DE1298085B - Verfahren zur Herstellung von Einkristallen hoher Kristallguete durch Zonenschmelzen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Einkristallen hoher Kristallguete durch ZonenschmelzenInfo
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| JP4701738B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2011-06-15 | 株式会社Sumco | 単結晶の引上げ方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT189229B (de) * | 1954-06-24 | 1957-03-11 | Western Electric Co | Verfahren zur Erzeugung zumindest einer in einem Körper fortschreitenden Zwischenfläche von fester und flüssiger Phase |
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Patent Citations (2)
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| AT189229B (de) * | 1954-06-24 | 1957-03-11 | Western Electric Co | Verfahren zur Erzeugung zumindest einer in einem Körper fortschreitenden Zwischenfläche von fester und flüssiger Phase |
| DE1074273B (de) * | 1956-12-27 | 1960-01-28 | Western Electric Company Incorporated New York N Y (V St A) | (V St A) I Verfahren zum Zonenschmelzen elektrisch leitender Korper durch unmittelbares galvanisches Erwarmen |
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