DE1942374A1 - Verfahren zur Schaffung Ohmscher Kontakte an verschiedenen Zonen einer Halbleiterscheibe - Google Patents

Verfahren zur Schaffung Ohmscher Kontakte an verschiedenen Zonen einer Halbleiterscheibe

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DE1942374A1 DE19691942374 DE1942374A DE1942374A1 DE 1942374 A1 DE1942374 A1 DE 1942374A1 DE 19691942374 DE19691942374 DE 19691942374 DE 1942374 A DE1942374 A DE 1942374A DE 1942374 A1 DE1942374 A1 DE 1942374A1
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Description

Gase No. 469
U.S. Serial No. 754,049
Filed August 20, 1968
Hewlett Packard, Palo Alto, California 94304, USA
Verfahren zur Schaffung Ohmscher Kontakte an verschiedenen Zonen einer halbleiterscheibe.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Schaffung Ohmscher Kontakte an verschiedenen Zonen einer Halbleiterscheibe, von denen wenigstens eine erste Zone stärker dotiert und flacher ist als eine zweite Zone.
Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Schaffung Ohmscher Kontakte von "fiachdiffundierten" Transistoren kleiner Abmessungen wie z.B. npn-Transistoren vom Doppeldif.:usionstyp für den Mirkowellenbereich.
Ferner betrifft die Erfindung ein Ätzmittel, das bei diesem Verfahren zur Schaffung von Kontakten verwendet werden kann.
Bei einem npn-Mirkowellentransistor vom Doppeldiffusionstyp wird die Emitterzone in die Basiszone eindiffundiert, und zwar durch eine Öffnung in einer aus einem Oxid bestehenden Abdeckschicht, die auf der Halbleiterscheibe, in welcher der i'ransistör gebildet wird, angeordnet wird. Die Emitterzone wird typisch sehr flach bis zu einer Tiefe von nur etwa 1500 bis 2000 Angström eindiffundiert·
Bei einem bekannten Verfahren zur Schaffung Ohmscher Kontakte an einem solchen kleinen, "fiachdiffundierten" Transistor wird Platin durch die Emitterdiffundierungsöffnung in ,der Abdeckschicht aus Oxid hindurch mit der Emitterzone und durch eine oder mehrere Basiskontaktöffnungen in der Abdeckschient hindurch mit der Basiszone legiert· Wegen der geringen Abmessungen eines Mikrowellentransistors vom Doppeldiffusionstyp und wegen der extrem flachen Diffundierung seiner Emitterzone liegt jedoch, der Rand der Emitterdiffundierungsöffnung in der Abdeckschicht so nahe beim Emitter-Basis-tJberg&ng an der Scheibenoberflache, daß
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dieser übergang durch eine horizontal-änderung· des während des Legierungsvorganges gebildeten Fiatinsilicids häufig kurzgeschlossen wird. Wenn zudem der Legierunsvorrang nicht sehr Sorgfaltig.überwacht und geregelt wird, kann auch eine Vertikalwanderung des Platinsilicids den Lmitter-Basis-ubergang; kurzschließen.
bei einem anderen bekannten Verfahren zur> Schaffung Ohmscher Kontakte an einem npn-Kirkowellentransistor vom Doppeldiffundierungstyp wird Aluminium mit den Basis- una Kmitterzonen legiert. Zusätzlich zu den oben beschriebenen Problemen der Horizontal:- und Vertikalwanderung reagiert Aluminium aber mit der Oxidschicht, die beim Verfahren zur Schaffung der Ohmscnen Kontakte als Abdeckschicht typisch verwendet wird. Die \7ahrsciieinlichkeit, daß bei der Legierung der .rjnir ter-üasis-übergang kurzgeschlossen wird, ist daher bei Aluminium noch größer als bei Platin. Außerdem ist es mit Aluminium schwierig, einen guten Ohmschen Kontakt für n-leitende£ Silicium zu schaffen.,
Demgemäß bezweckt die Erfindung vor allem, ein öin hohes Fertigungsergebnis ermöglichendes Verfahren sur Schaffung zuverlässiger Ohmscher Kontakte an kleinen, flachdiffundierten Halbleitersystemen und insbesondere doppeltdiffundierten ηρη-1·ίϋα?ο-wellentransistoren anzugeben, bei dem die beschriebenen. Nachteile der bekannten Verfahren vermieden werden»
Zu diesem Zweck wird gemäß der Erfindung bei einem l'ran*- sistor der genannten Art über der ϊ-'mitterdiffundierungsöffnung in der aus einem Oxid bestehenden Abdeckschicht, die bei der Ausbildung der η-leitenden Emitterzone des iransistors benötigt würde, eine vergleichsweise dünne Oxidabdeckschicht gebildet» Dann werden in diesen Abdeckschichten Basiskontaktöffnungen vorgesehen. Kit der nun freiliegenden p-leitenden Basiszone wird Platin legiert, wodiirch. Unterkontakte aus Platinsilicid ent stehen« Die dünne Oxidabdeckschicb-t, welche die Smitterdiffundieruiigsöffnung in der anderen Abdeckschicht bedeckt, verhindert, daß sich Platinsilicid in der Emitterzone bildet und horizontal oder vertikal den Emitter-Basis-Übergang kurzschließt. Machdem die Unterköntajkte aus Platinsilicid (für die Basiszone) gebildet worden sind, wird die dünne, die Emitterdifrundieriiagsöfiirdng bedeckende^Oxiäabdeckschicht beseitigt. !Tun werden Yergleichswei-
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se dicke Lolybdan-Cold-Eontakte auf der freigelegt.η η-leitenden !Emitterzone und auf den Basisunterkontakten aus Platinsilicid geschaffen. I?al?.s die -Jraitxersone so dotiert wird, daß sich eine
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konzentration von 1ü /cin^ odor darüber errribt, haftet der auf sie auf:;esprüchte oder aufp-estäubte Lolybdän-^old-Koni-akt sehr
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stark und weist einen nerimcen- Kor-t aktwiderstand von 10. OLm/ cm" oder weniger auf.
Die ^rfin.iuii?" bezweckt ferner, ein bei dem oben beschriebenen Verfahre . verwendbares x-.tzmit :el anzugeben, bei welcnem das sogenannte "Lnterschneiden" unter einer gegen das i.tzmittel beständigen Abdeckschicht während ds j.tzens durch Öffnungen in der Abdeckschicht weitestgehend vermieden wird, liu diesem £weck wird ^eniäß einem bevorzugten ^usführungsbeispiel der Erfindung \ eine viskose, nichtv/är-serige Substanz wie z.B. üthyleng-lykol mit einem iitzagens für das zu atzende Material gemischt.
Die Erfindung soll im folgenden an einem bevorzugten Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Die Zeichnung zeigt in den i'iguren T bis 7 fragmentarische ^uerschnittsansichten zur Darstellung der verschiedenen Verfahrensschritte zur Schaffung Ohmscher Kontakte für einen npn-iiikrowellentransistor gemäß dem bevorzugten Ausführun sbeispiel des Verfahrens der Erfindung.
In i'ig.'l ist eine siliciumscheibe 10 dargestellt, aus der ein npn-i-iiizrowellentransistor hergestellt werden soll. Diese Scheibe enthält eine η-leitende i.pitaxialzone 12 von ungefähr 4 I.ikron i^iefe, die als Kollektor des iransistors dient. Ferner enthält sie eine entartet dotierte η -leitende Zone 14 von etv/a 101 bis 176 Ivikron iiefe oder Dicke, die an die Kollektorzone 12 vom n-i'yp angrenzt und die Kollektorkontaktzone des 'iransistors darstellt. Die Kollektorzone 12 ist mit einer Konzentration von etwa 2 χ 1o 7er und die Kontaktzone 14 mit einer Konzentrati-· on von etwa 10 u/cm^ dotiert.
Die Easis des Transistors wird dadurch gebildet, daß die Scheibe 10 mit einer ersten Oxidabdeckschicht bedeckt und beispielsweise eine rechtwinklige p-leitende Zone 16 mit einer Breite von etwa 18 Mikron, einer Länge von etwa 30 Mikron und einer l'iefe oder Dicke von 3OOO Angström durch eine entsprechende Offnung in der ersten Abdeckschicht in die Kollektorzone 12 eindiffundiert wird. Die Basiszone 16 wird mit einer Konzentration
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von etwa 10 vein* dotiert. Zur Ausbildung von Kontaktteilen der Basiszone 16 wird die Scheibe 10 "mit einer zweiten Oxidabdeckschicht bedeckt, und durch entsprechende Öffnungen in dieser zweiten Abdeckschicht werden beispielsweise zwei rechtwinklige, entartet dotierte Zonen 18 vom p+-Typ, die jeweils etwa 4 bis 5 Mikron breit, 25 Kikron lang und 6000 Angstrom tief oder dick, sind, in die p-leitende Basiszone 16 und die darunterliegende η-leitende Kollektorzone 12 eindiffundiert. Diese ρ -leitenden BasiskontaktZonen 18 werden mit einer Konzentration von etwa 10 /cnr dotiert und parallel zueinander längs der entgegengesetzten Längsseiten der Basiszone 16 angeordnet (in der Zeichnung verlaufen die Längsseiten der Basiszone 18 in die Zeichenebene herein bzw. aus ihr heraus).. Oft kann es zweckmäßig sein, die Basiskontaktzonen 18 vor der Eindiffundierung der flacheren Basiszone 16 in die Kollektorzone 12 zu diffundieren.
Zur Ausbildung des Emitters des 'i-'ransistors wird die Scheibe 10 mit einer etwa JÜOO Angstrom dicken dritten Oxidabdeckschicht 20 bedeckt und durch eine entsprechende Öffnung 24- in dieser dritten Abdeckschicht 20 hindurch eine beispielsweise rechtwinklige η-leitende Zone 22, die etwa 2,5 Mikron breit, 25 Mikron lang und 1500 Angström diek ist, in die Basiszone 16 eindiffundiert. Diese Emitterzone 22 vom n-l'yp wird mit einer
20 ^
Konzentration von etwa 10 /cm dotiert und zentral zwischen und in Längsrichtung parallel zu den p+—leitenden Basisköntaktzonen 18 angeordnet. ■
Die Basis- und Emitterzonen 16 und 22 des vorliegenden Mikrowellentransistors sind sehr klein und flach bzw. dünn, wenn man sie mit denjenigen eines typischen Niederfrequenztransistors vergleicht, bei welchem die Basis- und Emitterzonen eine Fläche von mehr als 25 Mikron im Quadrat einnehmen und eine Tiefe von 1 bis 3 Mikron besitzen. Es soll nun ein Verfahren beschrieben werden, bei welchem gute und zuverlässige Ohmsche'Kontakte an die kleinen, flachen Basis- und Emitterzonen des vorliegenden npn-Mikrowellentransistors bei der Massen- oder Großserienfertigung mit hoher Ausbeute angebracht werden können.
Wie in Fig.2 dargestellt ist, wird zunächst auf der Scheibe 10 eine vergleichsweise dünne, etwa 50 bis 100 Angström dicke Oxidabdeckschicht 26 gezüchtet, so daß sie die,Emitterdiffundie-
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rungsöffnung 24 in der Oxidabdeeksehicht 20 "bedeckt. Line Abdeckschicht 26, die etwa 100 Angström dick ist, kann dadurch gezüchtet werden, daß die Scheibe 10 in einer Atmosphäre von trockenem Sauerstoff bei 8500G zwei Minuten lang erhitzt wird.
Wie in Pig.3 dargestellt ist, werden üasiskontaktöfinungen 28 durch die Abdeckschicht 26 und die darunterliegende Abdeckschicht 20 durchgeätzt, wodurch innerhalb jeder p+-Basiskontaktzone 18 ein rechtwinkliger Bereich von etwa 2,5 Mikron Breite und 25 Mkron Länge freigelegt wird, -cdne Schicht 30 aus einem legierungsfähigen Material wie z.B. I-'latin wird dann in einer Bicke von mehr als 500 Angström auf die Scheibe 10 aufgebracht, wie in Fig.4 dargestellt ist. Diese Platinsc-icht kann am besten dadurch aufgebracht werden, daß sie durch -j?riodenzerstäubung 5 Minuten lang bei einer Anoden-Kollektorspannung von etwa 4kV, einem Paden- oder Heizstrom von etwa 10 Ampere und einem Argondruck von etwa 3 Mikron aufgestäubt wird. Diese Aufstäubung kann entweder mit einem bekannten oder mit dem -riodenZerstaubun^ssystem durchgeführt werden, das in der deutschen Patentanmeldung P 19 04 626.5 (USA-Patentanmeldung 702,284 vom 1.2.1968) im einzelnen beschrieben ist. Als nächstes wird die Scheibe 10 etwa 4 Minuten lang in einer trockenen Stickstoffatmosphäre bei einer temperatur von etwa 600°C erhitzt, wodurch das Platin der Schicht 30 mit den Basiskontaktzonen 18 aus p+-leitendem Silicium, die durch die Öffnungen 28 in den AbdecKscfciehten 20 und 26 freigelegt worden sind, legiert wird. Dadurch bilden sich Basisunterkontakte 32 aus Platinsilicid in den Basiskontaktöffnungen 28.
Wegen der speziellen Geometrie des J-'ransistors und der Kontaktzonen 18 werden die Basisunterkontakte 52 v/eit genug entfernt von den Kollektor- und Emitterzonen 12 und 22 gebildet, so daß der.Kollektor-Basis-Übergaug 34- und der Emitter-Basisübergang 36 nicht kurzgeschlossen werden können. Die Abdeckschichten 20 und 26 verhindern, daß die Platinschicht 30 niit dem übrigen :Üeil der Scheibe 10 legiert. Genauer gesagt, verhindert die dünne, Oxidabdeckschicht 26, welche die Emitterdiffundierungsöffnung 24 in der Oxidabdeckschicht 20 bedeckt, daß sich Platinsilicid in der kleinen flachen Emitterzone 22 bildet, wo es andernfalls horizontal oder vertikal den Emitter-Basis-Ubergang
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$6 kurzsch Iiebenkönnte. infolgedessen sind die !'emperatur und die Dauer dieses Legierunrsvorganrs nicht kritisch. Beispiels·* v/eise kann die■ ""Temperatur zwischen %'ü und 7Ou0G' Variieren, und die Zeit kann- entsprechend von einer stunde bis zu zwei Minuten geändert werden, wobei zwei Kinuten selbst bei der unteren remperaturgrenze im wesentlichen ausreichen. Weyen des großen Spielraumes dieses unkritischen Legierunr;sschrit^es ist das Verfahren gemäß der ^rfindung zur Schaffung Ohmscher Kontakte für ■kleine, flachdiffundierte Halbleitersysteme sehr gut für die Großserienfertii?iine geeignet.
V/ie in Fig·.5 dargestellt ist, wird als näcnstes die Platinschicht JO mit einem Ätzmittel wie z.-^. erhitztem Königswasser, das Platinsilicid nicht angreift, v/eggeätzt. Dadurch kann der Ätzvorgang"durchgeführt werden, ohne daß zum Schutz der Basisunterkontakte 52 aus tlatinsilicid sine ätzmaske aus einem Γηο-tolack notwendig ist. Dann wird die dünne Oxidschicht 26 weg^· geätzt, so daii durch die ^mitterdifi'undierunrsöfi'nung 24 in der Oxidschicht 20 hindurch die η-leitende Emitterzone 22 freigelegt wird. Auch bei diesem Ätzschritt ist es nicht erforderlich, zum Schutz der Basisunterkontakte 32 oder der Oxidschicht 20 eine Ätzmaske aus einom rhotolack zu verwenden, weil die konventionellen Oxidätzmittel ilatinsilicid nicht angreifen, und weil die dünne Oxidschicht 25 nur etwa 10t Angstrom dick ist, während die Dicke der Oxidschicht 20 etwa 3000 Anrsrröm beträgt. Der Ätzschri^t sollte jedoch so schnell' wie möglich durchgeführt werden, damit die i.btragung der Oxidschicht 20 im Bereich' der i-mitterdiffundierungsöffnung 24 minimal ist. ^r kann z.B. in etwa $ Sekunden erfolgen, wobei ein kochendes (a^itiertes) gepuffertes Ätzmittel verwenden wird, das ein Benetzungspulver," fünf 2?eile Ammoniumflourid und ein -iei 1 Plußsäure enthält. • Wie in Pig.6 dargestellt ist, wird als näenstes eine Mehrschiehtlage 38 aus Molybdän und 3old in einer .Dicke von etwa 4GQ0 bis 8000:'in^strom auf die Scheibe 10 aufgebracht, fiierzu werdeti am besten durch iiriodenzerstäubung nacheinander eine Schicht Λ0 aus Molybdän, die etwa 5OO bis 1000 Angström dick ist, eine gemischte Schicht 42 aus Molybdän und Gold mit einer Dicke von etwa -UCQ bis 600 Angström und eine Schicht; 44- aus
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uolci, deren Dicke etwa 4-CÜü bis 6OCv-. Angstrom beträgt, auf die Scheibe 10 aufgestäubt, und zwar auf die gleiche weise, wie es in der oben erwähnten deutschen Patentanmeldung P 19 04· 626.5 beschrieben ist. Die I-.olybdanschicht 4-0 hindert das Gold der Schichten 42 und 44- daran, in die n-lelten.de emitterzone 22 zu wandern und dabei den rimituer-üasis-ubergang 56 horizontal oder vertikal kurzzuschließen. . . . .
Die Mehrschichtlage 58 ist stabil und fest haftend und
stellt einen sehr guten Kontakt mit Platinsilicid und"n-leiten-
18 5 dem Silicium, das auf eine konzentration von mehr als 10 /cm dotiert ist,.her. Infolgedessen können gute und zuverlässige Ühmsche Kontakte 4-6 an den kleinen, flachen Basis- und Emitterzonen 16 und 22 des npn-hikrowellentransistors geschafien werden, indem diejenigen Teile der hehrschichtlege 58* die sich vertikal in Deckung mit den Basisunterkontakten 52 und der emitterzone befinden, mit einer ätzbeständigen Abdeckschicht bedeckt und die übrigen i'eile dieser Kehrschichtlage weggeätzt werden, wie in I'1ig«7 dargestellt ist. -Gemäß dem beschriebenen Verfahren werden diese Basis- und .unitterkonLtakte 46 gebildet, ohne daß ein kritischer Legierungsvorgang notwendig ist, bei dem der Kmitter-Basis-oberganp 56 kxirz^eschlossen werden könnte.
Wie ebenfalls in i'igv.7 dargestellt ist, kann der Bikrowelientransistor dadurch mit einem Kollektorkontakt verseherc werden, daß auf die n+-leitende ivollektorkontaktzone 14- eine Schicht 4-8 aus Chrom in einer Dicke von etwa 1000 Angström aufgetragen und auf diese Ohromschicht 48 eine Goldschicht; 50» deren Dicke etwa 6000 Angström beträgt, aufgebracht wird»; Diese Schichten 4-6 und 50 aus Chrom bzw. uold können ebenfalls am besten aufgestäubt werden.
-Wenn herkömr.liche Ätzmittel verwendet werden, beispielsweise bei der h er ausbildung der Basis- und Emitjerkontakte 4-6 aus der Kehrschichtlage 58 durch Atzung, ist typisch durch die öffnungen in der ätzbeständigen Abdeckschicht eine mindestens ebenso kräftige Querätzung des unter der ätzbeständigen Abdeckschicht befindlichen Materials wie in Vertikalrichtung zu beobachten. Diese Querätzung kann die Kontakte 4-6 stark unterschneiden und deshalb erheblieh ihre Gesamthaftfähigkeit, an der Scheibe 10 schwächen und außerdem die HJF-^igenschaften des Transistors
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verschlechtern, tiernäß der Erfindung hat sich Herausgestellt, daß dieser Ctuerätzung entgegengewirkt werden und sie sotjar praktisch ganz vermieden, werden kann,wenn man ein jvtzmittel verwendet, das eine uichtwässerige Substanz enthält, deren Viskosität größer ist als diejenige des gewünschten Ätzagens und bei 20 C typisch mindestens 7 bis 10 Zentipoise oder mehr beträgt,. Beispielsweise kaun ein ^.tzmittel verwendet werden, in welchem JQ bis 60 Volumenprozent Äthylenglykol mit einer Viskosität von etwa 20 Zentipoise bei 200C und der Rest das gewünschte Ätzagens sind. Wenn man den prozentualen Anteil des Äthylenglykolε erhöht, nimmt die Ätzrate oder Ätzgeschwindigkeit ab, während bei einer Herabsetzung des Äthylenglykolanteils das Ausmaß der möglichen Querätzung größer wird. Das beste Ätzmittel für das Gold der Schichten 44 und 42 dürfte $0% Äthylenglykol! und 50# des von der Firma Film Microelectronics, Inc., Burlington, Massachusetts unter der Bezeichnung "C-35" vertriebenen Leiterätzstoff es oder eines anderen solchen alkalischen Ätzagens für Gold enthalten. In ähnlicher Weise dürfte das beste Ätzmittel für das Molybdän der Schichten 42 und 40 aus 50$ Äthylenglykol und 50%> des ebenfalls von der genannten Firma vertriebenen Lei-
terätzstoffes "C-40X" oder eines anderen alkalischen Ätzagens für Molybdän bestehen. Damik eine maximale Wirksamkeit gewährleistet ist, sollte das'durch die Erfindung angegebene Ätzmittel innerhalb etwa einer Stünde seit der Zeit der Ansetzung oder Zubereitung verwendet werden, denn die Reaktion des alkalischen Ätzagens mit dem Äthylenglykol beginnt nach etwa einer Stunde, die Wirksamkeit des Ätzmittels stark zu verschlechtern. Diese Zeit ist wesentlich kürzer, wenn anstelle der alkalischen Ätzstoffe Säuren wie z.-ß. Königswasser als Ätzagens verwendet werden.
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Claims (1)

  1. Pat ent ansprüche ^
    Verfahren zur Schaffung uhmscher kontakte an verschiedenen Zonen einer Halbleiterscheibe, von denen wenigstens eine erste Zone flacher und stärker dotiert ist als eine zweite Zone, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Halbleiterscheibe (10) eine nichtleitende Abdeckschicht (26) gebildet wird, die für Metall im wesentlichen undurchlässig ist und die erste Zone (22) vollständig bedeckt, daß mit einem vollständig innerhalb der zweiten Zone (16) liegenden freiliegenden Teil der Scheibe eine erste Metallschicht (30) legiert wird, wodurch für die zweite Zone ein uhmscher Kontakt (32) geschaffen wird, daß ein Teil der Abdeckschicht beseitigt wird, wodurch ein vollständig innerhalb der ersten Zone liegender Teil der Scheibe freigelegt wird, und daß auf den während dieses Beseitigunfrsvorgams freigelegten Teil der Scheibe eine zweite Metallschicht (38) aufgebracht wird, wodurch ein Ohmscher Kontakt für die erste Zone geschafren wird.
    2.) Verfahren nach .unsprvch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zone (22) mit einer Konzentration von*mehr als 10 /enr dotiert ist, und daß bei der Aufbringung der zweiten Metallschicht (38) diese auf den wahrend des LeEierungsvorcangs geschaffenen Ohmschen Kontakt (32) aufgebracht wird (A'ig.6).
    3«) Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Zonen (22, 16) aneinander angrenzen und von unterschiedlichem Leitfähigkeitstyp sind, und daß bei der Bildung der Abdeckschicht (20, 26) diese so auf der Halbleiterscheibe (10) gebildet wird, daß sie den Übergang zwischen den beiden Zonen vollständig überlappt*
    4-.) Verfahren nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Zone (16) p-leitend und in die Seheibe eindiffundiert und die erste Zone (22) η-leitend unddurch eine öffnung (24·) in einer einen Teil der Äbdecksehicht umfassenden ersten Oxidschicht (20) hindurch in die zweite Zone eindiffundiert ist, und daß aur Bildung der Abdeckschicht ferner auf der Halbleiterscheibe (10) eine zweite, dünnere Oxidschicht (26) gebildet wird, welche die Öffnung in der ersten Oxidschicht vollständig bedeckt
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    und einen weiteren Teil der Abdeckschicht darstellt,.
    5·) Verfahren nach /Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet.,:, daß zwischen der Aufbringung der Abdeckschicht und dem Vorgang zusätzlich ein Teil der beiden Oxidschichten (20, 26) entfernt wi?d (bei 28), um einen vollständig innerhalb der zweiten Zone (16) liegenden l'eil der nalbleitersci.cibe freizulegen,, und ciie erste ketal !.schicht (50) so auf die ..al.b.le.itersche.ibe aufgebracht; wird, daß sie mit dem während dieses i/ntfornungsvorgangs freigelegten Teil der Scheibe in üerührung kommt.
    t\.) Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß beim erstgenannten Beseitigungsvor~ang die zweite Oxidschicht (26) beseitigt wird, um durch die Öffnung (24) in der ersten-Oxidschicht (2o) hindurch einen vollständig innerhalb der ersten Zone (22) befindlichen -eil der -albleiterscr-üibe freizulegen, und daß beim -erstgenannten Aufbringung-svorgang div zv/eice !».-et-all— schicht Ob) auf die HeIlI-iterscheice in lierüi.rung mit dom v/ährend des erstgenannten -aeBeiLigun-svcrganrs freigelegten Jeil der ^albleiterscneibe -und in -erührunr mit dem während aos Legierungsvorgangs geschaffenen Ohmschun Kontakt; (3d) aufr.esuuubt wird- (iig.5- und c).
    '(.) Vtriahren nach ^nsprucii 6» dadurch gekeiitizeiehnet, daß beim erstgenannten Aufbringungsvorgang .nacr-^inorider Kolybdän (-iO) und'jold (^A) auf estäubt werden^ wodurch die zweite I'ietallschicnt (3b) gebildet wird, .--daß bei dem .zusätzlichen'Aufbringungsvorgang (der ersten Metallsenicht) tlatin auf die lialbleiter^ scheibe aufgestäubt wird, wodurch die erste Metallschicht (30) gebildet wird, und daß außerdem wenigstens einige i'eile der zweiten I-i et alls chi ent 08) weggeätzt werden, um die Ohm sehe η Kontakte für die zweite Zone (16, 18) zu schaffen,
    8.) Verfahren nach -"iisprucli 75 dadurch gekeiinaeichneib, daB die A-tzung mit einem itthylengiykol enthalte/nden ^tzinittel durchgeführt wird.
    9.) Itzmittel, iasbesondere zum Durchführen des Verfahrens
    BADORiQlNAL
    nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch rek.enuzeichnet, daß es auiier eiern i.tca'jens eine nicntwäsaerige Bubstanz enthält, üer viskosität ^reiter ist als diejenige des ji
    1ü.j ^tzmittel nach Anspruch 9» dadurch {gekennzeichnet, daß die nichiwusserifte Substanz zwischen 30$ und 6Ui1C des Volumens des ützmitt-Gls bildet und eine. Viskosität von mehr als V Zentipoise besitzt.
    11.) iitzmitiel nach Einspruch 1ü, dadurch gekennzeichnet, daß das --.tza^ens ein alkalischer Leiterätzstoff ist, und daß die nichtwässeripe oubstanz etwa 5C/a det Volumens des Ätzmittels bildet. * '
    12.) itsfiittel nach Anspruch 11,dadurch gekennzeichnet, daß die nichtwässerige Substanz" Svtivylenglykol ist.
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    ι ε·;
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