DE1272981B - Torschaltung mit Feldeffekttransistoren - Google Patents

Torschaltung mit Feldeffekttransistoren

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DE1272981B
DE1272981B DER44878A DER0044878A DE1272981B DE 1272981 B DE1272981 B DE 1272981B DE R44878 A DER44878 A DE R44878A DE R0044878 A DER0044878 A DE R0044878A DE 1272981 B DE1272981 B DE 1272981B
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DER44878A
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Joseph Richard Burns
John James Bison
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RCA Corp
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RCA Corp
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
H03k
Deutsche KL: 21 al - 36/18
Nummer: 1272981
Aktenzeichen: P 12 72 981.6-31 (R 44878)
Anmeldetag: 21. Dezember 1966
Auslegetag: 18. Juli 1968
Die Erfindung betrifft eine verbesserte Torschaltung, die mit Feldeffekttransistoren arbeitet.
Sogenannte Torschaltungen werden beispielsweise dazu verwendet, Informations- oder anderweitige Signale selektiv über einen Übertragungskanal von einer Stelle nach einer anderen zu leiten. Es ist bekannt, für eine derartige Torschaltung einen einzelnen Feldeffekttransistor zu verwenden. Bei derartigen Anordnungen ergibt sich eine Schwierigkeit daraus, daß die Ubertragungseigenschaften eines solchen Transistors in Abhängigkeit von der übertragenen Information schwanken. Wenn beispielsweise digitale Signale übertragen werden, kann der Schalttransistor für den einen digitalen Signalwert in Quellenschaltung und für den anderen digitalen Signalwert als sogenannter Quellenfolger, d. h. in Abflußschaltung arbeiten.
Im letzteren Fall erreicht die zum Empfangspunkt übertragene Spannung wegen der Schwellwerteigenschaft des Transistors nicht den vollen Wert der ao Sendespannung, und zwar kann es, je nach dem Wert der Schwellenspannung des betreffenden Transistors, geschehen, daß die tatsächlich zum Empfangspunkt gelangende Spannung nicht ausreicht, um die dort angeschaltete Stufe zu tasten oder anderweitig in der für den gewünschten Betrieb erforderlichen Weise richtig auszusteuern. Eine noch ernstere Schwierigkeit ergibt sich daraus, daß die zum Empfangspunkt übertragene Spannung längere Zeit benötigt, um den Schwellenwert der Empfangsstufe zu erreichen, als erforderlich wäre, wenn die volle Sendespannung tatsächlich zum Empfangspunkt übertragen würde. Dadurch wird die Gesamtarbeitsgeschwindigkeit des betreffenden Systems unnötig beschränkt und insbesondere die Folgefrequenz der Arbeitsgänge der verschiedenen Stufen und/oder Bauelemente herabgedrückt.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine in dieser Hinsicht verbesserte Torschaltung zu schaffen, und zwar soll die Torschaltung aus Feldeffekttransistoren aufgebaut sein.
Die Schaltung soll mit zwei Feldeffekttransistoren entgegengesetzten Leitungstyps so arbeiten, daß ihre Ubertragungseigenschaften unabhängig von der Richtung des Stromflusses durch das Tor sowie vom Wert der übertragenen Signale stets die gleichen sind.
Die Schaltung soll in der Lage sein, die volle Sendespannung zum Empfangspunkt zu übertragen.
Erfindungsgemäß ist, kurz gesagt, eine Torschaltung vorgesehen, bei der zwei Feldeffekttransistoren entgegengesetzten Leitungstyps mit ihren stromführenden Kanälen in Parallelschaltung zwischen den Torschaltung mit Feldeffekttransistoren
Anmelder:
Radio Corporation of America,
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dr.-Ing. E. Sommerfeld, Patentanwalt,
8000 München 23, Dunantstr. 6
Als Erfinder benannt:
Joseph Richard Burns, Trenton, N. J.;
John James Bison,
Princeton, N. J. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. ν. Amerika vom 21. Dezember 1965
(515413)
Sendepunkt und den Empfangspunkt des Übertragungsweges gekoppelt sind. Den Steuerelektroden dieser Transistoren sind selektiv Signale zugeführt, durch welche die beiden Transistoren gleichzeitig entweder geöffnet oder gesperrt werden.
In der Zeichnung, in der gleiche Elemente jeweils mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind, zeigt
Fig. 1 das Schaltschema einer Torschaltung gemäß dem Stand der Technik,
Fig. 2 eine typische Strom-Spannungs-Charakteristik des isolierten Feldeffekttransistors,
F i g. 3 Zeit-Ausgangsspannungs-Kennlinien eines Feldeffekttransistors für verschiedene Betriebsbedingungen und
Fig. 4 das Schaltschema einer erfindungsgemäßen Schleusenschaltung.
Bei der im Schaltbild nach Fig. 1 wiedergegebenen Torschaltung liefert eine im Block 10 enthaltene Sendestufe an ihrem Ausgang 12 die zu übertragenden Signale. Die Sendestufe ist hier beispielsweise als ein Schalter 14 gezeigt, dessen Schaltarm entweder auf den Kontakt 16 oder auf den Kontakt 18 geschaltet werden kann. Der Kontakt 16 liegt direkt an Masse, während der Kontakt 18 mit dem positiven Pol einer Batterie 20, deren negativer Pol an Masse liegt, verbunden ist. Je nach der Einstellung des Schaltannes hat das Ausgangssignal der Stufe am Sendepunkt 12 einen Spannungspegel von entweder 0
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(Massepotential) oder + F0 Volt, wobei F0 die Spannung der Batterie 20 ist. Die am Sendepunkt 12 anstehende Spannung soll zum Eingang 24 der Empfangsstufe 26 übertragen werden. Die Last am Empfangspunkt 24 ist als ein Kondensator 28 angedeutet.
Die eigentliche Torschaltung enthält einen Feldeffekttransistor 32 vom n-Leitungstyp mit Quellenelektrode und Abflußelektrode 34, 36, deren eine 34 mit dem Sendepunkt 12 und deren andere 36 mit dem Empfangspunkt.24 verbunden ist. Die Steuerelektrode 38 ist mit einer Klemme 40 verbunden, der ein Steuersignal mit einer Spannung von entweder 0 oder V0 Volt zugeführt wird.
Für den Feldeffekttransistor 32 kann beispielsweise
ein MOS-Transistor (Metalloxyd-Halbleitertransistor) oder ein Dünnschichttransistor mit isolierter Steuerelektrode verwendet werden. Bei den in F i g. 1 angegebenen Spannungsverhältnissen wäre der Transistor vom stromerhöhenden Typ. Für ändere Spannungsverhältnisse käme der stromdrosselnde. Typ und sogar ein unipolarer Typ in Frage. Die Eigenschaften der MOS- und'Dünnschichttransistoren sind gesperrt wird. Es sei nun angenommen, daß der Schaltarm des Schalters 14 auf den Kontakt 18 umgelegt wird. Die Spannung am Sendepunkt 12 beträgt dann + V0 Volt. Während des nächsten Ubertragungsintervalls wechselt die Spannung an der Steuerelektrode 38 wieder auf + V0 Volt. Da die Spannung an der Steuerelektrode 38 den gleichen Wert hat wie die Spannung an der Elektrode 34, die anfängliche Spannung an der Elektrode 36 dagegen 0 Volt beträgt, arbeitet der Transistor 32 jetzt als Quellenfolger, d. h. in Abflußschaltung mit der Elektrode 36 als Quelle und der Elektrode 34 als Abfluß. Eine Strom-Spannungs-Kennlinie 46 für den unter diesen Bedingungen arbeitenden Transistor 32 ist in F i g. 2. gezeigt.
Im Diagramm nach F i g. 2 ist die Spannungsdifferenz zwischen Quelle und Steuerelektrode auf der Abszisse aufgetragen. Da die Abflußelektrode 34 und die Steuerelektrode 38 das gleiche Potential führen, ist die auf der Abszisse aufgetragene Spannung außerdem gleich der Eingangsspannung am Sendepunkt 12, minus der Ausgangsspannung ,am Empfangspunkt 24. Der .Quellenstrom ist auf der Ordinate aufgetragen. , .. ..--■-■'. . ■';
Wenn der-Transistor 32 anfänglich geöffnet wird, beträgt· die Ausgangsspannung (oder Quellenspannung) Null und herrscht zwischen Quelle und Steuerelektrode ein Spannungsgefälle von V0 Volt. Anfänglich fließt daher im Übertragungskanal ein Quellen^
allgemein bekannt. Es genügt, hier festzustellen, daß derartige Bauelemente in dem Sinne doppelseitig gerichtet sind, daß der Strom den durch die Quellen- und die Abflußelekfröde gebildeten leitenden Kanal , in beiden Richtungea-dürchfließen kann. Bei einem Transistor vom η-Typ gilt im allgemeinen die Quellenelektrode als diejenige Elektrode, aus welcher der
Strom im herkömmlichen Sinne fließt. Im vorliegen- 30 strom I1, wie in Fi g„ 2 ersichtlich. In dem Maße, wie^ den Fall kann die'Elektrode 36 für den einen Wert ., sich der Kondensator 38 auflädt, wird das Span-, der Eingangsspannung am Sendepunkt 12 als' Quel- ' niingsgefälle zwischen ,QueUe und Steuerelektrode, lenelektrode und für den anderen-Wert der Ein- abgebaut^ so daß auch der Quellenstrom entsprechend gangsspannung als Abflußelektrode aufgefaßt werden. abnimmt, wie man wiederum, in. F i g. 2 .sieht, Wenn Es ist mitunter erwünscht und,in manchen. Fällen 35 sich der Kondensator 28 auf einen Wert.von F0-F7-,
. Volt (wobei F7- die für die Stromleitung des Transistors erforderliche Schwellenspännung ist) aufgeladen· hat, wird der Transistor. 32 gesperrt, so daß sich ,'der Kondensator 28 nicht weiter aufladen kann. ....
Wenn also der Schalttränsistqr 32 in Äbflußschaltung arbeitet, kann.sich.deij. Kondensator28 nicht aui den vollen.Wert der, Seilspannung aufladen. Vielmehr erreicht die Sigpalsjpannung am Empfangspünkt
wesentlich,· "daß. diei:volle am .Sendepunkt 12- anstehende Spannung zum Empfangspunkt 24 übertragen wird und dort erscheint: Bei der Verwendung eines einzigen Feldeffekttransistors in der Torschaltung ist nachteilig, daß unter gewissen Betriebsbedingungen nicht die volle Eingangsspannung auf-den Empfangspünkt übertragen wird. -'; Ess.ei.ängenommeh,.daß der Kondensator 28 an-
g gpjpg pgp
fänglich in der durch die dortigen Vorzeichen ange- 24 nur einen Wert, der gleich ist der Sendespannung deuteten Polarität aufgeladen ist. Es sei weiter an- 45 minus .der Schwellenspannung- des. Transistors... B.ej| genommen, daß ,der Schaltarm des Schalters 14 am einem typischen isolierten Feldeffekttransistpr .vorni geerdeten Kontakt 16 liegt. Der Transistor 32 ist ge-: ' stromerhöhenden Typ. kann diese, Schwellensparisperrt, wenn seine Steuerelektrode Nullpotential führt.' nung 2 oder 3 VqIt betragen.. Angenommen, V0 be-Wechselt dann die Steuerspannung an der Steuer- trägp 10Volt,,so,bedeutet dies, daß die den Emp-j elektrode 38 auf +V0 Volt, so wird der Transistor 32 50 fahgspunkt24 erreichende Signalspannung nur 7 ode.ij leitend. Bei den gegebenen Spannungsverhältnissen 8VoIt beträgt, d.-h.-nicht die volle Sendespannung1
übertragen wird. . ■ .-,■-.. ■-;■'·,
Wenn die Torschaltung für die. Übertragung voii Signalen in digitalen Systemen verwendet wird, kann
sehen der Quellenelektrode 34 und der Steuetelek- 55 es vdrKbmme.n, daß .die den .Empfangspunkt 24 er-, t'rode 38 ein konstantes' Spannungsgefälle von +F0 reichende. Signalspannung bei. Arbeiten des Transi-,
' ' — " * " stors in Abflußschaltung nicht ausreicht, um di§. an,
den Empfangspunkt angeschaltete Stufe zu tasten, zu schalten oder sonstwie'einwändfrei zu steuern.. Selbst
nannten Werte beibehalten. Es kann sich daher der 60 wenn die Spannung für den betreffenden Zweck aus-' Kondensator28.über den stromführenden Kanal des reicht, bleibt als noch ,schwerwiegenderer'Nachteil
die Tatsache bestehen, daß die. Spannung am Empfangspunkt 24 längere Zeit benötigt, um einen für die Steuerung, der angeschalteten Stufe ausreichenden Wert zu erreichen, als wenn die .volle Spannung F0 Volt zum Empfangspünkt übertragen würde. Dies wird aus einer.Betrachtung der Spannungsyerläufe in
arbeitet der Transistor 32 in QueÜehschaltung mit der Elektrode 34 als Quelle und der Ele'ktrode.36. als Abfluß. Da die Quelle direkt geerdet ist, besteht zwi-
VoIt, und der Transistor bleibt so lange im.niederohmigen (hochleitenden) Zustand, wie die Spannungen am Schalter und an der Steuerelektrode die geTransistors 32. voll entladen, SOi daß die Spannung am Empfangspunkt 24 auf Null geht. Bei dieser Betriebsart wird somit die volle Spannung.am Sendepunkt 12 zum Empfangspunkt 24 übertragen., .
Am Ende des Übertr'agungsintervalls wechselt die Steuerspannung .an der. Steuerelektrode 38. von. +F0
Voltauf Nu41pötenti^,\wor^uf^,"der:.Tra^sistpr32 Fig. 3 deutlicher,ersichtlich.'
5 6
Im Diagramm nach F i g. 3 sind auf der Abszisse sator 28 anfänglich ungeladen ist und die am Sendedie Zeit und auf der Ordinate die Spannung am punkt 12 anstehende Spannung den Wert + V0 Volt Empfangspunkt 24 aufgetragen. Die Kurve 50 gibt hat. Wenn die Spannung vom Sendepunkt zum Empdie Zeit-Spannungs-Kennlinie für den Fall wieder, fangspunkt durchgeschaltet werden soll, beschickt die daß die volle Spannung von V0 Volt vom Sendepunkt 5 Steuersignalquelle 70 die Steuerelektrode 38 mit einer 12 zum Empfangspunkt 24 übertragen wird. Die Spannung von +V0 Volt und zugleich die Steuer-Kurve 52 ist die Zeit-Spannungs-Kennlinie für den signalquelle 72 die Steuerelektrode 66 mit NuIloben erläuterten Fall, daß die am Empfangspunkt potential. Der Transistor 32 arbeitet in Abflußschalschließlich erreichte Signalspannung V0-V7 beträgt. tung, und ein Strom im herkömmlichen Sinne fließt Wie man aus F i g. 3 sieht, erreicht die Signalspan- io unter Aufladung des Kondensators 28 vom Sendenung am Empfangspunkt 24 im ersten Fall, d. h. bei punkt 12 zum Empfangspunkt 24. Gleichzeitig arbeitet Übertragung der vollen V0 Volt, den Wert + ν5γ der zweite Transistor 60 in Quellenschaltung, aa. die Volt zum Zeitpunkt tv Bei in Abflußschaltung arbei- Steuerelektrode 66 Nullpotential und die Quejlentendem Transistor erreicht dagegen die Spannung am elektrode 62 eine Spannung von + V0 Volt fuhrt. Empfangspunkt diesen gleichen Wert erst zu einem 15 Der erste Transistor 32 wird aus den bereits erläuspäteren Zeitpunkt t2. Das zwischen 0 und t2 liegende terten Gründen gesperrt, wenn die Ladung des Kon-Zeitintervall kann beispielsweise dreimal so lang sein densators 28 den Wert V0-V7 Volt erreicht. Da jewie das zwischen 0 und tt liegende Zeitintervall. Ist doch der zweite Transistor 60 in Quellenschalfung Vsw die Schaltspannung, d. h-i die am Empfangs- arbeitet, bleibt dieser Transistor 60 unabhängig punkt 24 für die Betätigung der angeschalteten Stufe 20 vom Ladungszustand des ,Kondensators 28 geöffnet, erforderliche Spannung, so folgt, daß eine erhebliche Der zweite Transistor 60 bietet als.o weiterhin Verzögerung zwischen dem Zeitpunkt, da der Tiran- einen niederohmigen Weg" fiif den Stromflußryom sistor32: geöffnet wird!," und dem Zeitpunkt, da die Sendepunkt 12 ' zum. EmpjEangspunkt 24,,, so;;SJdaß nachgeschaltete Stufe tätig wird, besteht. Dies be- der Kondensator sich aiä" die "volle Sparifhing deutet, daß das gesamte System eine viel niedrigere 25 von + V0 Volt aufladen kann und somit am Emp-Folgefrequenz oder Arbeitsgeschwindigkeit hat,.,als , fangs|»uiiktj24 die volle Sendespannung empfangen erreichbar wäre, wenn die volle Spannung von' +' V0 wird.
Volt zum Empfangspunkt 24 übertragen würde. Bei Beendigung des Übertragungsintervalls werden
Die genannten Einschränkungen und Nachteile der der Transistor 32 durch die Steuersignalquelle 70 und bekannten Schleusenschaltung mit nur einem Transi- 30 der Transistor 60 durch die Steuersignalquelle 72 abstor werden durch die Erfindung beseitigt. Fig. 4 geschaltet bzw. gesperrt. Es sei nun angenommen, zeigt das Schaltschema der erfindungsgemäßen Tor- daß die Sendespannung am Punkt 12 von + V0 Volt schaltung. Dabei ist der Feldeffekttransistor 32 vom auf 0 Volt wechselt. Während des nächsten Übern-Typ genauso wie bei der Schaltung nach Fig. 1 tragungsintervalls werden beide Transistoren durch zwischen den Sendepunkt 12 und den Empfangs- 35 die entsprechenden Steuersignalquellen 70 und 72 punkt 24 geschaltet. Zusätzlich ist ein zweiter Feld- wieder geöffnet. Der zweite Transistor 60 arbeitet effekttransistor 60 vom entgegengesetzten Leitungs- jetzt in Abflußschaltung mit der Elektrode 64 als typ, d. h. vom p-Typ, mit seinem stromführenden Quelle und der Elektrode 62 als Abfluß. Dieser Tran-Kanal parallel zum Kanal des Transistors 32 ge- sistor bietet so lange einen Stromweg für die Entschaltet. Der Kanal des Transistors 60 wird ebenfalls 40 ladung des Kondensators 28, bis die Spannung am durch eine Quellenelektrode und eine Abflußelektrode Empfangspunkt 24 auf einen Wert von V7 Volt, d.h. gebildet. Die eine dieser Elektroden 62 ist direkt an die Leitungsschwelle des Transistors 60 abgefallen die Elektrode 34 des ersten Transistors 32 ange- ist. Jedoch arbeitet jetzt der erste Transistor 32 schaltet, während die andere der beiden Elektroden in Quellenschaltung und bleibt daher so lange ge-64 mit der anderen Elektrode 36 des ersten Transi- 45 öffnet, wie die Spannung am Sendepunkt 12 auf Nullstors 32 verbunden ist. Die Steuerelektrode 38 des potential liegt und die Spannung an der Elektrode Transistors 32 ist an eine erste Steuersignalquelle 70 36 + V0 beträgt. Der erste Transistor 32 bietet somit angeschaltet, während die Steuerelektrode 66 des einen niederohmigen Stromweg für die vollständige zweiten Transistors 60 an eine zweite Steuersignal- Entladung des Kondensators 28.
quelle 72 angeschaltet ist. 50 Die Torschaltung nach F i g. 4 überträgt also in
Die Steuersignalquellen 70 und 72 beliefern die jedem Fall die volle Spannung vom Sendepunkt 12 Steuerelektroden 38 bzw. 66 gleichzeitig mit gegen- zum Empfangspunkt 24. Auf Grund des Zusammenphasigen Schaltsignalen. Diese Signale haben eine wirkens der beiden Transistoren wird unabhängig solche Amplitude und Polarität, daß beide Transisto- vom Eingangszustand die volle Sendespannung zum ren 32 und 60 jeweils gleichzeitig geöffnet und ge- 55 Empfangspunkt 24 übertragen, und, was noch wichsperrt werden. Wird beispielsweise die Schleusen- tiger ist, erreicht, daß die Spannung am Empfangsschaltung in einem digitalen System verwendet, bei punkt 24 sich viel schneller ändern kann, als es mit dem die digitalen Signale Werte von 0 Volt und nur einem einzigen Transistor möglich wäre. Und + V0 Volt annehmen, so beschickt die Steuersignal- zwar entspricht die Zeit-Spannungs-Charakteristik für quelle70 die Steuerelektrode38 mit einer Spannung 60 die Anordnung nach Fig. 4 der Kennlinie 50, davon 0 Volt, während gleichzeitig die andere Steuer- gegen die für eine Anordnung nach F i g. 1 der Kennsignalquelle 72 die Steuerelektrode 66 mit einer Span- linie 52 in F i g. 3.
nung von + V0 Volt beschickt, und umgekehrt. In Die vorliegende Torschaltung kann beispielsweise
der herkömmlichen digitalen Terminologie heißt dies, im Verkopplungsnetzwerk einer aus isolierten FeIddaß die Ausgänge der Steuersignalquellen 70 und 72 65 effekttransistoren aufgebauten bistabilen Kippschalkomplementär zueinander sind. tung oder im Eingangsnetzwerk einer solchen bista-
Bei der Betrachtung der Arbeitsweise der Anord- bilen Kippschaltung verwendet werden. Bekanntlich nung soll vorausgesetzt werden, daß der Konden- hat der isolierte Feldeffekttransistor einen sehr hohen
„ϊίν.,'-νί un-.Ä'i.tl8i)!iami gjp it." \·\ϊ·'£\<·'iv$
Eingangswiderstand, so daß in seinem Eingangskreis wenig oder gar kein Strom fließt. Ein solcher Transistor als Lastelement kann daher durch einen Kondensator wie z. B. den Kondensator 28 in F i g. 1 und 4 wiedergegeben werden.

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Torschaltung mit einem Feldeffekttransistor eines gegebenen Leitungstyps mit zwei einen stromführenden Kanal bildenden Hauptelektroden und einer die Leitfähigkeit dieses Kanals steuernden Steuerelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Feldeffekttransistor (60) des entgegengesetzten Leitungstyps mit ebenfalls zwei einen stromführenden Kanal bildenden Hauptelektroden (62, 64) mit seinem Kanal parallel zum Kanal des ersten Transistors (32) ge-
■■"■; schaltet ist und daß den Steuerelektroden (38, 66) ao der beiden Transistoren Steuersignale zugeführt sind, welche die beiden Transistoren jeweils
• gleichzeitig öffnen und sperren.
2. Torschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuersignale komplementär zueinander sind.
3. Torschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuersignale digitale Signale sind, die entweder einen ersten oder einen zweiten Wert annehmen können.
4. Torschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Feldeffekttransistoren mit ihren parallelgeschalteten Kanälen zwischen einen Signalsendepunkt (12) und einen Signalempfangspunkt (24) geschaltet sind.
5. Torschaltung nach Anspruch4,, gekennzeichnet durch eine Einrichtung (14,20) zum Schalten der Spannung am Signalsendepunkt zwischen einem ersten und einem zweiten Wert.
6. Torschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Transistor (32) ein isolierter Feldeffekttransistor vom n-Leitungstyp und der andere Transistor (60) ein isolierter Feldeffekttransistor vom p-Leitungstyp ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 570/477 7.68 ©,.Bundesdruckerei Berlin
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3521242A (en) * 1967-05-02 1970-07-21 Rca Corp Complementary transistor write and ndro for memory cell
US3577166A (en) * 1968-09-17 1971-05-04 Rca Corp C-mos dynamic binary counter
US3614477A (en) * 1968-11-26 1971-10-19 Bendix Corp Field effect transistor shunt squaring network
US3564290A (en) * 1969-03-13 1971-02-16 Ibm Regenerative fet source follower
US3588635A (en) * 1969-04-02 1971-06-28 Rca Corp Integrated circuit
US3610951A (en) * 1969-04-03 1971-10-05 Sprague Electric Co Dynamic shift register
US4065679A (en) * 1969-05-07 1977-12-27 Teletype Corporation Dynamic logic system
US3638036A (en) * 1970-04-27 1972-01-25 Gen Instrument Corp Four-phase logic circuit
US3651419A (en) * 1970-07-06 1972-03-21 Rca Corp Peak demodulator
US3623132A (en) * 1970-12-14 1971-11-23 North American Rockwell Charge sensing circuit
US3720848A (en) * 1971-07-01 1973-03-13 Motorola Inc Solid-state relay
US3864558A (en) * 1973-05-14 1975-02-04 Westinghouse Electric Corp Arithmetic computation of functions
US3866064A (en) * 1973-08-22 1975-02-11 Harris Intertype Corp Cmos analog switch
US4001606A (en) * 1974-06-05 1977-01-04 Andrew Gordon Francis Dingwall Electrical circuit
US4032967A (en) * 1976-05-28 1977-06-28 Rca Corporation Complementary field effect transistor signal multiplier
US4179671A (en) * 1977-01-10 1979-12-18 Citizen Watch Company Limited Capacitor switching circuits for adjusting crystal oscillator frequency
US4114055A (en) * 1977-05-12 1978-09-12 Rca Corporation Unbalanced sense circuit
JPS5472641A (en) * 1977-11-21 1979-06-11 Toshiba Corp Voltage detection circuit
DE3226339C2 (de) * 1981-07-17 1985-12-19 Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa Analoge Schaltervorrichtung mit MOS-Transistoren
JPS5894232A (ja) * 1981-11-30 1983-06-04 Toshiba Corp 半導体アナログスイッチ回路
DE3360366D1 (en) * 1982-02-26 1985-08-14 Toshiba Kk Mos switch circuit
JPS5943824B2 (ja) * 1982-03-03 1984-10-24 三菱電機株式会社 半導体集積回路装置
JPS5919436A (ja) * 1982-07-26 1984-01-31 Toshiba Corp 転送回路
JPS61263313A (ja) * 1985-05-17 1986-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd セレクタ付ラツチ回路
US4733111A (en) * 1985-07-17 1988-03-22 CSELT--Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni S.p.A. Sequential-logic basic element in CMOS technology operating by a single clock signal
US4656367A (en) * 1985-10-18 1987-04-07 International Business Machines Corporation Speed up of up-going transition of TTL or DTL circuits under high _capacitive load
US4710649A (en) * 1986-04-11 1987-12-01 Raytheon Company Transmission-gate structured logic circuits
US4697108A (en) * 1986-05-09 1987-09-29 International Business Machines Corp. Complementary input circuit with nonlinear front end and partially coupled latch
EP0252999B1 (de) * 1986-07-09 1992-04-22 Deutsche ITT Industries GmbH Getaktete CMOS-Schaltung mit mindestens einem CMOS-Schalter
JPH023187A (ja) * 1988-06-09 1990-01-08 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ
US4910709A (en) * 1988-08-10 1990-03-20 International Business Machines Corporation Complementary metal-oxide-semiconductor transistor and one-capacitor dynamic-random-access memory cell
KR920000409B1 (ko) * 1989-11-30 1992-01-13 현대전자산업 주식회사 다이나믹램의 분리회로
US5477173A (en) * 1993-07-30 1995-12-19 Santa Barbara Research Center Ultra low power gain circuit (UGC)
US6621319B1 (en) * 1999-09-29 2003-09-16 Agere Systems Inc. Edge-triggered toggle flip-flop circuit
JP4143054B2 (ja) * 2004-08-19 2008-09-03 株式会社東芝 電圧生成回路
US7830352B2 (en) * 2005-01-14 2010-11-09 Au Optronics Corp. Driving circuit for flat panel display which provides a horizontal start signal to first and second shift register cells
KR100817058B1 (ko) * 2006-09-05 2008-03-27 삼성전자주식회사 룩업 테이블을 이용한 바디 바이어싱 제어회로 및 이의바디 바이어싱 제어방법
TWI330922B (en) * 2006-12-06 2010-09-21 Princeton Technology Corp Boost circuit and level shifter
KR20190073796A (ko) * 2017-12-19 2019-06-27 삼성전자주식회사 지연 제어 회로

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3077545A (en) * 1960-03-07 1963-02-12 Northern Electric Co Gates including (1) diodes and complementary transistors in bridge configuration, and (2) diodes with parallelled complementary transistors
US3327133A (en) * 1963-05-28 1967-06-20 Rca Corp Electronic switching

Also Published As

Publication number Publication date
US3457435A (en) 1969-07-22
GB1097234A (en) 1968-01-03
JPS4416567B1 (de) 1969-07-22
FR1505273A (fr) 1967-12-08

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