DE1283074B - Verfahren zum Herstellen einer monokristallinen Siliciumschicht auf einer Saphirunterlage durch thermische Zersetzung einer gasfoermigen Siliciumverbindung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer monokristallinen Siliciumschicht auf einer Saphirunterlage durch thermische Zersetzung einer gasfoermigen Siliciumverbindung

Info

Publication number
DE1283074B
DE1283074B DE1965R0040459 DER0040459A DE1283074B DE 1283074 B DE1283074 B DE 1283074B DE 1965R0040459 DE1965R0040459 DE 1965R0040459 DE R0040459 A DER0040459 A DE R0040459A DE 1283074 B DE1283074 B DE 1283074B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
hydrogen
silane
silicon
silicon layer
sapphire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1965R0040459
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Paul Harvey Robinson
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE1283074B publication Critical patent/DE1283074B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
DE1965R0040459 1964-04-28 1965-04-24 Verfahren zum Herstellen einer monokristallinen Siliciumschicht auf einer Saphirunterlage durch thermische Zersetzung einer gasfoermigen Siliciumverbindung Pending DE1283074B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US36322864A 1964-04-28 1964-04-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1283074B true DE1283074B (de) 1968-11-14

Family

ID=23429361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1965R0040459 Pending DE1283074B (de) 1964-04-28 1965-04-24 Verfahren zum Herstellen einer monokristallinen Siliciumschicht auf einer Saphirunterlage durch thermische Zersetzung einer gasfoermigen Siliciumverbindung

Country Status (5)

Country Link
BE (1) BE663145A (ja)
DE (1) DE1283074B (ja)
FR (1) FR1433733A (ja)
GB (1) GB1109123A (ja)
NL (1) NL6505356A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61210179A (ja) * 1985-03-13 1986-09-18 Shin Etsu Chem Co Ltd ミクロト−ム用コ−ティング刃の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2438892A (en) * 1943-07-28 1948-04-06 Bell Telephone Labor Inc Electrical translating materials and devices and methods of making them
DE1042553B (de) * 1953-09-25 1958-11-06 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Silicium grosser Reinheit
DE1072815B (de) * 1956-10-01 1960-01-07 Societe Anonyme des Manufactures des Glaces et Produits Chimiques de Saint-Gobain, Chauny &. Grey, Paris Verfahren zur Herstellung von Metal'len und anderen chemischen Elementen metallischen Charakters von hohem Reinheitsgrad

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2438892A (en) * 1943-07-28 1948-04-06 Bell Telephone Labor Inc Electrical translating materials and devices and methods of making them
DE1042553B (de) * 1953-09-25 1958-11-06 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von Silicium grosser Reinheit
DE1072815B (de) * 1956-10-01 1960-01-07 Societe Anonyme des Manufactures des Glaces et Produits Chimiques de Saint-Gobain, Chauny &. Grey, Paris Verfahren zur Herstellung von Metal'len und anderen chemischen Elementen metallischen Charakters von hohem Reinheitsgrad

Also Published As

Publication number Publication date
FR1433733A (fr) 1966-04-01
BE663145A (ja)
NL6505356A (ja) 1965-10-29
GB1109123A (en) 1968-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1029941B (de) Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Halbleiterschichten
DE2000707A1 (de) Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltungen
DE2654063A1 (de) Verfahren zum herstellen eines bandes aus polykristallinem halbleitermaterial
DE1719493A1 (de) Verfahren zur Herstellung von drahtfoermigen Koerpern (Haarkristallen) kreisfoermigen Querschnitts,die aus Siliciumcarbid-Einkristallen bestehen,und Gegenstaende aus Siliciumcarbid-Haarkristallen kreisfoermigen Querschnitts
DE1544329A1 (de) Verfahren zur Herstellung epitaxialer Schichten bestimmter Form
DE1138481C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase
DE1489258B1 (de) Verfahren zum Herstellen einer duennen leitenden Zone unter der Oberflaeche eines Siliciumkoerpers
DE1521396B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines halbleiter bauelementes mit einer schottky sperrschicht
DE1179184B (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinen, insbesondere duennen halbleitenden Schichten
DE1285465B (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Schichten aus Silicium oder Germanium
DE1769298B2 (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen von Silicium oder Germanium auf einer Unterlage aus einkristallinem Saphir
DE1248168B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE1901752A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Einkristalles in einem nichtmonokristallinem Substrat
DE2931432A1 (de) Eindiffundieren von aluminium in einem offenen rohr
DE2508121A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur erzeugung epitaxialen halbleiterwachstums aus einer fluessigphase
DE1283074B (de) Verfahren zum Herstellen einer monokristallinen Siliciumschicht auf einer Saphirunterlage durch thermische Zersetzung einer gasfoermigen Siliciumverbindung
DE2040761A1 (de) Infrarotempfindliches photoleitendes Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen dieses Halbleiterbauelementes
DE1251283B (de) Vorrichtung zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von einkristallinen Halbleiterkörpern
DE1161036B (de) Verfahren zur Herstellung von hochdotierten AB-Halbleiterverbindungen
DE1254607B (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterkoerpoern aus der Gasphase
DE1290925B (de) Verfahren zum Abscheiden von Silicium auf einem Halbleiterkoerper
AT229371B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
AT241532B (de) Vorrichtung zur gleichzeitigen Herstellung mehrerer einander gleichender monokristalliner Halbleiterkörper
DE1544305C (de) Verfahren zum Aufwachsen mindestens einer dotierten Halbleiterkristallschicht
DE1414921C3 (de) Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer einkristallinen hochohmigen Schicht aus Silicium