DE1489529A1 - Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einer LumineszenzdiodeInfo
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Description
- Verfahren zum Herstellen einer Tiumineszenzdiode Zusatz zu Patent.... ste(PA 9/501/233) Das Hauptpatent bezieht si.ch auf ein Verfahren zum Herstellen einer Lumineazenzdiode mit extrem hohem Wirkungegrady insbesondere unter Verwendung von Galliumarsenid als Halbleitermaterial. Das Verfahren zeichnet sich dadurch ausg daß der Halbleiterkörper einer formgebenden Behandlung durch mechanische oder chemische Mittel unterworfen wirdg wobei die Behandlung s o gesteuert und so lange fortgesetzt-wirdp bis der Halbleiterkörper eine annähernd halbkugelförmige Gestalt erreicht hat, und bei dem abschließend der Halbleiterkörper zur Erzielung einer hochglänzenden Oberfläche poliert wird. Die Erzielung einer hochglänzenden Oberfläche nach den bisher üblichen mechanischen Polierverfahren hatte den Nachteil eines extrem hohen Zeit- und Materialaufwandes. Diese Nachteile lassen sich beim Vorgehen nach der liehre der Erfindung dadurch vermeideng daß der in Halbkugelform vorliegende Halbleiterkörper an einem Metallatempel befestigt und einer Rotationspolitur unterworfen wird. Der Halbleiterkörper wird dabei zusammen mit dem Metalletempel in Rotation versetzt und mit einem Poliermitte 1 in Berührunggebracht. Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, für die Rotation eine Umdrehungezahl von etwa 1500 - 2000 U/M zu wählen. Als Pollermittel wird eine Diamantpaste verwendet, die auf ein weiches Poliertuch aufgetragen ist. Besonders gute Ergebnisse lassen sich mit einer Diamantpaste erzielen, bei der die Korngröße der Partikel etwa 0,25 um, insbesondere 1/UM, beträgt.. Die auf diese Weise behandelten Halbleiterkörper e:#geben lumineszenzdi.oden mit extrem hohem Wirkungegrad, d.h. mit extrem hoher #uantenausbeute.
- Die Befestigung der Diode an dem z.B. aus V 2 A-Stahl bestehen-' den Stempel erfolgt in der in der Pigur beschriebenen Weise, Die Diode 19 die durch eine vorhergehende Ultr.aschallb ehan dlung aus einem tMrfel- oder,quaderförmigen Galliumaraenidkrietall hergestellt*worden ist# weist einen annähernd halbkugelförmigen Teil 2 (die Form entsprichtevorteilhafterweise einer Weierstraßkugel) und einen mit einem pn-Übergang 3 versehenen meaabergartig ausgebildeten Teil 4 auf. Die-Diode 1 wird. dann auf einer Grundplatte 5 aus Nickel befestigt. Die Anordnung wird dabei zweckmäßigerweia.o so getroffine#daß de r meaabert-. artige Teil 4 sowie der der ebenen Begrenzungefläche 7 unmittelbar benachbarte Bereich innerhalb der Grundplatte 5 zu liegen kommen. Die Dicke der Grundplatte 25 wird so gewähltf# daß die dem halbkugelförmig ausgebildeten Teil 2 abgewandte Begrenzungefläche des Teile 4 mit der Grundplatte abschließt. Die aus -Diode 1 und Grnndplatte 5 bestehende Anordnung wird mit Hilfe eines Klebemittele, Z.B. Wache, in der Ausnehmung 7 des Metalletempele 8 befestigt. Die zur Befestigung dienende Wachsachicht ist in der Figur mit 9 bezeichnet.
- Die gesamte aus Diode 19 Grundplatte 5 und Stempel 8 bestehende Anordnung 11 wird mit einer in der Figur nicht dargestellten Antriebevorrichtung verbunden. Durch die Antriebevorrichtung wird der Stempel 8 mit der daran befestigten Diode 1 in Rotation um seine Längsachse versetzt und mit einem Poliertuch 129 welches über einer mit einer Mulde 13 versehenen Unterlage 14 ausgespannt ist, in Berührung gebracht. Das Poliertuch 12 wird durch die Anordnung 11 gegen die Wandungen der Mulde 139 deren Abmessungen an diejenigen der Diode 1 angepaßt sindt gedrückt. Zur Befestigung des Tuches 12 dient dabei der Metallring 15, der von den Schrauben 16 gehalten wird. Wird jetzt der.Stempel 8 durch die Antriebevorrichtung in Richtung des Pfeiles 17 in Rotation versetztg vorzugsweise mit einer Rotationsgeschwindigkeit von etwa 1500 - 2000 U/IR, so wird die Oberfläche des halbkugelförinigen Teile 2 der Diode 1 durch die Einwirkung des auf das Poliertuch 12 aufgetragenen Poliermittele 189 beispielsweise einer Diamantpaste, bei der die Partikel eine Korngröße,von etwa 0,25 umg insbesondere von etwa 1/um, aufweisen, geglättet. Bei einer Behandlungedauer von etwa 15 Minuten (im Gegensatz zu 15 Stunden bei den herkömmlichen Verfahren) erhält man beim Vorgehen nach der Lehre der Erfindung eine hochglänzende Oberflächeg die einen extrem hohen Wirkungegrad der Diode garantiert.
Claims (2)
- P a t a n La n a p r U c h e ---------- Verfahren zum Herstellen einer Lumineazenzdiode'mit extrem hohem Wirkungegradg insbesondere unter Verwendung von Galliumarsenid als Halbleitermaterial, nach Patent PA 9/501/233)9 bei dem der Halbleiterkörper einer formgebenden Behandlung durch mechanische oder chemische Xittel unterworfen wirdg wobei die Behandlung so gesteuert und so lange fortgesetzt wirdg bis der Halbleiterkörper eine annähernd halbkugeltörmige Gestalt erreicht hat und bei dem der Halbleiterkörper anschließend zur Erzielung einer hochglänzenden Oberfläche pöliert wirdt dadurch-gekennzeichnet, daß der in Halbkugelform vorliegende Halbleiterkörper an einem Metallstempel befestigt und einer Rotationapolitur unterworfen wird.
- 2. Verfahren nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnetg daß der Halbleiterkörper zusammen mit dem Metallstempel in Rotation versetzt und mit einem Poliermittel,in BerUhrung gebracht wird# 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennze-ichnet, daß eine Umdrehungezahl für die Rotation von etwa 1500 .2000 U/M gewählt wird. 4. Verfahren nach einem der AAaprüche 1 bis 39 dadurch Sekennzeichnety daß als Poliermittel eine Diamantpaste verwendet wirdy die auf ein Poliertuch aufgetragen ist. 5. Verfahren nach Anapruch 4, dadurch gekennzeichnet# daß eine Diamantpaste verwendet wirdg bei der die Xorngröße der Partikel etwa 0925 3 / umt insbesondere 1/um, beträgt. 6. Zumineazenzdiodeg hergestellt nach einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5.
Applications Claiming Priority (2)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE2543471A1 (de) * | 1974-10-29 | 1976-05-06 | Xerox Corp | Leuchtdiodenanordnung mit gewoelbter struktur |
-
1965
- 1965-12-13 DE DE19651489529 patent/DE1489529A1/de active Pending
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