zu den Hauptflächen der Platte parallelen Richtung vorpolarlsiert wird, wie es in der U.S. Patentschrift 2 64-6 610 beschrieben ist.
Obgleich die Erfindung, wie schon erwähnt wurde, grundsätzlich alle Platten aus keramischem und monokrlstallineit piezoelektrischen Material betrifft, in denen die Verschiebungen antlsymmet^lsch
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!?,ur Mittelebene verlaufen«, wird aie hiex nur awhaud eir »s Quarzktistall» mit AT-Sehnitt erläutert.
Der Resonator 10 enthält e.iaen mit Elektroden vertiebene'i Bereich .mit der Resonanzfrequenz f_. die kleiner als die Resonanzfrequenz f, deß diesen umgebenden und nicht mit Elektroden verse-ienen Bereichs ist. Das Verhältnis £n/i-u der beiden Frequenzen .meinander liegt vorzugsweise zwiaoiieu 0,8 und 0,99999.
Bei der Herstellung dee Resonators wird zunächst der ElektrodeudurchmesBer je nach den erwünschten Eigenschaften, z.B. den Kapazitäten, des Widerstands usw., ausgewählt. Der ermittelte Durchmesser und ein Wert für f^, der etwas über der en/Unsch ;en Arbeite frequenz liegt, werden in die Gleichung (1) eingesetzt, aus der man dann f. ausrechnen kann« Die Platten- und Elektrode·idicken werden anschließend bestimmt.
Die Resonanzfrequenz f äen mit Elektroden versehenen Bereichs kann durch die folgende Gleichung bestimmt werden:
(a)
in der 9 die Dichte des Elektrodenmaterials und ;?_ din Dichte dei Quarz sind, während te die Dicken der Elektroden und de;: Platte zwischen den Elektroden bedeutet. N ist eine Frequenzkqustante.
Die Resonanzfrequenz f^ des nicht zwischen den Elektroden liegenden Bereichs kann dur-^h die Frequenzkonstante N und die Plattendicke t-Lj wie folgt ausgedruckt werden:
tu (i}
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Durch Kombination der Gleichungen (2) und (3) kam:, das Terhältnis jT)~ 0 dee Resonanzfrequenz formuliert werden:
Bs JLst offenbar, daß durch die Verwendung der Gleichungen (2), (3) und (4·) die zwischen ilen Elektroden bzw. außerhalb der Elektroden lie&onden Bereiche getrennt dimensioniert und erwünschte Differenzen der Resonanzfrequenzen erhalten werden, können.
Zur Nachstimmung gewiaß der Erfindung wird nach der Herstellung eines Resonators in der bisher beschriebenen Welse ein dünner PiIm oder eine dünne Schicht 22 aus einem dielektrischen Isola.tormaterial mit hohem Q-Wert, z.B. Siliciumnonoxid, »uf die Elektrode 14 und die obere PlattentflSohe aufgetragen,bzw. aufgedampft. Es kan aber auch ein dünner Betallfilm aus z.U. Aluisiniun. oder (Dantal gleichförmig auf die Plattenoberflache aufgetrageu und dann-nach eine/n Kloxalverfahren (anodized) behandelt werden, um einen isolierenden., dielektrischem Mim zu erhalten. Es ist ;jedo.h einfacher direkt einen isolierenden PiIm wie Siliziummonoxid aufzutragen, da in dieaem Falle nur ein einziger Verfahrenschritt notwendig ist.
Die Resonanzfrequenz öes zwischen den Elektroden liegenden Bereichs ( wird während dea Auftragens der isolierenden Schicht 22 mit Frequenzmessern bekannter Bauart überwacht. Der Besctiohtungsprozess ist beendet, i/eun die erwünschte Arlieäfcßfrequöne vorhanden ist. Das beschriebene Verfahren fiihxt au einem gleichrrörinigen Film konstanter Dicke aui der Elektrode 14 und der angrenzenden Plattenoberflache. Dis Schicht 22 auf der Elektrode U ist eine wirksame Hasse bel.asiu.Rg des mit Elektroden versehenen Bereichs und füi:xt zu · dessfii. liachsti-irauiig big zur erwünschten ArbeifcaiTequenz. Die Schieb
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22 £uf dem nicht mit Elektroden versehenen Bereich der Platte verringert die Resonanzfrequenz dieses Bereiches proportional. Aus diesem Grunde wird die ?requenzböZiehung zwischen den Frequenzen des Bereiches mit und ohne Elektroden durch da;ι Nachstimmen nicht beeinflußt.
Durc das beschriebene Verfahren ist eine wesentliche Verkleinerung der Arbeitsfrequenz möglich. Die einzige Bescoräntaing, der die Schichtdicke praktisch unterliegt, kommt daher, daß eine übermäßigo Schichtdicke eine große inaktive Masse bedeutet, die das mechanische Q etwas liairabsetzt. Die Untersuchung eines Resonators für 59 MHz hat ergeben, daß die Resonanzfrequenz durch die Verwendung einer Siliziurciaoaoxidschichi, deren Dicke etwa 9500 λ beträgt, uin etwa 334 kHz herabgesetzt wired. Die Reson=.nzkurven vor und nach der Auftragung der Schicht sind nahezu identisch und d.le Änderung des mechanischen Q ist unbedeutend.
Die .Resonanzfrequenz f_ des mit Elektroden versehenen Bereichs
el
des Resonators 10 kann nach der Auftragung der Schicht 22 durch
-1 (5)
J-„ ι. ι I I T C.
2 ia i
9c *c
ausgedrückt v/erden, wobei die zusätzlichen Ausdrücke jQ und tc die Dichte bzw. die Dicke der Schicht sind. Die Gliedere zweiter und höherer Ordnung der Größen γΛη1 91 Ö/(9„O können ver-
«cc /cc «qa
nachlässigt werden.
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In ähnlicher Weise kann die Resonanzfrequenz £. des nicht mit Elektroden versehenen Bereichs der Platte 10 durch die Gleichung
ρ ti -1
Γ ^ (6>
ausgedrückt werden.
Bei einer gleichförmig dicken Platte sind t und t^ gleich, so daß sich für das Verhältnis der Resonanzfrequenzen nach Kombination der Gleichungen (5) und (6) ergibti g
(7)
Daraus folgt, daß die isolierende Schicht 22 dns Verhältnis der Frequenzen und die Resonanzeigenschaften nicht merkbar beeinflußt.
Obwohl die isolierende Schicht 22 nach der Fig. 2 die ganze obere Oberfläche der Platte 12 bedeckt, braucht sie nur die Elektrode und den unmittelbar angrenzenden Teil des nicht mit Elektroden verHalienen Bereichs, in welchem noch eine Schwingung auftritt, d.h.. die aktiven Zonen des Resonators, zu bedecken· In der Praxis ist es jedoch einfacher, den gesamten Teil der einen Oberfläche zu beschichten, als Maskierungen zu bilden und ausgewählte Teile der Platte mit Schichten zu versehen. Außerdem können Schichten zur Nächstimmung des Resonators auch an den beiden Seiten der Platte ange-bracht werden.
Die Fig, 3 zeigt einen Mehrfachresonator 23 mit einer Platte 24 gleichförmiger Dicke. Die Platte ist auf der einen Oberfläche mit mehreren Elektroden 26 versehen, während die nicht gezeigten Gegenelektroden dazu auf der entgegengesetzten Seite der Platte angebracht sind.
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ι?
Die Blektrodeupaare arbeiten nil den dazwischenliegenden piezoelektrischen Schiebten zusammen und begrenzen mehrere piezoelektrische Resonatoren A1 B, und C. Die einzelnen Resonatoren sind, wie in der genannten U.S. Patentschrift 3 222 622 beschrieben ist, entsprechend ihrem Aktionsbereich in umgebenden Plattenmateriel t»eabstandet, so daß ein gleichseitiger, unabhängiger Betrieb der einzelnen Resonatoren möglich ist.
Um den elektrischen Anschluß der einzelnen Resonatoren innerhalb einss Eilters in einer elektrischen Schaltung zu vereinfachen, ist die Platte 24 mit elektrisch leitenden Zuführungen 30 und 32 auf ihren entgegengesetzten Oberflächen versehen« Die in diesem Aueführungsbeiöpiel dargestellte Art der Verbindung der 2uftthrungen stellt einen T-Filter dar, zu dem das in der Pig.. 4 ße zeigte Ersatzschaltbild gehurt. Wie bereits vorgeschlagen wurde, können beliebig viele. Elektrodenpaare in verschiedener Weise angeordnet und miteinander verbunden werden, wobei jeweils verschiedene filter entstehen» Bei dem in der Fig. 4 dargestellten X Filter werden die in Serie liegenden Resonatoren A und C vorzugsweise auf die gleiche Gj^dresonanzfrequen« nachgeetAnwot ( die im Duxchlaßbereich liegt), wohingegen die Frequenz des Resonators B im Parallelkreis vorzugsweise derart nachgestimmt wird, daß sie bei der Mittelfrequenz des Durchlaßbereiche in Antiresonanz ist.
Erfindugsgeraäfl werden die Resonatoren A, B und C durch das Auftragen von Schichten 34 nachgestimmt-, die auf die mit Elektroden und nicht mit Elektroden versehenen Bereiche der Resonatoren A, B und C aufgetragen werden. Die Schichten auf den. Resonatoren A und 0 müssen die gleiche Dicke haben, da diese Resonatoren die gleich« Resonanzfrequenz aufweisen:. Zur Nachstimmung des Resonators B ist dagegen eine dickere Schicht 54 notweiading*
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Be j. der Anwendung defj Naohatiniiüverf ahrens nach der Erfindung können die einzelnen Elektroden auf der Platte 24 die gleiche Dicks besitzen; da die erwünschte Arbeit3£requenz durch Schichten verschiedene.- Dicke eingestellt werden kann. Die B::findung ist deswegen insbesondere in Verbindung mit MehrfachretJonatoren von großem Wert.
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. SAD ORIQiNAL

Claims (20)

  1. - 14 PatentansBrüctte
    i) Piezoelektrischer Resonator mit einer dünnen Platte -.us piezoelektrischem Material, die einen mit Elektroden versehenen Bereich und einen diesen umgebenden und nicht mit Elektroden versehenen Bereich aufweist, wobei die Resonanzfrequenz f^ des nicht mit Elektroden versehenen Bereichs größer als die Reson&nzfre quenz f. des mit Elektroden versehenen Bereiche ist, dadurch gekennzeichnet , daß zur Veränderung der Resonanzfrequenz der beiden Bereiche auf dem mit Elektroden versehenen und auf dem nicht mit Elektroden versehenen Bereich eine Schicht (22) r,aa einem Material mit hohem Q-Wcrt aufgetragen is., durch die eine erwünschte Arbeltsfrequenz des mit Elektroden versehenen Bereichs eingestellt werden kann, ohne daß die Differenz der Frequenzen der beiden Bereiche verändert wird.
  2. 2) Resonator nach Anspruch 1, bei dem die Platte eine Mittelebene begrenzt und in einer Schwingungsform schwingt, die zu (Teilchen-)Verschiebungen in zu der Mittelebene antisymnetrischen Ebenen führt, dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht (22) aua einem Isoliermaterial besteht und die Frequenzen. fa und f, das Resonators nachstimmt, ohne ihr Verhältnis zu b««?,■'-,flüssen.
  3. 3) Resonator nach den Ansprüchen 1 oder 2, -dadurch gekennzeichnet, da3 die Schicht (22) Silicium onoxid enthält.
  4. 4) Resonator nach den Ansprüchen 1 oder 2,dadurch gekennzeichnet., daß die Schicht (22) eloxiertes Aluminium oder Tantal enthalt.
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  5. 5) Resonator nach einem oder mehreren der Ansprüche 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß der mit Elektroden versehene Bereich und der nicht mit Elektroden versehene Bereich durch zwei Elektroden (14, 16) vorgewählter Sicke auf entgegengesetzten Seiten der Platte (12) festgelegt ist, wobei der mit Elektroden versehene Bereich aufgrund des Hassenbelastungseffektes dieser Elektroden eine vorgewählte Resonanzfrequenz f aufweist, die kleiner ale die Resonanzfrequenz f^ des umgebenden Bereichs der Platte ist, so daß Schwingungen aus dem mit Elektroden versehenen Bereich im umgebenden Bereich exponentiell gedämpft werden, und daß ferner zur Nachstimmung der Frequenzen f und fy. ohne Beeinflussung ihres -Verhältnisses auf mindestens einer Elektrode (14) und mindestens dem unmittelbar daran angrenzenden Seil der Plattenoberfläche eine F chi ent (22) aus Isoliermaterial aufgetragen ist·
  6. 6) Resonator nach einem oder mehreren der Ansprüche 1-5, dadurch gekennzeichnet, daß fa/fv zwischen 0,8 und 0, 99999 liegt.
  7. 7) Mehrfachresonator mit mehreren beabstandeten Elektroden auf der einen Hauptfläche einer Platte und Gegenelektroden auf der entgegengesetzten Hauptfläche dieser Platte, die beide mit den dazwischen liegenden Seilen aus piezoelektrischem Material ausammenarbeiten und mehrere einzelne Resonatoren begrenzen, die unabhängig voneinander in einer Dickenschwingung angeregt werden, dadurch gekennzeichnet, daß zur wahlweisen Hachstimmung der Resonatoren auf ihre Arbeitsfraquenzen auf die Elektroden (26) und das unmittelbar an sie angrenzende Plattenmaterlal Schichten (54) aus isoliermaterial aufgetragen werden.
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  8. 8) Mehrfachresonator nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß einzelne Resonatoren (A9B9C) vorgesehen sind, leren Elektroden (26) mit Zuführungen (30) versehen und In einem vorgewählten Muster zur Herstellung eines filters untereinander verbunden sind (32).
  9. 9) Mehrfachresonator nach den Ansprüchen 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet , daß die Elektroden von gleichförmiger Sicke sind.
  10. h 10) Resonator oder Mehrfachrosouator nach einem oder mehreren der Ansprüche 1-9» dadurch gekennzeichnet, daß das Plattenmaterial aus piezoelektrischer Keramik oder Quarz besteh*
  11. 11) Resonator oder Mehrfachresonator nach einen oder mehreren der Ansprüche 1 - 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (H, 16, 26) aus Aluminium, Gold, Silber oder deren Legierungen bestehen.
  12. 12) Verfahren zur Nachstimmung piezoelektrischer Resonatoren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die mit Elektroden versehenen Bereiche und die diesen umgebenden Be-
    ί reiche zur Einstellung der erwünschten Arbeitsfrequenzen selektiv beschichtet werden.
  13. 13) Verfahren nach Anspruch 12* dadurch gekennsel chnet, daß die Schicht aus einem Isolatormaterial besteht»
  14. 14) Verfahren nach den Ansprüchen 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet , daß d*e Schicht aus einem dielektrischen Material mit hohem Q-Yert besteht·
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  15. 15) Terfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 12-14» dadurchge kennzeichnet , daß die Schicht aufgedampft wird.
  16. 16) Verfahren nach Anspruch 12 zur BFachstimmung eines Quarzresonator, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus Siliciummonoxld besteht , das zur Beschwerung auf mindestens eine Elektrode und den angrenzenden Teil der Plattenoberfläche aufgebracht wird.
  17. 17) Terfahren nach Anspruch 12 zur Kaohstimmung eines Resonators aus piezoelektrischer Keramik, dadurch gekennzeicb net, daß die Schicht aus Siliciumiionoxid besteht, das zur Beschwerung auf mindestens eine Elektrode und den angrenzenden Teil der Plsttenoberflache aufgebracht wird.
  18. 18) Terfahren zur Herstellung von elektrischen Filtern, dad urcb gekennzeichnet , daß ausgewählte !Delle einer Platte aus piezoelektrischem Material zur Ausbildung mehrerer unabhängig arbeitender piezoelektrischer Resonatoren mit Elektroden belegt werden und daß zur Einstellung vorgewählter Arbeitsfrequenzen der Resonatoren auf die mit Elektroden belegten Seile und die angrenzenden Teile der Platte Schichten aus Isoliermaterial aufgetragen werden.
  19. 19) Terfahren zur Herstellung piezoelektrischer Resonatoren, bei dem ein Terfahrensschritt das Belegen eines, Seils der Oberflächen einer Platte aus piezoelektrischem Material mit Elektroden ist, dadurch gekennzeichnet, daß zur Beschwerung und damit zur Einstellung der erwünschten Arbeitsfrequenz auf dem mit Elektroden versehenen Bereich und dem daran angrenzenden Bereich der Platte eine Schicht aus Isoliermaterial niedergeschlagen wird.
    90982 6/0642
  20. 20) Verfahren nach Anspruch 19» dadurch gakenn zeichnet , daß auf die ζ wischer, den Elektroden '.'.legenden und die unmittelbar daran angrenzenden Seile Aluminium«chichten aufgedampft werden, die man anschließend eloxiert·
    909 8 2 6/0642
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