DE1292219B - Verstaerkender Transistormodulator - Google Patents

Verstaerkender Transistormodulator

Info

Publication number
DE1292219B
DE1292219B DENDAT1292219D DE1292219DA DE1292219B DE 1292219 B DE1292219 B DE 1292219B DE NDAT1292219 D DENDAT1292219 D DE NDAT1292219D DE 1292219D A DE1292219D A DE 1292219DA DE 1292219 B DE1292219 B DE 1292219B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
output
modulator
base
voltage
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DENDAT1292219D
Other languages
English (en)
Other versions
DE1292219U (de
Inventor
Reginhard Dr Pospischil
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Publication date
Publication of DE1292219B publication Critical patent/DE1292219B/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C1/00Amplitude modulation
    • H03C1/36Amplitude modulation by means of semiconductor device having at least three electrodes

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Amplitude Modulation (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft einen verstärkenden Modulator mit mindestens einem Transistor, bei dem die Trägerspannung und das modulierende Signal über ein eingangsseitiges Netzwerk der Basis-Emitter-Strecke des Transistors bzw. den Basis-Emitter-Strecken der Transistoren zugeführt werden und bei dem an einem Ausgang eines an den Kollektor bzw. die Kollektoren angeschlossenen ausgangsseitigen Netzwerkes der Kollektorstrom entnehmbar ist bzw. die gleichsinnig bzw. gegensinnig addierten Kollektorströme entnehmbar sind, wobei ein Teil der Ausgangsspannung in einen, analog zu dem Modulatorausgang im eingangsseitigen Netzwerk für den Basis-Emitter-Strom bzw. die zu addierenden Basis-Emitter-Ströme vorgesehenen Ausgang eines aus der Basis-Emitter-Strecke des Transistors bzw. den Basis-Emitter-Strecken der Transistoren gebildeten passiven Modulators, der dasselbe Ausgangsspektrum wie der verstärkende Modulator abgibt, im Sinne einer Spannungsgegenkopplung für die Seitenbandspannung eingespeist ist.
  • Es sind verschiedene verstärkende Modulatoren bekannt, bei denen in Reihe zu den Emitterdioden von Transistoren Widerstände geschaltet sind, die eine Stromgegenkopplung bewirken. Durch diese zur Stromgegenkopplung dienenden Widerstände wird der an sich schon hohe Ausgangswiderstand der Transistormodulatoren weiter erhöht und eine Anpassung an die Verbraucher, z. B. den Modulatoren nachgeschaltete Filter weiter erschwert. Außerdem liegen diese in Serie zu den Emittern geschalteten Widerstände zwangläufig in den Trägerzuleitungen, die zu den einzelnen Transistoren führen und bringen somit einen unerwünschten Verlust an Trägerleistung mit sich. Aus diesem Grunde wird bei derartigen Modulatorschaltungen mit Stromgegenkopplung der Gegenkopplungsfaktor bewußt relativ klein gehalten, so daß die in Serie zu den Emittern liegenden Widerstände in erster Linie zur Symmetrierung dienen und die Wirksamkeit der Stromgegenkopplung meist nur begrenzt ist.
  • Durch eine Stromgegenkopplung von Transistoren in Modulatorschaltungen werden sowohl das Eingangssignal als auch die Trägerschwingung in gleicher Weise geschwächt, so daß bei derartigen Schaltungen die ohne Gegenkopplung vorhandene Unteraussteuerung, d. h. das Verhältnis der dem Transistor jeweils zugeführten Trägerleistung zur Signalleistung für konstanten Ausgangspegel des Seitenbandes nur durch gleichzeitige Erhöhung des Pegels des Eingangssignals und der Trägerleistung beibehalten werden kann.
  • Zur Beseitigung der symmetrieunabhängigen Klirrprodukte sind deshalb häufig besondere Maßnahmen, z. B. größere Unteraussteuerung, rI. h. kleinerer Modulationsgrad für die nichtlinearen Elemente, erforderlich, die die Kurvenform der Modulatorfunktion beeinflussen.
  • Es ist ferner ein Quasi-Doppelgegentaktmodulator mit zwei Transistoren bekannt, bei den die Basisanschlüsse beider Transistoren über eine symmetrische Sekundärwicklung eines ersten und die Emitter über eine symmetrische Sekundärwicklung eines zweiten Eingangsübertragers miteinander verbunden sind und bei dem die Kollektoren der Transistoren miteinander verbunden und über eine Primärwicklung eines Ausgangsübertragers und eine dazu in. Serie liegende Versorgungsspannungsquelle an die Mittelanzapfung der symmetrischen Sekundärwicklung des zweiten Eingangsübertragers geführt sind.
  • Bei verstärkenden Transistormodulatoren wird zum Zwecke der Anpassung an nachgeschaltete Baugruppen, insbesondere an nachfolgende Filter, vielfach parallel zum Modulatorausgang, dessen Innenwiderstand häufig stark von den Kenndaten der Transistoren abhängt, ein zusätzlicher Lastwiderstand geschaltet, dessen Widerstandswert klein gegenüber dem Innenwiderstand der Modulatorschaltung ist.
  • Es ist ferner bereits ein Gegentaktmodulator bekannt, der einen Gegentaktverstärker, eine Träger-Spannungsquelle und eine Modulationsspannungsquelle enthält, die beide so an den Modulator geschaltet werden, daß sie voneinander entkoppelt sind, und bei dem der Gegentaktverstärker aus zwei gleichen Transistoren besteht, deren Emitter mit einer Wicklung eines Gegentakteingangstransformators verbunden sind, dessen Mittelanzapfung an einen Punkt festen Potentials geschaltet ist, während die Trägerspannungsquelle mit einem Pol an den Basen der Transistoren; mit dem anderen an einem Punkt festen Potentials liegt. Dieser Gegentaktmodulator ist so ausgebildet, daß der Ausgangstransformator mit einer symmetrischen Rückkopplungswicklung versehen ist, deren Mittelpunkt mit dem einen Ende der Trägerspannungsquelle verbunden ist, während die äußeren Enden der Rückkopplungswicklung an die Basen der Transistoren geschaltet sind.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, einen verstärkenden Quasi-Doppelgegentaktmodulator zu schaffen, der sich ausgangsseitig auf einfache Weise an nachfolgende Verbraucher anpassen läßt und dabei besonders vorteilhafte Modulatoreigenschaften aufweist.
  • Gemäß der Erfindung wird der verstärkende Modulator derart ausgebildet, daß bei Ausbildung des Modulator als Quasi-Doppelgegentaktmodulator die Basisanschlüsse zweier Transistoren über eine symmetrische Sekundärwicklung eines ersten und die Emitter über eine symmetrische Sekundärwicklung eines zweiten Eingangsübertragers miteinander verbunden sind und daß die Kollektoren der Transistoren miteinander verbunden sind und über eine Primärwicklung eines Ausgangsübertragers und eine dazu in Serie liegende Versorgungsspannungsquelle an die Mittelanzapfung der symmetrischen Sekundärwicklung eines der Eingangsübertrager geführt sind, und daß der Ausgang der passiven Modulatorschaltung durch die über einen, insbesondere einstellbaren, Widerstand miteinander verbundenen Mittelanzapfungen der Sekundärwicklungen beider Eingangsübertrager gebildet ist, und daß die Versorgungsspannungsquelle bei reiner Spannungsgegenkopplung an die Mittelanzapfung der Sekundärwicklung des zweiten Eingangsübertragers und bei kombinierter Strom-Spannungsgegenkopplung an die Mittelanzapfung der Sekundärwicklung des ersten Eingangsübertragers geführt ist. Durch diese Maßnahmen ergibt sich ein Quasi-Doppelgegentaktmodulator, der zur Einstellung der Seitenbanddämpfung besonders geeignet ist.
  • Es ist ferner zweckmäßig, die vom Ausgang des Modulators, insbesondere über wenigstens einen Vorwiderstand, an den Ausgang der passiven Modulatorschaltung abgegebene Spannung einer eigenen Wicklung des Ausgangsübertragers zu entnehmen. Die im Ausgang der passiven Modulatorschaltung und in der Zuführung der Gegenkopplungsspannung liegenden Widerstände können ganz oder teilweise komplex sein.
  • Die Erfindung wird an Hand des in der Figur dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert.
  • In der Figur sind Wicklungsanfänge von übertragerwicklungen mit einem Punkt bezeichnet.
  • Bei dem in der Figur dargestellten verstärkenden Quasi-Doppelgegentaktmodulator mit zwei Transistoren sind die Basisanschlüsse beider Transistoren 37 und 38 über die symmetrische Sekundärwicklung 342 des ersten Eingangsübertragers 34 zusammengeführt. Die Emitter der Transistoren 37 und 38 sind über die symmetrische Sekundärwicklung 342 des zweiten Eingangsübertragers 35 miteinander verbunden. Die Kollektoren der Transistoren 37 und 38 sind miteinander verbunden und über die Primärwicklung 363 des Ausgangsübertragers 36 und die dazu in Serie liegende Versorgungsspannungsquelle 52 an Erde geführt, an der auch die Mittelanzapfung der symmetrischen Sekundärwicklung 351 des zweiten Eingangsübertragers 35 liegt. Dabei liegen die miteinander verbundenen Kollektoren am Anfang der Primärwicklung 363. Der Ausgang der passiven Modulatorschaltung ist durch die über den einstellbaren Widerstand 39 miteinander verbundenen Mittelanzapfungen der Sekundärwicklungen 342 und 351 beider Eingangsübertrager 34 und 35 gebildet. Der Anfang der einpolig an Erde liegenden, weiteren Wicklung 363 des Ausgangsübertragers 36 ist mit dem erdfreien Anschluß des einstellbaren Widerstandes 39 über den Vorwiderstand 40 verbunden.
  • Die Versorgungsspannungsquelle 52 ist zum Zwecke einer reinen Spannungsgegenkopplung über die Erdverbindung an die Mittelanzapfung der Sekundärwicklung 351 des zweiten Eingangsübertragers 35 geführt. Erdet man jedoch nicht die Mittelanzapfung der Sekundärwicklung 351 des zweiten Eingangsüberträgers, sondern die Mittelanzapfung der Sekundärwicklung 342 des ersten Eingangsübertragers, so ist die Versorgungsspannungsquelle 52 über die Erdverbindung an die Mittelanzapfung der Sekundärwicklung 342 des ersten Eingangsübertragers 34 geführt, und man erhält einen Quasi-Doppelgegentaktmodulator mit kombinierter Strom-Spannungs-Gegenkopplung, dessen Ausgangspegel bei konstantem Modulatorausgangswiderstand mit Hilfe des einstellbaren Widerstandes 39 auf besonders einfache Weise verändert werden kann.

Claims (3)

  1. Patentansprüche: 1. Verstärkender Modulator mit mindestens einem Transistor, bei dem die Trägerspannung und das modulierende Signal über ein eingangsseitiges Netzwerk der Basis-Emitter-Strecke des Transistors bzw. den Basis-Emitter-Strecken der Transistoren zugeführt werden und bei dem an einem Ausgang eines an den Kollektor bzw. die Kollektoren angeschlossenen ausgangsseitigen Netzwerkes der Kollektorstrom entnehmbar ist bzw. die gleichsinnig bzw. gegensinnig addierten Kollektorströme entnehmbar sind, wobei ein Teil der Ausgangsspannung in einen, analog zu dem Modulatorausgang im eingangsseitigen Netzwerk für den Basis-Emitter-Strom bzw. die zu addierenden Basis-Emitter-Ströme vorgesehenen Ausgang eines aus der Basis-Emitter-Strecke des Transistors bzw. den Basis-Emitter-Strecken der Transistoren gebildeten passiven Modulators, der dasselbe Ausgangsspektrum wie der verstärkende Modulator abgibt, im Sinne einer Spannungsgegenkopplung für die Seitenbandspannung eingespeist ist, dadurch gekennzeichnet, daß bei Ausbildung des Modulators als Quasi-Doppelgegentaktmodulator die Basisanschlüsse zweier Transistoren (37, 38) über eine symmetrische Sekundärwicklung (342) eines ersten und die Emitter über eine symmetrische Sekundärwicklung (351) eines zweiten Eingangsübertragers (34, 35) miteinander verbunden sind und daß die Kollektoren der Transistoren (37, 38) miteinander verbunden sind und über eine Primärwicklung (363) eines Ausgangsübertragers (36) und eine dazu in Serie liegende Versorgungsspannungsquelle (52) an die Mittelanzapfung der symmetrischen Sekundärwicklung (351) eines der Eingangsübertrager (35) geführt sind, und daß der Ausgang der passiven Modulatorschaltung durch die über einen, insbesondere einstellbaren, Widerstand (39) miteinander verbundenen Mittelanzapfungen der Sekundärwicklungen (342, 351) beider Eingangsübertrager (34, 35) gebildet ist, und daß die Versorgungsspannungsquelle (52) bei reiner Spannungsgegenkopplung an die Mittelanzapfung der Sekundärwicklung (351) des zweiten Eingangsübertragers (35) und bei kombinierter Strom-Spannungsgegenkopplung an die Mittelanzapfung der Sekundärwicklung (342) des ersten Eingangsübertragers (34) geführt ist.
  2. 2. Verstärkender Modulator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die vom Ausgang des Modulators, insbesondere über wenigstens einen Vorwiderstand (40) an den Ausgang der passiven Modulatorschaltung geführte Spannung von einer eigenen Wicklung (361) des Ausgangsübertragers (36) abgegeben wird.
  3. 3. Verstärkender Modulator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die in der Zuführung der Gegenkopplungsspannung liegenden Widerstände ganz oder teilweise komplex sind.
DENDAT1292219D 1965-07-30 Verstaerkender Transistormodulator Withdrawn DE1292219B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1292219T 1965-07-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1292219B true DE1292219B (de) 1969-04-10

Family

ID=611690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT1292219D Withdrawn DE1292219B (de) 1965-07-30 Verstaerkender Transistormodulator

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1292219B (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1110249B (de) * 1959-02-26 1961-07-06 Int Standard Electric Corp Gegentakt-Modulator

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1110249B (de) * 1959-02-26 1961-07-06 Int Standard Electric Corp Gegentakt-Modulator

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0087175B1 (de) Schaltung zur elektronischen Verstärkungsstellung
DE2240538C3 (de) Stromstabilisierungseinrichtung
DE3027071A1 (de) Transistorverstaerker mit zwei emittergekoppelten transisorpaaren
DE1229601B (de) Frequenzumsetzer
DE1292219B (de) Verstaerkender Transistormodulator
DE2222182C2 (de) Isolierter Digital-Analog-Wandler
DE2248682A1 (de) Haltekreis fuer fernsprechleitungen
DE1300154B (de) Verstaerkender Transistormodulator
DE878379C (de) Frequenzabhaengiges Netzwerk mit veraenderbarem Frequenzgang
DE2100453C3 (de) Wechselstromsteuervorrichtung
DE1296676B (de) Verstaerkender Gegentaktmodulator mit zwei Transistoren
DE759966C (de) Doppelgegentaktmodulator
DE3503942C2 (de)
DE701718C (de) Schaltungsanordnung zur Verbindung von drei oder mehr Verstaerkern
DE862919C (de) Modulatoranordnung
DE726042C (de) Verstaerkerschaltung mit gleichzeitiger Strom- und Spannungsgegenkopplung
DE3042114C2 (de) Einstellbarer Entzerrerverstärker
DE1916736C3 (de) Gegentaktverstärker mit zwei Transistoren entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps
DE706266C (de) Modulationseinrichtung
DE2115454B1 (de) Schaltungsanordnung zur Steuerung des Ausgangspegels eines Modulators oder Verstärkers
DE2154693A1 (de) Transistor-gleichspannungsverstaerker fuer vorzugsweise grosse ausgangsspannungen und -stroeme
DE2329254A1 (de) Stromwandler mit aktivem lastabschluss
DE3732171A1 (de) Mischschaltung zur erzeugung eines modulationsprodukts
DE750595C (de) Elektronenvervielfacher, dessen Elektroden an den Anzapfungen eines von einer Spannungsquelle gespeisten Potentiometers liegen
DE2103091B2 (de) Zerhacker-Modulator mit Feldeffekttransistoren

Legal Events

Date Code Title Description
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee