DE1464703A1 - Kapazitaetsdiode - Google Patents
KapazitaetsdiodeInfo
- Publication number
- DE1464703A1 DE1464703A1 DE19631464703 DE1464703A DE1464703A1 DE 1464703 A1 DE1464703 A1 DE 1464703A1 DE 19631464703 DE19631464703 DE 19631464703 DE 1464703 A DE1464703 A DE 1464703A DE 1464703 A1 DE1464703 A1 DE 1464703A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor body
- conductivity type
- opposite conductivity
- zone
- junction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors having potential barriers
- H01L29/93—Variable capacitance diodes, e.g. varactors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
INTERMETALL
Gesellschaft für Metallur- Pat. Dr.St/Fo
gie und Elektronik m.b.H. 11.JuIi 1962 - Fl
Dr. Expl.
* . ■ ■
Der pn-übergang in Halbleiterbauelementen weist infolge der sich am pn-übergang ausbildenden Raumladungszone eine Kapazität
auf. Die Größe der Raumladungszone und damit der Kapazität ist von der angelegten Spannung abhängig. Es sind Halbleiterdioden
bekannt, bei denen diese Zusammenhänge ausgenutzt werden. Man bezeichnet derartige Dioden als Kapazitätsdioden.
Sie sind auch unter der Bezeichnung Varicap bekannt. Die Größe des Kapazitätshubs, d.h. der Grenzen, in denen man die Kapazität
in Abhängigkeit von der angelegten Spannung verändern kann, hängt u.a. von der Abbruchspannung der Diode ab. Für Kapazitätsdioden mit möglichst großem Hub muß demnach eine möglichst
große Abbruchspannung gefordert werden.
Es sind auch Bedingungen denkbar, bei denen im Betrieb der Kapazitätsdiode keine großen Spannungen zur Verfügung stehen.
Um dabei pro Spannungsänderung einen möglichst großen Kapazitätshub zu erhalten, nutzt man die Tatsache aus, daß eine größere
räumliche Änderung der Raumladungszone erreicht wird, wenn
sich diese in ein Gebiet abnehmender Verunreinigungskonzentration ausdehnt. Das bedeutet, daß der pn-übergang im Halbleiterkörper
in einem Gebiet mit möglichst großem Verunreinigungsgradienten liegen muß. Man erreicht dies, indem man den pnübergang
in einem mit einem Diffüsionsprofil versehenen Halbleiterkörper erzeugt.
Da Kapazitätsdioden in Sperrichtung betrieben werden, kommt
als dritte Forderung hinzu, daß die Sperrströme möglichst klein sein müssen.
— 2 — 809810/1 038
- 2 - INTBRMETALL
Pat. Dr.St/Fo 11.JuIi 1963 - Pl 187
Eine Möglichkeit, eine Kapazitätsdiode mit verhältnismäßig steilem Verunreinigungsgradienten am pn-übergang und verhältnismäßig hoher Abbruchspannung zu erhalten, besteht darin,
daß in einen p-leitenden Halbleiterkörper nacheinander Akzeptor- und Donator-Material eindiffundiert werden. Man kann dann noch
durch eine Mesa-ltzung die eigentliche Diode aus einem größeren Halbleiterkörper herauslösen. Eine derartige Anordnung ist in
Figur 1 dargestellt. Sie würde einen befriedigend großen Kapazitätshub
und auch eine genügend hohe Abbruchspannung aufweisen. Beides ist einstellbar durch die Tiefe der Diffusion des n-Materials
und damit die Lage des pn-Überganges im p+-Diffusionsprofil.
Nachteilig bei einer derartigen Anordnung sind jedoch die hohen Sperrströme, die dadurch entstehen, daß ein Teil des pn-Überganges
an der Oberfläche des Halbleiterkörpers verläuft und damit den bekannten Oberflächeneinflüssen bei Halbleiteranordnungen
ausgesetzt ist.
In Figur 2 ist eine Anordnung dargestellt, bei der die Oberflächeneinflüsse
weitgehend vermieden werden. Man verwendet dazu die bekannte Planartechnik, bei der durch Oxydmaskierung und Eindiffundieren
durch in der Oxydschicht vorhandene Fenster Gebiete unterschiedlicher Dotierung und Leitfähigkeit erzeugt werden.
Im Einzelnen soll hierauf nicht näher eingegangen werden, da die Planartechnik als bekannt vorausgesetzt wird. In Figur 2 berührt
der pn-übergang an keiner Stelle die freie Oberfläche der Halbleiteranordnung, da er durch die schraffierte Oxydschicht abgedeckt
wird. Nachteilig bei einer derartigen Anordnung ist jedoch
die verhältnismäßig niedrige Abbruchspannung. Diese wix-d bekanntlich dadurch herabgesetzt, daß der pn-übergang in der
Nähe der abgedeckten Oberfläche A in einem Gebiet hoher Verunreinigungskonzentration
liegt.
Die Erfindung gibt den Aufbau einer Diode mit in weiten Grenzen veränderbaren Kapazität des pn-Überganges an, mit dem sowohl eine
hohe Abbruchspannung als auch geringe Sperrströme erreicht werden können. ErfindungsgemäS'"ist die Diode dadurch ausgezeichnet,
809810/1038 ,
_ 2 —·
- 3 - I N T E R M E T A L L
Pat. Dr.St/Fo 11.JuIi 1963 - Pl 187
daß im Innern des Halbleiterkörpers ein Gebiet gleichen Leitfähigkeitstyps
aber größerer Verunreinigungskonzentration als das umgebende Material angeordnet ist und daß die Zone des entgegengesetzten
Leitfähigkeitstyps beide Gebiete des Halbleiterkörpers derart berührt, daß ein innerer Teil des an den Berührungsflächen
gebildeten pn-Oberganges im Gebiet größerer Verunreinigungskonzentration des Halbleiterkörpers verläuft, der
von einem äußeren, im Gebiet niedriger Verunreinigungskonzentration verlaufenden Teil des pn-Übergangs umgeben ist.
Die weiteren Vorteile und Merkmale der Erfindung werden im folgenden
anhand eines in Figur 3 dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Zur Vereinfachung der Erläuterung soll als Beispiel eine Silizium-Diode
mit einem p-leitenden Halbleiterkörper beschrieben ijrerdjen. Sinngemäß gilt das gleiche für andere Halbleitermateria-
;;lien und andere Leitfähigkeitsanordnungen. Es wird von einem
einkristallinen p-leitenden Siliziumkörper verhältnismäßig hohen spezifischen Widerstandes ausgegangen. Man kann dazu z.B. auch
eine hochohmige epitaktisch aufgewachsene Schicht auf einem niederohmigen p-leitenden Einkristall verwenden. Die eine Oberfläche
der hochohmigen p-Schicht wird maskiert. Zu diesem Zweck
kann in an sich bekannter 'A'eise die Oberfläche mit einem Oxydüberzug
versehen werden, in den mittels der bekannten photolithographischen Technik ein Fenster eingebracht wird, an dem
die Oberfläche der p-leitenden Schicht frei liegt. Durch diese freie Oberfläche wird p-dotierendes Material eingebracht. Man
kann zu diesem Zweck z.B. Bor eindiffundieren. Besonders geeignet ist dafür das Pulver-Diffusionsverfahren, bei dem der zu
diffundierende Halbleiterkörper in ein Pulver aus dem gleichen Halbleitermaterial eingebettet wird, das mit einer bestimmten
Dotierung versehen ist. Mit diesem Verfahren ist es insbesondere möglich, die Oberflächenkonzentration der eindiffundierten niederohmigen
p-leitenden Zone genau einzustellen. Es liegt damit
BADORlOtNAi *
8098 10; 10 38
INTEEMETALL Pat. Dr.St/Fo
11.JuIi 1963 - Fl
die in Figur 3a dargestellte Halbleiteranordnung vor, bei der eine niederohmige, p+-leitende Zone in hochohmigem p-leitendem
Material eingebettet ist.
Zum weiteren Aufbau der Diode wird die gleiche Oberfläche des Halbleiterkörpers erneut dotiert*. Zu diesem Zweck kann wieder
eine Oxydierung der Oberfläche durchgeführt werden, die die
Reste der zuerst aufgebrachten Oxydschicht mit überdeckt. Es wird wieder ein Fenster in der Oxydschicht eingebracht, das
konzentrisch zu dem ersten Fenster liegt, dieses aber in seinen Begrenzungen an allen Seiten überragt. Es liegt somit nunmehr
ein größerer Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers frei. An diese Oberfläche grenzt der niederohmige ρ -Teil und auch
Teile des hochohmigen p-Materials. Zum Herstellen des pn-Übergangs
wird nun in das Fenster η-dotierendes Material eingebracht, so daß eine n+-leitende Zone entsteht.
Zum Erzeugen der n+-leitenden Zone kann z.B. das Legierungsverfahren
angewendet werden, bei dem η-dotierendes Legierungsmaterial auf das Fenster gelegt und durch Erhitzen einlagiert
wird. Die n+-leitende Zone kann außerdem auch durch Eindiffundieren
von η-leitendem Dotierungsmaterial, z.B.Phosphor, erhalten werden. In beiden Fällen wird das Einbringen des n-dotierenden
Materials so gesteuert, daß der entstehende pn-übergang teilweise noch innerhalb der p+-leitenden Zone verläuft. Das
Material wird also nicht so tief eingebracht wie zuvor das p-dotierende Material. Man erhält eine Anordnung wie sie in Figur
3b dargestellt ist.
Eine ähnliche Anordnung kann auch erhalten werden, wenn man anstelle des Difxusions- oder Legierungsverfahrens die einzelnen
Zonen epitaktisch aufwachsen läßt, indem man die Teile, auf denen kein Material aufwachsen soll, entsprechend maskiert.
BAD ORIGINAL
8098 10/10 38 ·- 5 -
- 5 - INTERMETALL·
Pat. Dr.St/Fo 11 οJuli 1963 - Fl
Bei einer Diode, wie sie in Figur 3b dargestellt ist, besteht
der pn-übergang aus 2 Teilen. Der innere Teil 3 grenzt an ein Gebiet hoher Verunreinigungskonzentration (p+) der p-leitenden
Zone an und ist allseitig von einem Teil 4- umgeben, der an das
hochohmige Gebiet (p) des p-leitenden Materials angrenzt. Der innere in einem Gebiet hoher Verunreinigungskonzentration befindliche
Teil des pn-Überganges liegt somit für einen großen Kapazitätshub günstig. Er ist ausserdem maßgebend für die Abbruchspannung,
da der umgebende Ring 4 des pn-Ubergangs an hochohmiges Material angrenzt und somit eine wesentlich höhere Abbruchspannung
besitzt. Der pn-übergang grenzt also im Gegensatz zu der Anordnung in Figur 2 an keiner Stelle an Material mit sehr
hoher Verunreinigungskonzentration, was z.B in den oberflächennahen Teilen der p+-Zone vorliegt. Der pn-übergang liegt aber
auch im Gegensatz zu der Anordnung in Figur 1 an keiner Stelle frei an der Oberfläche, da er durch die Schutzschicht 2 abgedeckt
ist.
Es ist bei der Anordnung nach der Erfindung in einfacher Weise möglich, die Höhe der Abbruchspannung und die Größe des Kapazitätshubs
durch die Lage des pn-Übergangs innerhalb des p+-Gebietes
im Halbleiterkörper festzulegen. Beim Erzeugen der n+-Zone
mittels des Legierungsverfahrens oder durch Diffusion kann das in einfacher Weise durch die Legierungs- bzw.Diffusionstiefe erreicht
werden. Wenn man das Verfahren des epitaktischen Aufwachsens anwendet, muß vorher die Oberfläche so weit abgetragen
werden, bis man zum Aufwachsen der n+-leitenden epitaktischen
Schicht die gewünschte Verunreinigungskonzentration des p+-Gebietes
an der Oberfläche erhält.
809810/1038 -6-
Claims (9)
- - 6 - IN T ER M ETALLPat. Dr.St/Fo 11.JuIi 1963 - FlPATENTANSPRÜCHE1; Diode mit in weiten Grenzen veränderbarer Kapazität des — in einem Halbleiterkörper eines Leitungstyps an der Berührungsfläche mit einer Zone des entgegengesetzten Leitungstyps gebildeten pn-Überganges, dadurch gekennzeichnet, daß im Innern des Halbleiterkörpers ein Gebiet gleichen Leitfähigkeitstyps aber größerer Verunreinigungskonzentration als das umgebende Material angeordnet ist, und daß die Zone des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps beide Gebiete des Halbleiterkörpers derart berührt, daß ein innerer Teil des an den Berührungsflächen gebildeten pn-Überganges im Gebiet größerer Verunreinigungskonzentration des Halbleiterkörpers verläuft und von einem äußeren im Gebiet niedriger Verunreinigungskonzentration verlaufenden Teil des pn-Überganges umgeben ist.
- 2. Verfahren zum Herstellen einer Diode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in einem Halbleiterkörper eines Leitfähigkeitstyps durch Eindiffundieren eines den gleichen Leitfähigkeitstyp erzeugenden Verunreinigungsmaterials von einem Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers ein Gebiet höherer Verunreinigungskonzentration erzeugt wird und daß anschließend Verunreinigungsmaterial des entgegengesetzten■ Leitfähigkeitstyps von einem größeren, den ersten Teil allseitig überragenden Teil der Oberfläche in den Halbleiterkörper eingebracht oder auf den Halbleiterkörper aufgebracht wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verunreinigungsmaterial des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps durch Legieren eingebracht wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verunreinigungsmaterial des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps durch Diffundieren insbesondere durch PulverdiffusionBAD ORIGINAL- 7 - INTERMETALLPat. Dr.St/Fo 11.JuIi 1963 - Fl 187eingebracht wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß Verunreinigungsmaterial des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps durch epitaktisches Aufwachsen aufgebracht wird.
- 6. Verfahren nach Ansprüchen 2-4, dadurch gekennzeichnet, daß das Verunreinigungsmaterial des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps nur bis zu einer solchen Tiefe in den Halbleiterkörper eingebracht wird, daß der im Halbleiterkörper zwischen den Zonen entgegengesetzten Leitfahigkeits-■fcyps gebildete pn-übergang teilweise noch im Gebiet erhöhter Verunreinigungskonzentration verläuft.
- 7. Verfahren nach Ansprüchen 2 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen des epitaktisch aufgewachsenen Materials die Oberfläche des Halbleiterkörpers so weit abgetragen wird, bis die gewünschte Verunreinigungskonzentration an der Oberfläche erreicht ist.
- 8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 2-7, dadurch gekennzeichnet, daß zum Erzeugen des niederohmigen Gebietes Cp+) im Halbleiterkörper und der Zone entgegengesetzter Leitfähigkeit (n+) die Oberfläche des Halbleiterkörpers maskiert wird und die öffnungen in der Maske so eingestellt werden, daß das niederohmige Gebiet an der Oberfläche einen geringeren Flächenteil einnimmt als die Zone entgegengesetzter -Leitfähigkeit.
- 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß zum Maskieren der Oberfläche des Halbleiterkörpers nacheinander mehrere Isolierschichten aufgebracht werden und in diesen Isolierschichten Jeweils mit Hilfe der photolithographischen Technik gejvünschte öffnungen erzeugt werden, in denen die Oberfläche des Hälbleiterkörpers freiliegt.809810/1038
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEJ0024244 | 1963-08-13 | ||
DEJ0024244 | 1963-08-13 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1464703A1 true DE1464703A1 (de) | 1968-11-28 |
DE1464703B2 DE1464703B2 (de) | 1973-04-19 |
DE1464703C3 DE1464703C3 (de) | 1976-04-22 |
Family
ID=7201736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19631464703 Granted DE1464703B2 (de) | 1963-08-13 | 1963-08-13 | Kapazitaetsdiode |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1464703B2 (de) |
FR (1) | FR1390594A (de) |
GB (1) | GB1042270A (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3999212A (en) * | 1967-03-03 | 1976-12-21 | Hitachi, Ltd. | Field effect semiconductor device having a protective diode |
US3579278A (en) * | 1967-10-12 | 1971-05-18 | Varian Associates | Surface barrier diode having a hypersensitive {72 {30 {0 region forming a hypersensitive voltage variable capacitor |
DE2405067C2 (de) * | 1974-02-02 | 1982-06-03 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
-
1963
- 1963-08-13 DE DE19631464703 patent/DE1464703B2/de active Granted
-
1964
- 1964-03-20 FR FR968166A patent/FR1390594A/fr not_active Expired
- 1964-08-13 GB GB3309564A patent/GB1042270A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR1390594A (fr) | 1965-02-26 |
GB1042270A (en) | 1966-09-14 |
DE1464703B2 (de) | 1973-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2214935C2 (de) | Integrierte MOS-Schaltung | |
DE1944793C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung | |
DE1964979C3 (de) | Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2133979C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
DE1903870B2 (de) | Verfahren zum herstellen monolithischer halbleiteranordnungen und nach dem verfahren hergestellte halbleiteranordnung | |
DE1539090B1 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1764570B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit zueinander komplementären NPN- und PNP-Transistoren | |
DE2364752A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE3022122C2 (de) | ||
DE1229650B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelementes mit pn-UEbergang nach der Planar-Diffusionstechnik | |
DE1813130C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Zenerdiode | |
DE2261541B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer linearen integrierten Halbleiterschaltung für hohe Leistungen | |
DE1077788B (de) | Halbleiteranordnung mit mindestens einem PN-UEbergang und einem Driftfeld | |
DE1464703A1 (de) | Kapazitaetsdiode | |
DE69634585T2 (de) | Halbleiteranordnung mit schutzring und verfahren zur herstellung | |
DE2403816C3 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1464703C3 (de) | ||
DE1439758A1 (de) | Verfahren zur Herstellung passivierter Transistoren mit nichtdiffundierter Basiszone in einem Halbleiterkoerper | |
DE2527076A1 (de) | Integriertes schaltungsbauteil | |
DE1207010B (de) | Flaechentransistor mit einem Halbleiterkoerper mit vier Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps, Verfahren zum Herstellen und Schaltung solcher Flaechentransistoren | |
DE2540354A1 (de) | Als thermoionische injektionsdiode geeignete halbleiterstruktur | |
DE2101278A1 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2005940C3 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2742361A1 (de) | Bipolarer lateraler transistor | |
DE1287218C2 (de) | Integrierte halbleiterschaltung und verfahren zu ihrer herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 |