DE1261252B - Elektronisches, bistabiles sperrschichtfreies Halbleiterschaltelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Elektronisches, bistabiles sperrschichtfreies Halbleiterschaltelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number
DE1261252B
DE1261252B DED48616A DED0048616A DE1261252B DE 1261252 B DE1261252 B DE 1261252B DE D48616 A DED48616 A DE D48616A DE D0048616 A DED0048616 A DE D0048616A DE 1261252 B DE1261252 B DE 1261252B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
switching element
semiconductor switching
antimony
element according
electronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DED48616A
Other languages
English (en)
Other versions
DE1261252C2 (de
Inventor
Dipl-Ing Ib Knud Kristensen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Danfoss AS
Original Assignee
Danfoss AS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Danfoss AS filed Critical Danfoss AS
Priority to DE1965D0048616 priority Critical patent/DE1261252C2/de
Priority to AT975566A priority patent/AT266264B/de
Priority to CH1541566A priority patent/CH454297A/de
Priority to BE688955D priority patent/BE688955A/xx
Priority to GB48188/66A priority patent/GB1147355A/en
Priority to NL6615217A priority patent/NL6615217A/xx
Priority to FR83092A priority patent/FR1498954A/fr
Publication of DE1261252B publication Critical patent/DE1261252B/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1261252C2 publication Critical patent/DE1261252C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
    • H10B63/82—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays the switching components having a common active material layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
    • H10N70/026—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by physical vapor deposition, e.g. sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H10N70/041—Modification of switching materials after formation, e.g. doping
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8822—Sulfides, e.g. CuS
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8825—Selenides, e.g. GeSe

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
HOIl
Deutsche Kl.: 21 g - 41/00
Nummer: 1261252
Aktenzeichen: D 48616 VIII c/21 g
Anmeldetag: 10. November 1965
Auslegetag: 15. Februar 1968
Die Erfindung bezieht sich auf ein elektronisches, bistabiles sperrschichtfreies Halbleiterschaltelement aus Antimon und einem Zusatzstoff aus der Gruppe VI des Periodischen Systems und auf ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Es ist bekannt, daß ein Stibnit-Kristall, also ein aus Antimon und Schwefel bestehender Körper, als Halbleiterschaltelement verwendet werden kann, wenn der Anteil an Antimon das stöchiometrische Mischungsverhältnis um 1%, vorzugsweise mehr als 1,5%, übersteigt. Ein solches Schaltelement schaltet bei Belastung durch eine Feldstärke von mehr als 1000 V/cm von einem hochohmigen Zustand in der Größenordnung von 109 Ohm · cm in einen niederohmigen Zustand der Größenordnung von 104 Ohm · cm um und wird durch eine Wärmebehandlung, die auch durch einen elektrischen Impuls hervorgerufen sein kann, wieder zurückgeschaltet. Man hielt einen Antimon-Mehranteil von mindestens 1 % für unbedingt erforderlich, da andernfalls eine ao Umschaltfeldstärke von mehr als 106 V/cm benötigt werde, die in der Praxis nicht zur Verfügung stände. Der genau einzuhaltende Mehranteil von Antimon ist natürlich nachteilig. Es ist ein sehr kompliziertes Herstellungsverfahren erforderlich, das mit einem genauen Abwägen der Mischungsbestandteile beginnt und voraussetzt, daß während des gesamten Herstellungsprozesses im ganzen Halbleiterkörper ein konstantes Mischungsverhältnis aufrechterhalten bleibt, damit nicht an einer Stelle, die später einmal im zu schaltenden Strompfad liegt, versehentlich dieser Mehranteil fehlt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein elektronisches, bistabiles Halbleiterschaltelement der eingangs beschriebenen Art anzugeben, bei dem man nicht so genau auf das Mischungsverhältnis zu achten hat.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterschaltelement in Richtung der angelegten Feldstärke eine Dicke von höchstens 1 mm, Vorzugsweise weniger als 200 μ, hat.
Bei einer solchen Ausgestaltung dürfen bei irgendwelchen Teilen des Strompfades das Antimon und der Zusatzstoff auch etwa im stöchiometrischen Mischungsverhältnis vorliegen. Insbesondere kann sogar das ganze Halbleiterschaltelement so aufgebaut sein, daß das Antimon und der Zusatzstoff etwa im stöchiometrischen Mischungsverhältnis vorhanden sind. Der hier betrachtete Bereich soll den gesamten bisher ausgeschlossenen Bereich bis zu einem Antimonmehranteil von l°/o umfassen. Es kommt aber auch ein rein stöchiometrisches Mischungsverhältnis Elektronisches, bistabiles sperrschichtfreies
Halbleiterschaltelement und Verfahren
zu seiner Herstellung
Anmelder:
Danfoss A/S, Nordborg (Dänemark)
Vertreter:
Dr.-Ing. U. Knoblauch, Patentanwalt,
6000 Frankfurt 1. Kühhornshofweg 10
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Ing. Ib Knud Kristensen,
Langes0, Nordborg (Dänemark)
mit den in der Praxis nicht zu vermeidenden Störstellen in Frage.
Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß die in der Literatur angegebene Umschaltfeldstärke von mehr als 106 V/cm für ein Halbleiterschaltelement, das im stöchiometrischen Mischungsverhältnis zusammengesetzt ist, auf einer Fehlinterpretation beruht und vermutlich auf einen Temperaturstöreinfluß zurückzuführen ist. Sorgt man durch die geringe Dicke des Halbleiterschaltelements dafür, daß beim Ansteigen der Feldstärke nicht gleichzeitig eine wesentlicheTemperaturerhöhungauftrit^steigtdieUmschaltfeldstärke nicht höher als etwa 4,5 · 10* V/cm. Eine solche Feldstärke läßt sich in der Praxis ohne Schwierigkeiten erzeugen, wenn ein entsprechend dünnes Halbleiterschaltelement benutzt wird, wie es bereits aus Gründen der Temperaturkonstanz gewählt worden ist. Außerdem hat die geringe Schichtdicke den Vorteil, daß der Durchgangswiderstand im niederohmigen Zustand entsprechend gering ist, was für viele Anwendungszwecke vorteilhaft ist.
Das erfindungsgemäße Halbleiterschaltelement kann aus den bekannten Mischungsbestandteilen Antimon und Schwefel bestehen. Es ist aber auch möglich, ein Element mit etwas anderen Eigenschaften aus Antimon und Selen aufzubauen. Mit Selen ergeben sich unter sonst gleichen Verhältnissen niedrigere Umschaltfeldstärken als mit Schwefel. Außerdem liegt der Schmelzpunkt von Selen (220° C) über demjenigen von Schwefel (119° C). Dies ergibt eine höhere Beständigkeit des Systems Antimon—Selen und wegen des geringen Dampfdrucks des Selens auch einfachere Herstellungsmöglichkeiten.
809 508/279
eines unterhalb dieser Elektrode 3 liegenden Strompfades in den niederohmigen Zustand. Dieser Zustand wird beibehalten, auch wenn die betreffende Zuleitung 4 wieder von der Spannungsquelle abgeschaltet wird. Es kann jedoch ein Zurückschalten in den hochohmigen Zustand erfolgen, wenn der betreffende Strompfad auf ein höheres Temperaturniveau, z, B. durch einen starken hindurchfließenden Strom, gebracht wird.
Für die Herstellung des dünnen Halbleiterschaltelements kommen auch andere Verfahren in Frage, beispielsweise das Herstellen eines einzelnen Kristalls, von dem dünne Scheiben abgeschnitten und beidseitig mit Elektroden belegt werden, das Aufschmelzen
Ein besonders vorteilhafter Anwendungszweck ist die Herstellung eines Dünnschichtspeichers. Hierzu wird eine dünne Schicht des Halbleitermaterials auf eine gemeinsame Elektrode aufgebracht μηα auf der gegenüberliegenden Seite mit einer Vielzahl von Einzelelektroden versehen. Da immer nur ein unterhalb der jeweiligen Einzelelektrode liegender Pfad umgeschaltet wird, kann eine durchgehende Schicht für eine Vielzahl von einzelnen Speicherelementen benutzt werden. Die geringe Schichtdicke ermöglicht es, mit geringen Leistungen zu arbeiten und die Speicherwerte schnell ein- und auszulesen. Unter einer geringen Schichtdicke werden hierbei vorzugsweise Werte von weniger als 100 μ verstanden.
In manchen Fällen kann es zweckmäßig sein, das 15 einer dünnen Schicht auf eine Elektrode u. dgl. m.
Halbleiterschaltelement mit Mitteln zur verstärkten
Wärmeabfuhr zu versehen. Hierzu rechnet beispielsweise eine Elektrode aus gut wärmeleitendem Material, die jjine größere Querschnittsfläche besitzt als
das anliegende Halbleiterelement. Je besser die 20
Wärmeabfuhr ist, um so größer kann die Schichtdicke des Halbleiterschaltelements gewählt werden.
Ein besonders einfaches Herstellungsverfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß das Antimon und der Zusatzstoff durch Kathodenzerstäubung auf eine Elektrode aufgetragen werden und eine Wärmebehandlung zur Erzielung eines kristallinen Zustandes erfolgt. Die Wärmebehandlung kann beispielsweise durch einen Stromimpuls oder durch äußere Temperatureinflüsse vorgenommen werden.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Wärmebehandlung lediglich im Bereich des später gewünschten Strompfades erfolgt, weil dann außerhalb des oder der Strompfade ein Material sehr hohen Widerstandes verbleibt, so daß man auf engem Raum viele Stromwege nebeneinander unterbringen kann. Der die Wärmebehandlung bewirkende Stromimpuls kann hierbei direkt durch die für den Betrieb vorgesehenen Elektroden zugeführt werden.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand eines in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiels näher erläutert. In der Zeichnung ist ein Querschnitt durch ein erfindungsgemäß hergestelltes Schaltelement veranschaulicht, welches als Speicher dient.
Auf einer großen Metallelektrode 1 ist eine beispielsweise durch Kathodenzerstäubung erzeugte Schicht 2 aus einem etwa stöchiometrischen Gemisch von Antimon und Selen aufgetragen. Die Schichtdicke d beträgt 100 μ. Auf dieser Schicht 2 sind Einzelelektroden 3 mit entsprechenden Zuleitungen 4 angebracht. Die Elektrode 1 ist mit einer Zuleitung S verbunden, die dauernd an einem Pol einer Spannungsquelle liegt. Die Zuleitungen 4 können wahlweise an den anderen Pol der Spannungsquelle angeschlossen werden. Die Schicht ist zunächst amorph und wird dann durch einen Stromimpuls unterhalb der Elektroden 3 in einen kristallinen Zustand umgewandelt.
Sobald eine der Zuleitungen 5 mit der Spannungsquelle verbunden worden ist, entsteht unter der zugehörigen Elektrode 3 in der Schicht 2 ein elektrisches Feld. Wenn dieses Feld die Durchbruchfeldstärke überschreitet, erfolgt ein Umschalten innerhalb

Claims (8)

Patentansprüche:
1. Elektronisches, bistabiles sperrschichtfreies Halbleiterschaltelement aus Antimon und einen? Zusatz aus der Gruppe VI des Periodischen Systems, dadurch gekennzeichnet, daß das Element in Richtung der angelegten Feldstärke eine Dicke von höchstens 1 mm, Vorzugs' weise weniger als 200 μ hat.
2. Halbleiterschaltelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Antimon und der Zusatzstoff etwa im stöchiometrischen Mischungsverhältnis vorliegen.
3. Halbleiterschaltelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es aus Antimon und Schwefel besteht.
4. Halbleiterschaltelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es aus Antimon und Selen besteht.
5. Halbleiterschaltelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine dünne Schicht des Halbleitermaterials auf einer gemeinsamen Elektrode ausgebreitet und auf der gegenüberliegenden Seite mit einer Vielzahl von Einzelelektroden besetzt ist.
6. Halbleiterschaltelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß es mit Mitteln zur verstärkten Wärmeabfuhr versehen ist.
7. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterschaltelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Antimon und der Zusatzstoff durch Kathodenzerstäubung auf eine Elektrode aufgetragen werden und eine Wärmebehandlung zur Erzielung eines kristallinen Zustandes erfolgt.
8. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterschaltelements nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung lediglich im Bereich des später gewünschten Strompfades erfolgt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Belgische Patentschrift Nr. 622 534;
USA.-Patentschriften Nr. 2 816 228, 2 968 014;
»Solid State Abstracts«, Vol. 2, N. 4, Ref. Nr. 10 998.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 508/279 2.68 © Bundesdruckerei Berlin
DE1965D0048616 1965-11-10 1965-11-10 Elektronisches, bistabiles sperrschichtfreies Halbleiterschaltelement und Verfahren zu seiner Herstellung Expired DE1261252C2 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1965D0048616 DE1261252C2 (de) 1965-11-10 1965-11-10 Elektronisches, bistabiles sperrschichtfreies Halbleiterschaltelement und Verfahren zu seiner Herstellung
AT975566A AT266264B (de) 1965-11-10 1966-10-19 Spannungsabhängiger Halbmetallschichtwiderstand mit negativer Stromspannungscharakteristik
CH1541566A CH454297A (de) 1965-11-10 1966-10-21 Elektronisches, bistabiles Halbleiterschaltelement und Verfahren zu seiner Herstellung
BE688955D BE688955A (de) 1965-11-10 1966-10-27
GB48188/66A GB1147355A (en) 1965-11-10 1966-10-27 Improvements in or relating to semi-conductor switching elements
NL6615217A NL6615217A (de) 1965-11-10 1966-10-27
FR83092A FR1498954A (fr) 1965-11-10 1966-11-09 élément de circuit électronique semi-conducteur bistable et procédé pour sa fabrication

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1965D0048616 DE1261252C2 (de) 1965-11-10 1965-11-10 Elektronisches, bistabiles sperrschichtfreies Halbleiterschaltelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1261252B true DE1261252B (de) 1968-02-15
DE1261252C2 DE1261252C2 (de) 1974-01-03

Family

ID=7051308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1965D0048616 Expired DE1261252C2 (de) 1965-11-10 1965-11-10 Elektronisches, bistabiles sperrschichtfreies Halbleiterschaltelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Country Status (7)

Country Link
AT (1) AT266264B (de)
BE (1) BE688955A (de)
CH (1) CH454297A (de)
DE (1) DE1261252C2 (de)
FR (1) FR1498954A (de)
GB (1) GB1147355A (de)
NL (1) NL6615217A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005001253A1 (de) * 2005-01-11 2006-07-20 Infineon Technologies Ag Speicherzellenanordnung, Verfahren zu deren Herstellung und Halbleiterspeichereinrichtung
DE102006038899A1 (de) * 2006-08-02 2008-02-21 Altis Semiconductor Festkörperelektrolyt-Speicherzelle sowie Festkörperelektrolyt-Speicherzellenarray

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3203803B2 (ja) * 1992-09-01 2001-08-27 株式会社デンソー サーミスタ式温度センサ

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE622534A (de) * 1961-09-19
US2816228A (en) * 1953-05-21 1957-12-10 Rca Corp Semiconductor phase shift oscillator and device
US2968014A (en) * 1959-04-01 1961-01-10 Kentucky Res Foundation Synthetic stibnite crystal and method for producing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2816228A (en) * 1953-05-21 1957-12-10 Rca Corp Semiconductor phase shift oscillator and device
US2968014A (en) * 1959-04-01 1961-01-10 Kentucky Res Foundation Synthetic stibnite crystal and method for producing the same
BE622534A (de) * 1961-09-19

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005001253A1 (de) * 2005-01-11 2006-07-20 Infineon Technologies Ag Speicherzellenanordnung, Verfahren zu deren Herstellung und Halbleiterspeichereinrichtung
DE102006038899A1 (de) * 2006-08-02 2008-02-21 Altis Semiconductor Festkörperelektrolyt-Speicherzelle sowie Festkörperelektrolyt-Speicherzellenarray
US7515454B2 (en) 2006-08-02 2009-04-07 Infineon Technologies Ag CBRAM cell and CBRAM array, and method of operating thereof
DE102006038899B4 (de) * 2006-08-02 2012-04-05 Adesto Technology Corp., Inc. Festkörperelektrolyt-Speicherzelle sowie Festkörperelektrolyt-Speicherzellenarray

Also Published As

Publication number Publication date
FR1498954A (fr) 1967-10-20
DE1261252C2 (de) 1974-01-03
AT266264B (de) 1968-11-11
BE688955A (de) 1967-03-31
NL6615217A (de) 1967-05-11
CH454297A (de) 1968-04-15
GB1147355A (en) 1969-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2235783C2 (de) Metalloxid-Varistorelement
DE1212155B (de) Elektrischer Speicher
DE1178519B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-bauelementen durch das Aufschmelzen einer kleinen Menge Elektrodenmaterials auf einen halbleitenden Koerper
DE1258518B (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements mit einer gelochten Isolierschicht ueber einer eingelassenen Zone
DE1261252B (de) Elektronisches, bistabiles sperrschichtfreies Halbleiterschaltelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1034272B (de) Unipolartransistor-Anordnung
DE1171534B (de) Flaechen-Vierzonentransistor mit einer Stromverstaerkung groesser als eins, insbesondere fuer Schaltzwecke
DE1280441B (de) Elektronisches Festkoerperbauelement zum Schalten und Speichern
DE1231824B (de) Kontaktanordnung fuer ein elektronisches Festkoerperschaltelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1286095B (de) Schaltungsanordnung zur Steuerung von bipolaren Festkoerperschaltern
DE1464880B2 (de) Elektronische Schaltanordnung unter Verwendung von sperrschichtfreien Halbleiter-Schaltelementen
DE2242529A1 (de) Elektrische stromabnahmevorrichtung
EP0001756B1 (de) Schaltungsanordnung zum Herabsetzen der Freiwerdezeit eines Thyristors
DE1199877B (de) UEberlastungs-Schutzschaltung
DE1132669B (de) Halbleitervorrichtung, insbesondere photoempfindliche Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE3036617A1 (de) Verfahren zur herstellung des keramikmaterials fuer zinkoxid-varistoren
DE1465470A1 (de) Festkoerperschaltvorrichtung aus Tellurid zur Steuerung elektrischer Stroeme
DE1213075C2 (de) Elektronisches Festkoerperbauelement zum Schalten
DE1215754B (de) Elektronischer Schalter
DE572277C (de) Einrichtung zur Regelung der Lastverteilung zwischen zwei parallel arbeitenden elektrischen Maschinen
DE1213890B (de) Elektronischer Schalter
DE1249419B (de)
DE1118361B (de) Verfahren zum Anbringen eines ohmschen Kontaktes auf Silizium
DE1263830B (de) Bistabile Multivibratorschaltung mit zwei Transistoren und Mitteln zur Herstellung einer induktiven Unsymmetrie
DE1225784B (de) Halbleiter-Bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
C2 Grant after previous publication (2nd publication)