DE1439139A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents
HalbleiteranordnungInfo
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Description
SIMKHS-SCHUCKERTWSRKE Erlangen, * ?· ^Pfl. 19§2
. Aktiengesellschaft Werner-von-Siemens-Str* 50
"PLA. 62/1279
Dr. Expl.
Halbleiteranordnung,
Zusatz zu Patent (Anm. S 75 279 VIIIc/21g - PLA 61/1537).
In dem Hauptpatent (Anm. 0 75 279 VIIIc/21g -PM 61/1537)
ist eine Halbleiteranordnung vorgeschlagen worden» wonach mindestens
an derjenigen Fläche» wo das Halbleiterelement einem weiteren Körper uu3 einem Werkstoff anderer thermischer Dehnung benachbart
liegt» nur eine unter Druck stehende gleitfähige Anlage, benutzt ist, an welcher insbesondere eine Nickel fläche mit einer
Silberfläche zusammenwirkt, so daß zwischen diesen aneinanderliegenden
Flächen bei den in der Anordnung benutzten Drücken &
und den in ihr auftretenden Temperaturen keine gegenseitige starre
Verbindung nach Art einer Verleitung oder VerschweiSung selbsttätig
entstehen kann. In Verbindung mit diesem Aufbau ist nach
- 1 "·* · BADORSGWAL KÜ/Tte
80 9312/0|l|
PXA -6?/i279 14391 SB
PM 9/370/328
dem Hauptpatent vorgeschlagen worden, den einen an das Halbleiterelement anzupressenden Kontakt«, der entweder an die innere metallische
Hülsender elektrisch isolierenden Durchführung angeschlossen'
oder durch diese hindurchgeführt ist, als einen starren Kontakt,
■vorzugsweise von Pilzfortn, auszubilden, wobei also die.· äußere ,
Form des Pilzdaches mit der Öegenflächean dem Halbleiterelement
zusammenwirkt. Bei einer solchen Anordnung muß nun aber gegebenenfalls
in Rechnung gestellt werden, daß bei der betriebsmäßigen
Erwärmung der Halbleiteranordnung durch die Dehnung dieses Kontaktes oder auch der mit ihm zusammenwirkenden Teile mechanische
Spannungen zur Ent st ebung gelangen, könnenγ die entweder ziu einer
unerwünschten-Beanspruchung im Aufbau der Halbleiteranordnung
führen können oder, falls der starre Anseblußkontakt unmittelbar
durch die innere Hülse der elektrisch isolierenden Durchführung
hindurchgeführt ist, gegebenenfalls auch zu Machteilen für die
abdichtendeVerbindung zwischen dem herausgeführten Anschluß—
leiter dieses Kontaktes und dem mit ihm zusammenwirkenden inneren Körper der elektrisch isolierenden Durchführung führen kann»
Ziel der vorliegenden Erfindung1 ist, da.s Auftreten solcher unerwünschter
mechanischer Spannungen an einer Halbleiteranordnung,
ins-be sondere- einer solchen mit einem; Aufbau nach dem Hauptpatent,
auszuschließen,,
Zur lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgeraaß die eine aus einem
Schaftteil mit einem scheibenförmigen Körper größerer Flächenausdehnung
an seinem dem Halbleiterelement zugewandten Ende bestehender
Ansehlußleiter nur derart über eine äußere Ring- bzw. Rahmen-
iÄD
■ PIA 62/1279 PM 9/370/328
,zone an einem auf der Elektrode des Halbleiterelementes sitzenden
Zwische.nanschlußkörpers festgespannt "bzw. zwischen diesem und
einem weiteren Körper eingespannt, daß der von der Ring- bzw.
Rahmenzone umschlossene Teil des Scheibenkörpers sich elastisch bzw. nachgiebig relativ zur gegenüberliegenden Oberfläche des
Zwisehenanschlußkörpers in seiner Form verändern kann.
Durch den benutzten Zwisebenanschlußkörper wird erreicht,, daß
von allen Teilen der Oberfläche der Elektrode des Halbleiterelementes
ein guter Übergang zu diesem Zwisehenanschlußkörper erreicht ist, so daß alao das Halbleiterelement an seiner Oberfläche
und in dem Halbleiterkörper möglichst gleichmäßig elektrisch beansprucht ist. In dem Zwischenanschlußkörper, der ein
guter elektrischer Leiter ist, kommt es dann nur noch darauf an, daß aus diesem der Strom über eine entsprechende Übergangsfläche
zulässigen elektrischen Widerstandes an einen weiteren leiter im Wege des Stromlaufes weitergeleitet wird. Pur eine solche Übergangsfläche ist aber ein solcher Ring- bzw. Rahmenteil, über welchen.
&er scheibenförmige Körper, der zu dem Ansehlußleiter gehört,
an den Zwischenanschlußkontakt angepreßt wird, ohne weiteres ' ausreichend, denn durch die Innen- und Außenabmessungen des
Ringes bzw. Rahmens läßt sich ohne weiteres eine Übergangsfläche
■von dem Querschnitt erreichen, daß diese hinsichtlich ihrer spezifischen
elektrischen Belastung innerhalb.' der zulässigen Grenzen
liegt, so daß an-dieser kein unzulässiger Spannungsabfall entsteht
bzw. keine unzulässige Joule'sehe Wärme entwickelt wird. Selbstverständlich
kann diese Stromübergangsstelle auch gleichzeitig
- 3 -" ■
BAD ORIGINAL
&09812/0668
^ 62/1279 14391Μ
&LA 9/370/328 ■-. ·
dazu, ausgenutzt werden» einen We.g für die Abführung von Joule' -
scher Wärme* welche an dem .Halbleiterelement betriebsmäßigan- .!
fällt, an weitere im ,Stromlauf für die Zwecke einer Wärmeableitung
geeignete ,Elemente z\i bilden. - ! -.; "
Pur die Erzielung eines solchen grundsätzliehen Aufbaues einer Haibleiteranbrdnung^gibt'es
Verschiedene iösungswegev ''■'■-·v * V--
So kann der schaftartige Teil.des starren Anechlußkpntaktes,
der an seinem dem Halbleiterelement zugewandten Ende mit einem
scheibenförmigen Teil versehen ist., s,o daß eine Art Pilzfprm .
entsteht ,.mit einer äußeren ,Randzone dieser Scheibenform an ,..
• einer Gegenfläche des Zwischenanschlußkörpers fe^stgespannt werden,
wobei der Z*isehenanschlußkörper innerhalb des inneren Umfangee
der Ring- bzw. Rahmenzone mit einer solchen Vertiefung
bzw. Aue sparung versehen ist, sdaß dadurch' der innerhalb der" *
Einspannzone liegende Teil der Scheibenform des starren Änscblußkörpers
eine ausreichende Bewegungsfreiheit relativ zur Ober- '
fläche des Zwischenanschlußkörpers· erfüllt. τ' ·- *-:-
Es kann jeHöeh auch an ,beiden einander gegenüberliegenden Qberrf
flächen des scheibenförmigen Körpers je eine entsprechende ringförmige Auflage, vorgesehen sein, weiche den scheibenfÖrmigeri ;
Körper mit seinen innerhalb der ring- bzw. rahmenförmigen Auf- ,
lage liegenden Flächen so von den Einspannkörpern distanzieren,
daß für den dieeem Piachenteil entsprechenden Teil des scheibenförmigen
Körpers wieder die relative Nachgiebigkeit in·Richtung,
auf bzw. von. der Oberfläche des Zwischenanschlußkörpers gewähr-
..· 4 _ BAD ORiQiMAL
PLA 62/1279 14391 3S
9/370/328
leistet bleibt. Hierbei kann es eich als zweckmäßig erweisen,
• * * ■ ■ »
für diese Ring- bzw. Rahmenkörper an den Einspannkörpern ent-.sprechende
vorbereitete Sitzflächen vorzusehen, so daß durch
i- ■ ·
jdiese eine eindeutige Orientierung der Ring- bzw. Rahmenkörper
an den Flächen der Einspannkörper gewährleistet ist. Eine ähnliche Wirkung würde sich dadurch erreichen lassen, daß die Ring-
bzw. Rahmenkörper nahe ihrer äußeren Mantelfläche mit entsprechenden Ausladungen oder an ihrem Umfang mit entsprechenden Abbiegungen
oder Erhebungen versehen sind, so daß auf diese V/eise eine
gegenseitige eindeutige lagemäßige Zuordnung zwischen den Zwischenlagen und den Einspannkörpern sowie auch für den scheibenförmigen
Körper des Anschlußkontaktes gesichert ist. ·
Ba läßt sich schließlich auch eine relativ einfache sinngemäße
Aufbauform dadurch erreichenj daß der scheibenförmige Teil dee
starren Anschlußkörpers unmittelbar eine solche Formgebung erhält,
daß er'in der Achsrichtung des starren Anschlußkontaktes
an demjenigen seiner Flächenteile, wo er eingespannt werden soll, entsprechend verstärkt ist, wodurch dann unmittelbar an
dem starren Anschlußkörper diese Auflageringe bzw. Dietanzie-.
rungsringe gegenüber den Einspannkörpern gewonnen werden. Ein eolcher starrer Anechlußkontakt in dieser Form läßt sich z.B.
durch eineneinfachen Schlag- bzw. Schmiedeprozeß herstellen..
Bei denjenigen Ausführungen, nach welchen besondere Zwiechenlagenringe
benutzt werden oder diesen gleichwertige Ringe unmittelbar an ,den scheibenförmigen $«il des starren Anachluß-f
kontakteο erzeugt wtrden, braucht dann der Zwiachenanechlußkontakt-
. , »■ ■ ■ ■■ BADOBiGiNAL i
' ; PLA 62/1279· j
4 PLA 9/370/3281
körper iiur eine einfache äußere geometrische Form zu erhalten.
Ea kann sich gegebenenfalls auch als zweckmäßig erweiöen, den scheibenförmigen T,eil des starren Anschlußkontaktes an seinem
von der Einspannzone umschlossenen* Teil noch eine besondere
Formgebung für, eine gute Nachgiebigkeit zu geben, indem er z.B. wellenförmig in seinem Querschnitt gestaltet ist.
Als ein geeigneter Wert für die Bemessung des scheibenförmigen
Teiles des starren Anschlußkontaktes hat sich z.B. eine von 0,1
bis 0,3 mm ergeben, wenn die lichte Weite der Einspännzone einen
Durchmesser von etwa 3 bis 6 mm aufweist. ;
Die Erfindung ist naturgemäß grundsätzlich auch bei größeren Durchmessern
des Zwischenkontaktstückes entsprechend größeren Halbleiterkörpern sinngemäß anwendbar. Der mit der Außenfläche seiner
Scheibenform an dem auf den Anachlußpol an dem Halbleiterelement bzw. dessen Elektrode aufgesetzten Zwischenanachlußkörper
aufgesetzte elastisch bewegliche Kontakt wird dabejUan der Hirtgzone,
über welche der Kontakt und der Zwiachenanachlußkörper in
Berührung sind ,'.vorzugsweise durch einen Isolierkörper angepreüt,
der zweckmäßig mittels einer zentralen Aussparung auf dem Schaft
des Ansehlußkontaktea geführt ist. Dieser Isolierkörper kann dabei vorzugsweise an seiner der Scheibenform des Kontaktes abgewandten
Fläche mit einem Sitz für mindestens ,eine Kraftspeicher« feder versehen sein, welche für .den gegenseitigen Anpreßdruck
zwischen dem AnachlUßfeontakt und dem Halbleiterelement sorgt«
Dieser Kraftspeicher ist dabei vorzugsweise derart be»esseh, das
er SchepkelteiXe aufweist, die einen relativ großen Federungeweg.
BAD ORiGiMAL
PLA 62/1279*
1439138
■betriebsmäßig durchlaufen können. Auf diese Weise ist dann selbst
bei Toleranzen in den Abmessungen des Aufbaues der Einzelteile des Haibleiterelementen ohne weitgehende Aufmerksamkeit beim
Montageprozeß gewährleistet, daß stets betriebsmäßig noch-eine
auereichende potentielle Energie in dem Federsyst em bei der
Montage des Halbleiterbauelementes aufgespeichert ist. Hierfür
ist das Federsystem 'vorzugsweise also derart bemessen,- daß "bei
seiner Aufladung schenkelartige Teile auf Biegung beansprucht werden, wodurch dann die Möglichkeit eines größeren Federungsweges gegeben ist, als wenn lediglich eine oder mehrere Tellerfederh
benutzt werden, die bekanntermaßen in sich eine relativ
große potentielle Energie aufspeichern, jedoch nur einen relativ geringen Federungsweg bzw» eine nur relativ geringe Durchbiegung
. erreichen lassen. -
Es liegt auch im Sinne der Erfindung zur Erzielung eines großen
Federungsweges an dem Kraftspeichersystem, daß die an diesem auf Biegung beanspruchten Hebelarme möglichst lang sind. Aus diesem
Grunde wird zweckmäßig der äußere AbstützpunkJ; des Federsystems
möglichst weit von der Achse des Halbleiterbauelementes entfernt
gewählt. Hierfür erweist sich beispielsweise eine scheibenförmige, elektrisch isolierende Durchführung, etwa vom Charakter einer
Druckglasdurchführung besonders geeignet. Das soll aber nicht
ausschließen, daß nifct auch eine Durchführung eventuell mit keramiachem
Isolierkörper benutzt werden kann. Bei einer solchen Druckglasdurchführung.kann dann als radiale äußere Absturzstelle
.für das Federayetem e.B* der äußere Ring der elektrisch isolie-
. BAD ORIGINAL
• 8098^2/0368
renden Durchführung benutzt werden. Ee kann statt; Jessen auch ·
.ein Stutzlager unmittelbar an dem Gehäuseteil äee Halbleiter- /.
bauelementes gewählt werden, welcher das Halbleiterelement trägt.
Der Isolierkörper, welcher auf den. Schaft des Anschlüßkontaktes
aufgeschoben ist und als DriickübertragungskBrper «wiechen dem
Federsystem und dem an diesem ZwischenanBcbluflkontakt anliegendem Teil des Anschlußkontaktes benutzt ist , wird vorzugsweise
aii seiner dem Halbleiterelement zugewandten Seite*becherförmig
gestaltet, so daß er auf diese Weise den Ansöhiiißkontakt, das
Halbleiterelement und gegebenenfalls sogar dessen Tjräger teilweise umschließt. Auf diese.Weise wirkt der isolierkörper mit seiner
inneren Mantelfläche unmittelbar als eia Lehrenkörper, der die
genannten !Teile relativ zueinander und gegenüber der Grundplatte des Gehäuses bzw. dem Boden des becherförmigen Gehäuses in seiner Lage hält-sowie bei der Montage der Anordnung ale ein Hilfekörper ausgenutzt werden kann, der nach Art einer Lehre die Muglichkeit bietet, Teile in ihn einzuschichten und danach diesen
mit eingeschichteten Teilen .versehenen Körper mit der isolierenden Durchführung Und äea zwischengeechalteten Federsystem zusam»
menzufuhren j wonach dann eine gegenseitige Verbindung der beiden
Gehäuseteile bzw. eines becherförmigen GeiJÜiifteteilec und der isolierenden Durchführung fein ihren AüSshring vorgftiojtaen werden kann.
t\xT näheren Erläuterung 4er Erfindung an HaM^dn'Ausfuhrlingei-' k
;'beiöpi»ltn wird nunmehr auf die Figuren·der ^tohriung Seiug ge-
< ' α ' /·'- *' ;V..';*SAD ORIGINAL
8098S2/088&
PI.A62/im 143913S
PLA 9/370/328.
Fach Figur 1 umfaßt das Halbleiterelement einen becherförmigen
■metallischen Körper 1, z.B. aus Kupfer bzw. versilbertem Kupfer. ·
Dieser becherförmige Körper weist einen Bodenteil 2 auf. Von
• dem Bodenteil erstreckt sich in der Achsrichtung des Halbleiterelementes
ein Teil kleineren Durchmessers 3, der an seiner Außenmantelfläche vorzugsweise mit Rippen 4 versehen istf An
seiner Außenseite ist der Bodenteil 2 bereits nach innen durchgewölbt,
so daß-sich eine.pfannenartige bzw. konkave Form 5 ergibt.
Diese Bauform ergibt den folgenden Vorzug. Wird der Gehäuseteil, 1. in seinen Sitz in eine Aussparung an einem weiteren Träger
mit seinem Teilkörper 3 eingepreßt, z.B. bis zum.Anschlag an
dem Absatz 1a, und es entsteht an 3 die Neigung zu irgendwelchen
radial nach innen gerichteten Verformungen, so können diese stets nur eindeutig dazu führen, daß dieser Bodenteil 2 eine
Verformung in Richtung auf den Hohlraum der Becherform 1 zu
erfahren würde. Diese können aber in vorteilhafter Weise dann nur im Sinne einer Aufladung der Kraftspeicherfeder, also im
Sinne der gegenseitigen Anpressung der zusammenarbeitenden Druckkontaktflächen des Halbleiterbauelementes wirken. An dem Bodenteil
2 ist ein Sockelteil 6 vorgesehen. Auf diesem ist das Halbleiterelement 7 gelagert bzw. befestigt. Dieses und/oder die
mit seinen Elektroden zusammenwirkenden Flächen der benachbarten
Körper können an ihren Kontaktflächen über besondere duktile
Hilfsplatten 8 bzw. 8a, z.B. aus Silber, zusammenwirken oder
an diesen Flächen mit entsprechenden Überzügen versehen sein. . Mit
dem zweiten Pol des HalbleitereXementes der dem es tragenden
■Gehäuseteil abgewannt liegt, arbeitet über die duktile Hilfsplatte
PIA 62/1279 '. PLA 9/370/328
8a ein Zwischenansöhlußkörper 9, z,B, aus Kupfer, zusammen.^
Dieser liegt mit seiner vollen unteren Piaehe an eier
8a an. Dxese könnte jedoch auch; ein an 9 aufplattierterB&~L'ag .: ."! <
sein« An seiner oberen fläche ist der metallische Zwischen- -: . /
ansehlußkörper 9 mit "einer Aussparung 10- ν ersehen, weiche so.-;;:
mit von einer Eirtgzone an' der- oberen Fläche von; 9 umsehiösseii iat *
Auf -dieser "Rihgzone, ist der AnsohlüßkOntakt 1>
mit' seinem" Püjsk'-dachkörper
bzw,.; Scheibenkörper 12 an dessen Außenfläche aufge-^ΐ.
setzt und angepreßt. -Die Kontaktvermittlung .zwischen 9 und 12, ":
insb es on d er e für dl e -e Ie kt r 1 s ch e St roaführung,. ■■■ find et .al s ο üb er :
eine Ringzone statte Diese Ringzone, hat unter B^rücksichtigujng ?i
des sie bestimmenden Innen- und Außendurchmeäsers aber eine re-,
lativ große Flächenausdehnung, so daß keine, spezifisch hohe .elektrische Strombelastung der Übergangsstellezwischen\2 und 9 stattfindet.
Der Scheiben- bzw, Pilzdachkörper 12 wird über den Iso-· ;
lierkörper 2t, der mit einer zentralen Aussparung 21a auf den. r
Schaltteil 11 des "Kontaktes aufgeschoben.ist, an den Teil 9 angepreßt und damit dieser Teil 9 an den Pol des Halbleiterelementes. Für die Erzeugung des' entsprechende;a Anpreßdruckes sorgt..-'>-■
eine Feder 26 als Kraftspeicher. ,Diese ist vorzugsweise aö auf.*
gebaut, z.B. als Sattelfeder* daß sie, wie angegebeni Schenkel-·
•teile aufweist, welche eine relativ große Durchbiegung .für die ■
Aufspeicherung von kinetischer Energie in ihnen erfahren können.
Die Feder 26, welche gegebenenfalls auch eine antöilige"Feder :
eines Federmagazins sein kann» ist mit einer zentralen,5Aüsspa^'"'
rung 24 auf einen Sitz 22 an-dör oberen Fläehe-des isoliierfcörper-s■..' _.
- tO -
aosstg/osis
PLA 62/1 ?79 - 143913S
PLA. 9/570/328
21 aufgeschoben, so daß sie dadurch in einer vorbestimmten Lage
./ gehalten wird. Die Feder 26 stützt sich außen an dem Üußeren
- Ring 16 einer elektrisch isolierenden Durchführung ab j die z.B.
eine Druckglasdurchführung sein kann, deren Glaskörper mit 15
und deren innere metallische Hülse mit 13 bezeichnet sind* Der Außenring 16 der elektrisch isolierenden Durchführung sitzt auf
einer Fläche 17 des becherförmigen Gehäuseteiles 1 auf. Er wird : nach der Montage der Anordnung dadurch an dieser Sitzfläche 17
festgespannt, daß ein Mantelteil 18 von 1» der zunächst bei der
Montage eine zylindrische Form hat, wie durch die gestrichelte Darstellung angedeutet ist, nach innen radial umgelegt wird·
Dieser Rand wirkt somit auf die Fläche 19 von 16, wodurch eine starre mechanische Verbindung zwischen 1 und 16 geschaffen wird,
. die gegebenenfalls bereits unmittelbar eine ausreichende Gasdichtigkeit,
insbesondere bei eventueller Anwendung einer nicht dargestellten duktilen Zwischenlage aufweisen kann. Zusätzlich kann
jedoch an der Übergangsstelle zwischen 16 und 18 noch ein.entsprechender
Schutzüberzug bzw. eine Abdichtungsmasse 20 aufgebracht
werden, die z.B. entweder ein Kleber oder ein Lot sein kann* '
Nachdem die Anordnung in dieser.Weise montiert worden lsi', be~
. darf es noch bei der dargestellten Aueführung der Herstellung ')
'-'■ . tiner gasdichten Verbindung zwischen dem Schaft 11 des Kontakt·*-'
*· und der inneren metallischen HUle« 15 der elektrisch isollerfndfh
Durchführung bew* der Druckglaadurchführung» Diese aasdlohte ; ,
k 4<v .3 . ■ .Λ, . ' Ui-.
if., λ ifirpfe&ungifcänn ^itiele einer geeigneten Maööe btsw, einte Tj«*—«
,, , BAD ORIGiNAU
..j. , ?08β12/0|β|
PLA 62/1279 143913Ö
TIA 9/570/52Θ
■ eine gegenseitige Verpressung zwischen 13 und 11 benutzt werden*
oder es kann zusätzlich zu dieser Verpressuhg noch eine solche
. Abdichtung mittels einer Masse 14 oder mittels eines entsprechenden
Lotes durch einen Verlötungsvorgang stattfinden.
Im Rahmen der Erfindung würde es auch liegen» daß nicht mit einem
Hülsenteil 13 an der isolierenden Durchführung gearbeitet wird,
der nach außen offen ist, sondern daß für den Körper 13 ein
nach unten, d..h» in Richtung auf den Kammerraum zu» offener becherförmiger
oder kappenförmiger Körper benützt wird, in weichen
der Kontakt mit seinem Schaftteil 11 eingeführt, wird, wonach
dann eine gegenseitige Verpreseung.des Schaftteiles von 11 und
eines außerhalb der isolierenden Durchführung liegenden Teiles
des inneren metallischen Kappen« bzw« Becherteiles der isolierenden
Durchführung durch eine Verpreseung. vorgenommen wird* Es
braucht die Kappenform, welche den inneren metallischen Teil der
elektrisch isolierenden Durohführung bildet, auch nicht' lediglich
aus einem Stück hergestellt zu werden. Es kann vielmehr zunächst
die isolierende Durchführung ihnen einen Hülsenttil aufweisen.. '
mit dessen oberer S^irneeite ein ftt diese e;ing#eetrter bzw. ein-
und aufgesetzter kappeiförmiger; Teil, z>B. durch Hartlotung, verbunden ί st. ■-."'"■
Der isOlierkörper 21,' der "fif*B. aus Glas1 oder Keramik bestehen
kann, ist, wie das Ausführungsbeispiel aeigtj vorzugsweise; der»
art gestal-feet, daß er eine■ nach unten offene Becherform; aufweist,
mit welcher, er die Kontaktstelle zwischeii 1"f und ? sowie gegebeitenfalls
auch das .Hälbleitereienieftt 7 und des^efi Sitiz tft dem
'■' ■■■ IAO ORiGMAL
PI-A 6Ρ/1279
9/370/328
teil 6 umschließt. Der Körper 21 erfüllt auf diese Weise gleich·
•zeitig die Punktion, daß er im Innenraum von 1 die entsprechenden
Teile in einer gegenseitigen ordnungsgemäßen Lage hält bzw. aufrechterhält, insbesondere wenn 21 außerdem noch als Zentrierungskörper über seine AuÖenmantelfläche mit der Innenmantelfläche
des Teiles 3 von 1 zusammenarbeitet.
Ein wesentliches Merkmal für den Anmeldungsgegenstand ist gemäß
der eingangs gegebenen Begründung, daß bei der thermischen Beanspruchung
des Halbleiterbauelementes keine unerwünschten Spannungen dadurch*in dem System auftreten können, daß zwischen dem
Zwischenansehlußkörper 9 und dem äußeren elektrischen Anschluß
ein starrer Anschlußkontakt benutzt ist, indem erfindungsgemäß die Pilzdachform bzw. Scheibenform 12 des an das Halbleiterelement
angepreßten Anschlußkontaktes betriebsmäßig die Möglichkeit hat, um ihre Einspannstelle zwischen 21 und 9 sich in beiden
Richtungen der Achse von 11 um entsprechende geringe Beträge
auszubiegen. Hierfür darf 12 naturgemäß unter Berücksichtigung des Durchaeasers eine gewisse leicht durch Versuche zu ermittelnde Dicke nicht überschreiten.
Die Figur 2 zeigt eine solche Abwandlung einer erfindungsgemäßen
Anordnung, wonach der Btarre Anschlußkontakt aus einem schaftförmigen
Teil 11' besteht, an weichen bei Ausbildung des Zwischenanschlußkontaktes
9' mit einer einfachen geometrischen, z.B. quaderförmigen oder zylinderförmigen Grundform am unteren Ende
des schaftförmigen Teiles 11' des starren Anschlußkontaktes ein
scheibenförmiger _Teil 12' unmittelbar durch einen Schlag- oder
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Schmiedeprozeß in der Form erzeugt ist, daß an diesem scheibenförmigen
Teil eine innere Zone geringer Dicke 12'a und eine
äußere Ring- bzw, Randzone 12'b"-.von derart größerer. Dicke erzeugt
ist,. daß dadurch von den durch die Ebenen der Oberflächen
von 12'a ausladende Teile entstehen, auf .welche als Einspannkörper
einerseits der Zwischenanschlußkörper 9' und andererseits
• der Isolierkörper 21 wirken. Hierdurch ist der starre Anschlußkontakt
an seinem scheibenförmigen Teil wieder derart sinngemäß eingespannt, daß sich sein.von der Einspannzone umschlossener
scheibenförmiger Teil gemäß der angestrebten Zielsetzung zur
Vermeidung des'Auftretens thermischer Spannungen relativ zur
Oberfläche von 9' auablegen kann.
In der Abwandlung nach Figur 3, welche eine tdlweise Darstel-?
lung einer Seite der Einspannung des scheibenförmigen Körpers Ί 2·'
des starren Anschlußkontaktes enthält, ist wieder ein Zwischenanschlußkörper
9' einfacher geometrischer Formgebung benutzt, mit welchem wieder sinngemäß als zweiter Einspannkörper der
Isolierkörper 21 zusammenwirkt. Bei dieser Ausführung ist zunächst
auf denZwischenanschlußkörper ein Ring 27 aufgelegt, der an seinem äußeren Umfang so gestaltet sein kann» daß er einerseits sich
in seiner Lage gegenüber dem Zwischenanschlußkörper 9» orientiert,
gleichzeitig aber auch lagebestimmend für den äußeren Rand des scheibenförmigen Teiles 12" des starren Anschlußkontaktes ist.
An der Einspannzone ist auf die obere Fläche ein weiterer Ring
28 aufgelegt, der· wiederum, an seinem äußeren Umfang derart gestaltet sein kann, daß er sich unmittelbar in seiner Lage gegen-
- 14 ·■■-.■■
anon 1α. /nie e ο
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liber dem scheibenförmigen Körper 12' orientiert. Der scheiben^
formige Körper 12·* des starren Anschlußkontaktea ist in diesem
Falle mit einer wellenförmigen Zone innerhalb der Einspannsteile.
zwischen 27 und 28 gestaltet, so daß auf diese Weise die Nachgiebigkeit des starren Anschlußkontaktes an diesem scheibenförmigen
Teil noch gefördert ist.
Die beiden Teile 11 und 12 können im Rahmen der Erfindung·unmittelbar
als ein einheitlicher Körper oder aber auch aus mehreren zunächst an sich selbständigen Teilen hergestellt werden. Sd
kann z»B. der schaftartige Teil 11 mit dem plattenförmigen Teil 12 durch Hartlötung verbunden öein. Der Schaftteil 11 kann, für
eine vereinfachte Zusammenführung mit 12 auch an seiner unteren Fläche mit einem entsprechenden Zapfenteil versehen werden, der
in eine entsprechende Aussparung an 12Λeingeführt und dann an
einem hervortretenden Teil eventuell als !Tietkörper für. die
Verbindung zwischen 12 und 11 benutzt werden kann. Der Schaftteil
und der Scheibenteil des etarren Anaohlußkontaktes könnte auch durch eine Stumpfschweißung von 11 an 12 miteinander
zu einer Einheit verbunden werden»
3 Figuren
12 Ansprüche
12 Ansprüche
809812/0668
Claims (12)
- Λ J Halbleiteranordnung, bei welcher mindestens an derjenigen• Fläche, wo das Halbleiterelement einem-weiteren Körper aus einem Werkstoff anderer thermischer Dehnung benachbart liegt, nur eine ■ unter Druck stehende gegenseitige ,gleitfähige Anlage benutzt ist, an welcher insbesondere etwa eine Kickelfläiie mit einer Silberfläche, also vorzugsweise zwei Flächen aus einem Werkstoff,= die nicht miteinander bei den auftretenden. Drücken und Temperatüren selbsttätig verschweißen oder verlöten* zusammenwirken, ,insbesondere nach Patent . *V. «., (Ahm. S 75 279 VIIIc/21g - PM 61/1531 dadurch gekennzeichnet, daß ein aus einem Schaftteil mit einem scheibenförmigen Körper von größerer Fiächenausdehnung an .sein-em dem Halbleiterelement zugewandten Ende bestehender Anschlußleiter· nur derart über eine äußere Ring- oder Rahmenzone an einem auf der Elektrode des Halbleiter el em ent es sitzenden Zwischenanschluß-, körper festgespannt bzw* eingespannt ist, daß der von der Ring- - . bzw. Rahmenzone umschlossene Teil des scheibenförmigen Körpers sich bei Temperaturänderungen des Halbleiterbauelemente^ elastisch bzw. nachgiebig relativ zur gegenüberliegenden Fläche des Zwischen-anschlußkörpers in seiner.Form verändern kann. . - ■ *·
- 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, · ·' daß auf den scheibenförmigen Körper an einer oder beiden Flächen seiner eingespannten Randzone die Einepannkörper über be^wäsfexe.:, . . 1■' '. · ■·■' ,ring- oder rahmenformige Zwischenlage^ wirken«BAD - 16 - - ■ '809812/0689■Λ*+ PLA 62/1279Ϊ>Μ 9/370/328
- 3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zwischenänschlußkörper an seiner dem Scheibenkörperdes Anschlußleiters zugewandten Fläche mit einer solchen. Aussparung versehen ist, daß als eine diese umschließende Zone und Erhebung an dem Zwischenanschlußkörper eine äußere Zone für die Einspannung an der Ring- bzw. Rahmenzone des Scheibenkörpers verbleibt.
- 4. Halbleiteranordnung nach .Anspruch 1, dadurchgekennzeichnet, daß der scheibenförmige Körper unmittelbar an den Flächen der Einspannzone mit entsprechenden Erhebungen versehen ist, durch welche er von den Oberflächen der ihn einspannenden Körper für seine elastische bzw. nachgiebige Bewegungsmöglichkeit entsprechend distanziert ist.
- 5. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß an dem scheibenförmigen Körper noch ein von der Einspannzone umschlossener gewellter Teil zur Steigerung der Nachgiebigkeit des scheibenförmigen Körpers vorgesehen ist*
- 6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Anpressung des Scheibenteiles des starren Kontaktes an den Zwisebenanscblußkörper über einen Isolierkörper erfolgt.
- 7. Halbleiteranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierkörper auf den Schaftteil des zur isolierenden Durchführung führenden Anschlußkontaktes aufgeschoben ist und nach seinem entgegengesetzten Ende zu eine Becherform bildet» .„ 17 _BAD ORIGINAL62/1279 143913$ BlA 9/370/328 .welche Sie zwischen dem Kontakt und dem Halbleitergehäuse liegende Halbleitereiementeanordnung umschließt, -und daß der Isolierkörper vorzugsweise als Zentrierungskörper mit dem Gehäuseteil des Bau- / elementes zusammenarbeitet. . . . .
- 8. Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen.6 und 7, dadurch gekenn ζ ei ebnet, daß an der dem Halbleiterelement abgewandten Stirnfläche der Isolierkörper mit. einem Sitz für den Federkraft speicher versehen ist»
- 9* Halbleiteranordnung nach Anspruch 8y dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer scheibenförmigen elektrisch isolierenden Durchführung» vorzugsweise einer Druckglasdurchführung,,"der auf. den Isolierkörper wirkende Federkraftspeicher sich andererseits vorzugsweise an dem Außenring der elektrisch isolierenden Durchführung abstützt, jedoch auch an dem das Halbleiterelement tragenden Gehäuseteil abstützen kann,
- TO« Halbleiteranordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet", daß der Federkraftspeicner mit federnden Schenkelteilen versehen ist,
- 11 * Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einem, der folgenden, dadurch .gekennzeichnet f daß die mechanische und gasdichte Verbindung zwischen dem Außenring' der elektrisch isolierenden Durchführung und einem becherförmigen Gehäuseteil vorzugsweise durch eine Verformung eines Randteiles de3 becherförmigen Gehäuses erfolgt, durch welche der äußere Ring der elektrisch isolierenden Durchführung an .einem inneren Absatz der Becherform festgespannt wird» ' ■ ■ " ------ '■'■■". -■-..'■■■-. - ίBAD ORIGiMALaoseta/00etJQ ■ PIA 62/1279." «Τ -ptk 9/370/328 1439138
- 12. Halbleiteranordnung nach Anspruch 11» dadurch gekennzeichnet, / daß ander Übergangsstelle zwischen dem becherförmigen. Gehäuseteil und.der elektrisch isolierenden Durchführung zusätzlich eine Dichtungsmasse aufgebracht bzw. eine Verlötung νorgenommen ist." * . BAD ORIGINAL··, .8 09 fgl 2/0668
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