FR1433733A - Procédé de dépôt d'une couche de silicium - Google Patents
Procédé de dépôt d'une couche de siliciumInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US36322864A | 1964-04-28 | 1964-04-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR1433733A true FR1433733A (fr) | 1966-04-01 |
Family
ID=23429361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR14640A Expired FR1433733A (fr) | 1964-04-28 | 1965-04-26 | Procédé de dépôt d'une couche de silicium |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE663145A (fr) |
DE (1) | DE1283074B (fr) |
FR (1) | FR1433733A (fr) |
GB (1) | GB1109123A (fr) |
NL (1) | NL6505356A (fr) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61210179A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ミクロト−ム用コ−ティング刃の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2438892A (en) * | 1943-07-28 | 1948-04-06 | Bell Telephone Labor Inc | Electrical translating materials and devices and methods of making them |
DE1042553B (de) * | 1953-09-25 | 1958-11-06 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von Silicium grosser Reinheit |
FR1158930A (fr) * | 1956-10-01 | 1958-06-20 | Saint Gobain | Procédé de fabrication, à l'état de haute pureté, de métaux et d'autres éléments chimiques à caractère métallique |
-
0
- BE BE663145D patent/BE663145A/xx unknown
-
1965
- 1965-04-21 GB GB1672065A patent/GB1109123A/en not_active Expired
- 1965-04-24 DE DE1965R0040459 patent/DE1283074B/de active Pending
- 1965-04-26 FR FR14640A patent/FR1433733A/fr not_active Expired
- 1965-04-27 NL NL6505356A patent/NL6505356A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE663145A (fr) | |
NL6505356A (fr) | 1965-10-29 |
GB1109123A (en) | 1968-04-10 |
DE1283074B (de) | 1968-11-14 |
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