DE1499792B2 - Schreib- und leseschaltung fuer einen magnetischen kernspeicher - Google Patents

Schreib- und leseschaltung fuer einen magnetischen kernspeicher

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Description

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durchläuft in ähnlicher Weise die demselben Bit zu- aber im anderen mit derselben Schleife gekoppelten geordneten Kerne im unteren Speicherteil. In dieser Kern derselben Zeile. Beim Schreibon werden dem-Weise bildet die Schreib- und Leseleitung eine zufolge die beiden in einer durch die Wahlleitung Schleife, die im beschriebenen Speicher in zwei Teile ausgewählten Zeile befindlichen, einem bestimmten aufgespalten ist, nämlich den Teil 12, der durch den 5 Bit zugeordneten Kerne in verschiedenem Maße mamit der jeweiligen Wahl- oder Wortleitung 14 gekop- gnetisiert. Beim Lesen fließt ein Strom in der umgepelten "Kern 13 sowie einen zweiten Teil 17, der kehrten Richtung durch die der zu lesenden Zeile zudurch den mit der jeweiligen Wahl- oder Wortleitung geordnete Wahlleitung, wodurch die Magnetisierun-16 gekoppelten Kern 15 verläuft. Es sei angenom- gen der Kerne der betreffenden Zeile den Ruhewert men, daß diese zwei Teile der Schleife wenigstens na- io wieder erhalten; abhängig von der Stärke ihrer Mahezu symmetrisch sind. Dann muß die Anzahl der gnetisierung erregen sie dabei Spannungen verschie-Zeilen in den beiden Teilen des Speichers wenigstens dener Größe, jedoch entgegengesetzter Richtung in nahezu gleich sein. Das eine Ende der beiden Teile der Schleife 12. Die Sekundärwicklung des Impulsder einem Bit zugeordneten Schleife ist jeweils direkt transformators hat eine hohe Impedanz, weil die mit der einen Klemme der Schreibstromquelle 1 ver- »5 beiden Primärwicklungen geöffnet sind. Die Diffebunden, während die anderen Enden der Teile dieser renzspannung treibt demnach einen Strom in einer Schleife, über Widerstände 6, 7 mit der anderen durch den Unterschied der Magnetisierungen be-Klemme der Schreibstromquelle 1 verbunden sind. In stimmten Richtung fast ausschließlich durch die beider beschriebenen Ausführungsform mit möglichst den Widerstände 6 und 7, wodurch dem Verstärker symmetrischen Schleifenteilen sind diese Wider- so eine Eingangsspannung entsprechender Richtung gestände gleich groß oder zumindest nahezu gleich liefert wird. Es ist darauf hinzuweisen, daß eine groß. Die Schreibimpulse werden von der die Speise- Spannung der Speisequelle, die eine solche Richtung 0 quelle darstellenden Sekundärwicklung eines Impuls- aufweist, daß im oberen Speicherteil beispielsweise transformators geliefert. . der linke mit der gespeisten Schleife gekoppelte Kern
Im beschriebenen Ausführungsbeispiel ist die Pri- *5 der ausgewählten Zeile stärker magnetisiert wird als märwicklung 2 des Impulstransformators, dessen Se- der entsprechende rechte Kern, ergibt, daß im untekundärwicklung 1 die Speisequelle darstellt in der ren Speicherteil gerade der andere mit der gespeisten Mitte mit einer Anzapfung versehen, die mit der Schleife gekoppelte, sich in der ausgewählten Zeile einen Klemme einer Gleichspannungsquelle 3 ver- befindliche Kern (in diesem Fall der rechte Kern) bunden ist. Die beiden Enden der Primärwicklung 2 3o stärker magnetisiert wird. Beim Lesen werden diese können über eigene elektronische Schalter 4. und 5 durch eine Schreibspannung derselben Richtung in mit der anderen Klemme der Spannungsquelle ver- den beiden Speicherteilen erzeugten Magnetisierunbunden werden. Abhängig davon, ob der eine oder gen Lesespannungen entgegengesetzter Richtung am der andere Schalter geschlossen wird und demnach Verstärkereingang hervorrufen. Deshalb wird beim •der eine oder der andere Teil der Primärwicklung2 35 Schreiben eines Bits mit einem bestimmten Wert mitvorübergehend Strom führt, haben das Feld im tels des unteren Schleifenteiles durch die Speisequelle Transformatorkern und demnach auch der in der Se- ein Strom geliefert, dessen Richtung der Richtung kundärwicklung 1 erregte Impuls die eine oder die des Stromes beim Schreiben desselben Bits mittels andere Richtung. Auf diese Weise ist es möglich, des oberen Schleifenteiles entgegengesetzt ist; Geeinen Impuls in der jeweils gewünschten Richtung 40 nausogut könnte aber auch dem Strom in der Wahldurch die Schreib- und Leseschleifen zu schicken. leitung die umgekehrte Richtung gegeben werden.
Selbstverständlich läßt sich auch ein Impulstransfor- Beim Schreiben entsteht zwar nicht eine der gro-
mator mit einer .ungeteilten Primärwicklung, durch ßen Stärke des Schreibstromes entsprechende Potendie Impulse in vorbestimmter Richtung fließen kön- tialdifferenz am Verstärkereingang, doch bedeutet nen, verwenden. 45 das nicht, daß das Potential der Verstärkereingangs-
Diese Schreibstromquelle kann demnach sowohl klemmen sich nicht ändert. Bei den bekannten Schal-Ströme in der einen als auch Ströme in der anderen tungen der beschriebenen Art ist meistens eine der Richtung über die beiden Teile der Schreib- und Le- beiden Klemmen der Speisequelle entweder geerdet seleitung schicken. Da die beiden Teile der Schleife oder mindestens mit einem Punkt konstanten Potenzumindest nahezu symmetrisch sind, müssen auch die 5° tials verbunden. Unabhängig davon, welche Klemme Widerstände 6 und 7 gleich sein. Die Schreibströme ein festes Potential hat, wird es im Schreibzyklus imin den beiden Schleif en teilen weisen demnach jeweils mer einen Augenblick geben, in dem die beiden Eindieselbe Stärke, aber entgegengesetzte Richtungen gangsklemmen des Verstärkers ein stark vom Ruheauf. Die Ströme erzeugen an den Widerständen 6 wert abweichendes Potential erhalten. Ein solcher und 7 entgegengesetzt gerichtete gleich große Span- 55 plötzlicher Potentialsprung verursacht erhebliche nungen, was bedeutet, daß diese Ströme keine große elektrische Zustandsänderungen in verschiedenen Spannungsdifferenz zwischen den mit den Ver- Teilen der Leseverstärkerschaltung. Gibt es in stärkereingangsklemmen und den beiden Schleifen- dem Verstärker Schaltkreise mit größerer Zeitteilen verbundenen Enden der Widerstände 6,7 her- konstante, insbesondere Kreise, die außer Widervorrufen. Müssen zum Beispiel Daten in eine be- 60 ständen auch noch Kondensatoren, deren Lastimmte Zeile, beispielsweise in die der Wahlleitung dungszustand infolge des Potentialsprunges in erheb- . 14 zugeordnete Zeile, eingetragen werden, so fließt lichem Maße geändert wird, enthalten, so kehrt der ein Strom durch diese Wahlleitung und zu gleicher Verstärker nach dem Verschwinden des Potential-Zeit ein Impuls in einer bestimmten Richtung durch Sprunges nicht sofort in den Ruhezustand zurück, die beiden parallelen Teile der Schleife. Der Impuls- 65 Verschiedene der auftretenden Zustandsänderungen strom in der Schleife verstärkt das in einem mit die- hindern den Verstärker an der Verstärkung schwaser Schleife gekoppelten Kern der Zeile durch den eher Spannungen; und demgemäß kann bei diesen Strom in der Wahlleitung erregte Feld, schwächt es bekannten Schaltungen der Verstärker die Lesespan-
5 .. 6
nungen so lange nicht verstärken, als infolge der Zeit- Ein- und Ausschwingvorgänge in den Lese- und konstante der Ruhezustand noch nicht wiederherge- Schreibschleifen, die jedoch viel schneller ablaufen stellt ist. Dies führt zu einem unzulässigen Zeitver- als die entsprechenden Vorgänge im Verstärker,
lust. Andererseits ist es nicht möglich, den Verstär- Es versteht sich, daß die Anwendung der Erfinker während des Schreibens von der Schleife abzu- 5 dung keineswegs auf Speichermatrizen mit zwei Kerschalten. Die erforderlichen elektronischen Schalter nen pro Bit beschränkt ist. Auch bei Speichern mit würden nämlich die schwachen Lesespannungen in nur einem Kern pro Bit, bei denen die Schleifen jezu starkem Maße beeinflussen. Der Verstärker muß weils nur mit Kernen einer einzigen Spalte gekoppelt demnach mit der Schleife verbunden bleiben und sind, läßt sich die Erfindung anwenden. Überdies darf trotzdem nicht während einer zu langen Zeit- io braucht ein Speicher, bei dem die Erfindung angespanne unwirksam werden. In der erfindungsgemä- wandt ist, nicht matrizenartig ausgebildet zu sein.
Ben Schaltung wird die Speisequelle deshalb von der Obwohl die Brückenschaltung der Schreib- und Sekundärwicklung eines Impulstransformators gebil- Leseschleifen mit den Widerstandene und7 verhindet, so daß kein Punkt der Speisequelle ein festes Po- dert, daß beim Schreiben am Verstärkereingang Potential zu haben braucht. Überdies ist auch kein 15 tentiale auftreten, die den Verstärker vorläufig gePunkt der beiden Schleifen mit einem Punkt festen sperrt halten, so werden beim Schreiben trotzdem Potentials verbunden. Die Eingangskierrunen des Verstärkereingangsspannungen hervorgerufen, die Verstärkers sind jedoch durch einen Spannungstei- bedeutend höher sind als die beim Lesen dem Verier 8,9 überbrückt, der mit einer Anzapfung 10 ver- stärker zugeleiteten Spannungen. Während des sehen ist, die mit einem Punkt konstanten Potentials *o Schreibens kann der Verstärker unter Umständen verbunden ist. Die Anzapfung 10 liegt vorzugsweise demnach Ausgangsspannungen liefern, die viel höher in der Mitte dieses Spannungsteilers, so daß die sind als die beim Lesen auftretenden Ausgangsspan-Schaltung und damit der Einfluß der über die Ver- nungen. Diese Spannungen könnten in den dem Verstärkereingangsklemmen fließenden Ströme (bei- . stärker nachgeschalteten Kreisen zu unerwünschten spielsweise zu den Anfangsstufen-Transistoren flie- «5 Erscheinungen Anlaß geben. Am Verstärkerausgang ßenden Ströme) auf die Eingangspotentiale symme- sind die Lesespannungen jedoch so hoch, daß in dem trisch bleibt. Weil Schleifen und Speisequelle, abge- Ausgangskreis durch elektronische Schalter geschalsehen von der Verbindung mit dem Verstärker und tet werden darf. Der Ausgang des Leseverstärkers dem Spannungsteiler in der jetzt beschriebenen Aus- kann demnach während des Schreibens kurzgeschlosführung, elektrisch von der übrigen Schaltung ge- 30 sen oder abgeschaltet werden, eine Maßnahme, die trennt sind und beim Schreiben höchstens eine ge- aber mit der Erfindung nichts zu tun hat.
ringe Spannung zwischen den mit dem Verstärker Das feste Potential der Spannungsteiler-Anzapfung verbundenen Klemmen erscheinen kann, werden 10 ist in Schaltungen, bei denen keine Gleichspandurch das Schreiben in dem Spannungsteiler 8,9 nungs-Trennung durch Kondensatoren vorgesehen keine, oder praktisch keine Ströme hervorgerufen. 35 ist, dem erwünschten Pegel der Verstärkerausgangs-Demzufolge bleiben die Potentiale der beiden Ver- spannungen anzupassen.
stärkereingangsklemmen auch während des Schrei- Die beiden Schleifenteile' brauchen nicht vollstänbens ihren festen Ruhewerten zumindest nahezu dig symmetrisch zu sein. Falls der Unterschied zwigleich:Das bedeutet, daß in den Schaltkreisen des sehen den Teilen nicht zu groß ist, wäre es sogar Verstärkers während des Schreibens auch keine gro- 40 möglich, das Verhältnis der Widerstände 8 und 9 dießen elektrischen Zustandsändcrungen mehr auftre- sem Unterschied der Schleifenteile anzupassen. Es ten, die die Wirkung des Verstärkers stören könnten. darf aber nicht übersehen werden, daß die Impedan-Der Verstärker ist demnach sofort nach dem Schrei- zen der Schleifenteile nur teilweise aus Ohmscbcm ben imstande, die schwachen Lesespannungen zu Widerstand bestehen, so daß ein vollständiger Abverstärken. Die einzigen Verzögerungen, mit denen 45 gleich nicht lediglich durch Anpassung der Widergerechnet werden muß, ergeben sich als Folge der stände 8,9 erreicht werden kann.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

1 2 änderungea so groß, daß sie, obwohl sie nahezu gleich sind, in den. Schaltkreisen des Leseverstärkers Patentansprüche: . , ·.,.. Potentialänderungen solcher Größe hervorrufen kön nen, daß der Verstärker nicht mehr imstande ist, die
1. Schreib- und Leseschaltung für einen ma- 5 schwachen Lesespannungen zu verstärken. Falls diese gnetischen Kernspeicher, bei der jede Schreib- Schaltkreise,, weil sie Kapazitäten und Widerstände und Leseleitung in jeweils zwei schleifenartige enthalten, über nicht zu vernachlässigende Zeitkon-Teile aufgeteilt ist, die beim Schreiben parallel stanten verfügen, kann dieser gesperrte Zustand des gespeist werden und von denen jeder für sich Verstärkers langer andauern, als mit Rücksicht auf über getrennte Widerstände mit einer Ausgangs- io die erwünschte Arbeitsgeschwindigkeit des Speichers klemme der Schreibimpulsspeisequelle verbunden zulässig ist. Nach einem Einschreibevorgang braucht ist, während an die beiden von dieser Ausgangs- der Verstärker dann nämlich eine unzulässig lange klemme der Schfeibimpulsspeisequelle abgekehr- Wartezeit, bevor er wieder das Lesen des Speichers ten Enden dieser-Widerstände die .beiden Ein- gestattet. In einer bekannten Schaltung ist der Legangsklemmen des°Leseverstärkers angeschlossen 15 severstärker zum Zwecke der potentialmäßigen Absind, dadurchrgekennzeicb.net, daß der trennung transformatorisch angekoppelt, doch ist Verstärkereingang ,.durch einen der Reihenschal- diese Lösung des Problems wegen der Wicklungskatung der Widerstände (6,7) in den beiden Teilen pazitäten nicht ideal und bringt wegen des Ausgangs-(12, 17) der Schreib- und Leseleitung parallelge- transformators einen erhöhten Aufwand an Bauteischalteten Spannungsteiler (8,9) mit einer mit 20 len und Platzbedarf mit sich.
einem Punkt konstanten Potentials verbundenen Aufgabe der Erfindung ist es, derartige Wartezei-
Anzapfung (10) überbrückt ist und die Schreib- ten ohne Einsatz eines aufwendigen Ausgangstransimpulsspeisequelle die Sekundärwicklung (1) eines formators so weitgehend als möglich zu verkürzen. Impulstransformators ist. Erfindungsgemäß ist die Schaltung deshalb in solcher
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch ge- 25 Weise ausgeführt, daß der Verstärkereingang durch kennzeichnet, daß die beiden Teile (12, 17) der einen der Reihenschaltung der Widerstände in den Schreib- und Leseleitung elektrisch möglichst '' ] beiden Teilen der Schreib- und Leseleitung prallelgesymmetrisch, und die beiden Widerstände (6,7),, schalteten Spannungsteiler mit einer mit einem Punkt über die diese Teile mit der einen Ausgangs- konstanten Potentials verbundenen Anzapfung überklemme der Speisequelle verbunden sind, einan- 30 brückt ist und die Schreibimpulsspeisequelle die Seder gleich sind. - kundärwicklung eines Impulstransformators ist.
. . . . . . . ... ... . , Weil die Lese- und Schreibleitung durch einen .
;' ■..=·.· ■.■.·!··■·· Transformator gespeist ist, können die beiden Teile
der Lese- und Schreibleitung, abgesehen von dem
35 Spannungsteiler und dem Verstärker, von dem übrigen Teil der Schaltung elektrisch völlig isoliert bleiben. Deshalb, sowie wegen der Abgleichung der bei-
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schreib- und den Teile der Schreib- und Leseleitung wird durch Leseschaltung für einen magnetischen Kernspeicher, das Schreiben kein oder zumindest nahezu kein bei der jede Schreib- und Leseleitung in jeweils zwei 40 Strom im Spannungsteiler hervorgerufen werden, so schleifenartige Teile aufgeteilt ist, die beim Schreiben ' : daß während des Schreibens die Potentiale der beiparallel gespeist werden und von denen jeder für sich den Verstärkereingänge ihren Ruhewerten gleich über gretrennte Widerstände mit einer Ausgangs- oder wenigstens nahezu gleich bleiben. Diese Ruheklemme der Schreibimpulsspeisequelle verbunden· ist, .. . werte brauchen dem Potential der Abzweigung nicht während an die beiden von dieser Äusgangsklemme 45 völlig gleich zu sein, weil bei vielen Verstärkerschalder Schreibimpulsspeisequelle abgekehrten Enden' tungen zumindest die Basisströme der ersten Verstärdieser Widerstände die beiden Eingangsklemmen des kertransistoren über die beiden Teile des Spannungs-Leseverstärkers angeschlossen sind. ., tellers fließen müssen. Die Sperrung des Verstärkers
Die beiden parallel gespeisten Teile der Schreib- ■ * wird aber durch Änderungen der Eingangspotentiale und Leseleitung sind meistens möglichst symme- 5° verursacht, und die Potentialänderungen an den beitrisch. Sind überdies die Widerstände einander den Eingangsklemmen des Verstärkers sind, wie gleich, so bleibt auch der Unterschied zwischen den obenstehend erörtert wurde, klein, so klein, daß der den beiden Eingangsklemmen des Leseverstärkers Verstärker praktisch direkt nach dem Abschluß des während des "Schreibens1 zugeleiteten' "Potentialen Schreibens für das Lesen zur Verfügung steht. , klein. Obwohl dieser Potentialunterschied gelegent- 55 Die Erfindung wird durch Beschreibung eines lieh wesentlich größer ist als die beim Lesen den Ein- Ausführungsbeispieles an Hand der Figur erläutert: gangsklemmen des Verstärkers zugeleiteten Span- Die Figur zeigt die sich auf ein Bit beziehende
nungen, ist er doch noch nicht so groß, daß er die Schreib- und Leseleitung eines Matrizenspeichers mit Bereitschaft des Verstärkers Lesepannungen zu ver- zwei ringförmigen Kernen pro Bit. Die Schreib- und stärken, während eines unzulässig großen Intervalls 60 Leseleitung ist in die zwei Teile 12 und 17 zerlegt, stören könnte. Die Potentialänderungen sind aber an Der Teil 12 verläuft zuerst durch die Kerne einer ersieh sehr groß im Vergleich mit den Lesespannungen. sten Spalte des oberen Speicherteiles, in dem sich in Der Punkt in der Schaltung, der ein festes Potential jeder Zeile jeweils einer der beiden Kerne zur Speihat, bestimmt die Größe der beiden Potentialände- cherung des der betreffenden Spalte zugeordneten rangen. In verschiedenen bekannten Schaltungen der 65 Bits befindet; er kehrt sodann zurück durch die erwähnten Art liegt eine der beiden Klemmen der Kerne einer zweiten Spalte, in der sich in jeder Zeile Speisequelle auf einem konstanten Potential. In die- der jeweils zweite das der betreffenden Spalte zusem Falle sind die Amplituden der beiden Potential- geordnete Bit speichernde Kern befindet. Der Teil 17
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DE1774500B1 (de) * 1968-07-03 1972-01-20 Siemens Ag Speicheranordnung
US3579209A (en) * 1968-09-06 1971-05-18 Electronic Memories Inc High speed core memory system

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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