DE1439743C3

DE1439743C3 - Bildspeicher

Info

Publication number: DE1439743C3
Application number: DE1439743A
Authority: DE
Inventors: Malcolm Owen Norris; Peter Whitten Ranby
Original assignee: Thorn Electrical Industries Ltd
Current assignee: Thorn Electrical Industries Ltd
Priority date: 1963-11-18
Filing date: 1964-11-18
Publication date: 1974-05-09
Also published as: NL6411593A; DE1439743B2; GB1022569A; DE1439743A1; US3454830A; SE323753B; NL149672B; JPS5144397B1

Description

Das Hauptpatent Nr. 1 282 807 betrifft einen Bildspeicher, unter Verwendung von Zinksulfid oder Zink-Kadmiumsulfid, welches zusammen mit einem Aktivator zwischen zwei an einer Spannungsquelle liegenden Elektroden angeordnet ist, der dadurch gekennzeichnet ist, daß das Zinksulfid oder Zink-Kadmiumsulfid als Aktivator Mangan und in an sich bekannter Weise Halogenionen enthält und daß diese Materialien in an sich bekannter Weise in eine Schicht aus Keramikmaterial eingebettet sind, die als einzige gleichzeitig photoleitende und elektrolumineszente Eigenschaften aufweisende Schicht zwischen den beiden Elektroden angeordnet ist, welche zur Speicherung des Bildes an eine Gleichspannungsquelle angeschlossen sind.

Wird der Bildspeicher an eine Gleichspannung gelegt, dann fließt zwischen den Elektroden bei fehlender Bestrahlung ein schwacher Strom. Dieser nimmt zu, wenn der Bildspeicher einer erregenden Strahlung ausgesetzt wird, und baut sich allmählich auf einen Höchstwert auf. Nach der Bestrahlung gibt die Platte weiterhin Licht von denjenigen Stellen ab, an denen sie bestrahlt wurde, jedoch nimmt der Strom zwischen den Elektroden allmählich ab.

Die Helligkeit des von dem Bildspeicher abgestrahlten Lichtes folgt einer ähnlichen Kurve wie der Strom. Wird die an die Platte angelegte Spannung erhöht, so nimmt auch der Strom zu, wodurch die Helligkeit des leuchtenden Bildes erhöht wird. Es besteht jedoch ein Grenzwert für die Spannung, die an den Bildspeicher ohne dessen Zerstörung angelegt werden kann, die anlegbare Höchstspannung bei Nichterregung ist verschieden von derjenigen bei bestrahltem Bildspeicher.

Aufgabe der Erfindung ist es, den Bildspeicher des Hauptpatentes derart weiterzuentwickeln, daß einerseits die Ansprechgeschwindigkeit des Bildspeichers möglichst hoch ist und andererseits eine optimale Bildhelligkeit erzielt wird, ohne daß die Gefahr einer Zerstörung des Bildspeichers gegeben ist.

Bei einem Bildspeicher, unter Verwendung von Zinksulfid oder Zink-Kadmiumsulfid, mit Mangan und Halogenionen als Aktivator, die in eine Schicht aus Keramikmaterial eingebettet sind, die als einzige gleichzeitig photoleitende und elektrolumineszente Eigenschaften aufweisende Schicht zwischen zwei Elektroden angeordnet ist, welche zur Speicherung des Bildes an eine Gleichspannungsquelle angeschlossen sind, nach Patent 1 282 807, wird dies erfindungsgemäß dadurch erzielt, daß zwischen der Gleichspannungsquelle und einer der beiden Elektroden ein leistungsvernichtendes Element angeordnet ist.

Der Bildspeicher wird somit je nach seinem Zustand mit unterschiedlicher Spannung betrieben. Bei nichtbestrahltem Bildspeicher und somit geringem Strom liegt eine höhere Gleichspannung an dem Bildspeicher an, so daß bei Einsetzen der Bestrahlung die Ansprechgeschwindigkeit entsprechend hoch ist. Mit ansteigender Leitfähigkeit des Bildspeichers und damit mit ansteigendem Strom wird immer mehr Spannung in dem leistungsvernichtenden Element verbraucht, so daß die Spannung am Bildspeicher abnimmt und die Gefahr eines Durchschlages nicht gegeben ist. Fällt die Bestrahlung weg, wird auch der Strom geringer und damit die Spannung erhöht, so daß die Helligkeit des Bildes zunimmt bzw. erhalten bleibt.

An Hand der beiliegenden Zeichnungen werden nun verschiedene Ausführungsformen näher beschrieben.

Die Fig. 1 bis 6 zeigen Schaltbilder dieser Ausführungsformen.

In Fig. 1 ist eine Schaltung dargestellt, die einen Bildspeicher, eine Batterie B und einen Serienwiderstand R umfaßt. Wenn der Bildspeicher erregt wird und der Strom zunimmt, fällt ein erhöhter Anteil der von B angelegten Spannung am Widerstand R ab.

Durch eine geeignete Wahl des Wertes des Widerstandes R kann auch die Veränderung in der Spannung an dem Bildspeicher angepaßt werden. Der Widerstand R kann normalerweise durch eine Sicherung F kurzgeschlossen sein (Fig. 6), die einen solchen Wert hat, daß sie durchbrennt, wenn der Bildspeicher sich im Zustand höchster Leitfähigkeit befindet.

Der Widerstand R der Schaltung nach Fig. 1 kann

durch eine Vorrichtung ersetzt werden, deren Widerstand mit dem hindurchfließenden Strom zunimmt. Beispielsweise hat der Glühfaden einer normalen elektrischen Glühlampe L einen Widerstand, der um das Vielfache zunimmt, wenn sein Strom von Null auf seinen normalen Betriebswert ansteigt.

Eine Pentode oder Endtetrode mit Elektronenbündelung hat eine Anodenstrom/Anodenspannungs-Kennlinie, deren Steilheit der für die vorliegenden Zwecke erforderlichen sehr nahe kommt. Eine solche Röhre V₁ wird mit einem Bildspeicher in der in F i g. 2 gezeigten Weise zusammengeschaltet. Die Kathodenheizanschlüsse sind mit H-H bezeichnet. Diese Schaltung hat gegenüber einer Schaltung mit einem Widerstand den Vorteil, daß der Wert des Grenzstroms dadurch eingestellt werden kann, daß die Steuergitterspannung, beispielsweise unter Verwendung eines Spannungsteilers P eingestellt wird, welch letzterer sich in Parallelschaltung mit einer Quelle B₁ befindet. Eine noch bessere Steuerung kann in der in Fig. 3 gezeigten Weise durch die Verwendung zweier derartiger Röhren V₂ und V₃ erzielt werden.

In F i g. 4 ist eine Schaltanordnung mit einer Triode V₄ dargestellt, welche mit einer Pentode V₅ in Reihe geschaltet ist, so daß sich sowohl die Spannung als auch der Strom leicht regeln lassen.

Parallel zum Widerstand R kann ein Relais S liegen, welches von Hand mittels eines Schalters S W betätigt wird (Fig. 5). Gegebenenfalls kann, wie in Fig. 6 gezeigt, das Relais 5 so geschaltet sein, daß es mit Hilfe einer Triode oder einem Thyratron V₆ selbsttätig erregt wird.

¹S Statt der Verwendung von Batterien zur Lieferung der Steuergitterspannung an die Röhre bei den Anordnungen nach F i g. 2 bis 4 kann ein Regelwiderstand mit der Kathode in Reihe geschaltet werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

Ii Bildspeicher, unter Verwendung von Zinksulfid oder Zink-Kadmiumsulfid, mit Mangan und Halogenionen als Aktivator, die in eine Schicht aus Keramikmaterial eingebettet sind, die als einzige gleichzeitig photoleitende und eiektrolumineszente Eigenschaften aufweisende Schicht zwischen zwei Elektroden angeordnet ist, welche zur Speicherung des Bildes an eine Gleichspannungsquelle angeschlossen sind, nach Patent 1 282 807, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Gleichspannungsquelle und einer der beiden Elektroden ein leistungsvernichtendes Element angeordnet ist.
2. Bildspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das leistungsvernichtende Element ein ohmscher Widerstand (R) ist.
3. Bildspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das leistungsvernichtende Element durch die Anoden-Kathoden-Strecke einer Entladungsröhre (F₁) gebildet wird.
4. Bildspeicher nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstandswert des leistungsvernichtenden Elementes von Hand veränderbar ist.
5. Bildspeicher nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstandswert des leistungsvernichtenden Elementes selbsttätig in Abhängigkeit von dem zwischen den Elektroden des Bildspeichers fließenden Strom veränderbar ist.
6. Bildspeicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das leistungsvernichtende Element durch eine Vorrichtung gebildet wird, deren Widerstand sich erhöht, wenn der durch diesen hindurchfließende Strom zunimmt.
7. Bildspeicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstandswert des leistungsvernichtenden Elementes durch elektronische Mittel ( V₆) veränderbar ist, die auf den Strom zwischen den Elektroden des Bildspeichers ansprechen.