DE1514072A1 - Elektrische Halbleitervorrichtung - Google Patents
Elektrische HalbleitervorrichtungInfo
- Publication number
- DE1514072A1 DE1514072A1 DE19651514072 DE1514072A DE1514072A1 DE 1514072 A1 DE1514072 A1 DE 1514072A1 DE 19651514072 DE19651514072 DE 19651514072 DE 1514072 A DE1514072 A DE 1514072A DE 1514072 A1 DE1514072 A1 DE 1514072A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal
- layer
- contacts
- contact
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
- C22C32/0047—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents
- C22C32/0052—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents only carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Contacts (AREA)
Description
BUSINESS KAOHINBS CORPORATION, Armonk, N.Y. 10504, USA
Elektrische Halbleitervorrichtung.
Die Erfindung betrifft eine elektrische Halbleitervorrichtung mit Ohm«sehen Kontakten. Solche Halbleitervorrichtungen
dienen in der elektrischen Schaltungstechnik als Schaltelemente und ersetzen in zunehmendem Maße die
früher verwendeten Vakuumröhren. Die Halbleitermaterialien solcher Halbleiterelemente sind zum Seil sehr
empfindlich gegen äußere Einflüsse chemischer oder physikalischer Natur, Aus diesem Grunde ."werden Halb-,
leitervorrichtungendex hier.infrage stehenden Art mit
einem Schutzüberzug versehen, der bei einer bekannten Halbleitervorrichtung aus Glas besteht. Diesee Glas
wird um die fertige Halbleitervorrichtung geschmolzen. Bei der bekannten Halbleitervorrichtung handelt es sich
um einen Überzug aus Glas mit niedrigem Schmelzpunkt.
Die Verwendung von Glas mit höherem Schmelzpunkt verbietet
sich bei dieser bekannten Halbleitervorrichtung, weil durch die Anwendung der daduroh erforderlich werdenden hohen Temperaturen auf die Halbleitervorrichtung
die Ohm'achen Kontakte zerstört würden. Die Materialien,
aus denen bei dieser bekannten Halbleitervorrichtung die
909823/0721
■15U072
Seite / 25.11.65 meine Akte» P 15749/DU124
amti.Aktz.:
Ohm'sehen Kontakte bestehen, wandern nämlich bei hohen
Temperaturen in die Halbleiterechicht. Durch die Anwendung hoher Temperaturen werden auch noch andere
die Ohm'sehen Kontakte zerstörenden Wirkungen hervorgerufen,
die aber im einzelnen noch nicht erkannt.sind.
Im Interesse eines optimalen Schutzes der Halbleitervorrichtung ist es jedoch wünschenswert, die Schutzschicht
aus Glas mit hohem Schmelzpunkt herzustellen, einerseits, weil solche Gläser widerstandsfähiger sind
und andererseits, weil ihr Wärmeausdehnungskoeffizient dem der übrigen Halbleitermaterialien näher liegt als
der von niedrig schmelzenden Gläsern.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine elektrische Halbleitervorrichtung
der eingangs genannten Art so auszugestalten, daß sie den hohen Temperaturen hochschmelzender
Gläser unterworfen werden kann. Die Erfindung ist , dadurch gekennzeichnet, daß ein Ohm'scher Kontakt aus
einem Metall der Platingruppe mit Kohlenstoff besteht.
Es hat sich gezeigt, daß Kontakte nach der. Erfindung
auch nicht durch die zum Schmelzen hochschmelzender Gläser erforderlichen Temperaturen zerstört werden,,.insbesondere
findet auch bei-.Anwendung solch hoher Temperaturen,
zum Beispiel oberhalb von 700 Grad Celsius,
keine Wanderung von Materialien aus einem Kontakt nach der Erfindung in die Halbleiterschichten, auf die der
Kontakt aufgebracht ist, statt. Nach einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist der Gewichtsanteil des
Kontaktes jan Metall größer als der: an Kohlenstoff, und
zwar ist Vorzugsweise der des Metalls 91 bis 93 # und
der des Kohlenstoffs 7 bis 9 $>>
r
90982370721
Seite i 25.11.65
meine Akte: P 15749/DH124
amtl.Aktz.:
Eine bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der Ohm'sche Kontakt mit
einer Schicht aus hochleitendem Metall bedeckt ist. -^
Durch eine solche Schicht können die elektrischen Eigenschaften des Ohm'sehen Kontaktes wesentlich verbessert
werden« Diese Schicht besteht vorzugsweise aus einem
Metall der Molybdängruppe, zum Beispiel Molybdän, Chrom oder Wolfram. Diese Schicht ist vorzugsweise als
Anschlußfahne für den betreffenden Kontakt ausgebildet.
Sie ist dann natürlich gegenüber den entsprechenden
Schichten anderer Kontakte elektrisch isoliert, sofern
diese Kontakte nicht miteinander in leitender Verbindung
stehen sollen. Die Anschlußfahnen sind wie üblich so
angeordnet und ausgebildet, daß !Seile davon, vorzugsweise die Enden, von außen elektrisch zugänglich sind.
Eine bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung ist dadurch,
gekennzeichnet, daß die Ohm'sehen Kontakte in einer
Oxydschicht ausgespart sind und auf mit entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp angeordneten Schichten aufgebracht sind. Durch diese Oxydschicht können die Ohm'sehen
Kontakte und die erwähnten Schichten beziehungsweise
Anschlußfahnen, soweit erforderlich, gegeneinander isoliert sein.
Die Erfindung macht es möglich, sehr hohe Temperaturen
auf die Halbleitervorrichtung anzuwenden. Dies macht sich, eine bevorzugte Weiterbildung der Erfindung zunutze,
die gekennzeichnet ist durch eine äußere Schutzschicht
aus Glas mit hohem Schmelzpunkt, wobei als Glas vorzugsweise ein solches iait einem »Schmelzpunkt oberhalb von
700 Grad Celsius vorgesehen ist.
90 9823/07 2 1 BAD ORfQfNAL
15H072
||. Seite f 25.11.65 meine Akte: P 15749/D14124
amtl.Aktz.:
Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt
Figur 1 den Teilschnitt einer Halbleitervorrichtung nach der Erfindung gemäß den
Pfeilen 1-1 au? Figur 2 und
Figur 2 die Draufsicht zu Figur 1.
In Figur 1 sind die verschiedenen Ausführungsmöglichkeiten
der Erfindung anhand eines Aueführungsbeiepiels
dargestellt. Figur 1 zeigt im Querschnitt eine flächenförmige
Halbleitervorrichtung gemäß den Schnittpfeilen 1-1 aus Figur 2. Die Vorrichtung 10 besteht aus einer
Vielzahl von Schichten 12,14,16 entgegengesetzter Leitfähigkeit. Die Schicht 12 kann zum Beispiel aus
N-typigem Silizium bestehen. Die Schicht 14 weist eine
entsprechende Menge Verunreinigung, zum Beispiel durch Aluminium, auf, so daß sie P-typig ist, während die
Schicht 16 mit einer N-typigen Verunreinigung, zum Beispiel
Arsen, dotiert ist. Diese Angaben sind beispielsweise.
Es sei hier darauf hingewiesen, daß die Vorrichtung aus einer solchen Gruppe entgegengesetzt leitfähiger
Schichten 12,14,16 oder aus einer Vielzahl solcher Gruppen bestehen kann. Die Anzahl der verwendeten Gruppen
hängt von der Punktion der fertigen Vorrichtung ab»
Für die Beschreibung der Erfindung genügt es, hier von einer einzigen Gruppe auszugehen.
Um die Vorrichtung 10 zu betreiben, sind elektrische
Verbindungen zu den einzelnen Schichten 12,14,16 er-
909823/0721
5" Seite f 25.11.65
meine Akte: P 1Ü749/D14124
amtl.Aktz.:
forderlich. Mit 18 ist ein Ohm'scher Kontakt in der
öffnung 19 bezeichnet, der zum Anschluß der Schicht 16
an äußere Vorrichtungen dient, während mit 20 ein
Ohm'scher Kontakt in der öffnung 21 entsprechend für
die Schicht: 14 bezeichnet ist. Mit 22 und 24 sind an die
Ohm'sehen Kontakte 18 beziehungsweise 20 angeschlossene,
leitende Anschlußfahnen bezeichnet. Biese Anschlußfahnen 22,24 dienen zum Anschluß äußerer Spannungsund
Stromquellen* Um die neben den Kontakten gelegenen Bezirke
der Vorrichtung 10 zu schützen, ist eine Halbleiteroxydschicht 26 wie im folgenden beschrieben aufgebaut, die die obere Oberfläche der Vorrichtung.10
bedeckt. Außerdem ist auf die Schicht 26 eine Glasschicht
28 als Schutzschicht aufgebracht, die auch die nicht, angeschlossenen Bezirke der Anschlußfahnen 22,24
bedeckt. Wie diese ßlasschicht 28 aufgebracht wird,
wird weiter unten noch beschrieben.
Aus Figur 2 ist noch ein dritter Ohm'scher Kontakt 30
ersichtlich» an aen die Anschlußfahne 32 angeschlossen
ist. Die in Figur 2 gestrichelt gezeichneten ieile der
Anschlußfahnen 22,24 und 32 liegen in Figur 2 unter der Glasschicht 28 und von dieser geschützt, während ·
die ausgezogenen Teile frei liegen und für äußere Anschlüsse
zugänglich sind. j
Bin wesentliches Merkmal der Erfindung ist die Zusammen&etzung
der 0hm'sehen Kontakte. Der Ohm'sche Kontak-8 18 besteht aus einer Vielzahl von Elementen,
mindestens aus einem Metall der Platingruppe au« Kohlenstoff. Sie Platingruppe umfaßt die Metall,·
Ruthenium,: Rhodium, Palladium, Osmium, Iridium iifld
Platin. Um sicherzueteilen,, daß die Ohm'sches Kontakte t
ORIGINAL
15U072
meine Akte: P 15749/D14124
amtl.Aktz.s
den für das Aufbringen der Glasschicht erforderlichen Temperaturen in der Größenordnung von Über 700 Grad
Celsius standhalten, ist der Prozentgehalt an Metall aus der Platingruppe dabei 91 bis 93 f>
und der an Kohlenstoff ungefähr 7 bis 9 # - und zwar jeweils in
Gewichtsprozenten. Wenn die erforderlichen Temperaturen niedriger liegen und 500 Grad Celsius nicht überschreiten,
dann genügt auch ein geringerer Anteil von Kohlenstoff, zum Beispiel 3,5 $, während der Anteil des
Netalls aus der Platingruppe entsprechend höher sein kann. Bei dem im folgenden zu beschreibenden AusfUhrungsbeispiel
wird von den zuerst genannten Prozentverhältnissen ausgegangen, so daß die Vorrichtung einer
Temperatur von über 700 Grad Celsius unterworfen werden kann, ohne daß dabei die 0hm»sehen Kontakte instabil
werden. Solche Instabilitäten können dadurch hervorgerufen werden, daß das Material der 0hm·sehen Kontakte
bei hohen Temperaturen in die Schichten der Vorrichtung
10 hinein wandert. Die Instabilität, die mit der Erfindung vermieden wird, kann aber auch andere Ursachen
haben«
Die Herstellung der 0hm9sehen Kontakte in der nach der
Erfindung vorgesehenen Zusammensetzung ist nicht kritisch; sie ist mit bekannten Mitteln durchführbar.
Das infrage stehende Metall der Platingruppe kann zum
Beispiel in einem Kohlenstofftiegel angeordnet sein,und
über diesen Tiegel kann die Vorrichtung 10 angeordnet
sein. Sie Bezirke, die mit 0hm'sehen Kontakten belegt
werden sollen, sind dabei gegen den Tiegel gerichtet. Diejenigen Bezirke, die nicht mit 0hm'sehen Kontakten
909823/0721
15ΗΌ72
meine Akte: P 15749/DI4124
amtl.Aktz.:
belegt werden sollen, sind entsprechend geschützt,
zum Beispiel durch die Schicht 26 - eine Oxydschicht. Bas Metall in dem Siegel wird dann mit einem Elektronenstrahl bombadiert, so daß es mit geringen Anteilen des
Kohlenstoffs verdampft und dabei gemeinsam mit dem Kohlenstoff in die beabsichtigte Kontaktstruktur überführt wird.
Das Material für die Ohm*sehen Kontakte kann auch
durch eine Kathode aufgesprüht werden. Zu diesem Zweck wird eine Kathode aus dem betreffenden Material der
Platingruppe und aus Kohlenstoff bombadiert, so daß
die Partikelchen auf die betreffenden Bezirke der Vorrichtung 10 geraten. Bei beiden Verfahren empfiehlt
es sich, die Vorrichtung 10 auf 200 bis 300 Grad Celsius vorzuheizen und während des ganzen Aufbaues
der 0hm'sehen Kontakte auf dieser Temperatur zu halten.
£8 hat sich gezeigt, daß die erwähnte kathodische Verdampfung sich mit Platin und Kohlenstoff sehr gut
durchführen läßt.
Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird
eine Schicht von gut leitendem Metall über den Ohm^sehen Kontakten aufgebaut. Es hat sich gezeigt, daß
hierdurch die elektrischen Kontakte verbessert werden. Dies hat seine Ursachs in einer Erhöhung der Leitfähigkeit der 0hm 's cnen Kontakte, es hat aber auch andere
Ursachen, die noch nicht vollständig erkannt wurden.
Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel kann man diese
Verbesserung erzielen, indem man das hochleitende Metall über den Ohm'sehen Kontakt, zum Beispiel den Kontakt 18,
und über die äen Kontakt umgebenden Bereiche der Schicht
26 aufbringt= Aus dieseni Metall können dann die Anschluüfahnen
22,24,32 gebildet werden,
909823/0721
15U072
' ΐ J Seite/ 25*11.65
meine Akte: Ϊ 15749/D14124
amtl.Aktz.: ■-■
Die Schicht 26, die, wie bereits bemerkt, aus Oxyd besteht, kann zum Beispiel auf der Vorrichtung 10 aufgebaut
werden, indem die Vorrichtung 10 bei erhöhter Temperatur einer oxydierenden Atmosphäre ausgesetzt
wird, wobei zur Seschleunigung Wasserdampf zugefügt werden kann.
Wie aus Figur 2 ersichtlich, dienen die Anschlußfahnen 22,24,32, abgesehen von dem eben genannten Zweck, als
elektrische Anschlüsse für die Kontakte 18,20 beziehungsweise 30, die von den Kanten 34 beziehungsweise 36 her
zugänglich sind. Diese Anschlußfahnen bestehen vorzugsweise aus Molybdän mit Zusätzen von Chrom, Wolfram oder
dergleichen. Wesentlich ist, daß das Metall, aus dem die Anschlußfahnen bestehen,hohe Leitfähigkeit hat. Sas
Metall hoher Leitfähigkeit kann mit üblichen Verfahren, zum Beispiel durch Verdampfen, angelagert werden. Bei
einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist die Metallschicht für die Anschlußfahnen ungefähr 10.000
Angström stark, während die 0hm'sehen Kontakte etwa
500 bis 1.000 Angstrom stark sind.
Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist die Vorrichtung 10 mit einer Schicht aus Glas mit
hohem Schmelzpunkt überzogen, um sie gegen äußere Einflüsse zu schützen. In Verbindung mit einer solchen
Glasschicht kann entweder ein blanker 0hm'scher Kontakt,
zum Beispiel entsprechend dem Kontakt 18 aus Figur 1, oder ein 0hm'scher Kontakt, der mit einer Anschlußfahne
22 aus hocüleitendem Metall, wie in Figur 1,
dargestellt, beschichtet ist, verwendet werden. Die Glasschicht 26 wird dann über der ganzen Vorrichtung
10 aufgebaut. Bei dem dabei verwendeten Glas mit hohem
90 9 8237 0721
Seite f 25.1-1.$5
meine Akte: P 15749/D14124 amtLAkta.:
Schmelzpunkt handelt es sich um ein Glas mit einer
Schmelztemperatur höher als 700 Grad Celsius, zum Beispiel das unter der,Handelsbezeichnung "Corning
Experimental Code Nummer X 760-LZ'1 handelsübliche Glas,
dessen Schmelzpunkt bei 760 Grad Celsius liegt. Die Glasschicht 28 kann aufgebaut werden, indem die zu
beschichtenden Bezirke mit Glaspartikelchen belegt werden. Anschließend wird die ganze Vorrichtung mit den
Partikelchen auf die Schmelztemperatur des Glases gebracht. Man kann die ganze Vorrichtung 10 mit dieser
Glasschicht zunächst überziehen, auch wenn einige Bezirke frei bleiben sollen, und in diesen Bezirken anschließend die Glasschicht wegätzen. Wenn man die so
geschmolzene Glasschicht abkühlt, entsteht eine verhältnismässig dicke Glasschicht 28, deren thermischer
Expansionskoeffizient mit dem der Vorrichtung 10 im wesentlichen übereinstimmt. Durch diese Glasschicht 28
wird die Vorrichtung 10 hervorragend gegenüber äußeren Einflüssen geschützt. FUr die elektrischen Zuleitungen,
die an die Anschlußfahnen 22,24 und 32 angeschlossen
werden, bleiben die in Figur 2 ausgezogen bezeichneten Bezirke zugänglich.
Das für die 0hm'sehen kontakte vorgesehene Metall der
Platingruppe kann Platin selbst sein. Dies empfiehlt sich besonders dann, wenn der Ohm'sche Kontakt einen
niedrigen Widerstand haben soll. Der Ohm'sche Kontakt
kann nach irgendeinem der oben angegebenen Verfahren aufgebaut sein, also zum Beispiel durch Elektronenbombardement
eines Metalls der Platingruppe in einem Kohlenstofftiegel durch Kathodenverdampfung einer
Kathode, aus einem Metall der Platingruppe und Kohlenstoff oder durch andere Verdampfungstechniken.
909823/0721
15U072
ΛV Seite 0 25.11,65
meine Akte: P 15749/D14124
amtl.Akta.ι
Die so geformten Ohm'sehen Kontakte können wie bereits
bemerkt mit ho ableitendem Metall beschichtet sein, um die elektrischen Säten zu verbessern. Hierfür ist in
dem bevorzugten Ausführungsbeispiel Molybdän vorge-'
sehen. Stattdessen ist auch Chrom und Wolfram anwendbar.
Durch die nach der Erfindung vorgesehene Zusammensetzung der Ohm0sehen Kontakte ist es möglich, hohe
Temperaturen auf die Vorrichtung 10 anzuwenden. Bei dem beschriebenen bevorzugten Ausführungsbeispiel besteht
das Material der Ohm"sehen Kontakte aus 91 bis 93 Gewichtsprozenten Metall der Platingruppe und
7 bis 9 Gewichtsprozent Kohlenstoff. Das entspricht einem atomaren Verhältnis von ungefähr 55 $>
Metall und ungefähr 45 # Kohlenstoff. Bei einer bevorzugten Ausführungsform
ist das Metall der Platingruppe Platin selbst. Bei den Ohmpsehen Kontakten kommt es nicht darauf
an, wie sie hergestellt sind. Wesentlich für die Erfindung ist nur, daß sie die angegebene Zusammensetzung
haben.
909823/0721
Claims (7)
1. !Elektrische Halbleitervorrichtung mit Ohm'sehen
—^Kontakten, dadurch gekennzeichnet, daß ein Ohm "scher
Kontakt (18) aus einem Metall der Platingruppe mit
Kohlenstoff besteht.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Gewichtsanteil des Ohm9sehen Kontaktes (18)
an Metall größer als der an Kohlenstoff ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Grewichtsanteil des Ohm "sehen Kontaktes (18)
an Metall 91 bis 93 ?^ und der an Kohlenstoff 7 bis
9 #.beträgt.
4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche
1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohm'sche Kontakt (18) mit einer Schicht (22) aus hochleiten
dem Metall bedeckt ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch. 4, dadurch gekennzeichnet»
daß das hochleitende Metall ein Metall aus der
Molybdängruppe ist»
6. Vorrichtung nach Anspruch A- und/oder 5, dadurch ge=
kennzeichnet, daß die Schicht (22) aus hochleitendem
Metall als Ansciilutfahne für den betreffenden
Ohm'sehen Kontakt (-1S-) ausgebildet ist.
BAD ORIGlNAU 90 9823/072 1
MiB* Akte ι V 15749/DU124
anti f Akt»·!
7. Vorrichtung naoh einen oder «efareren der vorhergehenden Aneprüche, daduroh gekennzeichnet» daß die
Ohmesehen Kontakte (10,20,30) in einer Oxidschicht
(26) ausgespart eind und auf alt entgegengesetztem Leitfähigkeitetyp angeordneten Schichten (12,14*16)
aufgebracht eind·
ö. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine äußere
Schutzschicht (28) aus Glas mit hohem Schmelzpunkt.
9· Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß das Glas, aus dem die Schutzschicht (28) besteht, einen Schmelzpunkt oberhalb von 700 Grad Celsius hat.
909823/0721
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US421035A US3399331A (en) | 1964-12-24 | 1964-12-24 | Electrical device and contacts |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1514072A1 true DE1514072A1 (de) | 1969-06-04 |
DE1514072B2 DE1514072B2 (de) | 1973-12-20 |
DE1514072C3 DE1514072C3 (de) | 1974-07-18 |
Family
ID=23668925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1514072A Expired DE1514072C3 (de) | 1964-12-24 | 1965-12-03 | Ohmsche Kontaktierung für Halbleiterbauelemente |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3399331A (de) |
DE (1) | DE1514072C3 (de) |
GB (1) | GB1125157A (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3477872A (en) * | 1966-09-21 | 1969-11-11 | Rca Corp | Method of depositing refractory metals |
JPS5116302B2 (de) * | 1973-10-22 | 1976-05-22 | ||
US20090206571A1 (en) * | 2007-08-22 | 2009-08-20 | Justin Francom | Wheeled apparatus, system, and method |
US8448961B2 (en) * | 2008-08-22 | 2013-05-28 | Larry Francom | Apparatus, system, and method for open frames for sport decks |
DE102010047589A1 (de) | 2010-10-07 | 2012-04-12 | Techno-Coat Sa | Vorrichtung zur Innenbehandlung von Rohren |
DE102017100946A1 (de) | 2017-01-18 | 2018-07-19 | Techno-Coat Sa | Verwendung von SiO2-Beschichtungen in wasserführenden Kühlsystemen |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1216420A (en) * | 1914-12-01 | 1917-02-20 | Gen Railway Signal Co | Relay. |
US2253401A (en) * | 1937-10-09 | 1941-08-19 | Westinghouse Electric & Mfg Co | Circuit interrupter contact |
US2499420A (en) * | 1946-02-19 | 1950-03-07 | Michael J Sakatos | Nonsparking switch |
-
1964
- 1964-12-24 US US421035A patent/US3399331A/en not_active Expired - Lifetime
-
1965
- 1965-12-03 DE DE1514072A patent/DE1514072C3/de not_active Expired
- 1965-12-15 GB GB53162/65A patent/GB1125157A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1514072B2 (de) | 1973-12-20 |
DE1514072C3 (de) | 1974-07-18 |
US3399331A (en) | 1968-08-27 |
GB1125157A (en) | 1968-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE68918565T2 (de) | Verfahren zur herstellung von sonnenzellenkontakten. | |
DE2063579C3 (de) | Codierbare Halbleiteranordnung | |
DE1959438C3 (de) | Verfahren zum Herstellen elektrisch leitender Verbindungen zwischen mehreren Schaltungselementen einer auf oder in einem Trägerkörper ausgebildeten integrierten Schaltung | |
DE3752249T2 (de) | Elektronen emittierende Vorrichtung | |
DE1639152C3 (de) | Sonnenzellenbattene und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1764951B1 (de) | Mehrschichtige metallisierung fuer halbleiteranschluesse | |
DE1954967A1 (de) | Durch Filmauftrag hergestellte Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE1282196B (de) | Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge | |
DE2246115A1 (de) | Photovoltazelle mit feingitterkontakt und verfahren zur herstellung | |
DE2300847A1 (de) | Schmelzbare verbindung fuer integrierte schaltungen | |
DE112005002629T5 (de) | Ultraleichte Photovoltaik-Einrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE2226613B2 (de) | Schutzvorrichtung fuer einen isolierschicht-feldeffekttransistor | |
DE2060333B2 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einem feldeffekttransistor mit isolierter gateelektrode | |
DE2151632A1 (de) | Halbleiterbauteil mit schmelzbaren Verbindungen | |
DE1296263B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Transistors und nach diesem Verfahren hergestellter Transistor | |
DE3545400C2 (de) | Elektrochrome Vorrichtung | |
DE1514072A1 (de) | Elektrische Halbleitervorrichtung | |
DE1032405B (de) | Flaechenhalbleiter mit guter Waermeableitung | |
DE1942374A1 (de) | Verfahren zur Schaffung Ohmscher Kontakte an verschiedenen Zonen einer Halbleiterscheibe | |
DE1639262A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einer Grossflaechen-Elektrode | |
DE19854938A1 (de) | Bauelement | |
DE1293900B (de) | Feldeffekt-Halbleiterbauelement | |
DE1002472B (de) | Verfahren zum Anloeten von Elektroden an einen Halbleiter | |
DE3713957C2 (de) | ||
DE1163977B (de) | Sperrfreier Kontakt an einer Zone des Halbleiterkoerpers eines Halbleiterbauelementes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |