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Die Erfindung betrifft einen verstärkenden Modulator mit mindestens
einem Transistor, bei dem die Trägerspannung und das modulierende Signal über ein
eingangsseitiges Netzwerk der Basis-Emitter-Strecke des Transistors bzw. den Basis-Emitter-Strecken
der Transistoren zugeführt werden und bei dem an einem Ausgang eines an den Kollektor
bzw. die Kollektoren angeschlossenen ausgangsseitigen Netzwerkes der Kollektorstrom
entnehmbar ist bzw. die gleichsinnig bzw. gegensinnig addierten Kollektorströme
entnehmbar sind, wobei ein Teil der Ausgangsspannung in einen, analog zu dem Modulatorausgang
im eingangsseitigen Netzwerk für den Basis-Emitter-Strom bzw. die zu addierenden
Basis-Emitter-Ströme vorgesehenen Ausgang eines aus der Basis-Emitter-Strecke des
Transistors bzw. den Basis-Emitter-Strecken der Transistoren gebildeten passiven
Modulators, der dasselbe Ausgangsspektrum wie der verstärkende Modulator abgibt,
im Sinne einer Spannungsgegenkopplung für die Seitenbandspannung eingespeist ist.
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Es sind verschiedene verstärkende Modulatoren bekannt, bei denen in
Reihe zu den Emitterdioden von Transistoren Widerstände geschaltet sind, die eine
Stromgegenkopplung bewirken. Durch diese zur Stromgegenkopplung dienenden Widerstände
wird der an sich schon hohe Ausgangswiderstand der Transistormodulatoren weiter
erhöht und eine Anpassung an die Verbraucher, z. B. den Modulatoren nachgeschaltete
Filter weiter erschwert. Außerdem liegen diese in Serie zu den Emittern geschalteten
Widerstände zwangläufig in den Trägerzuleitungen, die zu den einzelnen Transistoren
führen und bringen somit einen unerwünschten Verlust an Trägerleistung mit sich.
Aus diesem Grunde wird bei derartigen Modulatorschaltungen mit Stromgegenkopplung
der Gegenkopplungsfaktor bewußt relativ klein gehalten, so daß die in Serie zu den
Emittern liegenden Widerstände in erster Linie zur Symmetrierung dienen und die
Wirksamkeit der Stromgegenkopplung meist nur begrenzt ist.
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Durch eine Stromgegenkopplung von Transistoren in Modulatorschaltungen
werden sowohl das Eingangssignal als auch die Trägerschwingung in gleicher Weise
geschwächt, so daß bei derartigen Schaltungen die ohne Gegenkopplung vorhandene
Unteraussteuerung, d. h. das Verhältnis der dem Transistor jeweils zugeführten Trägerleistung
zur Signalleistung für konstanten Ausgangspegel des Seitenbandes nur durch gleichzeitige
Erhöhung des Pegels des Eingangssignals und der Trägerleistung beibehalten werden
kann.
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Zur Beseitigung der symmetrieunabhängigen Klirrprodukte sind deshalb
häufig besondere Maßnahmen, z. B. größere Unteraussteuerung, rI. h. kleinerer Modulationsgrad
für die nichtlinearen Elemente, erforderlich, die die Kurvenform der Modulatorfunktion
beeinflussen.
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Es ist ferner ein Quasi-Doppelgegentaktmodulator mit zwei Transistoren
bekannt, bei den die Basisanschlüsse beider Transistoren über eine symmetrische
Sekundärwicklung eines ersten und die Emitter über eine symmetrische Sekundärwicklung
eines zweiten Eingangsübertragers miteinander verbunden sind und bei dem die Kollektoren
der Transistoren miteinander verbunden und über eine Primärwicklung eines Ausgangsübertragers
und eine dazu in. Serie liegende Versorgungsspannungsquelle an die Mittelanzapfung
der symmetrischen Sekundärwicklung des zweiten Eingangsübertragers geführt sind.
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Bei verstärkenden Transistormodulatoren wird zum Zwecke der Anpassung
an nachgeschaltete Baugruppen, insbesondere an nachfolgende Filter, vielfach parallel
zum Modulatorausgang, dessen Innenwiderstand häufig stark von den Kenndaten der
Transistoren abhängt, ein zusätzlicher Lastwiderstand geschaltet, dessen Widerstandswert
klein gegenüber dem Innenwiderstand der Modulatorschaltung ist.
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Es ist ferner bereits ein Gegentaktmodulator bekannt, der einen Gegentaktverstärker,
eine Träger-Spannungsquelle und eine Modulationsspannungsquelle enthält, die beide
so an den Modulator geschaltet werden, daß sie voneinander entkoppelt sind, und
bei dem der Gegentaktverstärker aus zwei gleichen Transistoren besteht, deren Emitter
mit einer Wicklung eines Gegentakteingangstransformators verbunden sind, dessen
Mittelanzapfung an einen Punkt festen Potentials geschaltet ist, während die Trägerspannungsquelle
mit einem Pol an den Basen der Transistoren; mit dem anderen an einem Punkt festen
Potentials liegt. Dieser Gegentaktmodulator ist so ausgebildet, daß der Ausgangstransformator
mit einer symmetrischen Rückkopplungswicklung versehen ist, deren Mittelpunkt mit
dem einen Ende der Trägerspannungsquelle verbunden ist, während die äußeren Enden
der Rückkopplungswicklung an die Basen der Transistoren geschaltet sind.
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Aufgabe der Erfindung ist es, einen verstärkenden Quasi-Doppelgegentaktmodulator
zu schaffen, der sich ausgangsseitig auf einfache Weise an nachfolgende Verbraucher
anpassen läßt und dabei besonders vorteilhafte Modulatoreigenschaften aufweist.
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Gemäß der Erfindung wird der verstärkende Modulator derart ausgebildet,
daß bei Ausbildung des Modulator als Quasi-Doppelgegentaktmodulator die Basisanschlüsse
zweier Transistoren über eine symmetrische Sekundärwicklung eines ersten und die
Emitter über eine symmetrische Sekundärwicklung eines zweiten Eingangsübertragers
miteinander verbunden sind und daß die Kollektoren der Transistoren miteinander
verbunden sind und über eine Primärwicklung eines Ausgangsübertragers und eine dazu
in Serie liegende Versorgungsspannungsquelle an die Mittelanzapfung der symmetrischen
Sekundärwicklung eines der Eingangsübertrager geführt sind, und daß der Ausgang
der passiven Modulatorschaltung durch die über einen, insbesondere einstellbaren,
Widerstand miteinander verbundenen Mittelanzapfungen der Sekundärwicklungen beider
Eingangsübertrager gebildet ist, und daß die Versorgungsspannungsquelle bei reiner
Spannungsgegenkopplung an die Mittelanzapfung der Sekundärwicklung des zweiten Eingangsübertragers
und bei kombinierter Strom-Spannungsgegenkopplung an die Mittelanzapfung der Sekundärwicklung
des ersten Eingangsübertragers geführt ist. Durch diese Maßnahmen ergibt sich ein
Quasi-Doppelgegentaktmodulator, der zur Einstellung der Seitenbanddämpfung besonders
geeignet ist.
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Es ist ferner zweckmäßig, die vom Ausgang des Modulators, insbesondere
über wenigstens einen Vorwiderstand, an den Ausgang der passiven Modulatorschaltung
abgegebene Spannung einer eigenen Wicklung des Ausgangsübertragers zu entnehmen.
Die im Ausgang der passiven Modulatorschaltung und in der Zuführung der Gegenkopplungsspannung
liegenden
Widerstände können ganz oder teilweise komplex sein.
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Die Erfindung wird an Hand des in der Figur dargestellten Ausführungsbeispieles
näher erläutert.
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In der Figur sind Wicklungsanfänge von übertragerwicklungen mit einem
Punkt bezeichnet.
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Bei dem in der Figur dargestellten verstärkenden Quasi-Doppelgegentaktmodulator
mit zwei Transistoren sind die Basisanschlüsse beider Transistoren 37 und 38 über
die symmetrische Sekundärwicklung 342 des ersten Eingangsübertragers 34 zusammengeführt.
Die Emitter der Transistoren 37 und 38 sind über die symmetrische Sekundärwicklung
342 des zweiten Eingangsübertragers 35 miteinander verbunden. Die Kollektoren der
Transistoren 37 und 38 sind miteinander verbunden und über die Primärwicklung 363
des Ausgangsübertragers 36 und die dazu in Serie liegende Versorgungsspannungsquelle
52 an Erde geführt, an der auch die Mittelanzapfung der symmetrischen Sekundärwicklung
351 des zweiten Eingangsübertragers 35 liegt. Dabei liegen die miteinander verbundenen
Kollektoren am Anfang der Primärwicklung 363. Der Ausgang der passiven Modulatorschaltung
ist durch die über den einstellbaren Widerstand 39 miteinander verbundenen Mittelanzapfungen
der Sekundärwicklungen 342 und 351 beider Eingangsübertrager 34 und 35 gebildet.
Der Anfang der einpolig an Erde liegenden, weiteren Wicklung 363 des Ausgangsübertragers
36 ist mit dem erdfreien Anschluß des einstellbaren Widerstandes 39 über den Vorwiderstand
40 verbunden.
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Die Versorgungsspannungsquelle 52 ist zum Zwecke einer reinen Spannungsgegenkopplung
über die Erdverbindung an die Mittelanzapfung der Sekundärwicklung 351 des zweiten
Eingangsübertragers 35 geführt. Erdet man jedoch nicht die Mittelanzapfung der Sekundärwicklung
351 des zweiten Eingangsüberträgers, sondern die Mittelanzapfung der Sekundärwicklung
342 des ersten Eingangsübertragers, so ist die Versorgungsspannungsquelle 52 über
die Erdverbindung an die Mittelanzapfung der Sekundärwicklung 342 des ersten Eingangsübertragers
34 geführt, und man erhält einen Quasi-Doppelgegentaktmodulator mit kombinierter
Strom-Spannungs-Gegenkopplung, dessen Ausgangspegel bei konstantem Modulatorausgangswiderstand
mit Hilfe des einstellbaren Widerstandes 39 auf besonders einfache Weise verändert
werden kann.