DE1954967A1 - Durch Filmauftrag hergestellte Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
Durch Filmauftrag hergestellte Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren HerstellungInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 160
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 168
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 57
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 33
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 32
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 25
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 21
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 claims 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- -1 VoIfram Chemical compound 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000003711 photoprotective effect Effects 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000208140 Acer Species 0.000 description 1
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 1
- KSECJOPEZIAKMU-UHFFFAOYSA-N [S--].[S--].[S--].[S--].[S--].[V+5].[V+5] Chemical compound [S--].[S--].[S--].[S--].[S--].[V+5].[V+5] KSECJOPEZIAKMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000013080 microcrystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000004224 protection Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
- H10B63/32—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors of the bipolar type
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
- H10N70/026—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by physical vapor deposition, e.g. sputtering
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
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- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/066—Shaping switching materials by filling of openings, e.g. damascene method
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
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- G11C2213/70—Resistive array aspects
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Description
DR. R. POSCHENRIEDER
DR. R BOETrNER
DIPL.-ING. H.-J. MÜLLER « ft r # Λ * «
Patentanwälte 1994967
8 München βο
Lucile-Grahn-Straße 38
Telefon 443755
Telefon 443755
Car-^ Xs/Li
Energy Conversion Devices, Inc.,
1675 West Maple Road, Troy, Michigan 48084 (V. St. A.)
Durch Filmauftrag hergestellte Halbleitervorrichtung
und Verfahren zu deren Herstellung
Die .Erfindung bezieht sich auf durch Filmauftrag hergestellte
elektronische Bauteile und findet ihr wichtigstes Anwendungsgebiet
bei durch Filmauftrag erzeugten llalbleitervorrichtungen
ähnlich denen gemäß Patent (Patentanmeldung
) entsprechend der U.S.Λ.-Patentschrift 3 2?1 591.
Xn dem genannten Patent sind Ilalbleiterschwellenschaltvorrichtutigen
und speichernde llalbleiterschaltvorrichtungen beschrieben und als "Mechanismusvorrichtung" bzw. "Hi-Lo-Vorrichtungen"
bezeichnet. Bei diesen Vorrichtungen sind die aktiven Halbleitermaterialien im wesentlichen ungeordnete und
allgemein amorphe Materialien, in denen bei Anlegen einer
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-Z-
Spannung, die gleich oder größer ist als eine Schwellenspannung, an zwei Elektroden, die sich mit dem aktiven Halbleitermaterial
in Berührung befinden, ein fadenförmiger leitender Pfad gebildet wird, in dem der von diesem Pfad
eingenommene Teil des Materials aus einem Zustand von anfänglich hohem Widerstand oder .Sperrzustand in einen Zustand
niedrigen Widerstandes oder der Leitfähigkeit versetzt wird. Dei Schwellenschaltvorrichtungen bleibt der Leitfähigkeitszustand
der Vorrichtung erhalten, bis der hindurchfließende Strom unter einen gegebenen llaltestrom sinkt, und bei einer
speichernden Schaltvorrichtung bleibt das Halbleitermaterial in seinem Leitfähigkeitszustand niedrigen Widerstandes, selbst
wenn der hindurchfließende Strom und die angelegte Spannung
unterbrochen werden. Das letztere Halbleitermaterial kehrt in seinen nichtleitenden Zustand zurück, wenn ein kückstellstrom
hindurchgeschickt wird. Eine Steigerung der an eine Schwellenschaltvorrichtung oder eine speichernde Schaltvorrichtung
angelegten Spannung hat eine Erhöhung der Stromstärke des hindurchfließenden Stromes zur Folge, und der
niedrige Widerstand der Vorrichtung sinkt, so daß ein ziemlich konstanter Spannungsabfall über das Halbleitermaterial
aufrecht erhalten wird, indem der Durchmesser des fadenförmigen Pfades, durch den der Strom durch das Ilaterial fließt,
vergrößert wird.
Es ist natürlich wichtig, Schaltvorrichtungen mit in ihrem
Zustand hohen Widerstandes sehr niedrigem Leckstrom und
mit einer ziemlich festen Schwellenspannung zu erhalten,
und dies hat sich bisher als besonders schwierig erwiesen. Die Schwellenspannungen dieser Schwellenschaltvorrichtungen
und speichernden Schaltvorrichtungen werden grundsätzlich durch die Dicke des Halbleitermaterials bestimmt, das zwischen den mit ihm in Kontakt stehenden Elektroden eingesetzt
ist. Es hat, sich jedoch gezeigt, daß bei einer gegebenen Schaltvorrichtung nennenswerte Schwankungen der Schwellen-
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spannungswerte auftreten können. Es ist anzunehmen, daß
diese Schwankungen auf die Ausbildung tier fadenförmigen Stromdurchgangspfade in dem Halbleitermaterial in weitgehend
unterschiedlichen Dereichen desselben beim Umschalten desselben zu verschiedenen Malen in den Leitfähigkeitszustand
zurückzuführen sind. Nach einem Gesichtspunkt der Erfindung wird jede Ilalbleiterschaltvorrichtung so hergestellt,
daß sie zur äußersten Verminderung der Leckstrompfade durch das Halbleitermaterial eine sehr kleine Querschnittsfläche
des Halbleitermaterial3 darbietet, so daß die darin gebildeten fadenförmigen Strotnleitungspfade bei
jedem Umschalten der Vorrichtung aus ihrem nichtleitfähigen in ihren leitfUhigen Zustand in annähernd dem gleichen Bereich
des Halbleitermaterials auftreten. Die Querschnittsfläche wird so gewählt, daß sie etwa dem Durchmesser des
größten zu erwartenden Stromleitungspfades entspricht. Für eine Schwellenschaltvorrichtung oder speichernde Schaltvorrichtung,
die einen Strom von 5 «A leitet und deren HaIbleitermaterialdicke
ca. 1,2 /U beträgt, ist die bevorzugte Querschnittsflache des für den Stromdurchgang verfügbaren
Halbleitermaterials die von einem Zylinderkörper dieses Materials von 1OyU Durchmesser dargebotene Fläche. Für
Ströme oberhalb dieser Größe haben sich auch Durchmesser bis zu ^O/U als befriedigend erwiesen. Dieser kleine Körper
aus Halbleitermaterial, der für den Stromfluß verfügbar ist, wird am besten erzeugt, indem eine Schicht eines isolierfähigen
Materials auf eine leitende Fläche aufgetragen wird, die «ine der Elektroden der Schaltvorrichtung bildet, daß
man in der Schicht des isolierfähigen Materials eine kleine
Pore von dem gewünschten kleinen Durchmesser einätzt und dann auf der isolierfähigen Schicht das aktive Halbleitermaterial
aufträgt, so daß es sich in die Pore hinein erstreckt und diese mindestens, teilweise füllt· Auf das Halbleitermaterial
wird dann ein die andere Elektrode bildendes Material aufgetragen.
- U -009819/1486 BAD ORIGINAL
Die für die Schwellenschaltvorrichtungen und speichernden Schaltvorrichtungen der beschriebenen Art verwendeten Elektrodenmaterialien
müssen sorgfältig avisgewählt werden, um eine Verunreinigung der genannten Halbleitermaterialien zu vermeiden·
Obwohl Aluminium ein sehr wirksamer Leiter für gedruckte Stromkreise ist, die zu diesen Vorrichtungen führen,
hat es sich gezeigt, daß es als Material zur Dildung von Elektroden sehr unbefriedigend ist, da Aluminium in das
Halbleitermaterial wandert, wenn der Stromfluß von einer Aluminiumelektrode .in das aktive Halbleitermaterial gerichtet
ist. Ein Stromdurchgang in der entgegengesetzten Richtung, d.h. von den Halbleitermaterialien in das Aluminium
verursacht kein solches Wandern des Aluminiums. Dieses Problem des Wanderns des Aluminiums wird dadurch beseitigt,
daß hitzebeständige Materialien, wie Molybdän,als das die Elektroden bildende Material der Schaltvorrichtungen verwendet
wird, da Molybdän das Aluminium gegen das Halbleitermaterial abdämmt. Die genannten Schwellen- und speichernden
Halbleitervorrichtungen gemäß dem genannten Patent sind von Natur aus richtungsunabhängige Vorrichtungen, und wenn sie
als solche verwendet werden, sollten beide Elektroden aus im wesentlichen hitzebeständigen amorphen Materialien hergestellt
werden. Wenn die Halbleitermaterialien, wie diese Materialien, im wesentlichen ungeordnete und allgemein
amorphe Halbleitermaterialien sind, sollte das hitzebeständige, die Elektroden bildende Material in einem,im wesentlichen
amorphen Zustand aufgetragen werden, so daß es den in wesentlichen ungeordneten und allgemein amorphen Zustand
dee Halbleitermaterials nicht beeinträchtigt, Xm wesentlichen kristalline Materialien zur Dildung von Elektroden würden
dazu neigen, die erwünschterweise allgemein amorphen Halbleitermaterialien zum Kristallisieren zu bringen, wenn sie
mit diesen zur Berührung gebracht werden. (Der Ausdruck "im wesentlichen amorph" schließt mikrokristalline Materialien
ein, die unter Verwendung üblicher spektrographischer Geräte keine kristalline Struktur erkennen lassen). Andere hitze-
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feste leitfähige Materialien, wie im wesentlichen amorphes Tantal, Niob, Wolfram und feuerfeste Metalloxyde, -carbide
und-sulfide können an die Stelle von im wesentlichen amorphem Molybdän treten.
Wenn verhältnismäßig dicke Schichten von Halbleitermaterialien
aufgetragen werden sollen und solche Aufträge sich über die genannten Poren der Schaltvorrichtungen hinaus nach außen
erstrecken und dicke Kanten bilden, kann der Fall eintreten, daß durch Auftrag erzeugte Überzüge aus amorphem schwer
schmelzendem Metall zur Bildung der Elektrode, die nur als äußerst dünne Überzüge angebracht werden können (wie im Falle
dos Molybdäns), die Kanten der Ilalbleiterschicht nicht befriedigend
abdecken und infolgedessen einen äußeren Aluasiniumüberzug
von diesen nicht wirksam zu trennen vermögen· Diese Schwierigkeit wird dadurch beseitigt, daß jede Pore mit dem
aktiven Halbleitermaterial nur zum Teil gefüllt wird, so daß keine schädlichen dicken Kanten des Halbleitermaterial
auftreten. In einem solchen Fall trennt jeder Auftrag des die Elektrode bildenden Materials in der Pore das Halbleitermaterial
von dem äußeren Überzug aus Aluminium,
Wenn .- chwellen schal tvorri ch tungen und speichernde Schaltvorrichtungen
auf integrierte Stromkreise bildendenllalbleiterträgorn
oder dergl, durch Auftrag hergestellt werden und die unteren Elektroden der Vorrichtungen dazu verwendet
werden, die Ilalbleiterträgermaterialien, wie Silizium, körperlich
zu berühren, hat es sich gezeigt, daß Molybdän oder andere ähnliche Materialien zur Bildung von Elektroden eine
unbefriedigende Haftung an dem Siliziuin-IIalbleiterträger.
eingehen. Es hat sich jedoch gezeigt, daß Aluminium ein äußerst gutes Bindematerial zwischen schwer schmelzenden
elektrodenbildenden Materialien, wie Molybdän, und dem Halbleiterträger darstellt, vorausgesetzt.daß während des
Auftrages ein Oxydieren der Oberseite des Aluminiums, die
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009818/UI5 - er—
das elektrodenbildende Material berührt, auf einem Mindestmaß gehalten werden kann» Aluminium ist ein sehr
leicht oxydierendes Material, und es hat sich als schwierig erwiesen, Aluminium aufzutragen, ohne daß die Außenfläche
desselben oxydiert« Ein solches Oxydieren würde natürlich die Fähigkeit des Aluminiums, zwischen der darüberliegenden
Elektrode und dem Träger Strom zu leiten, vermindern. Einer der Gesichtspunkte der Erfindung besteht also in der Schaffung
einer verbesserten Konstruktion einer durch Filmauftrag erzeugten Schaltvorrichtung, bei der die obere Fläche des
Aluminiums oder eines sonstigen oxydierten Auftrags an einem Halbleiterträger keinen Teil einer stromleitenden
Trennfläche bildet.
Gemäß der Erfindung wird ein Halbleitermaterial innerhalb einer in einer Schicht aus isolierfähigem Material gebildeten
Pore aufgetragen, so daß ein Kontakt des Ilalbleitermaterials mit einer elektrodenbildenden Schicht zu beiden
Seiten des Halbleitermaterials hergestellt wird, wobei an mindestens einer Seite des Halbleitermaterials die wirksame
Kontaktfläche durch die Größe der Pore begrenzt ist, so daß ein begrenztes Volumen des Halbleitermaterials festgelegt
ist, durch das der Strom fließen kann.
In der Zeichnung sind bevorzugte Ausführungsformen der
Erfindung beispielsweise dargestellt.
Fig. 1 ist eine ausschnittsweise Draufsicht zur Veranschaulichung eines Teiles einer Halbleiterschaltvorrichtung
gemäß der Erfindung;
Fig. 2 ist ein Schnitt der Schaltvorrichtung gemäß Fig. 1 /
entlang der Linie 2-2 in Fig, 1 j
009819/UdB
Fig· 3 Λ bis 3«J veranschaulichen eine Reihe von Arbeitsschritten für die Herstellung einer Schaltvorrichtung
ähnlich der gemäß Pig* 2;
Fig. h ist ein Schnitt entlang der Linie k-k in Fig. 3J;
Fig. 5 let eine Draufsicht einer weiteren abgewandelten
Konstruktion einer Schaltvorrichtung gemäß der" Erfindung;
Fig. 6 ist ein Schnitt durch die gleiche Schaltvorrichtung entlang der Linie 6-6 in Fig. 5 5
Fig. 7 1st «ine auseinandergezogene Darstellung der einzelnen
Schichten, aus denen die Schaltvorrichtung gemäß Fig. 5 besteht»
Fig. 8 ist ein Schnitt durch «inen eine integrierte Schaltung
bildenden Träger mit einer darauf aufgebrachten Schaltvorrichtung gemäß der Erfindung;
Fig. 9 ist eine Draufsicht auf den Träger gemäß Fig. 8 zur
Veranschaulichung der verbesserten Konstruktion der durch Auftrag hergestellten Schaltvorrichtung;
Fig·10 ist eine Draufsicht zur Veranechaulichung einer Alternativform
der Konstruktion der Schaltvorrichtung auf
ein·
•ineci/integrierte Schaltung bildenden Träger;
•ineci/integrierte Schaltung bildenden Träger;
Fig»11 ist eine Seitenansicht im Schnitt entlang der Linie
11-11 In Fig. 10» und
Fig· 12 bis 1!» veranschaulichen drei Arbeitsschritte bei einem
neuen Verfahren zur Herstellung einer beliebigen der Schaltvorrichtungen gemäß Fig.1, 2 und 5 bis 11.
009819/U86
1954987
Wie aus Fig. 1 und 2 ersichtlich, weist eine Halbleiterschaltvorrichtung
10 eine Pore 12 auf, die in einer Schicht 14 aus Isoliermaterial gebildet ist, das vorzugsweise aus
einem an einer elektrodenbildenden Fläche 16 gebildeten
Auftrag aus isolierfähigem MateriaJ besteht. . Ein Auftrag
18 aus aktivem Halbleitermaterial ragt in die Pore 12 hinein und füllt mindestens den Bodenteil derselben und
steht in elektrisch leitender Berührung mit der die Elektrode bildenden Fläche 16 in einem Bereich, der durch den Querschnitt
der Pore 12 begrenzt ist. Die die Elektrode bildende
Fläche 16 ist die äußere Fläche einer Schicht 20, die vorteilhafterweise
aus schwer schmelzendemtleitfähigem Material,
beispielsweise amorphem Molybdän, Tantal, Niob, Wolfram, Molybdäncarbid, Vanadiümsulfid oder aus anderen, ähnlichen
schwer schmelzenden Metallen oder deren Carbiden, Sulfiden oder Oxyden hergestellt ist und auf eine Fläche 21 aufgetragen
ist, die in manchen Fällen eine Isolierschicht oder ein -körper 23» wie Glas, und in anderen Fällen eine leitfähige
Schicht oder ein leitfähiger Körper, beispielsweise die Elektrode einer integrierten Schaltung sein kann, die
eine Diode oder einen Transistor in einen Siliziuuplättchen
oder dergl. bildet. Die Halbleitervorrichtung 10 hat ferner
eine obere, eine Elektrode bildende Schicht 22, die im vorteilhaftesten Fall aus schwer schmelzendem, leitfähigem
Material, wie Molybdän, besteht, das über dem Halbleitermaterial 18 aufgetragen ist und sich im allgemeinen über
einen Teil der Isolierschicht 1M erstreckt und den Auftrag
18 aus Halbleitermaterial überdeckt. Obwohl die elektrodenbildende
Schicht 22 den Auftrag 18 aus Halbleitermaterial iberdeckt, ist der nutzbare oder aktive Teil des Halbleitermaterialsder
Teil innerhalb der Pore. Obwohl die Dicke des Auftrages des Halbleitermaterials für Schwellenschaltvorrichtungen
und speichernde Schaltvorrichtungen, wie die gemäß dem genannten Patent, in weiten Grenzen variieren
können, würden im allgemeinen gemäß der Erfindung, je nach dem gewünschten Wert der Schwellenspannung, Dicken zwischen ca.
009819/U85 bad original
1 und 15/U zu verwenden sein. In jedem Fall ist der stromleitende
Pfad durch das aktive Halbleitermaterial auf einen, begrenzten Bereich beschränkt, der durch die Pore 12 bestimmt
ist, so daß eine gleichmäßigere Strom-Spannungs-Kennlinie für jede aufeinanderfolgende Tätigkeit der daraus gebildeten
Halbleitervorrichtung geschaffen wird. Dieser begrenzte Bereich gestattet auch einen kleinen Leckstrompfad, wenn die
betreffende Ilalbleiterschaltvorrichtung sich in ihrem Zustand hohen Widerstandes befindet.
Ein Verfahren zur Herstellung der Konstruktion einer HaIbleitervoxTichtung
10' mit Pore, ähnlich der gemäß Fig. 1 und 2, ist in der Reihe von schematischen Darstellungen in Fig. 3Λ
bis 3J veranschaulicht. Fig. h ist ein Schnitt entlang der
Linie k-k der fertiggestellten Halbleitervorrichtung 10'
nach Fig. 3J· In Fig. 3A wird zunächst ein Auftrag 24 eines
schwer schmelzenden, eine Elektrode bildenden Materials,
vorzugsweise Molybdän, durch Spritzen,oder Aufdampfen erzeugt,
die sich zur Gänze über eine Grundschicht oder einen Träger 23 aus isolierfähigem Material, wie Glas oder dergl,
erstreckt, Materialien, wie Molybdän, können in wirksamer Weise im allgemeinen nur in dünnen Schichten in der Größenordnung
von ca. 25/U (1 mil) aufgebracht werden. Der Elektrodenauftrag
wird dann geätzt, so daß ein oder mehrere begrenzte Bereiche dieses Materials zurückbleiben, die die untere
Elektrode 20· einer oder mehrerer Schaltvorrichtungen 10'
(Fig. 3B) bilden. Der Vorteil dieses Vorgehens besteht darin,
daß auf einem einzigen Träger 23 nach Belieben eine oder mehrere Halbleitervorrichtungen 101 gebildet werden können.
Aus Gründen der Einfachheit ist jedoch nur eine solche Halbleitervorrichtung 10' dargestellt. Der Auftrag des elektrodenbildenden
Materials sollte aus noch zu erläuternden Gründen unter solchen Bedingungen durchgeführt werden, daß der Auftrag
sich in einem im wesentlichen amorphem Zustand befindet. Dies wird im allgemeinen erreicht, wenn die Temperatur des
ca,
Trägers auf Itaumtemperatur oder auf noch niedrigerer Temperatur
Trägers auf Itaumtemperatur oder auf noch niedrigerer Temperatur
00Ö819/USS
Kathodenzerstäubung
195*967
gehalten wird. '
Das Ätzen kann unter Verwendung einer berührungsfreien Maske erfolgen, die über dem Auftrag aus Isoliermaterial
angeordnet wird, oder noch vorteilhafter durch die Anbringung
eines lichtempfindlichen Schutzmaterials (nicht dargestellt) von dem gewählte Bereiche durch ein Filmnegativ mit dem gewünschten Muster von zu ätzenden Bereichen
einer Lichtstrahlung ausgesetzt werden, so daß die Bereiche, die die gewünschte Maske bilden sollen, gegenüber
in der Technik bekannten Chemikalien immun geuacht werden, die die nicht belichteten Flächen des Schutzmaterials
verfärben oder fortätzen. Anschließend werden die ausgewählten, nicht belichteten Bereiche dieses Schutzmaterials
mittels solcher Chemikalien beseitigt. Dann wird ein weiteres Ätzmittel an dem Träger zum Angriff gebracht,
der nur das schwer schmelzende, elektrodenbildende Materi?l,
nicht aber das fixierte lichtempfindliche Schutzmaterial beseitigt,
das dann mittels eines anderen chemischen riittels beseitige
wird. (Wenn im folgenden vom "selektiven"Vegätzen eines Überzuges die Rede ist, so soll damit zum Ausdruck komiiiou,
daß dieser Arbeitsgang in der soeben umrissenen Verfahrensweise durchgeführt wird),
Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 3A. bis 3J wird eine
Schicht eines Isoliermaterials 25, vorzugsweise Aluminiumoxyd
oder dergl,,vorzugsweise über den ganzen Träger 23
(Fig. 3C) aufgebracht und dann zur Bildung einer dielektrischen
Verstärkungskante 2.6 (Fig. 3D) geätzt, so daß die
Kantenbereiche 20a und 20b der elektrodenbildenden Schicht 20 vollständig verdeckt werden. In manchen Fällen kann
die dielektrische Verstärkungskante 26 über-flüssig sein, ;
und dann kann der zu ihrer Bildung erforderliche Verfahrensschritt des in Fig. 3A. bis 3J veranschaulichten Verfahrens
entfallen. Dies trifft zu, wenn die Dicke des isolierfähigen
- 11 -
00-98-19/1488 bad original
Materials an sich ausreicht, um die Kantenbereiche 20a
und 20b der elektrodenbildenden Schicht 20 zu verdecken und ein Durchschlagen der Spannung zwischen den elektrodeubildenden Schichten zu verhindern. In diesem Fall wird
die dielektrische Verstärkungskante 27 nicht benötigt.
Wenn die Verstärkungskante 26 gebildet ist, wird eine zweite
Schicht 28 aus isolierfähigera Material über den ganzen
Träger 23 (Fig. 3E) aufgetragen. Die Schicht 28, die vorzugsweise ebenfalls aus Aluminiumoxyd besteht, wird zur
Bildung einer isolierenden "Insel" \h% geätzt, in der eine
Pore 12 gebildet ist, die hier im wesentlichen im Mittelpunkt dieser Insel iV liegt.
Beim nächsten Arbeitsschritt wird der so vorbehandelte Träger mit einer Schicht 27 aus aktivem Halbleitermaterial
(Fig. 3G) beschichtet, so daß die Pore 12 gefüllt oder teilweise gefüllt wird, und dann selektiv geätzt,(Fig. 3H) so
daß oberhalb des die Pore enthaltenden Teiles jeder isolierenden Insel 1'»' ein kleiner Auftrag 18 aus aktivem Halbleitermaterial zurückbleibt, von dem Teile 18a sich über die
Seitenwände der Pore hinaus erstrecken. Fig. h zeigt deutlich
den Auftrag 18 aus Halbleitermaterial, der sich in die Pore 12 hinein erstreckt, so daß er sich in gutem elektrischem
Kontakt1 alt der elektrodenbildenden Fläche 16 befindet, und
die Figur zeigt ferner, wie die Teile 18a sich von der Pore
12 an der Oberseite der Insel 1V radial auswärts erstrecken.
Nach Auftrag des aktiven Halbleitermaterials und Ätzen derselben in der beschriebenen Weise wird eine obere elektrodenbildende Schicht 29 (Fig. 31)ι vorzugsweise aus im wesentlichen amorphem Molybdän oder einem anderen ähnlichen leitfahigen schwer schmelzenden Material gebildet, indem zuerst
über den ganzen vorbehandelten Träger ein leitfähiges, im wesentlichen amorphes schwer schmelzendes Material aufgebracht
009819/U85 - '* -
BAD ORIGINAL
wird, das vorzugsweise vom gleichen schwer schmelzenden Materialtyp ist, der auch die untere elektrodenbildende
Schicht 20 bildet, und anschließend wird die Schicht 29 selektiv geätzt, so daß eine obere Elektrode 22 der gewünschten
Gestalt an der Oberseite jeder isolierenden Insel 1-*4 ' zurückbleibt (Fig. 3J) . Die verschiedenen oben
genannten Arbeitsschritte des Aurtragens können unter Anwendung
bekannter Verfahrensweisen des Aufdampfens oder Aufspritzens erfolgen.oder durch Kathodenzerstäubung,
In den meisten Fällen ist das aktive Halbleitermaterial ein im wesentlichen ungeordnetes und allgemein amorphes
Material, wie das gemäß dem genannten Patent. Wenn eine mit dem aktiven Halbleitermaterial in direktem Kontakt
stehende Elektrode aus Aluminium gebildet ist, besteht die Gefahr, wie oben angedeutet, daß das Halbleitermaterial
durch Einwandern des Aluminiums in das Halbleitermaterial
verunreinigt wird, wenn (positiver) Strom von dem Aluminium
in das Halbleitermaterial fließt. Schwer schmelzende Materialien, wie Molybdän, sind bei den Temperaturen, bei denen
die oL-haltvorrich tungen betrieben werden, verhältnismäßig
inert und haben daher keine Neigung in die benachbarten Halblfit erina t erialien zu wandern, mit denen sie in Berührung
stehen. Diese aktiven Halbleitermaterialien werden auch
im allgemeinen durch direkte Berührung mit elektrodenbildenden Materialien von makrokristalliner Natur schädlich beeinflußt,
da diese den erwünschten, im wesentlichen amorphen Charakter des Halblei tertna t erials zu verändern vermögen. Da
die untere und die obere elektrodenbildende Schicht 20 bzw. 22 aus einem amorphen hitzefesten Material hergestellt sind,
beeinträchtigen sie den amorphen Charakter der" Halbleiterschicht 18 nicht nachteilig und trennen diese von jeglichen
benachbarten Aluminiumschichten, die als darüber- oder darunterliegende
Stromleiter verwendet werden.
Die oberen Flächen der unteren Elektrode 20 und der im Abstand von dieser liegenden oberen Elektrode 22 der Schalt-
009819/1488. BAB 0RIG1NAL
Π -
vorrichtung 10' (Fig. k) liegen für den KlemmenanschluO
an der Oberseite der so gebildeten Vorrichtung frei. Da Ilatorialien, wie Molybdän, keine sehr guten Leiter sind,
wenn sie in Form dünner Schichten verwendet werden, wie hier beschrieben, kann an der Oberseite jeder Fläche der
Elektroden 20 und 22 ein hoch leitfähiges Material, wie
Aluminium, aufgetragen werden, wie im Falle der abgewandelten
und verbesserten Ausführungsfortn einer Schaltvorrichtung
10M gemäß Fig. 5 bis 7> auf die nun bezug genommen
wird* Dieser Schalter hat eine untere, eine Elektrode bil londe Schicht -K) von länglich rechteckiger Form, die
ruf einem Träger 23' gebildet ist. Über der die Elektrode
bildenden Schicht -1K) ist eine Schicht oder Insel k? aus
isolierfähigem Material, beispielsweise Aluminiumoxyd,
von rechteckiger Gestalt gebildet, und in dieser ist dnrch*
einen beliebigen geeigneten Atzvorgang eine Pore -^ 3 gebildet,
In'·-· schicht ;i.? aus isolier fähigem Material erstreckt Pich
fiber einer", dor liandkantentoile ^tOa der din Elektrode blldend.'U
Schicht '1IO und endet im kurzen Abstand vor dem gegeriübor
liegenden, .uaiulkun ten. teil 'lOb, sü daß die obere Fläche
eiiiiiJ Teiles 1IOc vollständig freiliegt. Über der Schicht 't2
auj isolierfähigem Material ist ein kleiner Bex'eich von
aktivem Halbleitermaterial UG gebildet, der sich in die Pore
Ό hinein erstreckt und mit der durch die Pore h3 freiliegenden
rläche der elektrodenbildenden Schicht 'K) in gut(!Ui mechanischem und elektrisclJleitendem Kontakt steht.
V/ie im Tall der vorher beschriebenen Schaltvorrichtung 10'
ist es erwünscht, wenn die Schicht '\2 aus isolierfähigem
Material den liandkantenteil kO^ der v,lektrodenbildenden
Schicht nicht voll verdeckt, eine dielektrische Verstürkungsschicht
hh vorzusehen, die den Randkantenbereich ^tOa
der elektrodenbildenden Schicht vollständig von einer oberen clektrodenbildonden Schicht ^7 trennt. Anders als bei der
Schaltvorrichtung 10' wird hier die Verstärkungsschicht hk
009819/1486 ' '* "
- lit -
nach der Isolierschicht k2 angebracht. Dann werden an der
oberen und an der unteren Fläche des Teiles ^Oc der die
untere Elektrode bildenden Schicht und an der die obere Elektrode bildenden Schicht k*} leitfähige Schichten h8 bzw.
hy, vorzugsweise Aluminium oder dergl, zur Bildung von
Anschlüssen oder Klemmen gebildet. Vorzugsweise ist die den Anschluß bildende Schicht ^9, die über die die
obere Elektrode bildende Schicht hj gelegt ist, eine
f-förmige Schicht mit einem lappenartigen Teil ;l9a, der sich
über das aktive Halbleitermaterial k6 erstreckt, und mit einem breiten Dalkenteil ^9b, der eine breite Fläche zum
Anlöten oder Befestigen eines äußeren Leiters auf andere Weise darbietet. Die die obere Elektrode bildende Schacht
kj ist ebenfalls eine T-förmige Schicht von gleichen Abmessungen
wie die darüberliogende T-förmige Anschlußschicht ^9· Die Anschlußschicht '48 hat eine längliche rechteckige
Form und hat annähernd die gleiche Größe wie der Dalkenteil ^9b der Anschlußschicht 49. Als Beispiel werden folgende
Abmessungen für eine Schaltvorrichtung 10" angegeben:
Größe der speichernden Vorrichtungen: 5 bis 30 /U Breite
Größe des von der Diode eingenommenen
Raumes: 25 bis 130/U Breite
Von den Transistoren eingenommene
Fläche: 25x5/U bis 1 50x200 ,u
Dicke der Aluminiumaufträge: 1 bis 5/U.
Dicke der Molybdänschichten: 0,3 bis 1 /U
Dicke der Isolierschicht: 1 bis 2/U
Dicke des speicherfähigen Halbleiter-
materials! 0,5 bis 1 /U
Die obenjbeschriebenen Schaltvorrichtungen 10' und 10"
werden auf einen Träger, wie Glas aufgetragen und si*nd so ausgebildet, daß sie von obenher anschließbar sind.
Für einen Anwendungsfall, bei dem die Schaltvorrichtung
- 15 0 0 981 9/ U 85 BADOR1G1NAt
aus einem Siliziumplättchen oder dergl, bestehenden Träger
aufgebracht werden und mit diesem in elektrisch leitender Verbindung stehen soll, was eine etwas abgewandelte Ausbildung
der Schaltvorrichtung bedingt, gelten Fig, 8 und 9» in denen eine durch Filmauftrag gebildete Schaltvorrichtung
10"' dargestellt ist, die aus einem dotierten Siliziumplättchen als Träger 62 oder dergl· gebildet ist, an dem
unmittelbar unter dessen oberer Fläche ein Leiter 63 gebildet
ist, der sich in einem Abstand von einem Transistor ό-Ί befindet und gegenüber diesem isoliert ist. Das in der
Zeichnung dargestellte Siliziumplättchen ist ein Körper vom p-Leitfähigkeitstyp, während der Leiter 63 ein n+-
dotierter Dereich ist. Der Halbleiterträger 62 ist, obwohl
er ftlr den Zweck der Transistorwirkung der Halbleitervorrichtung
6k als leitfähig angesehen werden kann, im wesentlichen ein Nichtleiter in bezug auf den benachbarten n+
dotierten Dereich 63. Auf dem Träger 62 befindet sich eine Isolierschicht oder ein Oxydfilm 66, in dem durch einen
geeigneten Atzvorgang Löcher oder Fenster 67a und 67b ausgeätzt sind, so daß der obere p-dotierte Dereich 6ha. des
Transistors 6h bzw« der n+ dotierte, den Leiter bildende Dereich 6j freigelegt ist. Innerhalb des Fensters 67b wird
eine Schicht 08 aus Aluminium oder dergl. aufgetragen, die
eine gute A'erbindung mit dem unteren n+ dotierten Leiter
eingehtV Die schaltvorrichtung 10"' wird dann über dem
isolierenden Film 66 und dem mit Aluminium gefüllten Fenster 67b in diesem gebildet.
Die Schaltvorrichtung 10"' weist eine eine untere Elektrode
bildende Schicht 68' aus einem amorphen schwer schmelzenden Material, beispielsweise Molybdän, auf, die Über der Aluminiumschicht
68 liegt und sich über diese hinaus über dem isolierenden
Film 66 erstreckt. Über der die Elektrode bildenden Schicht 68' wird eine isolierende Insel 69 angebracht, die
- 16 -.
0098 19/1485 BAD ORIGINAL.
eine Pore 69a aufweist, die nur teilweise mit einer dünnen
Schicht eines aktiven Halbleiterraaterials 70 gefüllt ist,
das seinerseits als dünne Schicht um die Pore 69a herum
und in dieser aufgetragen ist. Durch die teilweise Füllung der Pore wird jegliche Verbindung zwischen dem aktiven
Halbleitermaterial 70 innerhalb der Pore 69a mit dem kreisringförmigen
Teil 70a außerhalb der Pore verhindert.
Wenn daher eine die obere Elektrode bildende Schicht 71, vorzugsweise aus Molybdän oder dergl,, über dem aktiven
Halbleitermaterial, als verhältnismäßig dünne Schicht des
elektrodenbildenden Materials aufgetragen wird und die Kanten 70b des Halbleitermaterials nicht bedeckt, hat eine
Wanderung des Aluminiums in die freiliegenden Kanten des kreisringförmigen Teiles 70a, wenn sie auftritt, keinen
schädlichen Einfluß auf den Teil des aktiven Halbleitermaterials innerhalb der Pore 69a, Auf jeden Fall isoliert
das elektrodenbildende Material, das den aktiven Teil des Halbleitermaterials innerhalb der Pore bedeckt, diesen Teil
des Halbleitermaterials vollständig von einer darüberliegenden Schicht 72 aus Aluminium, Diese darüberliegende
Schicht 72 erstreckt sich, wie dargestellt, zu dem Transistor
6Ί durch das Fenster 67a zur Berührung mit der freien
p-Elektrode 6^a des Transistors 6k,
Die Schaltvorrichtung 10"' bietet eine Schwierigkeit bei
der Herstellung, denn es ist schwierig, Aluminium in die Fenster 67b einzubringen, ohne daß die Oberfläche dabei
oxydiert, was natürlich die elektrische Leitfähigkeit an der DerUhrungssteile zwischen dem Aluminium und der die
Elektrode bildenden Schicht 68' oberhalb derselben vermindern würde. Wenn es also erwünscht ist, eine elektrisch
leitende Verbindung zwischen der unteren Elektrode einer durch Auftrag gebildeten Ilalbleiterschaltvorrichtung und
einem Träger oder einem anderen darunter befindlichen elektrischen. Element herzustellen, ist es vorzuziehen, die
009819/U85 BAD t&IGINAL
verbesserte Konstruktion einer Schaltvorrichtung 10a gemäß Fig. 10 und 11 zu verwenden. Hier wird eine elektrodenbildende
Schicht 7h aus amorphem Molybdän oder dergl. über
dem isolierenden Film 66 an der einen Seite einer Öffnung 07b1 in dem Film gebildet, die als längliche Öffnung dargestellt
ist. Eine rechteckig ausgebildete isolierende Insel 76 mit einer Pore 76a wird dann über der. die Elektrode
bildenden Schicht 7k gebildet, so daß sie kurz vor der
Kante 7^a endet und deren obere Fläche 7^b freiläßt. Auf
diese isolierende Insel 76 wird nun eine Schicht 77 aus
aktivem Halbleitermater.ial in Deckung mit der Pore 76a
in dieser aufgetragen, so daß die Pore gefüllt wird (wobei angenommen ist, daß die relative Dicke der llalbleitersclricht
und der darüberliegenden elektrodenbildenden Schicht 73 so gewählt sind, daß keine freien Kanten geschaffen
werden, die die Konstruktion mit teilweise gefüllter Pore gemäß Fig. 8 und 9 erforderlich machen) und eine
elektrisch gut leitende Verbindung mit dem Teil der durch die Pore 76a freigelegten elektrodenbildenden Schicht 7^·
hergestellt wird. Die darauf aufzubringenden Schichten und 80 aus Aluminium oder einem anderen geeigneten leitfähigen
Material werden dann derart aufgebracht, daß sie sich mit den freien oberen Flächen der die untere bzw.
obere Elektrode bildenden Schicht 7k bzw. 78 in Berührung
befinden, wobei die Schicht 80 sich in die längliche Öffnung 67b' hinein erstreckt und mit dem n+ Bereich 63' in dem
Träger 62 elektrisch leitend in Berührung steht. Die leitfjihigo
Schicht 80 bildet also einen Körper aus leitfähigem Material 80c, der den freien Zwischenraum zwischen der
elektrodenbildenden Schicht 7k und dem n+ Bereich 63·
überbrückt. Bei dieser verbesserten Ausbildung gemäß der Erfindung hat ein Oxydieren der oberen Fläche der Über-
brückungsschicht 80 aus leitfähigem Material keinen nachteiligen
Einfluß auf die so gebildete Schaltvorrichtung, denn es ist keine stromleitende Trennfläche an der Oberseite
- 18 -
Q09819/U8S
der Schicht 80 vorhanden· Obwohl Im Zusammenhang mit Fig.
8 bis 11 von Bereichen vom Typ η bzw· ρ die Rede war,
können diese Bereiche natürlich von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp sein wie die dargestellten und beschriebenen·
Die Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschaltvorrichtungen 10, 10', 10" und 10"' laut obiger Beschreibung
liefern in befriedigender und wirksamer Weise Schaltvorrichtungen mit den gewünschten elektrischen Eigenschaften«
Bs muß jedoch große Sorgfalt darauf verwendet werden,
zu verhindern, daß Verunreinigungen an die kritischen Trennflächen zwischen den Elektroden der Schaltvorrichtungen
und das aktive Halbleitermaterial gelangen« Um dieses Problem zu beseitigen, können die Schaltvorrichtungen des
hier dargestellten und beschriebenen Typs in der in Fig·
12, 13 und 14 beschriebenen Weise hergestellt werden. Hier
werden, wie bereite beschrieben, eine untere Elektrode aus amorphem Molybdän oder dergl« und eine isolierende
Insel 92 mit einer Pore 93 an dem Träger 91 in beliebiger geeigneter Weise, wie oben beschrieben, gebildet. (Wenn
der Träger 91 mehrere durch Auftrag gebildete Schaltvorrichtungen aufweisen soll, wird die gewünschte Anordnung
von Elektroden 90 und isolierenden Inseln 92 der Sehaltvorrichtungen an dem Träger gebildet)«
Der so gebildete Träger wird dann in ein Vakuumsystem, vorzugsweise in eine Kathodenzerstäubungskammer eingebracht,
in der er zur Kathode in einen R.F.-Kathodenzerstäubrnngsprozeß wird, in welchem die freiliegenden Oberflächen
des Trägers einem Ionenbeschuß ^ausgesetzt werden, so daß
mögliche verunreinigte Oberflächen des Trägers 91, der
unteren Elektrode 90 und der isolierenden Insel 92 beseitigt werden« Ohne die Vakuumdichtung zu brechen, werden dann aufeinanderfolgende Schichten 9k und 95 aus aktiven halbleiter- und elektrodenbildenden Materialien über die gesamte
009819/1485 bad origjnal
Oberfläche dee Trägere aufgedampft oder durch Kathodenzerstäubung aufgebracht, so daß die Poren 93 sämtlicher
Sehaltvorrichtungen, an denen das aktive Hallbeitermaterial
Anteil haben soll, gefüllt oder teilweise gefüllt werden und das aktive Halbleitermaterial sit elektradenbildendem
Material bedeckt wird« Die kritischen Trennflächen zwischen den halbleiter- und elektrodenbildenden Materialien werden
vollständig von der Umgebung isoliert, und nun kann der Träger aus der Behandlungekammer herausgenommen werden« Nun
wird eine lichtempfindliche Schutsmasse über die gesamte Fläche der elektrodenbildenden Schicht aufgetragen und durch
geeignete fototechnische Verfahrensweisen werden präzise ausgewählte Bereiche« beispielweise der Bereich 96a der
Schicht 96, belichtet, so daß die Potoschutzmasse fixiert
wird, undldie Jenigen Bereiche der Fotoechutzmasse, die über
den Teilen der halbleiter- und elektrodenbildenden Schichten liegen, «ollen dee betreffende Schaltvorrichtung bilden·
Die nicht belichteten Bereiche der Fotoschutzmasae werden dann beeeitigt, und der Träger bleibt mit dem in Fig. 12
gezeigten Aufbau zurück«
Dann folgt ein selektives Ätzen unter Verwendung geeigneter Chemikalien oder dergl«, die vorzugsweise zunächst nur auf
das elektrodenbildende Material und erst dann auf das Halbleitermaterial einwirken (Fig. 13, 14) und diejenigen Teile,
die nicht von der Schutzmasse bedeckt sind, werden entfernt.
Dementsprechend sind die Halbleitervorrichtungen mit Porenkonstruktion, die oben an Hand einiger Aueführungsformen
beschrieben wurden, sowie die Verfahren zur Herstellung solcher Vorrichtungen laut obiger Beschreibung in gleicher
Weise von Nutzen, wenn eine einzelne Vorrichtung oder mehrere getrennte Vorrichtungen auf Trägern aufgebaut werden sollen,
die iron diesen getrennt werden können oder aufeeinem eolchen
- 20 -009819/1485 ,-■ BADOR1G1NAL
Träger verwendet werden sollen, um eine vollständige
Integrierte elektronische Schaltung, wie eine Matrix oder
dergl, zu bilden.
Natürlich können Abwandlungen ohne Abweichen vom Erfindungsgedanken
in mannigfaltiger Weise vorgenommen werden.
Patentansprüche
009819/U86 " 21 -
Claims (1)
- - 21 PatentansprücheM,JDurch Filmauftrag· erzeugte Halbleitervorrichtung, ge- ^""^ kennzeichnet durch eine leitfähige elektrodenbildende Fläche; einen \uftrag aus isolierfänigem Material über einem begrenzten Bereich der elektrodenbildenden fläche und mit einer darin gebildeten Pore* durch die ein kleiner Bereich der elektrodenbildenden Fläche freigelegt ist; einen \uftrag aus aktivem Halbleitermaterial, das zwischen einem im wesentlichen leitfähigen und einem im wesentlichen nicht leitfähige η Zustand veränderbar ist und mindestens den inneren Teil der Poren derart füllt, daß es sich mit dem Bereich des elektrodenbildenden leitfähigen Materials in Berührung befindet; und einen Auftrag eines elektrodenbildenden leitfähigen Materials über dem Auftrag aus aktivem Halbleitermaterial, der" dieses zur Bildung einer zweiten Elektrode für das Halbleitermaterial elektrisch leitend berührt..?. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die Pore eine Breite von ca. 5 bis hO ,u hat.3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das aktive Halbleitermaterial ein Auftrag auf dem Auftrag aus isolierfähigem Material, innerhalb dessen Begrenzungen, ist und sich in die Pore hinein erstreckt und diese mindestens teilweise ausfüllt,^t. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß das aktive Halbleitermatex'ial ein Körper eines im wesentlichen ungeordneten und amorphen. Ilalbleitermaterials ist, von dem nur Teile in einen leitfähigen Zustand umgeschaltet werden, und daß mindestens entweder die elektrodenbildende Fläche*bzw. kleinen Aussparung '- 22-009819/U85 BAD 0RIGinaloder der Auftrag aus elektrodenbildendem leitfähigem Material aus einem im wesentlichenamorphen Material hergestellt ist,3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch k, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl die elektrodenbildende Fläche als auch der Auftrag aus elektrodenbildendem leitfähigem Material im wesentlichen amorphe Materialien sind,6» Halbleitervorrichtung nach einem der \nsprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial von allgemein hohem Widerstand ist, so daß es den Durchgang von Strom durch dieses sperrt, und daß der Teil des Halbleitermaterials, der in den leitfähigen Zustand übergeführt wird, ein fadenförmiger Pfad zwischen den Elektroden der Vorrichtung ist, der als Folge des Anlegens einer Spannung oberhalb einer Schwellensparmung an das Material gebildet wird,7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der fadenförmige Pfad niedrigen Widerstandes in den Sperrzustand hohen Widerstandes zurückkehrt, wenn der· Stromdurchgang durch das Halbleitermaterial unter einen Mindeststrom sinkt,, Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis J, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens entweder diederelektrodenbildende Fläche ode^ auftrag aus elektrodenbildendem Material das aktive Halbleitermaterial von einer stromleitenden Hauptschicht aus nicht hitzebeständigem Material trennt, das sonst den Auftrag aus aktivem Halbleitermaterial schädlich beeinflussen könnte, und daß mindestens entweder die elektrodenbildende Flächeder
oder elektrodenbildende Auftrag aus hitzebeständigem Material beeteht.BAD RI - 23 009819/U85"9. Halbleitervorrichtung nach Vnspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das hitzebeständige Material ein Material ist, das aus der Gruppe, bestehend aus Tantal, Niob, Wolfram, Molybdän, und Metalloxyden, -carbiden und -sulfiden ausgewählt ist.10, Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9 ι dadurch gekennzeichnet, daß die elektrodenbildende Fläche und der Auftrag aus elektrodenbildendetn Material je eine andere Fläche des aktiven Halbleitermaterials von der stromleitenden Ilauptschicht aus nicht hitzebeetändigem leitfähigem Material trennt, das sonst den Auftrag aus aktivem Halbleitermaterial schädlich beeinflussen könnte, wenn es sich in direkter Berührung mit diesem befände, und daß mindestens eine elektrodenbildende Fläche oder ein Auftrag aus olektrodenbildendeni Material ein hitzebestfindiges leitfähiges Material ist.11. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung einen Körper aus oinem Material aufweist, der eine isolierende Fläche hat, über dor eine untere i-chicht aus eloktrodenbildeiidcm Material aufgetragen ist, das die elektrodenbildeude Fläche bildet, daß die Schicht aus elektrodenbildondem Material oine erhabene Kante aufweist, über die der Auf-trag aus isolierfähigem Material sich erstreckt; daß der Auftrag aus elektrodeubildendein Material, der die zweite Elektrode bildet, ebenfalls über dem Auftrag aus isolierfähigem Material liegt und sich über diesen hinaus an der erhabenen Kante der Schicht erstreckt; und daß eine Verstärkungsschicht aus isolierfähigem Material zwischen dem darUberliegenden Auftrag des elektrodenbildenden Materials und der unteren Schicht aus elektrodenbildendetn Material vorgesehen ist, die über der erhabenen Kante liegt und diese bedeckt und isoliert.BAD 009819/U85 - 2k -- 2k -12. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrodenbildende Fläche sich über den Auftrag aus isolierfähigem' Material hinaus erstreckt, so daß ein Teil der oberen Fläche desselben für den Klemmenanschluß freiliegt, und daß getrenntetlberoxydierte Schichten aus leitfähigem Material/dem freiliegenden Teil der elektrodenbildenden Fläche bzv.·. über dem Auftrag aus elektrodenbildendem Material liegen·13. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus oxydiertem Material, die den freiliegenden Teil der elektrodenbildenden Fläche bedeckt, sich über diese hinaus erstreckt und mit ihrer unteren Fläche ein außerhalb der Halbleitervorrichtung liegendes Bauelement der Schaltung berührt.1*i. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 13i dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus oxydiertem Material ein nicht hitzebeständiges Metall ist, daß die elektrodenbildende Fläche von einer Schicht eines hitzebeständigen Materials an einen isolierfähigem Film über einem Halbleiterträger ist, dessen einer Teil das Bauelement der Schaltung bildet, mit dem ein Teil der Schicht aus hitzebständigem Material gekoppelt werden soll, mit dem es jedoch keine feste Verbindung eingehen kann, wenn es direkt daran angebracht wird, und daß die den freien Teil der elektrodenbildenden Fläche bedeckende Schicht aus oxydiertem Material sich zur Herstellung einer festen elektrisch leitenden Verbindung bis zu deindas Bauelement bildenden Teil des Trägers erstreckt.15« Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 1h, dadurch gekenazeichnet, daß die elektrodenbildende Fläche009819/U85195A967von einer Schicht aus elektrodenbildendem Material mit einem über den Auftrag aus isolierfähigem Material hinaus vorspringenden Teil und einem Auftrag aus einem Material zur Bildung einer Anschlußklemme gebildet ist, das über dem Teil des elektrodenbildenden Materials liegt.16, Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 15» dadurch gekennzeichnet, daß der fadenartige Stromleitungspfad mit zunehmender Stromstärke des hindurchfließenden Stromes am Querschnitt zunimmt und daß die Pore einen Querschnitt hat, der in der Größenordnung des größten beim Stromdurchgang zu erwartenden Querschnittes des fadenförmigen Pfades liegt.17· Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 15» dadurch gekennzeichnet, daß der Querschnitt des fadenförmigen Stromleitungspfades mit der Stromstärke des hindurchfließenden Stromes zunimmt und die Pore einen Querschnitt hat, der in der Größenordnung des Quer-des
schnittes i'adenförmigen Stromleitungspfades liegt.13. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis I7» dadurch gekennzeichnet, daß die elektrodenbildende fläche eine Schicht aus einem elektrodenbildenden Material* ist, die auf einen Film aus Isoliermaterial über einemniedergeschlagen Körper aus einem bauelementbildenden Material/ist, daß durch eine Öffnung in dem isolierfähigen Film der Körper aus bauelementbildendem Material freigelegt ist, und daß eine leitfähige Einrichtung die Schicht aus elektrodenbildendem Material mit dem Körper aus bauelementbildendem Material durch diese Öffnung hindurch verbindet,19· Halbleitervorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus elektrodenbildendem Material- 26 -009819/U85ein hitzebeständiges Material ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Tantal, Niob, VoIfram, Molybdän und Metalloxyden, -carbiden und -sulfiden besteht, und daß die leitfähige Einrichtung ein Auftrag aus einem nicht hitzebeständigen leitfähigen Material ist.20. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 19t dadurch gekennzeichnet, daß ein Außenleiter vorgesehen ist, der frei von direkter körperlicher Berührung mit dein Halbleitermaterial gehalten werden soll, ,jedoch an dieses elektrisch leitend angeschlossen v/erden soll, daß der Auftrag aus aktivem Halbleitermaterial die Pore nur teilweise füllt und daß der Auftrag aus elektrodenbildendem leitfähigem Material, der die zweite Elektrode bildet, sich in die Pore hinein erstreckt und mit dem aktiven Halbleitermaterial innerhalb der Poro in Berührung steht und daß der äußere Leiter über diesem Auftrag liegt.21. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß der Außenleiter aus Muminium ist,22. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 21 , dadurch gekennzeichnet, daß über der Schicht aus Isoliermaterial um die Pore herum ein Körper aus Halbleitermaterial liegt, der sich in die Pore hinein erstreckt,23· Halbleitervorrichtung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper aus Halbleitermaterial Strom in beiden Richtungen leitet und daß die Schwellenspannung von der Polarität der angelegten Spannung unabhängig ist.2k, Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 23» dadurch gekennzeichnet, daß über einem Teil der elektrodenbildenden Fläche und über dem Auftrag aus elektroden-009819/U8B BAD.oronaL' - 27 -bildendem loitfähigem Material je eine leicht oxydierbare Schicht aus leitfähigem Material liegt, die nur an deren äußerer Fläche oxydiert ist.25. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2h, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus oxydiertem leitfähigem Material, die den freiliegenden Teil der elektrodenbildenden Fläche bedeckt, sich über diese hinaus erstreckt und mit einem außerhalb der Halbleitervorrichtung angeordneten Bauelement in elektrisch leitender Qertlhrung steht«26. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 251 dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus oxydiertem leitfähigem Material ein nicht hitzebeständiges Metall ist, daß die elektrodenbildende Fläche von einer Schicht eines elektrodenbildenden Materials gebildet ist, das auf einem einen Halbleiterträger bedeckenden, isolierenden Film aufgetragen ist, von dem ein Teil das Bauelement der Schaltung bildet, an dem die letztere Schicht aus elektrodenbildendem Material angeschlossen werden soll, daß die letztere Schicht aus elektrodenbildendem Material unfähig ist, eine gute Verbindung einzugehen, wenn es daran direkt angebracht wird, und daß das an Luft oxydierte leitfähige Material, das die elektrodenbildendeFläche bedeckt, sich zu dem einen Teil des Halbleiterträgers bildenden Bauelement der Schaltung erstreckt.27. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrode und der Auftrag aus isolierfähigem Material von übereinstimmender Größe, Gestalt und Anordnung sind.28. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß auf eine leitfähige Fläche,- ' 23 -009819/U85die eine innere Elektrode für die Vorrichtung bildet, eine Schicht aus isolierfähigem Material aufgetragen wird; daß in der Schicht aus ieolierfähigem Material eine Pore gebildet wird, so daß ein gewünschter Bereich der leitfähigen Fläche freigelegt wird; daß innerhalb der Ränder der isolierfähigen Schicht und Über der Pore eine Schicht aus aktivem Halbleitermaterial gebildet wird, so daß es mit der durch die Pore freigelegten leitf£higen Fläche in Berührung steht; und daß über der Schicht aus aktivem Halbleitermaterial in der Pore eine Schicht aus elektrodenbildendem Material gebildet wird, das eine äußere Elektrode für die Vorrichtung fetlde««29· Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß das aktive Halbleitermaterial ein im wesentlichen amorphes Material ist und daß mindestens eine der Elektroden in einem im wesentlichen amorphen Zustand aufgetragen wird.30« Verfahren nach Anspruch 29» dadurch gekennzeichnet, daß Mindestens eine dsr Elektroden eine Schicht aus hitasebeständigem Material ist, das aus der Gruppe, bestehend aus Tantal, Mob, Wolfram, Molybdän, und hitzebeständigen Metallcarbiden, -oxyden und -sulfiden ausgewählt ist.einem der 750 31« Verfahren nach/Ansprüche 28/, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrodenbildende Fläche sich über die Schicht aus isolierfähigem Material hinaus erstreckt, so daß ein Teil der oberen Fläche derselben freiliegt und daß gleichseitig leitfähige Anschlüsse oder Klemmen auf die freiliegenden Teile der ersten und zweiten Elektrode aufgetragen werden.32. Verfahren nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, daßBAD ORIGINAL ~ 29 " 009819/U85■'■■'■ - 29 -die AnschluOaufträge aus Aluminium bestehen.einem der · , -J>Q
33. Verfahren nach/.msprüche 28/ dadurch gekennzeichnet, daß das aktive Halbleitermaterial derart aufgetragen wird, daß es die Pore nur teilweise füllt und daß das elektrodenbildende leitfähige Material, das die äußere Elektrode bildet, sich in die Pore hinein erstreckt und mit dem aktiven Halbleitermaterial innerhalb dor Pore in Berührung steht.3-Ί. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem aktiven Halbleitermaterial, das über mindestens einer elektrodenbildenden Schicht auf der Fläche eines Trägers aufgetragen wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger in einen vorunreinigungsfreien Raum gebracht wird; daß die freien Oberflächenteile der elelctrodenbildendeti Schicht beseitigt werden; daß allgemein über dem Träger uud über der elektrodenbildenden Schicht das aktive Halblei tex^maberial aufgetragen wird; daß über ausgewählte Dereiche des aktiven Halbleitermaterial eine Maske (Schablone) gelegt wird, die nur diejenigen Teile desselben bedeckt, die das Halbleitermaterial in der fertiggestellten Vorrichtung einnehmen soll, und daß die durch die Ilaske nicht abgedeckten Teile des aktiven Ilalbleitermaterials ausgewählt beseitigt werden.Ί5. Verfahren nach Anspruch 3^» dadurch gekennzeichnet, daß die fx^eie Fläche durch Beschüß derselben mit Ionen beseitigt wird,36, Verfalueu nach \n3pruch 3^1 dadurch gekennzeichnet, daß vor- dem Einbringen in den verunreinigungsfreien linrim über der mindestens einen elektrodenbildenden eine Schicht aus isolierfähigein Material ge-„30 _ BAD ORIGINAL 009819/1486- 30 -bildet wird, die einen begrenzten Dereich dos Trägers bedeckt und eine Pore aufweist, die einen kleinen ^ Bereich der leitfähigen Schicht freilegt, daß das aktive Halbleitermaterial über dem Träger derart aufgetragen wird, daß es auch die Schicht aus isolierfähigem Material bedeckt, daß innerhalb des verunreinigungsfrolen Raumes und über der aktiven Ilalbleiterschicbt eine zweite Schicht aus einem leitfähigen elektrodenblldonden Material aufgetragen wird, daß die Maske über ausgewählten Dereichen des über mindestens den die Pore enthaltenden Teil der Isolierschicht liegenden Teiles der zweiten elektroden" bildenden Schicht und der aktiven Ilalbloitorschicht angebracht wird und die Teile der zweiten elektroden bildenden Schicht, die nicht von der Maske verdeckt sind, beseitigt werden·37· Verfahren nach Anspruch 36, dadurch gokemnzoichne t, daß mindestens eine leitfähige elektrodenbildonde Schicht auf dem Träger und die darüberliegendo zweite leitfähige elektrodenbildende Schicht aus dem gleichen Material sind und daß die Deseitigung der von der Maske nicht verdeckten Teile der Schicht des aktiven HaIbleitermateriala und der darüberliegenden leitfähigen elektrodenbildenden Schicht ein zweistufiger Xtzvorgang ist, bei dem beim ersten Atzen nur die darüberliegende leitfähige elektrodenbildendo Schicht und beim nachfolgendem Atzen nur das aktive Halbleitermaterial angegriffen wird.BAD ORtGlNAL 009819/1485
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US77301368A | 1968-11-04 | 1968-11-04 | |
US80699469A | 1969-03-13 | 1969-03-13 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1954967A1 true DE1954967A1 (de) | 1970-05-06 |
DE1954967B2 DE1954967B2 (de) | 1974-05-02 |
DE1954967C3 DE1954967C3 (de) | 1974-11-28 |
Family
ID=27118688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1954967A Expired DE1954967C3 (de) | 1968-11-04 | 1969-10-31 | Halbleiterbauelement zum Schalten und Verfahren zu dessen Herstellung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3675090A (de) |
BE (1) | BE741171A (de) |
DE (1) | DE1954967C3 (de) |
FR (1) | FR2024104A1 (de) |
GB (1) | GB1293152A (de) |
NL (1) | NL6916601A (de) |
SE (1) | SE363429B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2228931A1 (de) * | 1971-06-22 | 1972-12-28 | Ibm | Integrierte Halbleiteranordnung mit mindestens einem materialverschiedenen Halbleiterübergang |
DE4104718A1 (de) * | 1990-02-19 | 1991-08-29 | Toko Inc | Wendelfilter |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3827073A (en) * | 1969-05-01 | 1974-07-30 | Texas Instruments Inc | Gated bilateral switching semiconductor device |
US3876985A (en) * | 1971-04-30 | 1975-04-08 | Energy Conversion Devices Inc | Matrix of amorphous electronic control device |
US3906537A (en) * | 1973-11-02 | 1975-09-16 | Xerox Corp | Solid state element comprising semi-conductive glass composition exhibiting negative incremental resistance and threshold switching |
US3956042A (en) * | 1974-11-07 | 1976-05-11 | Xerox Corporation | Selective etchants for thin film devices |
US3918032A (en) * | 1974-12-05 | 1975-11-04 | Us Army | Amorphous semiconductor switch and memory with a crystallization-accelerating layer |
US4494136A (en) * | 1979-10-04 | 1985-01-15 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Semiconductor device having an amorphous metal layer contact |
US4350994A (en) * | 1979-10-04 | 1982-09-21 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Semiconductor device having an amorphous metal layer contact |
DE3172935D1 (en) * | 1980-02-28 | 1986-01-02 | Toshiba Kk | Iii - v group compound semiconductor light-emitting element and method of producing the same |
FR2478879A1 (fr) * | 1980-03-24 | 1981-09-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de dispositifs a effet memoire a semi-conducteurs amorphes |
GB2097023B (en) * | 1980-08-28 | 1985-08-14 | Wisconsin Alumni Res Found | Use of metallic glasses for fabrication of structures with submicron dimensions |
US4471376A (en) * | 1981-01-14 | 1984-09-11 | Harris Corporation | Amorphous devices and interconnect system and method of fabrication |
US4479088A (en) * | 1981-01-16 | 1984-10-23 | Burroughs Corporation | Wafer including test lead connected to ground for testing networks thereon |
US4736229A (en) * | 1983-05-11 | 1988-04-05 | Alphasil Incorporated | Method of manufacturing flat panel backplanes, display transistors and displays made thereby |
US4651185A (en) * | 1983-08-15 | 1987-03-17 | Alphasil, Inc. | Method of manufacturing thin film transistors and transistors made thereby |
US5367208A (en) * | 1986-09-19 | 1994-11-22 | Actel Corporation | Reconfigurable programmable interconnect architecture |
JPS6381948A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Toshiba Corp | 多層配線半導体装置 |
US5097232A (en) * | 1989-06-16 | 1992-03-17 | Environmental Research Institute Of Michigan | Transmission lines for wafer-scale integration and method for increasing signal transmission speeds |
US5989943A (en) * | 1989-09-07 | 1999-11-23 | Quicklogic Corporation | Method for fabrication of programmable interconnect structure |
US5502315A (en) * | 1989-09-07 | 1996-03-26 | Quicklogic Corporation | Electrically programmable interconnect structure having a PECVD amorphous silicon element |
US5614756A (en) * | 1990-04-12 | 1997-03-25 | Actel Corporation | Metal-to-metal antifuse with conductive |
US5780323A (en) * | 1990-04-12 | 1998-07-14 | Actel Corporation | Fabrication method for metal-to-metal antifuses incorporating a tungsten via plug |
JPH06505368A (ja) * | 1991-01-17 | 1994-06-16 | クロスポイント・ソルーションズ・インコーポレイテッド | フィールドプログラム可能なゲートアレイに使用するための改良されたアンチヒューズ回路構造およびその製造方法 |
US5100827A (en) * | 1991-02-27 | 1992-03-31 | At&T Bell Laboratories | Buried antifuse |
US5322812A (en) * | 1991-03-20 | 1994-06-21 | Crosspoint Solutions, Inc. | Improved method of fabricating antifuses in an integrated circuit device and resulting structure |
EP0509631A1 (de) * | 1991-04-18 | 1992-10-21 | Actel Corporation | Antischmelzsicherungen mit minimalischen Oberflächen |
US5557136A (en) * | 1991-04-26 | 1996-09-17 | Quicklogic Corporation | Programmable interconnect structures and programmable integrated circuits |
US5196724A (en) * | 1991-04-26 | 1993-03-23 | Quicklogic Corporation | Programmable interconnect structures and programmable integrated circuits |
US5701027A (en) * | 1991-04-26 | 1997-12-23 | Quicklogic Corporation | Programmable interconnect structures and programmable integrated circuits |
US5233217A (en) * | 1991-05-03 | 1993-08-03 | Crosspoint Solutions | Plug contact with antifuse |
AU1904992A (en) * | 1991-05-10 | 1992-12-30 | Quicklogic Corporation | Amorphous silicon antifuses and methods for fabrication thereof |
US5329153A (en) * | 1992-04-10 | 1994-07-12 | Crosspoint Solutions, Inc. | Antifuse with nonstoichiometric tin layer and method of manufacture thereof |
US5485031A (en) * | 1993-11-22 | 1996-01-16 | Actel Corporation | Antifuse structure suitable for VLSI application |
US5510629A (en) * | 1994-05-27 | 1996-04-23 | Crosspoint Solutions, Inc. | Multilayer antifuse with intermediate spacer layer |
US5663591A (en) * | 1995-02-14 | 1997-09-02 | Crosspoint Solutions, Inc. | Antifuse with double via, spacer-defined contact |
US5789764A (en) * | 1995-04-14 | 1998-08-04 | Actel Corporation | Antifuse with improved antifuse material |
EP0774164A1 (de) * | 1995-06-02 | 1997-05-21 | Actel Corporation | Antisicherung mit erhöhten wolfram-stiften und herstellungsverfahren |
US6125062A (en) * | 1998-08-26 | 2000-09-26 | Micron Technology, Inc. | Single electron MOSFET memory device and method |
US6590797B1 (en) | 2002-01-09 | 2003-07-08 | Tower Semiconductor Ltd. | Multi-bit programmable memory cell having multiple anti-fuse elements |
JP4480649B2 (ja) * | 2005-09-05 | 2010-06-16 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | ヒューズ素子及びその切断方法 |
KR100687750B1 (ko) * | 2005-09-07 | 2007-02-27 | 한국전자통신연구원 | 안티몬과 셀레늄 금속합금을 이용한 상변화형 메모리소자및 그 제조방법 |
US8759669B2 (en) * | 2011-01-14 | 2014-06-24 | Hanergy Hi-Tech Power (Hk) Limited | Barrier and planarization layer for thin-film photovoltaic cell |
US9543515B2 (en) * | 2013-11-07 | 2017-01-10 | Intel Corporation | Electrode materials and interface layers to minimize chalcogenide interface resistance |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3271591A (en) * | 1963-09-20 | 1966-09-06 | Energy Conversion Devices Inc | Symmetrical current controlling device |
US3436624A (en) * | 1965-06-01 | 1969-04-01 | Ericsson Telefon Ab L M | Semiconductor bi-directional component |
US3418619A (en) * | 1966-03-24 | 1968-12-24 | Itt | Saturable solid state nonrectifying switching device |
US3409809A (en) * | 1966-04-06 | 1968-11-05 | Irc Inc | Semiconductor or write tri-layered metal contact |
US3480843A (en) * | 1967-04-18 | 1969-11-25 | Gen Electric | Thin-film storage diode with tellurium counterelectrode |
US3519901A (en) * | 1968-01-29 | 1970-07-07 | Texas Instruments Inc | Bi-layer insulation structure including polycrystalline semiconductor material for integrated circuit isolation |
JPS5026292Y1 (de) * | 1968-01-29 | 1975-08-06 |
-
1969
- 1969-10-17 US US867341A patent/US3675090A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-10-28 GB GB52760/69A patent/GB1293152A/en not_active Expired
- 1969-10-31 DE DE1954967A patent/DE1954967C3/de not_active Expired
- 1969-11-03 FR FR6937761A patent/FR2024104A1/fr not_active Withdrawn
- 1969-11-03 BE BE741171D patent/BE741171A/xx unknown
- 1969-11-03 SE SE15009/69A patent/SE363429B/xx unknown
- 1969-11-04 NL NL6916601A patent/NL6916601A/xx unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2228931A1 (de) * | 1971-06-22 | 1972-12-28 | Ibm | Integrierte Halbleiteranordnung mit mindestens einem materialverschiedenen Halbleiterübergang |
DE4104718A1 (de) * | 1990-02-19 | 1991-08-29 | Toko Inc | Wendelfilter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6916601A (de) | 1970-05-08 |
US3675090A (en) | 1972-07-04 |
FR2024104A1 (de) | 1970-08-28 |
DE1954967B2 (de) | 1974-05-02 |
DE1954967C3 (de) | 1974-11-28 |
SE363429B (de) | 1974-01-14 |
GB1293152A (en) | 1972-10-18 |
BE741171A (de) | 1970-04-16 |
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---|---|---|
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