DE1439139A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung

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DE1439139A1
DE1439139A1 DE19621439139 DE1439139A DE1439139A1 DE 1439139 A1 DE1439139 A1 DE 1439139A1 DE 19621439139 DE19621439139 DE 19621439139 DE 1439139 A DE1439139 A DE 1439139A DE 1439139 A1 DE1439139 A1 DE 1439139A1
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Description

SIMKHS-SCHUCKERTWSRKE Erlangen, * ?· ^Pfl. 19§2
. Aktiengesellschaft Werner-von-Siemens-Str* 50
"PLA. 62/1279
Dr. Expl.
Halbleiteranordnung, Zusatz zu Patent (Anm. S 75 279 VIIIc/21g - PLA 61/1537).
In dem Hauptpatent (Anm. 0 75 279 VIIIc/21g -PM 61/1537)
ist eine Halbleiteranordnung vorgeschlagen worden» wonach mindestens an derjenigen Fläche» wo das Halbleiterelement einem weiteren Körper uu3 einem Werkstoff anderer thermischer Dehnung benachbart liegt» nur eine unter Druck stehende gleitfähige Anlage, benutzt ist, an welcher insbesondere eine Nickel fläche mit einer Silberfläche zusammenwirkt, so daß zwischen diesen aneinanderliegenden Flächen bei den in der Anordnung benutzten Drücken & und den in ihr auftretenden Temperaturen keine gegenseitige starre Verbindung nach Art einer Verleitung oder VerschweiSung selbsttätig entstehen kann. In Verbindung mit diesem Aufbau ist nach
- 1 "·* · BADORSGWAL KÜ/Tte 80 9312/0|l|
PXA -6?/i279 14391 SB PM 9/370/328
dem Hauptpatent vorgeschlagen worden, den einen an das Halbleiterelement anzupressenden Kontakt«, der entweder an die innere metallische Hülsender elektrisch isolierenden Durchführung angeschlossen' oder durch diese hindurchgeführt ist, als einen starren Kontakt, ■vorzugsweise von Pilzfortn, auszubilden, wobei also die.· äußere , Form des Pilzdaches mit der Öegenflächean dem Halbleiterelement zusammenwirkt. Bei einer solchen Anordnung muß nun aber gegebenenfalls in Rechnung gestellt werden, daß bei der betriebsmäßigen Erwärmung der Halbleiteranordnung durch die Dehnung dieses Kontaktes oder auch der mit ihm zusammenwirkenden Teile mechanische Spannungen zur Ent st ebung gelangen, könnenγ die entweder ziu einer unerwünschten-Beanspruchung im Aufbau der Halbleiteranordnung führen können oder, falls der starre Anseblußkontakt unmittelbar durch die innere Hülse der elektrisch isolierenden Durchführung hindurchgeführt ist, gegebenenfalls auch zu Machteilen für die abdichtendeVerbindung zwischen dem herausgeführten Anschluß— leiter dieses Kontaktes und dem mit ihm zusammenwirkenden inneren Körper der elektrisch isolierenden Durchführung führen kann»
Ziel der vorliegenden Erfindung1 ist, da.s Auftreten solcher unerwünschter mechanischer Spannungen an einer Halbleiteranordnung, ins-be sondere- einer solchen mit einem; Aufbau nach dem Hauptpatent, auszuschließen,,
Zur lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgeraaß die eine aus einem Schaftteil mit einem scheibenförmigen Körper größerer Flächenausdehnung an seinem dem Halbleiterelement zugewandten Ende bestehender Ansehlußleiter nur derart über eine äußere Ring- bzw. Rahmen-
iÄD
■ PIA 62/1279 PM 9/370/328
,zone an einem auf der Elektrode des Halbleiterelementes sitzenden Zwische.nanschlußkörpers festgespannt "bzw. zwischen diesem und einem weiteren Körper eingespannt, daß der von der Ring- bzw. Rahmenzone umschlossene Teil des Scheibenkörpers sich elastisch bzw. nachgiebig relativ zur gegenüberliegenden Oberfläche des Zwisehenanschlußkörpers in seiner Form verändern kann.
Durch den benutzten Zwisebenanschlußkörper wird erreicht,, daß von allen Teilen der Oberfläche der Elektrode des Halbleiterelementes ein guter Übergang zu diesem Zwisehenanschlußkörper erreicht ist, so daß alao das Halbleiterelement an seiner Oberfläche und in dem Halbleiterkörper möglichst gleichmäßig elektrisch beansprucht ist. In dem Zwischenanschlußkörper, der ein guter elektrischer Leiter ist, kommt es dann nur noch darauf an, daß aus diesem der Strom über eine entsprechende Übergangsfläche zulässigen elektrischen Widerstandes an einen weiteren leiter im Wege des Stromlaufes weitergeleitet wird. Pur eine solche Übergangsfläche ist aber ein solcher Ring- bzw. Rahmenteil, über welchen. &er scheibenförmige Körper, der zu dem Ansehlußleiter gehört, an den Zwischenanschlußkontakt angepreßt wird, ohne weiteres ' ausreichend, denn durch die Innen- und Außenabmessungen des Ringes bzw. Rahmens läßt sich ohne weiteres eine Übergangsfläche ■von dem Querschnitt erreichen, daß diese hinsichtlich ihrer spezifischen elektrischen Belastung innerhalb.' der zulässigen Grenzen liegt, so daß an-dieser kein unzulässiger Spannungsabfall entsteht bzw. keine unzulässige Joule'sehe Wärme entwickelt wird. Selbstverständlich kann diese Stromübergangsstelle auch gleichzeitig
- 3 -" ■
BAD ORIGINAL
&09812/0668
^ 62/1279 14391Μ
&LA 9/370/328 ■-. ·
dazu, ausgenutzt werden» einen We.g für die Abführung von Joule' -
scher Wärme* welche an dem .Halbleiterelement betriebsmäßigan- .!
fällt, an weitere im ,Stromlauf für die Zwecke einer Wärmeableitung geeignete ,Elemente z\i bilden. - ! -.; "
Pur die Erzielung eines solchen grundsätzliehen Aufbaues einer Haibleiteranbrdnung^gibt'es Verschiedene iösungswegev ''■'■-·v * V--
So kann der schaftartige Teil.des starren Anechlußkpntaktes, der an seinem dem Halbleiterelement zugewandten Ende mit einem scheibenförmigen Teil versehen ist., s,o daß eine Art Pilzfprm . entsteht ,.mit einer äußeren ,Randzone dieser Scheibenform an ,.. • einer Gegenfläche des Zwischenanschlußkörpers fe^stgespannt werden, wobei der Z*isehenanschlußkörper innerhalb des inneren Umfangee der Ring- bzw. Rahmenzone mit einer solchen Vertiefung bzw. Aue sparung versehen ist, sdaß dadurch' der innerhalb der" *
Einspannzone liegende Teil der Scheibenform des starren Änscblußkörpers eine ausreichende Bewegungsfreiheit relativ zur Ober- ' fläche des Zwischenanschlußkörpers· erfüllt. τ' ·- *-:-
Es kann jeHöeh auch an ,beiden einander gegenüberliegenden Qberrf flächen des scheibenförmigen Körpers je eine entsprechende ringförmige Auflage, vorgesehen sein, weiche den scheibenfÖrmigeri ; Körper mit seinen innerhalb der ring- bzw. rahmenförmigen Auf- , lage liegenden Flächen so von den Einspannkörpern distanzieren, daß für den dieeem Piachenteil entsprechenden Teil des scheibenförmigen Körpers wieder die relative Nachgiebigkeit in·Richtung, auf bzw. von. der Oberfläche des Zwischenanschlußkörpers gewähr-
..· 4 _ BAD ORiQiMAL
PLA 62/1279 14391 3S 9/370/328
leistet bleibt. Hierbei kann es eich als zweckmäßig erweisen,
• * * ■ ■ »
für diese Ring- bzw. Rahmenkörper an den Einspannkörpern ent-.sprechende vorbereitete Sitzflächen vorzusehen, so daß durch
i- ■ ·
jdiese eine eindeutige Orientierung der Ring- bzw. Rahmenkörper an den Flächen der Einspannkörper gewährleistet ist. Eine ähnliche Wirkung würde sich dadurch erreichen lassen, daß die Ring- bzw. Rahmenkörper nahe ihrer äußeren Mantelfläche mit entsprechenden Ausladungen oder an ihrem Umfang mit entsprechenden Abbiegungen oder Erhebungen versehen sind, so daß auf diese V/eise eine gegenseitige eindeutige lagemäßige Zuordnung zwischen den Zwischenlagen und den Einspannkörpern sowie auch für den scheibenförmigen Körper des Anschlußkontaktes gesichert ist. ·
Ba läßt sich schließlich auch eine relativ einfache sinngemäße Aufbauform dadurch erreichenj daß der scheibenförmige Teil dee starren Anschlußkörpers unmittelbar eine solche Formgebung erhält, daß er'in der Achsrichtung des starren Anschlußkontaktes an demjenigen seiner Flächenteile, wo er eingespannt werden soll, entsprechend verstärkt ist, wodurch dann unmittelbar an dem starren Anschlußkörper diese Auflageringe bzw. Dietanzie-. rungsringe gegenüber den Einspannkörpern gewonnen werden. Ein eolcher starrer Anechlußkontakt in dieser Form läßt sich z.B. durch eineneinfachen Schlag- bzw. Schmiedeprozeß herstellen..
Bei denjenigen Ausführungen, nach welchen besondere Zwiechenlagenringe benutzt werden oder diesen gleichwertige Ringe unmittelbar an ,den scheibenförmigen $«il des starren Anachluß-f kontakteο erzeugt wtrden, braucht dann der Zwiachenanechlußkontakt-
. , »■ ■ ■ ■■ BADOBiGiNAL i
' ; PLA 62/1279· j
4 PLA 9/370/3281
körper iiur eine einfache äußere geometrische Form zu erhalten.
Ea kann sich gegebenenfalls auch als zweckmäßig erweiöen, den scheibenförmigen T,eil des starren Anschlußkontaktes an seinem von der Einspannzone umschlossenen* Teil noch eine besondere Formgebung für, eine gute Nachgiebigkeit zu geben, indem er z.B. wellenförmig in seinem Querschnitt gestaltet ist.
Als ein geeigneter Wert für die Bemessung des scheibenförmigen Teiles des starren Anschlußkontaktes hat sich z.B. eine von 0,1 bis 0,3 mm ergeben, wenn die lichte Weite der Einspännzone einen Durchmesser von etwa 3 bis 6 mm aufweist. ;
Die Erfindung ist naturgemäß grundsätzlich auch bei größeren Durchmessern des Zwischenkontaktstückes entsprechend größeren Halbleiterkörpern sinngemäß anwendbar. Der mit der Außenfläche seiner Scheibenform an dem auf den Anachlußpol an dem Halbleiterelement bzw. dessen Elektrode aufgesetzten Zwischenanachlußkörper aufgesetzte elastisch bewegliche Kontakt wird dabejUan der Hirtgzone, über welche der Kontakt und der Zwiachenanachlußkörper in Berührung sind ,'.vorzugsweise durch einen Isolierkörper angepreüt, der zweckmäßig mittels einer zentralen Aussparung auf dem Schaft des Ansehlußkontaktea geführt ist. Dieser Isolierkörper kann dabei vorzugsweise an seiner der Scheibenform des Kontaktes abgewandten Fläche mit einem Sitz für mindestens ,eine Kraftspeicher« feder versehen sein, welche für .den gegenseitigen Anpreßdruck zwischen dem AnachlUßfeontakt und dem Halbleiterelement sorgt« Dieser Kraftspeicher ist dabei vorzugsweise derart be»esseh, das er SchepkelteiXe aufweist, die einen relativ großen Federungeweg.
BAD ORiGiMAL
PLA 62/1279*
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■betriebsmäßig durchlaufen können. Auf diese Weise ist dann selbst bei Toleranzen in den Abmessungen des Aufbaues der Einzelteile des Haibleiterelementen ohne weitgehende Aufmerksamkeit beim Montageprozeß gewährleistet, daß stets betriebsmäßig noch-eine auereichende potentielle Energie in dem Federsyst em bei der Montage des Halbleiterbauelementes aufgespeichert ist. Hierfür ist das Federsystem 'vorzugsweise also derart bemessen,- daß "bei seiner Aufladung schenkelartige Teile auf Biegung beansprucht werden, wodurch dann die Möglichkeit eines größeren Federungsweges gegeben ist, als wenn lediglich eine oder mehrere Tellerfederh benutzt werden, die bekanntermaßen in sich eine relativ große potentielle Energie aufspeichern, jedoch nur einen relativ geringen Federungsweg bzw» eine nur relativ geringe Durchbiegung . erreichen lassen. -
Es liegt auch im Sinne der Erfindung zur Erzielung eines großen Federungsweges an dem Kraftspeichersystem, daß die an diesem auf Biegung beanspruchten Hebelarme möglichst lang sind. Aus diesem Grunde wird zweckmäßig der äußere AbstützpunkJ; des Federsystems möglichst weit von der Achse des Halbleiterbauelementes entfernt gewählt. Hierfür erweist sich beispielsweise eine scheibenförmige, elektrisch isolierende Durchführung, etwa vom Charakter einer Druckglasdurchführung besonders geeignet. Das soll aber nicht ausschließen, daß nifct auch eine Durchführung eventuell mit keramiachem Isolierkörper benutzt werden kann. Bei einer solchen Druckglasdurchführung.kann dann als radiale äußere Absturzstelle .für das Federayetem e.B* der äußere Ring der elektrisch isolie-
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renden Durchführung benutzt werden. Ee kann statt; Jessen auch · .ein Stutzlager unmittelbar an dem Gehäuseteil äee Halbleiter- /.
bauelementes gewählt werden, welcher das Halbleiterelement trägt.
Der Isolierkörper, welcher auf den. Schaft des Anschlüßkontaktes aufgeschoben ist und als DriickübertragungskBrper «wiechen dem Federsystem und dem an diesem ZwischenanBcbluflkontakt anliegendem Teil des Anschlußkontaktes benutzt ist , wird vorzugsweise aii seiner dem Halbleiterelement zugewandten Seite*becherförmig gestaltet, so daß er auf diese Weise den Ansöhiiißkontakt, das Halbleiterelement und gegebenenfalls sogar dessen Tjräger teilweise umschließt. Auf diese.Weise wirkt der isolierkörper mit seiner inneren Mantelfläche unmittelbar als eia Lehrenkörper, der die genannten !Teile relativ zueinander und gegenüber der Grundplatte des Gehäuses bzw. dem Boden des becherförmigen Gehäuses in seiner Lage hält-sowie bei der Montage der Anordnung ale ein Hilfekörper ausgenutzt werden kann, der nach Art einer Lehre die Muglichkeit bietet, Teile in ihn einzuschichten und danach diesen mit eingeschichteten Teilen .versehenen Körper mit der isolierenden Durchführung Und äea zwischengeechalteten Federsystem zusam» menzufuhren j wonach dann eine gegenseitige Verbindung der beiden Gehäuseteile bzw. eines becherförmigen GeiJÜiifteteilec und der isolierenden Durchführung fein ihren AüSshring vorgftiojtaen werden kann.
t\xT näheren Erläuterung 4er Erfindung an HaM^dn'Ausfuhrlingei-' k ;'beiöpi»ltn wird nunmehr auf die Figuren·der ^tohriung Seiug ge-
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Fach Figur 1 umfaßt das Halbleiterelement einen becherförmigen ■metallischen Körper 1, z.B. aus Kupfer bzw. versilbertem Kupfer. · Dieser becherförmige Körper weist einen Bodenteil 2 auf. Von • dem Bodenteil erstreckt sich in der Achsrichtung des Halbleiterelementes ein Teil kleineren Durchmessers 3, der an seiner Außenmantelfläche vorzugsweise mit Rippen 4 versehen istf An seiner Außenseite ist der Bodenteil 2 bereits nach innen durchgewölbt, so daß-sich eine.pfannenartige bzw. konkave Form 5 ergibt. Diese Bauform ergibt den folgenden Vorzug. Wird der Gehäuseteil, 1. in seinen Sitz in eine Aussparung an einem weiteren Träger mit seinem Teilkörper 3 eingepreßt, z.B. bis zum.Anschlag an dem Absatz 1a, und es entsteht an 3 die Neigung zu irgendwelchen radial nach innen gerichteten Verformungen, so können diese stets nur eindeutig dazu führen, daß dieser Bodenteil 2 eine Verformung in Richtung auf den Hohlraum der Becherform 1 zu erfahren würde. Diese können aber in vorteilhafter Weise dann nur im Sinne einer Aufladung der Kraftspeicherfeder, also im Sinne der gegenseitigen Anpressung der zusammenarbeitenden Druckkontaktflächen des Halbleiterbauelementes wirken. An dem Bodenteil 2 ist ein Sockelteil 6 vorgesehen. Auf diesem ist das Halbleiterelement 7 gelagert bzw. befestigt. Dieses und/oder die mit seinen Elektroden zusammenwirkenden Flächen der benachbarten Körper können an ihren Kontaktflächen über besondere duktile Hilfsplatten 8 bzw. 8a, z.B. aus Silber, zusammenwirken oder an diesen Flächen mit entsprechenden Überzügen versehen sein. . Mit dem zweiten Pol des HalbleitereXementes der dem es tragenden
■Gehäuseteil abgewannt liegt, arbeitet über die duktile Hilfsplatte
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8a ein Zwischenansöhlußkörper 9, z,B, aus Kupfer, zusammen.^ Dieser liegt mit seiner vollen unteren Piaehe an eier 8a an. Dxese könnte jedoch auch; ein an 9 aufplattierterB&~L'ag .: ."! < sein« An seiner oberen fläche ist der metallische Zwischen- -: . / ansehlußkörper 9 mit "einer Aussparung 10- ν ersehen, weiche so.-;;: mit von einer Eirtgzone an' der- oberen Fläche von; 9 umsehiösseii iat * Auf -dieser "Rihgzone, ist der AnsohlüßkOntakt 1> mit' seinem" Püjsk'-dachkörper bzw,.; Scheibenkörper 12 an dessen Außenfläche aufge-^ΐ. setzt und angepreßt. -Die Kontaktvermittlung .zwischen 9 und 12, ": insb es on d er e für dl e -e Ie kt r 1 s ch e St roaführung,. ■■■ find et .al s ο üb er : eine Ringzone statte Diese Ringzone, hat unter B^rücksichtigujng ?i des sie bestimmenden Innen- und Außendurchmeäsers aber eine re-, lativ große Flächenausdehnung, so daß keine, spezifisch hohe .elektrische Strombelastung der Übergangsstellezwischen\2 und 9 stattfindet. Der Scheiben- bzw, Pilzdachkörper 12 wird über den Iso-· ; lierkörper 2t, der mit einer zentralen Aussparung 21a auf den. r Schaltteil 11 des "Kontaktes aufgeschoben.ist, an den Teil 9 angepreßt und damit dieser Teil 9 an den Pol des Halbleiterelementes. Für die Erzeugung des' entsprechende;a Anpreßdruckes sorgt..-'>-■ eine Feder 26 als Kraftspeicher. ,Diese ist vorzugsweise aö auf.* gebaut, z.B. als Sattelfeder* daß sie, wie angegebeni Schenkel-· •teile aufweist, welche eine relativ große Durchbiegung .für die ■ Aufspeicherung von kinetischer Energie in ihnen erfahren können. Die Feder 26, welche gegebenenfalls auch eine antöilige"Feder : eines Federmagazins sein kann» ist mit einer zentralen,5Aüsspa^'"' rung 24 auf einen Sitz 22 an-dör oberen Fläehe-des isoliierfcörper-s■..' _.
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21 aufgeschoben, so daß sie dadurch in einer vorbestimmten Lage ./ gehalten wird. Die Feder 26 stützt sich außen an dem Üußeren - Ring 16 einer elektrisch isolierenden Durchführung ab j die z.B. eine Druckglasdurchführung sein kann, deren Glaskörper mit 15 und deren innere metallische Hülse mit 13 bezeichnet sind* Der Außenring 16 der elektrisch isolierenden Durchführung sitzt auf einer Fläche 17 des becherförmigen Gehäuseteiles 1 auf. Er wird : nach der Montage der Anordnung dadurch an dieser Sitzfläche 17 festgespannt, daß ein Mantelteil 18 von 1» der zunächst bei der Montage eine zylindrische Form hat, wie durch die gestrichelte Darstellung angedeutet ist, nach innen radial umgelegt wird· Dieser Rand wirkt somit auf die Fläche 19 von 16, wodurch eine starre mechanische Verbindung zwischen 1 und 16 geschaffen wird, . die gegebenenfalls bereits unmittelbar eine ausreichende Gasdichtigkeit, insbesondere bei eventueller Anwendung einer nicht dargestellten duktilen Zwischenlage aufweisen kann. Zusätzlich kann jedoch an der Übergangsstelle zwischen 16 und 18 noch ein.entsprechender Schutzüberzug bzw. eine Abdichtungsmasse 20 aufgebracht werden, die z.B. entweder ein Kleber oder ein Lot sein kann* ' Nachdem die Anordnung in dieser.Weise montiert worden lsi', be~ . darf es noch bei der dargestellten Aueführung der Herstellung ') '-'■ . tiner gasdichten Verbindung zwischen dem Schaft 11 des Kontakt·*-' *· und der inneren metallischen HUle« 15 der elektrisch isollerfndfh
Durchführung bew* der Druckglaadurchführung» Diese aasdlohte ; , k 4<v .3 . ■ .Λ, . ' Ui-.
if., λ ifirpfe&ungifcänn ^itiele einer geeigneten Maööe btsw, einte Tj«*—«
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■ eine gegenseitige Verpressung zwischen 13 und 11 benutzt werden* oder es kann zusätzlich zu dieser Verpressuhg noch eine solche
. Abdichtung mittels einer Masse 14 oder mittels eines entsprechenden Lotes durch einen Verlötungsvorgang stattfinden.
Im Rahmen der Erfindung würde es auch liegen» daß nicht mit einem Hülsenteil 13 an der isolierenden Durchführung gearbeitet wird, der nach außen offen ist, sondern daß für den Körper 13 ein nach unten, d..h» in Richtung auf den Kammerraum zu» offener becherförmiger oder kappenförmiger Körper benützt wird, in weichen der Kontakt mit seinem Schaftteil 11 eingeführt, wird, wonach dann eine gegenseitige Verpreseung.des Schaftteiles von 11 und eines außerhalb der isolierenden Durchführung liegenden Teiles des inneren metallischen Kappen« bzw« Becherteiles der isolierenden Durchführung durch eine Verpreseung. vorgenommen wird* Es braucht die Kappenform, welche den inneren metallischen Teil der elektrisch isolierenden Durohführung bildet, auch nicht' lediglich aus einem Stück hergestellt zu werden. Es kann vielmehr zunächst die isolierende Durchführung ihnen einen Hülsenttil aufweisen.. ' mit dessen oberer S^irneeite ein ftt diese e;ing#eetrter bzw. ein- und aufgesetzter kappeiförmiger; Teil, z>B. durch Hartlotung, verbunden ί st. ■-."'"■
Der isOlierkörper 21,' der "fif*B. aus Glas1 oder Keramik bestehen kann, ist, wie das Ausführungsbeispiel aeigtj vorzugsweise; der» art gestal-feet, daß er eine■ nach unten offene Becherform; aufweist, mit welcher, er die Kontaktstelle zwischeii 1"f und ? sowie gegebeitenfalls auch das .Hälbleitereienieftt 7 und des^efi Sitiz tft dem
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teil 6 umschließt. Der Körper 21 erfüllt auf diese Weise gleich· •zeitig die Punktion, daß er im Innenraum von 1 die entsprechenden Teile in einer gegenseitigen ordnungsgemäßen Lage hält bzw. aufrechterhält, insbesondere wenn 21 außerdem noch als Zentrierungskörper über seine AuÖenmantelfläche mit der Innenmantelfläche des Teiles 3 von 1 zusammenarbeitet.
Ein wesentliches Merkmal für den Anmeldungsgegenstand ist gemäß der eingangs gegebenen Begründung, daß bei der thermischen Beanspruchung des Halbleiterbauelementes keine unerwünschten Spannungen dadurch*in dem System auftreten können, daß zwischen dem Zwischenansehlußkörper 9 und dem äußeren elektrischen Anschluß ein starrer Anschlußkontakt benutzt ist, indem erfindungsgemäß die Pilzdachform bzw. Scheibenform 12 des an das Halbleiterelement angepreßten Anschlußkontaktes betriebsmäßig die Möglichkeit hat, um ihre Einspannstelle zwischen 21 und 9 sich in beiden Richtungen der Achse von 11 um entsprechende geringe Beträge auszubiegen. Hierfür darf 12 naturgemäß unter Berücksichtigung des Durchaeasers eine gewisse leicht durch Versuche zu ermittelnde Dicke nicht überschreiten.
Die Figur 2 zeigt eine solche Abwandlung einer erfindungsgemäßen Anordnung, wonach der Btarre Anschlußkontakt aus einem schaftförmigen Teil 11' besteht, an weichen bei Ausbildung des Zwischenanschlußkontaktes 9' mit einer einfachen geometrischen, z.B. quaderförmigen oder zylinderförmigen Grundform am unteren Ende des schaftförmigen Teiles 11' des starren Anschlußkontaktes ein scheibenförmiger _Teil 12' unmittelbar durch einen Schlag- oder
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Schmiedeprozeß in der Form erzeugt ist, daß an diesem scheibenförmigen Teil eine innere Zone geringer Dicke 12'a und eine äußere Ring- bzw, Randzone 12'b"-.von derart größerer. Dicke erzeugt ist,. daß dadurch von den durch die Ebenen der Oberflächen von 12'a ausladende Teile entstehen, auf .welche als Einspannkörper einerseits der Zwischenanschlußkörper 9' und andererseits • der Isolierkörper 21 wirken. Hierdurch ist der starre Anschlußkontakt an seinem scheibenförmigen Teil wieder derart sinngemäß eingespannt, daß sich sein.von der Einspannzone umschlossener scheibenförmiger Teil gemäß der angestrebten Zielsetzung zur Vermeidung des'Auftretens thermischer Spannungen relativ zur Oberfläche von 9' auablegen kann.
In der Abwandlung nach Figur 3, welche eine tdlweise Darstel-? lung einer Seite der Einspannung des scheibenförmigen Körpers Ί 2·' des starren Anschlußkontaktes enthält, ist wieder ein Zwischenanschlußkörper 9' einfacher geometrischer Formgebung benutzt, mit welchem wieder sinngemäß als zweiter Einspannkörper der Isolierkörper 21 zusammenwirkt. Bei dieser Ausführung ist zunächst auf denZwischenanschlußkörper ein Ring 27 aufgelegt, der an seinem äußeren Umfang so gestaltet sein kann» daß er einerseits sich in seiner Lage gegenüber dem Zwischenanschlußkörper 9» orientiert, gleichzeitig aber auch lagebestimmend für den äußeren Rand des scheibenförmigen Teiles 12" des starren Anschlußkontaktes ist. An der Einspannzone ist auf die obere Fläche ein weiterer Ring 28 aufgelegt, der· wiederum, an seinem äußeren Umfang derart gestaltet sein kann, daß er sich unmittelbar in seiner Lage gegen-
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liber dem scheibenförmigen Körper 12' orientiert. Der scheiben^ formige Körper 12·* des starren Anschlußkontaktea ist in diesem Falle mit einer wellenförmigen Zone innerhalb der Einspannsteile. zwischen 27 und 28 gestaltet, so daß auf diese Weise die Nachgiebigkeit des starren Anschlußkontaktes an diesem scheibenförmigen Teil noch gefördert ist.
Die beiden Teile 11 und 12 können im Rahmen der Erfindung·unmittelbar als ein einheitlicher Körper oder aber auch aus mehreren zunächst an sich selbständigen Teilen hergestellt werden. Sd kann z»B. der schaftartige Teil 11 mit dem plattenförmigen Teil 12 durch Hartlötung verbunden öein. Der Schaftteil 11 kann, für eine vereinfachte Zusammenführung mit 12 auch an seiner unteren Fläche mit einem entsprechenden Zapfenteil versehen werden, der in eine entsprechende Aussparung an 12Λeingeführt und dann an einem hervortretenden Teil eventuell als !Tietkörper für. die Verbindung zwischen 12 und 11 benutzt werden kann. Der Schaftteil und der Scheibenteil des etarren Anaohlußkontaktes könnte auch durch eine Stumpfschweißung von 11 an 12 miteinander zu einer Einheit verbunden werden»
3 Figuren
12 Ansprüche
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Claims (12)

  1. Λ J Halbleiteranordnung, bei welcher mindestens an derjenigen
    • Fläche, wo das Halbleiterelement einem-weiteren Körper aus einem Werkstoff anderer thermischer Dehnung benachbart liegt, nur eine ■ unter Druck stehende gegenseitige ,gleitfähige Anlage benutzt ist, an welcher insbesondere etwa eine Kickelfläiie mit einer Silberfläche, also vorzugsweise zwei Flächen aus einem Werkstoff,
    = die nicht miteinander bei den auftretenden. Drücken und Temperatüren selbsttätig verschweißen oder verlöten* zusammenwirken, ,insbesondere nach Patent . *V. «., (Ahm. S 75 279 VIIIc/21g - PM 61/1531 dadurch gekennzeichnet, daß ein aus einem Schaftteil mit einem scheibenförmigen Körper von größerer Fiächenausdehnung an .sein-em dem Halbleiterelement zugewandten Ende bestehender Anschlußleiter· nur derart über eine äußere Ring- oder Rahmenzone an einem auf der Elektrode des Halbleiter el em ent es sitzenden Zwischenanschluß-, körper festgespannt bzw* eingespannt ist, daß der von der Ring- - . bzw. Rahmenzone umschlossene Teil des scheibenförmigen Körpers sich bei Temperaturänderungen des Halbleiterbauelemente^ elastisch bzw. nachgiebig relativ zur gegenüberliegenden Fläche des Zwischen-
    anschlußkörpers in seiner.Form verändern kann. . - ■ *·
  2. 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, · ·' daß auf den scheibenförmigen Körper an einer oder beiden Flächen seiner eingespannten Randzone die Einepannkörper über be^wäsfexe.:, . . 1
    ■' '. · ■·■' ,ring- oder rahmenformige Zwischenlage^ wirken«
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  3. 3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zwischenänschlußkörper an seiner dem Scheibenkörperdes Anschlußleiters zugewandten Fläche mit einer solchen. Aussparung versehen ist, daß als eine diese umschließende Zone und Erhebung an dem Zwischenanschlußkörper eine äußere Zone für die Einspannung an der Ring- bzw. Rahmenzone des Scheibenkörpers verbleibt.
  4. 4. Halbleiteranordnung nach .Anspruch 1, dadurchgekennzeichnet, daß der scheibenförmige Körper unmittelbar an den Flächen der Einspannzone mit entsprechenden Erhebungen versehen ist, durch welche er von den Oberflächen der ihn einspannenden Körper für seine elastische bzw. nachgiebige Bewegungsmöglichkeit entsprechend distanziert ist.
  5. 5. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß an dem scheibenförmigen Körper noch ein von der Einspannzone umschlossener gewellter Teil zur Steigerung der Nachgiebigkeit des scheibenförmigen Körpers vorgesehen ist*
  6. 6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Anpressung des Scheibenteiles des starren Kontaktes an den Zwisebenanscblußkörper über einen Isolierkörper erfolgt.
  7. 7. Halbleiteranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierkörper auf den Schaftteil des zur isolierenden Durchführung führenden Anschlußkontaktes aufgeschoben ist und nach seinem entgegengesetzten Ende zu eine Becherform bildet» .
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    welche Sie zwischen dem Kontakt und dem Halbleitergehäuse liegende Halbleitereiementeanordnung umschließt, -und daß der Isolierkörper vorzugsweise als Zentrierungskörper mit dem Gehäuseteil des Bau- / elementes zusammenarbeitet. . . . .
  8. 8. Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen.6 und 7, dadurch gekenn ζ ei ebnet, daß an der dem Halbleiterelement abgewandten Stirnfläche der Isolierkörper mit. einem Sitz für den Federkraft speicher versehen ist»
  9. 9* Halbleiteranordnung nach Anspruch 8y dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer scheibenförmigen elektrisch isolierenden Durchführung» vorzugsweise einer Druckglasdurchführung,,"der auf. den Isolierkörper wirkende Federkraftspeicher sich andererseits vorzugsweise an dem Außenring der elektrisch isolierenden Durchführung abstützt, jedoch auch an dem das Halbleiterelement tragenden Gehäuseteil abstützen kann,
  10. TO« Halbleiteranordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet", daß der Federkraftspeicner mit federnden Schenkelteilen versehen ist,
  11. 11 * Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einem, der folgenden, dadurch .gekennzeichnet f daß die mechanische und gasdichte Verbindung zwischen dem Außenring' der elektrisch isolierenden Durchführung und einem becherförmigen Gehäuseteil vorzugsweise durch eine Verformung eines Randteiles de3 becherförmigen Gehäuses erfolgt, durch welche der äußere Ring der elektrisch isolierenden Durchführung an .einem inneren Absatz der Becherform festgespannt wird» ' ■ ■ " ------ '■'■■". -■-..'■■■-. - ί
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  12. 12. Halbleiteranordnung nach Anspruch 11» dadurch gekennzeichnet, / daß ander Übergangsstelle zwischen dem becherförmigen. Gehäuseteil und.der elektrisch isolierenden Durchführung zusätzlich eine Dichtungsmasse aufgebracht bzw. eine Verlötung νorgenommen ist.
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US (2) US3221219A (de)
CH (3) CH395348A (de)
DE (3) DE1170558C2 (de)
GB (3) GB969587A (de)
NL (5) NL141328B (de)
SE (1) SE327239B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1840963A2 (de) 2006-03-28 2007-10-03 SEMIKRON Elektronik GmbH &amp; Co. KG Druck kontaktierte Anordnung mit einem Leistungsbauelement, einem Metallformkörper und einer Verbindungseinrichtung

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH396220A (de) * 1962-03-30 1965-07-31 Bbc Brown Boveri & Cie Halbleiteranordnung
US3378735A (en) * 1963-06-12 1968-04-16 Siemens Ag Semiconductor device housing with spring contact means and improved thermal characteristics
DE1231033B (de) * 1963-09-13 1966-12-22 Siemens Ag Druckempfindliches Halbleiterbauelement mit drei Zonen abwechselnd entgegengesetztenLeitungstyps und einem Stempel auf einer Zone
US3313987A (en) * 1964-04-22 1967-04-11 Int Rectifier Corp Compression bonded semiconductor device
BE672186A (de) * 1964-11-12
US3337781A (en) * 1965-06-14 1967-08-22 Westinghouse Electric Corp Encapsulation means for a semiconductor device
NL136731C (de) * 1965-06-23
GB1121717A (en) * 1966-06-20 1968-07-31 Ass Elect Ind Improvements in semi-conductor devices
DE1564665C3 (de) * 1966-07-18 1975-10-30 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US3457472A (en) * 1966-10-10 1969-07-22 Gen Electric Semiconductor devices adapted for pressure mounting
US3607150A (en) * 1968-12-30 1971-09-21 Robert P Beekman Gold-filled metal for jewelry manufacture
JPS5030428B1 (de) * 1969-03-31 1975-10-01
GB1297046A (de) * 1969-08-25 1972-11-22
JPS4944550B1 (de) * 1970-05-04 1974-11-28
DE2257078A1 (de) * 1972-11-21 1974-05-30 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit druckkontakt
DE2603813C2 (de) * 1976-02-02 1982-11-18 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Spannvorrichtung für ein thermisch und elektrisch druckkontaktiertes Halbleiterbauelement in Scheibenzellenbauweise
US4965173A (en) * 1982-12-08 1990-10-23 International Rectifier Corporation Metallizing process and structure for semiconductor devices
SE8306663L (sv) * 1982-12-08 1984-06-09 Int Rectifier Corp Forfarande for framstellning av halvledaranordning
BR8500047A (pt) * 1984-01-09 1985-08-13 Westinghouse Electric Corp Dispositivo semicondutor de potencia aglutinado por compressao
DE3421672A1 (de) * 1984-06-09 1985-12-12 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Wechsellastbestaendiges, schaltbares halbleiterbauelement
JPH0642337Y2 (ja) * 1984-07-05 1994-11-02 三菱電機株式会社 半導体装置
DE3426200C2 (de) * 1984-07-17 1994-02-10 Asea Brown Boveri Überbrückungselement
US4666796A (en) * 1984-09-26 1987-05-19 Allied Corporation Plated parts and their production
US4929516A (en) * 1985-03-14 1990-05-29 Olin Corporation Semiconductor die attach system
US4872047A (en) * 1986-11-07 1989-10-03 Olin Corporation Semiconductor die attach system
US4978052A (en) * 1986-11-07 1990-12-18 Olin Corporation Semiconductor die attach system
JPH11307682A (ja) * 1998-04-23 1999-11-05 Hitachi Ltd 半導体装置
EP1286393A3 (de) * 2001-06-28 2004-03-03 F &amp; K Delvotec Bondtechnik GmbH Schaltkreisgehäuse
FR2826830B1 (fr) * 2001-06-29 2003-11-07 Thales Sa Assemblage d'une diode et de deux electrodes
US20080314893A1 (en) * 2007-06-25 2008-12-25 Adair Joel E Heating device with adjusting electrical contact
DE102009022659B4 (de) * 2009-05-26 2012-01-19 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Kontakteinrichtung für ein Leistungshalbleitermodul

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2244771A (en) * 1938-08-16 1941-06-10 Int Standard Electric Corp Composite conductor and contact between conductors
BE468420A (de) * 1945-06-21
GB614355A (en) * 1945-07-27 1948-12-14 Western Electric Co Improvements in electrical translating devices employing contact rectifiers
US2762953A (en) * 1951-05-15 1956-09-11 Sylvania Electric Prod Contact rectifiers and methods
US2817797A (en) * 1953-11-23 1957-12-24 United Carr Fastener Corp Rectifier
US2712619A (en) * 1954-06-17 1955-07-05 Westinghouse Air Brake Co Dry disk rectifier assemblies
US2806187A (en) * 1955-11-08 1957-09-10 Westinghouse Electric Corp Semiconductor rectifier device
US2863105A (en) * 1955-11-10 1958-12-02 Hoffman Electronics Corp Rectifying device
US2956214A (en) * 1955-11-30 1960-10-11 Bogue Elec Mfg Co Diode
US2986678A (en) * 1957-06-20 1961-05-30 Motorola Inc Semiconductor device
CH363417A (de) * 1957-10-10 1962-07-31 Elektro Werk Muendersbach Gmbh Selentrockengleichrichter
AT207950B (de) * 1957-11-09 1960-03-10 Bosch Gmbh Robert Hochleistungsgleichrichter der Großflächenbauart mit einem als Gleichrichterelement dienenden p-n-Halbleiterkristall
US2957112A (en) * 1957-12-09 1960-10-18 Westinghouse Electric Corp Treatment of tantalum semiconductor electrodes
GB859025A (en) * 1958-08-13 1961-01-18 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to electrical devices having hermetically sealed envelopes
DE1106872B (de) * 1958-08-21 1961-05-18 English Elek C Valve Co Ltd Verfahren zur Herstellung einer Germaniumflaechengleichrichter-einheit
US2993153A (en) * 1958-09-25 1961-07-18 Westinghouse Electric Corp Seal
US3059157A (en) * 1958-11-14 1962-10-16 Texas Instruments Inc Semiconductor rectifier
DE1098103B (de) * 1959-01-14 1961-01-26 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zum Einbau eines elektrischen Halbleiterelementes in ein Gehaeuse
DE1070302B (de) * 1959-09-30
NL249694A (de) * 1959-12-30

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1840963A2 (de) 2006-03-28 2007-10-03 SEMIKRON Elektronik GmbH &amp; Co. KG Druck kontaktierte Anordnung mit einem Leistungsbauelement, einem Metallformkörper und einer Verbindungseinrichtung
EP1840963A3 (de) * 2006-03-28 2008-07-02 SEMIKRON Elektronik GmbH &amp; Co. KG Druck kontaktierte Anordnung mit einem Leistungsbauelement, einem Metallformkörper und einer Verbindungseinrichtung
DE102006014145B4 (de) * 2006-03-28 2011-05-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druck kontaktierte Anordnung mit einem Leistungsbauelement, einem Metallformkörper und einer Verbindungseinrichtung
DE102006014145C5 (de) * 2006-03-28 2015-12-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druck kontaktierte Anordnung mit einem Leistungsbauelement, einem Metallformkörper und einer Verbindungseinrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US3221219A (en) 1965-11-30
NL141328B (nl) 1974-02-15
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NL280742A (de)
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DE1439139B2 (de) 1972-02-10
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NL135878C (de)
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CH430881A (de) 1967-02-28
GB1043892A (en) 1966-09-28
US3299328A (en) 1967-01-17
DE1170558B (de) 1973-10-18
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GB1043891A (en) 1966-09-28
NL291270A (de)
SE327239B (de) 1970-08-17
GB969587A (en) 1964-09-09
DE1248813C2 (de) 1976-01-08

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