DE1439139B2 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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DE1439139B2 DE19621439139 DE1439139A DE1439139B2 DE 1439139 B2 DE1439139 B2 DE 1439139B2 DE 19621439139 DE19621439139 DE 19621439139 DE 1439139 A DE1439139 A DE 1439139A DE 1439139 B2 DE1439139 B2 DE 1439139B2
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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einem in einem Gehäuse eingeschlossenen Halbleiterelement, das lediglich unter Druck an einer Zuführungselektrode anliegt, die einen anderen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, wobei die aneinanderliegenden Flächen des Halbleiterelementes und der Zuführungselektrode aus Werkstoffen bestehen, die keine stoffschlüssige Verbindung miteinander eingehen.
Ein solches Halbleiterbauelement ist z. B. in der USA.-Patentschrift 2 956 214 beschrieben. Das Gehäuse dieses Halbleiterbauelementes ist scheibenförmig ausgebildet. Die Deckplatten des Gehäuses dienen als Zuführungselektroden und ermöglichen auch ein Abführen der Verlustwärme des Halbleiterbauelementes.
Für manche Zwecke sind Gehäuse erforderlich, bei denen der Strom über mindestens einem mit dem Gehäuse fest verbundenen, starren Schaftteil zugeführt wird. Im Betrieb des Halbleiterbauelementes kommt es zu unterschiedlicher Erwärmung und damit unterschiedlicher Ausdehnung von Schaftteil einerseits und Gehäuse andererseits. Dabei können sich thermische Spannungen ausbilden, die sich auf das an dem Schaftteil unter Druck anliegende Halbleiterelement ungünstig auswirken.
Der vorliegenden Anmeldung liegt daher die Aufgabe zugrunde, bei einem Halbleiterbauelement der
eingangs genannten Gattung thermische Spannungen auch dann vom Halbleiterelement fernzuhalten, wenn mindestens eine der Zuführungselektroden einen mit dem Gehäuse fest verbundenen starren Schaftteil aufweist.
Dies wird dadurch erreicht, daß die Zuführungselektrode aus einem mit dem Gehäuse fest verbundenen starren Schaftteil und einem scheibenförmigen Körper von größerem Durchmesser besteht, daß der scheibenförmige Körper einen äußeren Ring oder Rahmen aufweist, der auf einen auf dem Halbleiterelement sitzenden Zwischenanschlußkörper gedrückt ist und daß der vom Ring oder Rahmen umschlossene, mit dem Schaftteil verbundene Teil des scheibenförmigen Körpers in Richtung der Achse des Schaftteiles elastisch ausgebildet ist.
Durch den benutzten Zwischenanschlußkörper wird erreicht, daß von allen Teilen der Oberfläche der Elektrode des Halbleiterelementes ein guter Übergang zu diesem Zwischenanschlußkörper erreicht ist, so daß also das Halbleiterelement an seiner Oberfläche und in dem Halbleiterkörper möglichst gleichmäßig elektrisch beansprucht ist. In dem Zwischenanschlußkörper, der ein guter elektrischer Leiter ist, kommt es dann nur noch darauf an, daß aus diesem der Strom über eine entsprechende Übergangsfläche zulässigen elektrischen Widerstandes an einen weiteren Leiter im Wege des Stromlaufes weitergeleitet wird. Für eine solche Übergangsfläche ist aber ein solcher Ring- bzw. Rahmenteil, über welchen der scheibenförmige Körper, der zu dem Anschlußleiter gehört, an den Zwischenanschlußkontakt angepreßt wird, ohne weiteres ausreichend, denn durch die Innen- und Außenabmessungen des Ringes bzw. Rahmens läßt sich ohne weiteres eine Übergangsfläche von dem Querschnitt erreichen, daß diese hinsichtlich ihrer spezifischen elektrischen Belastung innerhalb der zulässigen Grenzen liegt, so daß an dieser kein unzulässiger Spannungsabfall entsteht bzw. keine unzulässige Joulesche Wärme entwickelt wird. Selbstverständlich kann diese Stromübergangsstelle auch gleichzeitig dazu ausgenutzt werden, einen Weg für die Abführung von Joulscher Wärme, welche an dem Halbleiterelement betriebsmäßig anfällt, an weitere im Stromlauf für die Zwecke einer Wärmeableitung geeignete Elemente zu bilden.
Für die Erzielung eines solchen grundsätzlichen Aufbaues einer Halbleiteranordnung gibt es verschiedene Lösungswege.
So kann der schaftartige Teil des starren Anschlußkontaktes, der an seinem dem Halbleiterelement zugewandten Ende mit einem scheibenförmigen Teil versehen ist, so daß eine Art Pilzform entsteht, mit einer äußeren Randzone dieser Scheibenform an einer Gegenfläche des Zwischenanschlußkörpers festgespannt werden, wobei der Zwischenanschlußkörper innerhalb des inneren Umf anges der Ring- bzw. Rahmenzone mit einer solchen Vertiefung bzw. Aussparung versehen ist, daß dadurch der innerhalb der Einspannzone liegende Teil der Scheibenform des starren Anschlußkörpers eine ausreichende Bewegungsfreiheit relativ zur Oberfläche des Zwischenanschlußkörpers erfüllt.
Es kann jedoch auch an beiden einander gegenüberliegenden Oberflächen des scheibenförmigen Körpers je eine entsprechende ringförmige Auflage vorgesehen sein, welche den scheibenförmigen Körper mit seinen innerhalb der ring- bzw. rahmenförmigen Auflage liegenden Flächen so von den Einspannkörpern distanzieren, daß für den diesem Flächenteil entsprechenden Teil des scheibenförmigen Körpers wieder die relative Nachgiebigkeit in Richtung auf bzw. von der Oberfläche des Zwischenanschlußkörpers gewährleistet bleibt. Hierbei kann es sich als zweckmäßig erweisen, für diese Ring- bzw. Rahmenkörper an den Einspannkörpern entsprechende vorbereitete Sitzflächen vorzusehen, so daß durch diese
ίο eine eindeutige Orientierung der Ring- bzw. Rahmenkörper an den Flächen der Einspannkörper gewährleistet ist. Eine ähnliche Wirkung würde sich dadurch erreichen lassen, daß die Ring- bzw. Rahmenkörper nahe ihrer äußeren Mantelfläche mit entsprechenden Ausladungen oder an ihrem Umfang mit entsprechenden Abbiegungen oder Erhebungen versehen sind, so daß auf diese Weise eine gegenseitige eindeutige lagemäßige Zuordnung zwischen den Zwischenlagen und den Einspannkörpern sowie auch für den scheibenförmigen Körper des Anschlußkontaktes gesichert ist.
Es läßt sich schließlich auch eine relativ einfache sinngemäße Aufbauform dadurch erreichen, daß der scheibenförmige Teil des starren Anschlußkörpers unmittelbar eine solche Formgebung erhält, daß er in der Achsrichtung des starren Anschlußkontaktes an demjenigen seiner Flächenteile, wo er eingespannt werden soll, entsprechend verstärkt ist, wodurch dann unmittelbar an dem starren Anschlußkörper diese Auflageringe bzw. Distanzierungsringe gegenüber den Einspannkörpern gewonnen werden. Ein solcher starrer Anschlußkontakt in dieser Form läßt sich z. B. durch einen einfachen Schlag- bzw. Schmiedeprozeß herstellen.
Bei denjenigen Ausführungen, nach welchen besondere Zwischenlagenringe benutzt werden oder diesen gleichwertige Ringe unmittelbar an dem scheibenförmigen Teil des starren Anschlußkontaktes erzeugt werden, braucht dann der Zwischenanschlußkontaktkörper nur eine einfache äußere geometrische Form zu erhalten.
Es kann sich gegebenenfalls auch als zweckmäßig erweisen, den scheibenförmigen Teil des starren Anschlußkontaktes an seinem von der Einspannzone umschlossenen Teil noch eine besondere Formgebung für eine gute Nachgiebigkeit zu geben, indem er z. B. wellenförmig in seinem Querschnitt gestaltet ist. Als ein geeigneter Wert für die Bemessung des scheibenförmigen Teiles des starren Anschlußkontaktes hat sich z. B. einer von 0,1 bis 0,3 mm ergeben, wenn die lichte Weite der Einspannzone einen Durchmesser von etwa 3 bis 6 mm aufweist.
Die Erfindung ist naturgemäß grundsätzlich auch bei größeren Durchmessern des Zwischenkontakt-Stückes entsprechend größeren Halbleiterkörpern sinngemäß anwendbar. Der mit der Außenfläche seiner Scheibenform an dem auf den Anschlußpol an dem Halbleiterelement bzw. dessen Elektrode aufgesetzten Zwischenanschlußkörper aufgesetzte elastisch bewegliche Kontakt wird dabei an der Ringzone, über welche der Kontakt und der Zwischenanschlußkörper in Berührung sind, vorzugsweise durch einen Isolierkörper angepreßt, der zweckmäßig mittels einer zentralen Aussparung auf dem Schaft des Anschlußkontaktes geführt ist. Dieser Isolierkörper kann dabei vorzugsweise an seiner der Scheibenform des Kontaktes abgewandten Fläche mit einem Sitz für mindestens eine Kraftspeicherfeder versehen sein,
welche für den gegenseitigen Anpreßdruck zwischen dem Anschlußkontakt und dem Halbleiterelement sorgt. Dieser Kraftspeicher ist dabei vorzugsweise derart bemessen, daß er Schenkelteile aufweist, die einen relativ großen Federungsweg betriebsmäßig durchlaufen können. Auf diese Weise ist dann selbst bei Toleranzen in den Abmessungen des Aufbaues der Einzelteile des Halbleiterelementes ohne weitgehende Aufmerksamkeit beim Montageprozeß gewährleistet, daß stets betriebsmäßig noch eine ausreichende potentielle Energie in dem Federsystem bei der Montage des Halbleiterbauelementes aufgespeichert ist. Hierfür ist das Federsystem vorzugsweise also derart bemessen, daß bei seiner Aufladung schenkelartige Teile auf Biegung beansprucht werden, wodurch dann die Möglichkeit eines größeren Federungsweges gegeben ist, als wenn lediglich eine oder mehrere Tellerfedern benutzt werden, die bekanntermaßen in sich eine relativ große potentielle Energie aufspeichern, jedoch nur einen relativ geringen Federungsweg bzw. eine nur relativ geringe Durchbiegung erreichen lassen.
Es liegt auch im Sinne der Erfindung zur Erzielung eines großen Federungsweges an dem Kraftspeichersystem, daß die an diesem auf Biegung beanspruchten Hebelarme möglichst lang sind. Aus diesem Grunde wird zweckmäßig der äußere Abstützpunkt des Federsystems möglichst weit von der Achse des Halbleiterbauelementes entfernt gewählt. Hierfür erweist sich beispielsweise eine scheibenförmige, elektrisch isolierende Durchführung, etwa vom Charakter einer Druckglasdurchführung besonders geeignet. Das soll aber nicht ausschließen, daß nicht auch eine Durchführung eventuell mit keramischem Isolierkörper benutzt werden kann. Bei einer solchen Druckglasdurchführung kann dann als radiale äußere Abstützstelle für das Federsystem z. B. der äußere Ring der elektrisch isolierenden Durchführung benutzt werden. Es kann statt dessen auch ein Stützlager unmittelbar an dem Gehäuseteil des Halbleiterbauelementes gewählt werden, welcher das Halbleiterelement trägt.
Der Isolierkörper, welcher auf den Schaft des Anschlußkontaktes aufgeschoben ist und als Druckübertragungskörper zwischen dem Federsystem und dem an diesem Zwischenanschlußkontakt anliegenden Teil des Anschlußkontaktes benutzt ist, wird vorzugsweise an seiner dem Halbleiterelement zugewandten Seite becherförmig gestaltet, so daß er auf diese Weise den Anschlußkontakt, das Halbleiterelement und gegebenenfalls sogar dessen Träger teilweise umschließt. Auf diese Weise wirkt der Isolierkörper mit seiner inneren Mantelfläche unmittelbar als ein Lehrenkörper, der die genannten Teile relativ zueinander und gegenüber der Grundplatte des Gehäuses bzw. dem Boden des becherförmigen Gehäuses in seiner Lage hält sowie bei der Montage der Anordnung als ein Hilfskörper ausgenutzt werden kann, der nach Art einer Lehre die Möglichkeit bietet, Teile in ihn einzuschichten und danach diesen mit eingeschichteten Teilen versehenen Körper mit der isolierenden Durchführung und dem zwischengeschalteten Federsystem zusammenzuführen, wonach dann eine gegenseitige Verbindung der beiden Gehäuseteile bzw. eines becherförmigen Gehäuseteiles und der isolierenden Durchführung an ihrem Außenring vorgenommen werden kann.
Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen wird nunmehr auf die Figuren der Zeichnung Bezug genommen.
Nach Fig. 1 umfaßt das Halbleiterelement einen becherförmigen metallischen Körper 1, z. B. aus Kupfer bzw. versilbertem Kupfer. Dieser becherförmige Körper weist einen Bodenteil 2 auf. Von dem Bodenteil erstreckt sich in der Achsrichtung des Halbleiterelementes ein Teil kleineren Durchmessers 3, der an seiner Außenmantelfläche vorzugsweise mit Rippen 4 versehen ist. An seiner Außenseite so daß sich eine pfannenartige bzw. konkave Form 5 ist der Bodenteil 2 bereits nach innen durchgewölbt, ergibt. Diese Bauform ergibt den folgenden Vorzug: Wird der Gehäuseteil 1 in seinen Sitz in eine Aussparung an einem weiteren Träger mit seinem Teilkörper 3 eingepreßt, z. B. bis zum Anschlag an dem Absatz 1 a, und es entsteht an 3 die Neigung zu irgendwelchen radial nach innen gerichteten Verformungen, so können diese stets nur eindeutig dazu führen, daß dieser Bodenteil 2 eine Verformung in Richtung auf den Hohlraum der Becherform 1 zu erfahren würde. Diese können aber in vorteilhafter Weise dann nur im Sinne einer Aufladung der Kraftspeicherfeder, also im Sinne der gegenseitigen Anpressung der zusammenarbeitenden Druckkontaktflächen des Halbleiterbauelementes wirken. An dem Bodenteil 2 ist ein Sockelteil 6 vorgesehen. Auf diesem ist das Halbleiterelement 7 gelagert bzw. befestigt. Dieses und/oder die mit seinen Elektroden zusammenwirkenden Flächen der benachbarten Körper können an ihren Kontaktflächen über besondere duktile Hilfsplatten 8 bzw. 8 a, z. B. aus Silber, zusammenwirken oder an diesen Flächen mit entsprechenden Überzügen versehen sein. Mit dem zweiten Pol des Halbleiterelementes der dem es tragenden Gehäuseteil abgewandt liegt, arbeitet über die duktile Hilfsplatte 8 α ein Zwischenanschlußkörper 9, z. B. aus Kupfer, zusammen. Dieser liegt mit seiner vollen unteren Fläche an der Hilfsplatte 8 a an. Diese könnte jedoch auch ein an 9 aufplattierter Belag sein. An seiner oberen Fläche ist der metallische Zwischenanschlußkörper 9 mit einer Aussparung 10 versehen, welche somit von einer Ringzone an der oberen Fläche von 9 umschlossen ist. Auf dieser Ringzone ist der Anschlußkontakt 11 mit seinem Pilzdachkörper bzw. Scheibenkörper 12 an dessen Außenfläche aufgesetzt und angepreßt. Die Kontaktvermittlung zwischen 9 und 12, insbesondere für die elektrische Stromführung, findet also über eine Ringzone statt. Diese Ringzone hat unter Berücksichtigung des sie bestimmenden Innen- und Außendurchmessers aber eine relativ große Flächenausdehnung, so daß keine spezifisch hohe elektrische Strombelastung der Übergangsstelle zwischen 12 und 9 stattfindet. Der Scheiben- bzw. Pilzdachkörper 12 wird über den Isolierkörper 21, der mit einer zentralen Aussparung 21 α auf den Schaftteil 11 des Kontaktes aufgeschoben ist, an den Teil 9 angepreßt und damit dieser Teil 9 an den Pol des Halbleiterelementes. Für die Erzeugung des entsprechenden Anpreßdruckes sorgt eine Feder 26 als Kraftspeicher. Diese ist vorzugsweise so aufgebaut, z. B. als Sattelfeder, daß sie, wie angegeben, Schenkelteile aufweist, welche eine relativ große Durchbiegung für die Aufspeicherung von kinetischer Energie in ihnen erfahren können. Die Feder 26, welche gegebenenfalls auch eine anteilige Feder eines Federmagazins sein kann, ist mit einer zentralen Aussparung 24 auf einen Sitz 22 an der oberen
7 8
Fläche des Isolierkörpers 21 aufgeschoben, so daß Innenraum von 1 die entsprechenden Teile in einer sie dadurch in einer vorbestimmten Lage gehalten gegenseitigen ordnungsgemäßen Lage hält bzw. aufwird. Die Feder 26 stützt sich außen an dem äußeren rechterhält, insbesondere, wenn 21 außerdem noch Ring 16 einer elektrisch isolierenden Durchführung als Zentrierungskörper über seine Außenmantelfläab, die z. B. eine Druckglasdurchführung sein kann, 5 ehe mit der Innenmantelfläche des Teiles 3 von 1 zuderen Glaskörper mit 15 und deren innere metalli- sammenarbeitet.
sehe Hülse mit 13 bezeichnet sind. Der Außenring 16 Ein wesentliches Merkmal für den Anmeldungsgeder elektrisch isolierenden Durchführung sitzt auf genstand ist gemäß der eingangs gegebenen Begrüneiner Fläche 17 des becherförmigen Gehäuseteiles 1 dung, daß bei der thermischen Beanspruchung des auf. Er wird nach der Montage der Anordnung da- io Halbleiterbauelementes keine unerwünschten Spandurch an dieser Sitzfläche 17 festgespannt, daß ein nungen dadurch in dem System auftreten können, Mantelteil 18 von 1, der zunächst bei der Montage daß zwischen dem Zwischenanschlußkörper 9 und eine zylindrische Form hat, wie durch die gestrichelte dem äußeren elektrischen Anschluß ein starrer AnDarstellung angedeutet ist, nach innen radial umge- Schlußkontakt benutzt ist, indem erfindungsgemäß legt wird. Dieser Rand wirkt somit auf die Fläche 19 15 die Pilzdachform bzw. Scheibenform 12 des an das von 16, wodurch eine starre mechanische Verbin- Halbleiterelement angepreßten Anschlußkontaktes dung zwischen 1 und 16 geschaffen wird, die gegebe- betriebsmäßig die Möglichkeit hat, um ihre Einnenfalls bereits unmittelbar eine ausreichende Gas- spannstelle zwischen 21 und 9 sich in beiden Richdichtigkeit, insbesondere bei eventueller Anwendung tungen der Achse von 11 um entsprechende geringe einer nicht dargestellten duktilen Zwischenlage auf- 20 Beträge auszubiegen. Hierfür darf 12 naturgemäß weisen kann. Zusätzlich kann jedoch an der Über- unter Berücksichtigung des Durchmessers eine gewisgangsstelle zwischen 16 und 18 noch ein entspre- se leicht durch Versuche zu ermittelnde Dicke nicht chender Schutzüberzug bzw. eine Abdichtungsmasse überschreiten.
20 aufgebracht werden, die z. B. entweder ein Kleber Die Fig. 2 zeigt eine solche Abwandlung einer er-
oder ein Lot sein kann. Nachdem die Anordnung in 25 findungsgemäßen Anordnung, wonach der starre An-
dieser Weise montiert worden ist, bedarf es noch bei schlußkontakt aus einem schaftförmigen Teil 11' be-
der dargestellten Ausführung der Herstellung einer steht, an welchem bei Ausbildung des Zwischenan-
gasdichten Verbindung zwischen dem Schaft 11 des schlußkontaktes 9' mit einer einfachen geometri-
Kontaktes und der inneren metallischen Hülse 13 der sehen, z. B. quaderförmigen oder zylinderförmigen
elektrisch isolierenden Durchführung bzw. der 30 Grundform am unteren Ende des schaftförmigen Tei-
Druckglasdurchführung. Diese gasdichte Verbindung les 11' des starren Anschlußkontaktes ein scheiben-
kann mittels einer geeigneten Masse bzw. eines Lotes förmiger Teil 12' unmittelbar durch einen Schlag-
14 hergestellt werden. Es kann jedoch auch gegebe- oder Schmiedeprozeß in der Form erzeugt ist, daß an
nenfalls nur eine gegenseitige Verpressung zwischen diesem scheibenförmigen Teil eine innere Zone ge-
13 und 11 benutzt werden, oder es kann zusätzlich 35 ringer Dicke 12'a und eine äußere Ring- bzw. Rand-
zu dieser Verpressung noch eine solche Abdichtung zone 12'& von derart größerer Dicke erzeugt ist, daß
mittels einer Masse 14 oder mittels eines entspre- dadurch von den durch die Ebenen der Oberflächen
chenden Lotes durch einen Verlötungsvorgang statt- von 12'a ausladende Teile entstehen, auf welche als
finden. Einspannkörper einerseits der Zwischenanschlußkör-
Im Rahmen der Erfindung würde es auch liegen, 40 per 9' und andererseits der Isolierkörper 21 wirken, daß nicht mit einem Hülsenteil 13 an der isolieren- Hierdurch ist der starre Anschlußkontakt an seinem den Durchführung gearbeitet wird, der nach außen scheibenförmigen Teil wieder derart sinngemäß einoffen ist, sondern daß für den Körper 13 ein nach gespannt, daß sich sein von der Einspannzone umunten, d. h. in Richtung auf den Kammerraum zu, schlossener scheibenförmiger Teil gemäß der angeoffener becherförmiger oder kappenförmiger Körper 45 strebten Zielsetzung zur Vermeidung des Auftretens benutzt wird, in welchen der Kontakt mit seinem thermischer Spannungen relativ zur Oberfläche von Schaftteil 11 eingeführt wird, wonach dann eine ge- 9' ausbiegen kann.
genseitige Verpressung des Schaftteiles von 11 und In der Abwandlung nach F i g. 3, welche eine teileines außerhalb der isolierenden Durchführung lie- weise Darstellung einer Seite der Einspannung des genden Teiles des inneren metallischen Kappen- bzw. 50 scheibenförmigen Körpers 12" des starren Anschluß-Becherteiles der isolierenden Durchführung durch kontaktes enthält, ist wieder ein Zwischenanschlußeine Verpressung vorgenommen wird. Es braucht die körper 9' einfacher geometrischer Formgebung be-Kappenform, welche den inneren metallischen Teil nutzt, mit welchem wieder sinngemäß als zweiter der elektrisch isolierenden Durchführung bildet, auch Einspannkörper der Isolierkörper 21 zusammennicht lediglich aus einem Stück hergestellt zu werden. 55 wirkt. Bei dieser Ausführung ist zunächst auf den Es kann vielmehr zunächst die isolierende Durchfüh- Zwischenanschlußkörper ein Ring 27 aufgelegt, der rung innen einen Hülsenteil aufweisen, mit dessen an seinem äußeren Umfang so gestaltet sein kann, oberer Stirnseite ein in diese eingesetzter bzw. ein- daß er einerseits sich in seiner Lage gegenüber dem und aufgesetzter kappenförmiger Teil, z. B. durch Zwischenanschlußkörper 9' orientiert, gleichzeitig Hartlötung, verbunden ist. 60 aber auch lagebestimmend für den äußeren Rand des
Der Isolierkörper 21, der z. B. aus Glas oder Kera- scheibenförmigen Teiles 12" des starren Anschluß-
mik bestehen kann, ist, wie das Ausführungsbeispiel kontaktes ist. An der Einspannzone ist auf die obere
zeigt, vorzugsweise derart gestaltet, daß er eine nach Fläche ein weiterer Ring 28 aufgelegt, der wiederum
unten offene Becherform aufweist, mit welcher er die an seinem äußeren Umfang derart gestaltet sein
Kontaktstelle zwischen 11 und 9 sowie gegebenen- 65 kann, daß er sich unmittelbar in seiner Lage gegen-
falls auch das Halbleiterelement 7 und dessen Sitz an über dem scheibenförmigen Körper 12' orientiert,
dem Sockelteil 6 umschließt. Der Körper 21 erfüllt Der scheibenförmige Körper 12" des starren An-
auf diese Weise gleichzeitig die Funktion, daß er im schlußkontaktes ist in diesem Falle mit einer wellen-
förmigen Zone innerhalb der Einspannstelle zwischen 27 und 28 gestaltet, so daß auf diese Weise die Nachgiebigkeit des starren Anschlußkontaktes an diesem scheibenförmigen Teil noch gefördert ist.
Die beiden Teile 11 und 12 können im Rahmen der Erfindung unmittelbar als ein einheitlicher Körper oder aber auch aus mehreren zunächst an sich selbständigen Teilen hergestellt werden. So kann z. B. der schaftartige Teil 11 mit dem plattenförmigen Teil 12 durch Hartlötung verbunden sein. Der
Schaftteil 11 kann für eine vereinfachte Zusammenführung mit 12 auch an seiner unteren Fläche mit einem entsprechenden Zapfenteil versehen werden, der in eine entsprechende Aussparung an 12 eingeführt und dann an einem hervortretenden Teil eventuell als Nietkörper für die Verbindung zwischen 12 und 11 benutzt werden kann. Der Schaftteil und der Scheibenteil des starren Anschlußkontaktes könnten auch durch eine Stumpfschweißung von 11 an 12 miteinander zu einer Einheit verbunden werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (12)

Patentansprüche:
1. Halbleiterbauelement mit einem in einem Gehäuse eingeschlossenen Halbleiterelement, das lediglich unter Druck an einer Zuführungselektrode anliegt, die einen anderen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, wobei die aneinanderliegenden Flächen des Halbleiterelementes und der Zuführungselektrode aus Werkstoffen bestehen, die keine stoffschlüssige Verbindung miteinander eingehen, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuführungselektrode aus einem mit dem Gehäuse fest verbundenen, starren Schaftteil und einem scheibenförmigen Körper von größerem Durchmesser besteht, daß der scheibenförmige Körper einen äußeren Ring oder Rahmen aufweist, der auf ein auf dem Halbleiterelement sitzenden Zwischenanschlußkörper gedrückt ist und daß der vom Ring oder Rahmen umschlossene, mit dem Schaftteil verbundene Teil des scheibenförmigen Körpers in Richtung der Achse des Schaftteils elastisch ausgebildet ist.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf den scheibenförmigen Körper an einer oder beiden Flächen seiner eingespannten Randzone die Einspannkörper über besondere ring- oder rahmenförmige Zwischenlagen wirken.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zwischenanschlußkörper an seiner dem Scheibenkörper des Anschlußleiters zugewandten Fläche mit einer solchen Aussparung versehen ist, daß als eine diese umschließende Zone und Erhebung an dem Zwischenanschlußkörper eine äußere Zone für die Einspannung an der Ring- bzw. Rahmenzone des Scheibenkörpers verbleibt.
4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der scheibenförmige Körper unmittelbar an den Flächen der Einspannzone mit entsprechenden Erhebungen versehen ist, durch welche er von den Oberflächen der ihn einspannenden Körper für seine elastische bzw. nachgiebige Bewegungsmöglichkeit entsprechend distanziert ist.
5. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß an dem scheibenförmigen Körper noch ein von der Einspannzone umschlossener gewellter Teil zur Steigerung der Nachgiebigkeit des scheibenförmigen Körpers vorgesehen ist.
6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Anpressung des Scheibenteiles des starren Kontaktes an den Zwischenanschlußkörper über einen Isolierkörper erfolgt.
7. Halbleiteranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierkörper auf den Schaftteil des zur isolierenden Durchführung führenden Anschlußkontaktes aufgeschoben ist und nach seinem entgegengesetzten Ende zu eine Becherform bildet, welche die zwischen dem Kontakt und dem Halbleitergehäuse liegende Halbleiterelementeanordnung umschließt, und daß der Isolierkörper vorzugsweise als Zentrierungskörper mit dem Gehäuseteil des Bauelementes zusammenarbeitet.
8. Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß an der dem Halbleiterelement abgewandten Stirnfläche der Isolierkörper mit einem Sitz für den Federkraftspeicher versehen ist.
9. Halbleiteranordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer scheibenförmigen elektrisch isolierenden Durchführung, vorzugsweise einer Druckglasdurchführung, der auf den Isolierkörper wirkende Federkraftspeicher sich andererseits vorzugsweise an dem Außenring der elektrisch isolierenden Durchführung abstützt, jedoch auch an dem das Halbleiterelement tragenden Gehäuseteil abstützen kann.
10. Halbleiteranordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Federkraftspeicher mit federnden Schenkelteilchen versehen ist.
11. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die mechanische und gasdichte Verbindung zwischen dem Außenring der elektrisch isolierenden Durchführung und einem becherförmigen Gehäuseteil vorzugsweise durch eine Verformung eines Randteiles des becherförmigen Gehäuses erfolgt, durch welche der äußere Ring der elektrisch isolierenden Durchführung an einem inneren Absatz der Becherform festgespannt wird.
12. Halbleiteranordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß an der Übergangsstelle zwischen dem becherförmigen Gehäuseteil und der elektrisch isolierenden Durchführung zusätzlich eine Dichtungsmasse aufgebracht "bzw. eine Verlötung vorgenommen ist.
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SE (1) SE327239B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3524191A1 (de) * 1984-07-05 1986-01-16 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Halbleitereinrichtung

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH396220A (de) * 1962-03-30 1965-07-31 Bbc Brown Boveri & Cie Halbleiteranordnung
US3378735A (en) * 1963-06-12 1968-04-16 Siemens Ag Semiconductor device housing with spring contact means and improved thermal characteristics
DE1231033B (de) * 1963-09-13 1966-12-22 Siemens Ag Druckempfindliches Halbleiterbauelement mit drei Zonen abwechselnd entgegengesetztenLeitungstyps und einem Stempel auf einer Zone
US3313987A (en) * 1964-04-22 1967-04-11 Int Rectifier Corp Compression bonded semiconductor device
BE672186A (de) * 1964-11-12
US3337781A (en) * 1965-06-14 1967-08-22 Westinghouse Electric Corp Encapsulation means for a semiconductor device
NL136731C (de) * 1965-06-23
GB1121717A (en) * 1966-06-20 1968-07-31 Ass Elect Ind Improvements in semi-conductor devices
DE1564665C3 (de) * 1966-07-18 1975-10-30 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US3457472A (en) * 1966-10-10 1969-07-22 Gen Electric Semiconductor devices adapted for pressure mounting
US3607150A (en) * 1968-12-30 1971-09-21 Robert P Beekman Gold-filled metal for jewelry manufacture
JPS5030428B1 (de) * 1969-03-31 1975-10-01
GB1297046A (de) * 1969-08-25 1972-11-22
JPS4944550B1 (de) * 1970-05-04 1974-11-28
DE2257078A1 (de) * 1972-11-21 1974-05-30 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit druckkontakt
DE2603813C2 (de) * 1976-02-02 1982-11-18 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Spannvorrichtung für ein thermisch und elektrisch druckkontaktiertes Halbleiterbauelement in Scheibenzellenbauweise
US4965173A (en) * 1982-12-08 1990-10-23 International Rectifier Corporation Metallizing process and structure for semiconductor devices
SE8306663L (sv) * 1982-12-08 1984-06-09 Int Rectifier Corp Forfarande for framstellning av halvledaranordning
BR8500047A (pt) * 1984-01-09 1985-08-13 Westinghouse Electric Corp Dispositivo semicondutor de potencia aglutinado por compressao
DE3421672A1 (de) * 1984-06-09 1985-12-12 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Wechsellastbestaendiges, schaltbares halbleiterbauelement
DE3426200C2 (de) * 1984-07-17 1994-02-10 Asea Brown Boveri Überbrückungselement
US4666796A (en) * 1984-09-26 1987-05-19 Allied Corporation Plated parts and their production
US4929516A (en) * 1985-03-14 1990-05-29 Olin Corporation Semiconductor die attach system
US4978052A (en) * 1986-11-07 1990-12-18 Olin Corporation Semiconductor die attach system
US4872047A (en) * 1986-11-07 1989-10-03 Olin Corporation Semiconductor die attach system
JPH11307682A (ja) * 1998-04-23 1999-11-05 Hitachi Ltd 半導体装置
EP1286393A3 (de) * 2001-06-28 2004-03-03 F & K Delvotec Bondtechnik GmbH Schaltkreisgehäuse
FR2826830B1 (fr) * 2001-06-29 2003-11-07 Thales Sa Assemblage d'une diode et de deux electrodes
DE102006014145C5 (de) 2006-03-28 2015-12-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druck kontaktierte Anordnung mit einem Leistungsbauelement, einem Metallformkörper und einer Verbindungseinrichtung
US20080314893A1 (en) * 2007-06-25 2008-12-25 Adair Joel E Heating device with adjusting electrical contact
DE102009022659B4 (de) * 2009-05-26 2012-01-19 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Kontakteinrichtung für ein Leistungshalbleitermodul

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2244771A (en) * 1938-08-16 1941-06-10 Int Standard Electric Corp Composite conductor and contact between conductors
BE468420A (de) * 1945-06-21
GB614355A (en) * 1945-07-27 1948-12-14 Western Electric Co Improvements in electrical translating devices employing contact rectifiers
US2762953A (en) * 1951-05-15 1956-09-11 Sylvania Electric Prod Contact rectifiers and methods
US2817797A (en) * 1953-11-23 1957-12-24 United Carr Fastener Corp Rectifier
US2712619A (en) * 1954-06-17 1955-07-05 Westinghouse Air Brake Co Dry disk rectifier assemblies
US2806187A (en) * 1955-11-08 1957-09-10 Westinghouse Electric Corp Semiconductor rectifier device
US2863105A (en) * 1955-11-10 1958-12-02 Hoffman Electronics Corp Rectifying device
US2956214A (en) * 1955-11-30 1960-10-11 Bogue Elec Mfg Co Diode
US2986678A (en) * 1957-06-20 1961-05-30 Motorola Inc Semiconductor device
CH363417A (de) * 1957-10-10 1962-07-31 Elektro Werk Muendersbach Gmbh Selentrockengleichrichter
AT207950B (de) * 1957-11-09 1960-03-10 Bosch Gmbh Robert Hochleistungsgleichrichter der Großflächenbauart mit einem als Gleichrichterelement dienenden p-n-Halbleiterkristall
US2957112A (en) * 1957-12-09 1960-10-18 Westinghouse Electric Corp Treatment of tantalum semiconductor electrodes
GB859025A (en) * 1958-08-13 1961-01-18 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to electrical devices having hermetically sealed envelopes
DE1106872B (de) * 1958-08-21 1961-05-18 English Elek C Valve Co Ltd Verfahren zur Herstellung einer Germaniumflaechengleichrichter-einheit
US2993153A (en) * 1958-09-25 1961-07-18 Westinghouse Electric Corp Seal
US3059157A (en) * 1958-11-14 1962-10-16 Texas Instruments Inc Semiconductor rectifier
DE1098103B (de) * 1959-01-14 1961-01-26 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zum Einbau eines elektrischen Halbleiterelementes in ein Gehaeuse
DE1070302B (de) * 1959-09-30
NL249694A (de) * 1959-12-30

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3524191A1 (de) * 1984-07-05 1986-01-16 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Halbleitereinrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
CH430881A (de) 1967-02-28
DE1248813B (de) 1967-08-31
NL135878C (de)
SE327239B (de) 1970-08-17
GB969587A (en) 1964-09-09
US3221219A (en) 1965-11-30
CH426016A (de) 1966-12-15
NL289148A (de)
NL280742A (de)
DE1170558B (de) 1973-10-18
NL141328B (nl) 1974-02-15
DE1170558C2 (de) 1973-10-18
GB1043891A (en) 1966-09-28
NL291270A (de)
DE1439139A1 (de) 1968-12-12
GB1043892A (en) 1966-09-28
CH395348A (de) 1965-07-15
US3299328A (en) 1967-01-17
DE1248813C2 (de) 1976-01-08

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