DE1464703C3 - - Google Patents

Info

Publication number
DE1464703C3
DE1464703C3 DE19631464703 DE1464703A DE1464703C3 DE 1464703 C3 DE1464703 C3 DE 1464703C3 DE 19631464703 DE19631464703 DE 19631464703 DE 1464703 A DE1464703 A DE 1464703A DE 1464703 C3 DE1464703 C3 DE 1464703C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
junction
conductivity type
semiconductor body
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19631464703
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE1464703B2 (de
DE1464703A1 (de
Inventor
Franz 7803 Gundelfingen; Scheffer Gerhard Dipl.-Phys. 7800 Freiburg Ehrhardt
Original Assignee
Verfahren zum Herstellen einer Kapazitätsdiode Deutsche ITT Industries GmbH, 7800 Freiburg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Verfahren zum Herstellen einer Kapazitätsdiode Deutsche ITT Industries GmbH, 7800 Freiburg filed Critical Verfahren zum Herstellen einer Kapazitätsdiode Deutsche ITT Industries GmbH, 7800 Freiburg
Publication of DE1464703A1 publication Critical patent/DE1464703A1/de
Publication of DE1464703B2 publication Critical patent/DE1464703B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1464703C3 publication Critical patent/DE1464703C3/de
Granted legal-status Critical Current

Links

DE19631464703 1963-08-13 1963-08-13 Kapazitaetsdiode Granted DE1464703B2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEJ0024244 1963-08-13
DEJ0024244 1963-08-13

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1464703A1 DE1464703A1 (de) 1968-11-28
DE1464703B2 DE1464703B2 (de) 1973-04-19
DE1464703C3 true DE1464703C3 (enrdf_load_stackoverflow) 1976-04-22

Family

ID=7201736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19631464703 Granted DE1464703B2 (de) 1963-08-13 1963-08-13 Kapazitaetsdiode

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE1464703B2 (enrdf_load_stackoverflow)
FR (1) FR1390594A (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB1042270A (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3999212A (en) * 1967-03-03 1976-12-21 Hitachi, Ltd. Field effect semiconductor device having a protective diode
US3579278A (en) * 1967-10-12 1971-05-18 Varian Associates Surface barrier diode having a hypersensitive {72 {30 {0 region forming a hypersensitive voltage variable capacitor
DE2405067C2 (de) * 1974-02-02 1982-06-03 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1944793C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung
DE1614283B2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1073111B (de) Verfahren zur Herstellung eines Flachentransistors mit einer Oberflachenschicht erhöhter Storstellenkonzentration an den freien Stellen zwischen den Elektroden an einem einkristallmen Halbleiterkörper
DE1207014C2 (de) Verfahren zum herstellen einer integrierten halbleiterschaltungsanordnung
DE1489031B1 (de) Transistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1964979C3 (de) Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2133979C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1539090B1 (de) Integrierte Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0710988A2 (de) Verfahren zum Herstellen von durch Feldeffekt steuerbaren Halbleiterbauelementen
DE1464703C3 (enrdf_load_stackoverflow)
DE1813130B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Zenerdiode
DE1063279B (de) Halbleiteranordnung aus einem Halbleiterkoerper mit flaechenhaftem innerem pn-UEbergang und mit mehr als drei Elektroden
DE1464703B2 (de) Kapazitaetsdiode
DE1066283B (enrdf_load_stackoverflow)
DE2403816A1 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung
DE1764829B1 (de) Planartransistor mit einem scheibenfoermigen halbleiter koerper
DE2540354A1 (de) Als thermoionische injektionsdiode geeignete halbleiterstruktur
DE1090330B (de) Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkoerper mit zwei Zonen entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps und je einer Elektrode an den beiden Zonen
DE1514656A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkoerpern
DE1303672B (enrdf_load_stackoverflow)
DE2616925C2 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1589453A1 (de) Halbleiteranordnung
DE68919695T2 (de) Integrierte schaltung mit einem vertikalen transistor.
DE2005940C3 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1965051C2 (de) Halbleiterbauelement