DE1273308B - Lot zum Loeten von Halbleiterbauteilen - Google Patents

Lot zum Loeten von Halbleiterbauteilen

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DE1273308B
DE1273308B DE1966V0031699 DEV0031699A DE1273308B DE 1273308 B DE1273308 B DE 1273308B DE 1966V0031699 DE1966V0031699 DE 1966V0031699 DE V0031699 A DEV0031699 A DE V0031699A DE 1273308 B DE1273308 B DE 1273308B
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DE
Germany
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solder
semiconductor components
soldering
soldering semiconductor
disks
Prior art date
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Pending
Application number
DE1966V0031699
Other languages
English (en)
Inventor
Werner Junghans
Johannes Mueller
Roswitha Vogel
Siegfried Walter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Elektromat VEB
Original Assignee
Elektromat VEB
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Filing date
Publication date
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Publication of DE1273308B publication Critical patent/DE1273308B/de
Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B23K35/0222Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
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Description

  • Lot zum Löten von Halbleiterbauteilen Die Erfindung betrifft ein Lot in Form von Scheiben zum Löten von Halbleiterbauteilen in reduzierender Atmosphäre, vorzugsweise Wasserstoff.
  • Die bisher üblichen Weichlötverbindungen mit Sn, In und Pb-haltigen Loten haben den Nachteil, besonders oxydhaltig zu sein. Die sich bildende Oxydschicht überzieht das Lot und die zu verbindenden Metallflächen, so daß keine einwandfreien Lötverbindungen zu erzielen sind.
  • Die Qualität derartiger Lötverbindungen, insbesondere in bezug auf elektrischen Stromübergang, ist schlecht. Dieser Mangel kann unter anderem durch die Anwendung von Flußmittel beseitigt werden. Durch die Flußmittel, die bekanntlich eine korrosionsfördernde Wirkung haben, werden die elektronischen Bauteile jedoch beschädigt. Die Lötstellen müssen wieder gereinigt und neutralisiert werden. Bei der Herstellung flußmittelfreier Weichlötungen unter Schutzgas, Inertgas oder im Vakuum werden durch die schon vorhandene Oxydschicht an den zu verbindenden Teilen schlechte Verbindungen erzielt. Die bereits vorhandene Oxydschicht wird durch das Inertgas oder im Vakuum nicht beseitigt.
  • Es ist weiterhin bekannt, eine Lötung unter Ultraschalleinwirkung durchzuführen. Bei Durchführung eines solchen Lötverfahrens unter Ultraschalleinwirkung wird ein Aufreißen der geschlossenen Oxydschicht und damit eine Reinigung der zu verbindenden Metallflächen erreicht. Bei Halbleiterbauelementen besteht bei Anwendung dieser Methode jedoch die Gefahr, daß dieselben durch entstehende Risse unbrauchbar werden können.
  • Es bestand daher die Aufgabe, Lotscheiben zum Löten von Halbleiterbauteilen in reduzierender Atmosphäre zu entwickeln, mit deren Hilfe ohne Flußmittel oxydfreie Lötverbindungen hergestellt werden können, ohne dabei jedoch die zu verbindenden Teile zu beschädigen.
  • Erfindungsgemäß weisen die Lotscheiben eine profilierte Oberfläche auf. Durch die infolge der profiliert gestalteten Oberfläche entstandenen Unebenheiten der Lotscheiben kann ein reduzierendes Gas, beispielsweise Wasserstoff, ungehindert an die zu verbindenden Metallflächen gelangen und diese oxydfrei halten. Es wird somit eine einwandfreie Benetzung der zu verbindenden Metallflächen und damit eine innige Lötverbindung erreicht.

Claims (1)

  1. Patentanspruch: Lot in Form von Scheiben zum Löten von Halbleiterbauteilen in reduzierender Atmosphäre, vorzugsweise Wasserstoff, d a d u r c h g e k e n n -zeichnet, daß die Scheiben eine profilierte Oberfläche aufweisen. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 708 363; Lüder, Handbuch der Löttechnik, Verlag Technik Berlin, 1952, S.144; Jllustrierte Zeitung für Blechindustrie und Installation, Nr.13, 1939, 68. Jahrgang, S. 352 bis 355.
DE1966V0031699 1966-08-12 1966-08-12 Lot zum Loeten von Halbleiterbauteilen Pending DE1273308B (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2452347A2 (fr) * 1979-03-27 1980-10-24 Servimetal Perfectionnement au brasage de metaux

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE708363C (de) * 1936-11-13 1941-07-18 Fried Krupp Akt Ges Einrichtung zum Loeten in einer reduzierenden Gasatmosphaere

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DE708363C (de) * 1936-11-13 1941-07-18 Fried Krupp Akt Ges Einrichtung zum Loeten in einer reduzierenden Gasatmosphaere

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FR2452347A2 (fr) * 1979-03-27 1980-10-24 Servimetal Perfectionnement au brasage de metaux

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