DE1241801B - Kontinuierliches Verfahren zum Zonenschmelzen eines schmelzbaren Gemisches aus einem Loesungsmittel und wenigstens einem darin geloesten Stoff - Google Patents
Kontinuierliches Verfahren zum Zonenschmelzen eines schmelzbaren Gemisches aus einem Loesungsmittel und wenigstens einem darin geloesten StoffInfo
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
PATENTSCHRIFT
Int. CL:.
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
BOId
BOIj
Deutsche Kl.: 12c-2
Deutsche Kl.: 12c-2
W23421IVC/12.C
31. Mai 1958
8. Juni 1967
30. November 1967
31. Mai 1958
8. Juni 1967
30. November 1967
Auslegetag:
Ausgabetag:
Patentschrift stimmt mit der Auslegeschrift überein
Ausgabetag:
Patentschrift stimmt mit der Auslegeschrift überein
Es ist bekannt, das Zonenschmelzen zum Umgruppieren der Bestandteile eines schmelzbaren Gemisches
aus einem Lösungsmittel und einem oder mehreren darin gelösten Stoffen mit von 1 abweichenden
Seigerungskoeffizienten einzusetzen, um Material 5 von gewünschter Zusammensetzung zu erzeugen.
Das Zonenschmelzen kann bei Systemen aus Metallen und ihren Legierungen, bei Salzen und Salzlösungen
organischer und anorganischer Art sowie allgemein bei Systemen Anwendung finden, die aus Lösungsmitteln
und darin gelöstem Stoff bestehen und aus fester Phase in flüssige Phase bzw. umgekehrt übergeführt
werden können. Besondere Bedeutung hat das Zonenschmelzen auf dem Gebiet der Raffination
erlangt, und zwar vornehmlich zur Behandlung von Halbleiterstoffen, wie Silicium und Germanium, und
von Salzen, wie Kaliumnitrat und Galliumtrichlorid.
Das grundlegende Zonenschmelzverfahren ist in der österreichischen Patentschrift 183 790 beschrieben.
Es besteht im Prinzip darin, daß eine Schmelzzone *o beispielsweise längs eines Festkörpers aus dem zu
behandelnden Gemisch geführt wird. Hierbei scheidet sich das in der Zone geschmolzene Behandlungsgut
in der ihr folgenden Erstarrungsfront angereichert an gelösten Stoffen ab, deren Seigerungskoeffizient größer
als 1 ist, und verarmt an gelösten Stoffen, deren Seigerungskoeffizient kleiner als 1 ist. Es handelt sich
dabei noch um ein diskontinuierliches, ansatzweise arbeitendes Verfahren mit den allen ansatzweise
arbeitenden Verfahren grundsätzlich anhaftenden bekannten Nachteilen.
Bei einem kontinuierlichen Verfahren hat man demgegenüber die Möglichkeit, durch Anwendung
einer langen Startperiode einen stetigen Zustand zu erreichen, von welchem aus alles nachfolgende Gemisch
notwendigerweise unter den Bedingungen dieses stetigen Zustands behandelt wird, wobei die Entnahme
von Produkten mit der gewünschten Zusammensetzung gleichzeitig mit der Einführung von Ausgangsgemisch
erfolgt.
Eine kontinuierliche Betriebsweise, bei welcher die Relativbewegung zwischen Schmelzzonen und schmelzbarem
Gemisch durch einen Materialfluß von einer Aufgabestelle zu einer Entnahmestelle überlagert ist,
ist in der französischen Patentschrift 1 112 171 beschrieben. Es war dabei die Schwierigkeit zu überwinden,
die sich einerseits aus der Inkompressibilität der flüssigen und der festen Phase des Gemisches und
andererseits aus dem Umstand ergibt, daß die feste Phase jeweils an der angrenzenden Führungs- oder
Behälterfläche der Apparatur haftet. Nach der französischen Patentschrift 1 112171 wird diese
Kontinuierliches Verfahren
zum Zonenschmelzen eines schmelzbaren
Gemisches aus einem Lösungsmittel
und wenigstens einem darin gelösten Stoff
Patentiert für:
Western Electric Company, Inc.,
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. H. Fecht, Dipl.-Ing. P. G. Blumbach
und Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. W. Weser,
Patentanwälte, Wiesbaden, Hohenlohestr. 21
und Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. W. Weser,
Patentanwälte, Wiesbaden, Hohenlohestr. 21
Als Erfinder benannt:
William Gardner Pfann, Far Hills, N. J.
(V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 25. Juni 1957 (667 754)
Schwierigkeit durch die Einführung von Lücken behoben, z. B. in Gestalt von Luftblasen, welche
sicherstellen, daß jeweils der Abschnitt des abschmelzenden Gemisches von der hierbei anfallenden
Schmelze getrennt ist.
Dieses kontinuierliche »Zonenlückenschmelzen« befriedigt jedoch auch noch nicht ganz. Insbesondere
erschweren die Bildung und Aufrechterhaltung der Lücken die Verfahrensdurchführung. Es besteht
außerdem die Gefahr, daß das gasförmige oder flüssige Medium, welches die Lücken füllt, von dem
schmelzflüssigen Gemisch mehr oder weniger aufgenommen wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren arbeitet ohne Lücken und vermeidet daher diese Nachteile. Wie
beim Zonenlückenschmelzen wird das schmelzbare Gemisch hierbei einem Gefäß an einer hoch gelegenen
Stelle zugeführt und aus diesem das erhaltene Produkt an einer tiefer gelegenen Stelle entnommen; eine
Schmelzzone wird wiederholt stetig durch das Gemisch vom Entnahmebereich zum Zuführungsbereich oder
umgekehrt hindurchgeführt. Die erfindungsgemäße Besonderheit besteht darin, daß die obere Fläche
des lückenfrei in dem Gefäß enthaltenen Gemisches so eingestellt wird, daß sie eine von der Zuführungs-
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zur Entnahmestelle verlaufende geneigte Fläche bildet,
längs welcher jeweils geschmolzenes Material im Bereich der Schmelzzone abwärts fließt.
Bei einer weiteren Ausbildung des Verfahrens wird — wie beim Zonenlückenschmelzen — auch an einer
zweiten, auf der der ersten Entnahmestelle abgelegenen Seite der Zuführungsstelle liegenden Stelle des
Gefäßes, welche unterhalb und im seitlichen Abstand von der Zuführungsstelle für das Ausgangsmaterial
liegt, Schmelze entnommen. Erfindungsgemäß wird dabei die obere Fläche des in dem Gefäß zwischen
der Zuführungsstelle und der zweiten Entnahmestelle befindlichen Gemisches so eingestellt, daß -sie eine
von der Zuführungsstelle zur zweiten Entnahmestelle verlaufende geneigte Fläche bildet. Die Schmelzzone
wird ständig in gleicher Richtung von dem einen Entnahmebereich zum anderen geführt.
in der Zeichnung zeigt
Fig. IA eine einstufige Zonenschmelzvorrichtung
im Längsschnitt,
Fig. IB die Vorrichtung nach F i g. 1 A in
Stirnansicht,
F i g. 2 den Längsschnitt einer entsprechenden Vorrichtung mit Wehren gemäß Anspruch 4,
F i g. 3 eine schematische Darstellung eines einstufigen Zonenschmelzverfahrens gemäß Anspruch 2,
F i g. 4 eine schematische Darstellung eines zweistufigen Zonenschmelzverfahrens gemäß Anspruch 3,
F i g. 5 die perspektivische Teilansicht einer Vorrichtung für die Durchführung eines zweistufigen
Zonenschmelzverfahrens,
F i g. 6 eine schematische Darstellung eines vielstufigen Zonenschmelzverfahrens (Anspruch 3),
Fig. 7 eine schematische Darstellung eines Zonenschmelzverfahrens,
welches von demjenigen nach F i g. 4 dadurch abweicht, daß die Zweistufigkeit sich auf einen Zweig der ersten Stufe beschränkt
(Anspruch 3),
F i g. 8 eine schematische Darstellung eines vielstufigen Verfahrens auf der Grundlage des Verfahrens
nach Fig. 7.
Für die Darstellung in der Zeichnung gilt folgendes:
1. Die Schmelzzonenbewegung erfolgt im Sinne der gestrichelten Pfeillinien Z von links nach rechts.
2. Die Fließbewegung der Schmelze erfolgt im Sinne der vollen Pfeillinien S.
3. Das zubehandelnde Gemisch wird in der Richtung F eingeführt und besteht aus einem Lösungsmittel
A und einem oder zwei darin gelösten Stoffen B, C, deren Seigerungskoeffizient k von 1
abweicht.
4. Die erhaltenen Produkte sind an den Entnahmestellen mit, Pa, Pb, Pc bezeichnet.
Fig. IA und 1 B zeigen eine einstufige Vorrichtung
für die Reinigung eines Lösungsmittels A, welches eine darin gelöste Substanz B mit einem k
< 1 enthält, im Gleichgewichtszustand. Die Vorrichtung besteht aus einem langen offenen Behälter 1 mit zwei
Schmelze-Entnahmestellen 2 und 3 sowie einem Rohstoffeinlaß 4.
Unter den obigen Voraussetzungen ist das bei 3 entnommene Produkt Pf, an gelöstem Stoff angereichert
und wird daher als Abfall betrachtet, während das am Auslaß 2 abgezogene Produkt Pa, das weniger
gelösten Stoff enthält als der Rohstoff, das Fertigprodukt bildet.
Das in dem Behälter 1 befindliche zu behandelnde Gemisch 5 wird von den Schmelzzonen 6 und 7
durchquert, welche mittels beweglicher Heizelemente 8 erzeugt werden.
Die Menge des in Richtung Feingeführten Rohstoffs
ist so bemessen, daß er den Scheitel des Gemisches 5 auf einer Höhe ha oberhalb der Entnahmestelle 2 und
auf einer Höhe A& oberhalb der Entnahmestelle 3 hält. Unter dieser Bedingung nähert sich die Begrenzung
der Oberfläche des Gemisches 5 geneigten Flächen, welche in entgegengesetzten Richtungen vom
Einlaß 4 zu den Auslässen 2 und 3 führen. Die Neigung +ha/Le gilt für den Abschnitt 9-10 bzw. Le
und die Neigung —hb/Ls für den Abschnitt 10-11
bzw. Ls. Für den Abschnitt 9-10 ist die Volumenbewegung im Bereich der Schmelzzonenbreite durch
die Fläche des Dreiecks 12-13-14 am Auslaß 2 bestimmt. Dieses Dreieck stellt den Teil der Schmelze
dar, welcher abfließt, wenn eine Schmelzzone 6 von der Länge / sich in Startstellung am linken Ende des
Behälters 1 befindet. Ähnliches gilt für die Schmelzentnahme am Auslaß 3.
Die Volumenbewegung je Schmelzzone ist für das bei Auslaß 2 entnommene Produkt
P0 = V2 ha P LE
und für das bei Auslaß 3 entnommene Produkt
Pb=
Die Bewegung des Produktes Pa verläuft entgegengesetzt
zur Schmelzzonenbewegung, während die Bewegung des Produktes Pj, in der gleichen Richtung
wie die Schmelzzonenbewegung erfolgt. Die Volumenbewegungen der Produkte Pa und Pb können durch
Regelung der bestimmenden Größen wie Scheitelhöhe, Abschnittlänge, Schmelzzonenlänge und Querschnittsbreite
gesteuert werden. In diesem Zusammenhang ist zu beachten, daß die Bewegung der Produkte Pa
und Pb nicht von der Querschnittshöhe abhängt,
obwohl diese Abmessung für die Zusammensetzung der Produkte Pa und Pb von gewisser Bedeutung ist.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung ist für die Volumenbewegung die Schwerkraft bestimmend. Daneben
können Dichteänderungen auf die Volumenbewegung Einfluß haben, wie im Falle eines Gemisches
mit Germanium als Lösungsmittel, bei welchem die Dichte der flüssigen Phase größer als die der festen
Phase ist und ohne Volumenbewegung in der Richtung der Schmelzzonenbewegung verursacht.
Die Volumenbewegung auf Grund der Dichteänderung ist in der Literatur bereits untersucht
worden, z. B. von W. G. P f a η η in »Transactions of the American Institute of Mining, Metallurgical
and Petroleum Engineers,« Bd. 197, S. 1441 (1953).
In diesem Aufsatz sind auch die zu verwendenden Neigungswinkel erwähnt, um die Volumenbewegung
infolge Dichteänderung zu beseitigen.
Es ist wünschenswert, den Querschnitt des Gemisches 5 in Richtung zum Rohstoffeinlaß 4 zu vergroßem,
weil sich dadurch ein vermehrter »Rücklauf« mit Annäherung an den Rohstoffeinlaß verwirklichen
läßt. Der optimale Querschnittzuwachs kann errechnet werden; es wird dazu beispielsweise auf M. Benedict
in »Transactions of the American Institute of Chemical Engineers«, Bd. 43, S. 41 (1947), verwiesen.
Bei der in F i g. IA und 1 B gezeigten Vorrichtung
die einen flachen Behälterboden aufweist, ergibt sich die vorteilhafte Querschnittzunahme aus der Neigung
des Gemisches 5 von selbst. Eine weitere Anpassung der Querschnittsänderung kann durch Variation der
Schmelzzonenlänge und auch durch Variation der Behälterbreite in Längsrichtung des Behälters verwirklicht
werden.
.Die Änderung des Schmelzvolumens in Richtung auf den Rohstoffeinlaß ist indessen kein notwendiges
Merkmal der Erfindung. Durch Änderung der Gestaltung läßt sich auch ein konstantes Zonenvolumen
verwirklichen. Eine solche Gestaltungsänderung kann in der Verringerung der Behälterbreite oder in der
Verkleinerung der Schmelzzonenlänge oder in der Anpassung der Neigung der Bodenfläche des Behälters
an die Neigung des in dem Behälter befindlichen Gemisches 5 bestehen.
Gewöhnlich sind die Neigung der Oberfläche des Gemisches 5 in einer Vorrichtung gemäß Fig. IA
und 1 B und die thermischen Verfahrensbedingungen so, daß die Bewegung flüssigen Materials auf die jeweilige
Schmelzzone 6 bzw. 7 beschränkt ist und solches ao Material nicht über die vom Einlaß 4 am meisten
entfernte Grenzfläche einer Schmelzzone hinwegfließt. Wenn aber ein solches Fließen eintreten sollte, wie es
der Fall sein kann, wenn die Oberfläche des Gemisches 5 stark geneigt ist oder wenn der Temperaturgradient
an der vom Einlaß 4 weiter entfernten Grenzfläche gering ist, so erstarrt die Schmelze gewöhnlich an
der Oberfläche der angrenzenden festen Phase des Gemisches 5 und verhindert dadurch weiteres Überfließen.
Eine kleine Überlaufmenge erfordert in der Regel keine Sicherheitsmaßnahmen, weil der Wirkungsgrad
der Trennung nur geringfügig verschlechtert wird. Wenn es jedoch wünschenswert ist, einen
solchen Überlauf zu verringern, empfiehlt sich die Benutzung der Vorrichtung nach F i g. 2.
Die Vorrichtung nach F i g. 2 besteht aus einem Behälter 21 mit flachem Boden, einem Rohstoffeinlaß
24, einem Fertigproduktauslaß 22, einem Abfallauslaß 23 und einem oder mehreren (nicht gezeigten)
Heizelementen, die je eine Schmelzzone 26 mit einer voreilenden Grenzfläche 26a und einer nacheilenden
Grenzfläche 26 b in dem Gemisch 25 erzeugen. Die Vorrichtung unterscheidet sich von der Vorrichtung
gemäß Fig. IA, IB durch den Einbau einer Reihe
senkrechter, als Wehre wirkender Trennwände 27, die sich ein kurzes Stück von oben bis unter die
Oberflächen 28 und 29 des Gemisches 25 erstrecken. Die Trennwände 27 können aus jedem Material
bestehen, das keine Verunreinigung bewirkt und einen höheren Schmelzpunkt als das Gemisch 25 besitzt.
Eine schematische Darstellung des Zonenschmelzverfahrens in einer der erläuterten Vorrichtungen ist
in F i g. 3 wiedergegeben.
F i g. 4 ist eine schematische Darstellung eines zweistufigen Zonenschmelzverfahrens, welches die
Trennung eines aus drei Komponenten bestehenden Gemisches ermöglicht. Das in Richtung F zugeführte
zu behandelnde Gemisch kann z. B. aus einem Lösungsmittel A, einer kleinen Menge gelöster Substanz
B mit einem k > 1 und einer kleinen Menge gelöster Substanz C mit einem k
< 1 bestehen. Der Behälter 41 enthält eine sich in Längsrichtung erstreckende
Trennwand 41«, welche im Abstand von den Auslässen 42, 43 endigt, aber auf dem größten
Teil der Behälterlänge die Schmelzzonen 46a, 46b voneinander scheidet. Am Auslaß 42 wird ein an B
angereicherter Anteil Pa und am Auslaß 43 ein an C angereicherter Anteil Pb des Behandlungsgutes
entnommen. Der zweite in F i g. 4 unterhalb der Trennwand 41a liegende Abschnitt bewirkt eine
weitere Änderung der Zusammensetzungen der nicht entnommenen Anteile, so daß am Auslaß 47 ein
drittes Produkt P0 entnommen werden kann, welches
bezüglich des Lösungsmittels A angereichert ist.
Bei der Prüfung der Vorgänge in dem zweiten Abschnitt des Behälters 41 ist zu beachten, daß das
Produkt Pa sich vorwiegend aus Lösungsmittel A und
gelöster Substanz B mit einem k >1 zusammensetzt und daß das Produkt Ph vornehmlich aus Lösungsmittel
A und gelöster Substanz C mit einem k <1 besteht.
Betrachtet man das Produkt Pa für sich, so sieht
man, daß die Bewegung der Schmelzzone 46b im unteren Abschnitt des Behälters vom Auslaß 42 zum
Auslaß 47 eine weitere Anreicherung der IComponente B im Bereich des Auslasses 42 zur Folge hat und zu
einer entsprechend größeren Anreicherung von Pc an Lösungsmittel A am Auslaß 47 führt. Die weitere
Bewegung der Schmelzzone 46b nach rechts ergibt eine weitere Anreicherung der Komponente C im
Bereich des Auslasses 43 und eine entsprechende Steigerung der Konzentration des Lösungsmittels A
in dem bei 47 entnommenen Produkt Pc. Das Fließen
der Schmelze im oberen Abschnitt erfolgt von dem Einlaß ab in entgegengesetzten Richtungen bis zu
den Auslässen 42, 43, wo die Produkte Pa und Pb
entnommen werden. Das Fließen der Schmelze im zweiten oder unteren Abschnitt beginnt in den
Bereichen der Auslässe 42, 43 und endigt am Auslaß 47 für das Produkt Pc. — Die Schmelzströme, welche
das Produkt Pe bilden, können auch getrennt voneinander
entnommen werden. Es ist dazu nur erforderlich, in den Abschnitt eine Trennwand 48 einzusetzen
und für die Produkte P1' und P0" getrennte Entnahmestellen
vorzusehen. — Es ist natürlich nicht notwendig, daß die Einführung des zu behandelnden
Gemischs und die Entnahme des Produkts Pc in der
Längsmitte des Behälters 41 erfolgen. Die optimale Anordnung dieser Stellen hängt von der Zusammensetzung
des zu behandelnden Gemisches ab.
Eine perspektivische Teilansicht einer Vorrichtung, in der das Verfahren nach dem Schema der F i g. 4
ausgeführt wird, zeigt Fig. 5. Es handelt sich um einen offenen Behälter 51 mit einer Längstrennwand
51a. Das zu behandelnde Gemisch wird durch Einlaß 54 eingeführt; das Produkt Pb wird durch
Auslaß 53 und Produkt Pc durch Auslaß 57 entnommen.
Der höchste Punkt des in dem Behälter befindlichen Gemisches 55 Hegt am Einlaß 54 und
der niedrigste Punkt am Auslaß 57; dazwischen liegt auf einer mittleren Höhe der Auslaß 53. Die
Oberfläche des Gemisches hat auf den beiden Seiten der Trennwand 51a entgegengesetztes Gefälle und
unterschiedliche Höhenlage. Zwischen dem Ende der Trennwand 51a und dem Auslaß 53 ist die Oberfläche
des Gemisches dem ersten und zweiten Abschnitt der Vorrichtung gemeinsam und hat ein geringes, aber
ausreichendes Gefälle, um einen Abfluß von Produkt Pb durch Auslaß 53 zu gewährleisten.
Das in Verbindung mit F i g. 4 und 5 erläuterte Verfahren zur Trennung von drei Komponenten kann
auch als Verfahren zur Behandlung eines binären Systems BC mit unterschiedlichen Seigefungskoeffizienten
k in einem Lösungsmittel A betrachtet werden. Die Zugabe des Lösungsmittels A bewirkt eine vollständigere
Trennung. Dadurch, daß die Entfernung
von gereinigtem Lösungsmittel möglich ist, kann für die Produkte, die an beiden Enden der Vorrichtung
entnommen werden, eine größere Konzentration an B und C verwirklicht werden.
Wenn der Materialfluß im Vergleich zum »Rücklauf« der Schmelzzone nicht sehr klein ist, so kann das in
der Vorrichtung der F i g. 5 anfallende Produkt P0
eine weitere Anreicherung an Lösungsmittel A erfahren. Es ist dazu nur erforderlich, den Verfahrensablauf
nach F i g. 4 einmal oder mehrere Male zu wiederholen, d. h. die Vorrichtung nach Fig. 5 zu einer Kaskadenanordnung
zu ergänzen. F i g. 6 veranschaulicht aus drei Doppelstufen 61 a, 61 b und 61c, deren jede wie
die Vorrichtung nach F i g. 5 arbeitet, wobei das dritte Produkt Pc einer Stufe als Ausgangsmaterial
für die nächste Stufe dient.
Das der ersten Stufe bei 64 in Richtung F zugeführte
Gemisch bestehe wiederum aus dem Lösungsmittel A, einem darin gelösten Stoff B mit einem k
> 1 und einem gelösten Stoff C mit einem k <1. Die Oberfläche
des Gemisches ist innerhalb des oberen Abschnitts der ersten Stufe 61a in Richtung auf die beiden Auslässe
62 a und 63 a geneigt. Das am Auslaß 63 a entnommene Produkt Pbi ist mit C angereichert, und
das am Auslaß 62a entnommene Produkt Pai hat
eine höhere Konzentration an B erhalten. Die Oberfläche des Gemisches in dem unteren Abschnitt der
ersten durch die Trennwand 61a unterteilten Stufe 61a
fällt von den beiden Enden der Trennwand 61a' bis zum Auslaß 67 a ab. Das bei 67 a entnommene
Produkt PC1 ist an Lösungsmittel A angereichert.
Das Produkt P01 wird der zweiten Stufe 616
zugeführt. Es sei angenommen, daß die durch die Auslässe 62 b und 63 b entnommenen Produkte Pffl2
und Pb 2 die gleiche Zusammensetzung haben, wie
die Produkte P01 und Pb1, die durch die Auslässe 62a
und 63 a der ersten Stufe 61a entnommen werden. Demgemäß wird das Produkt PC2, welches im unteren
Abschnitt der durch die Trennwand 61b' unterteilten zweiten Stufe 61 b behandelt worden ist und durch
den Auslaß 67 b entnommen wird, eine weitere Anreicherung an Lösungsmittel A aufweisen.
In der dritten Stufe 61 c wird der gleiche Verfahrensgang wiederholt. Das Produkt PC2 bildet das Ausgangsmaterial
für die dritte Stufe 61 c, welche die Produkte Pa3, Pb3 und PC3 liefert. Das Produkt P03
wird durch Auslaß 62 c entnommen und habe die gleiche Zusammensetzung wie die Produkte Ραι und
Pa2. Das bei 63 c entnommene Produkt Pb3 habe die
gleiche Zusammensetzung wie die Produkte Pb ι und
Pb 2, und das dritte durch Auslaß 67 c entnommene
Produkt P63 erfährt durch seine Behandlung im
zweiten Abschnitt der durch die Trennwand 61c unterteilten Stufe 61 c eine weitere Anreicherung an
Lösungsmittel A.
Die Unterstellung, daß die Produkte Pai, Pa2, Pa3
bzw. Pbi, Pbi, Pb3 gleiche Zusammensetzung haben,
ist keine notwendige Verfahrensbedingung. Der Einfluß der Strömungsbedingungen auf solche Zusammen-Setzungen
wird nachfolgend besprochen.
Alle angegebenen Werte beruhen auf der Unterstellung, daß die gelösten Substanzen -B und C in
gleicher Konzentration vorhanden sind und gleichmäßig in entgegengesetzten Richtungen seigern. Die
Fließgeschwindigkeit der Schmelze wird mit 100 Volumina je Zeiteinheit angenommen. An dem Ausgangsgemisch,
das demgemäß mit 100 Volumina je Zeiteinheit zugeführt wird, seien die beiden gelösten
Substanzen mit je 0,2 Volumprozent beteiligt.
Übersicht 1
Das Volumen des Ausgangsgemisches beträgt 99,6Λ + 0,2B + 0,2 C = 100. Bei passender Anordnung
der Auslässe 67 a, 67 b und 67 c und passender Entnahmemengen kann erreicht werden, daß die
Zusammensetzung der Produkte Pai, Pa2 und Pa3
und ebenso die Zusammensetzung der Produkte Pb1, Pb 2 und Pb3 gleich sind. Die Vorrichtung ist so
gestaltet und wird so betrieben, daß jedes der Produkte Pa1, Pa2 und Pa3 10°/0 B und eine vernachlässigbare
Menge C enthält und daß jedes der Produkte P61, Ps2 und Ps3 10°/0C und eine vernachlässigbare
Menge B enthält. Läßt man Pai = Pb1 = 1 Volum
sein, so ist das Volumen von
pai = 0,9A +0,15= 1,
P61 = 0,9 A +0,1C= 1,
PC1 = 97,8/4 + 0,l£ + 0,1C = 98.
P61 = 0,9 A +0,1C= 1,
PC1 = 97,8/4 + 0,l£ + 0,1C = 98.
Zieht man Produkte Pa2 und P62 mit 10°/0iger
Konzentration an gelösten Substanzen B bzw. C ab, und zwar in Volummengen, die halb so groß sind wie
Pa1 und Pt1, so ist
Pai = Pbi = 0,5,
P„2 = 0,45 Λ + 0,05 B = 0,5,
P62 = 0,45 A +'0,05C = 0,5,
Pc a = 96,9 Λ + 0,055 + 0,05C = 97.
P62 = 0,45 A +'0,05C = 0,5,
Pc a = 96,9 Λ + 0,055 + 0,05C = 97.
Zieht man für die dritte Stufe wieder die halben, in Pc2 enthaltenen Mengen an B und C ab, so folgt
Pa3 = Pb3 = 0,25,
Pa3 = 0,225 Λ + 0,0255 = 0,25,
P63 = 0,225 Λ + 0,025C = 0,25,
Pc3 = 96,45 Λ + 0,0255 + 0,025 C = 96,5.
Unter den angegebenen Voraussetzungen wird somit in drei Kaskaden der Gehalt des Lösungsmittels A
an Verunreinigungen bis zum Auslaß 67 c im Produkt PC3 gegenüber dem Ausgangsgemisch auf rund ein
Achtel verringert, während gleichzeitig Produkte, die an 5 und Produkte, die an C jeweils rund 50fach
angereichert sind, entnommen werden. Die abnehmende Fließgeschwindigkeit in jeder der aufeinanderfolgenden
Stufen unterstützt die Sicherung der relativen Anreicherung an 5 und C in jeder folgenden
Stufe.
Um die angegebene Anreicherung zu erhalten, kann es unter manchen Umständen notwendig sein, die
Länge des Fließweges in aufeinanderfolgenden Stufen zu vergrößern. Eine solche Anordnung kann der nach
F i g. 6 ähneln, mit der Ausnahme, daß der allgemeine Umriß des Behälters trapezoidisch wird, derart, daß
die breite Basis der Behälterwandung entspricht, die den Auslaß 67 c enthält.
Die Vorrichtung kann auch von einem Kreisausschnitt begrenzt sein, wobei die Behälterwände und
Trennwände Bogenform erhalten.
Übersicht 2
Bei gleicher Zusammensetzung des Ausgangsgemisches wie gemäß Übersicht 1 seien die Volumina
der Produkte Pai, Pa2 und Pa3 und auch die von
P61, P62 und P63 gleich. Unter diesen Umständen
sind die Konzentrationen aufeinanderfolgender 5-Produkte und C-Produkte nicht konstant, sondern
nehmen ab. Hinsichtlich Pai, P61 und PC1 besteht
gegenüber der Übersicht 1 noch kein Unterschied. Solche Unterschiede ergeben sich aber für die weiteren
Stufen.
PC1 = 97,8,4 + 0,1 B + 0,1C = 98 Volumina, die
etwa 0,1 °/0 B und 0,1 °/0 C enthalten,
P02 = 95,9 A + 0,05B + 0,05 C = 96 Volumina,
die etwa 0,05 °/0 B und 0,05 % C enthalten,
PC3 = 93,95Λ + 0,0255 + 0,025C = 94 Volumina,
die etwa 0,027 °/0 B und 0,027 °/0 C
enthalten.
Es werden hiernach also B- und C-Produkte erhalten, die weniger gelöste Substanz als die entsprechenden
Produkte nach Übersicht 1 enthalten, während P6.3
nicht ganz so rein in bezug auf A und B ist wie das Produkt PC3 nach Übersicht 1.
F i g. 7 veranschaulicht eine Abwandlung des zweistufigen Verfahrens gemäß F i g. 4. In dieser
Abwandlung erstreckt sich das Leitblech 71 ο bis zum Auslaß 72 des Reinigers 71 und bewirkt damit
die Trennung des Produktes P6. von dem bei 74
eintretenden Ausgangsmaterial und den Produkten Pa und P6. Im Falle des Systems ABC ist das bei 72
abgezogene Produkt Pa reich an gelöster Substanz B
mit einem Seigerungskoeffizienten> 1. Das durch Auslaß 73 abgezogene Produkt P6 ist in bezug auf gelöste
Substanz C mit einem Seigerungskoeffizienten <1 angereichert, während das durch Auslaß 77 abgezogene
Erzeugnis P0 dank der gegenüber der Weglänge vom
Einlaß 74 zum Auslaß 73 doppelten Entfernung des Auslasses 77 vom Auslaß 73 beträchtlich reiner in
bezug auf gelöste Substanz C ist als das Ausgangsmaterial. Aus dem gleichen Grunde ist bei gleich
großer Seigerung der beiden gelösten Substanzen B und C das Produkt Pc in bezug auf gelöste Substanz B
weniger rein als das Ausgangsmaterial. Obgleich eine solche Abwandlung in einem System ABC in der
Regel nicht vorteilhaft sein mag, kann sie doch vorteilhaft sein, wenn sich B leichter von A trennt als C.
Die in F i g. 8 gezeigte Anordnung ist eine Kaskadenschaltung von 2x/2zweistufigen Reinigern mit einer
Leitblechanordnung entsprechend Fig. 7. In einem solchen System ergibt ein bei 84 eingeführtes Ausgangsgemisch
von dem System ABC die Produkte Pa1, Pa2 und Pa3, die bei 82a, 82b und 82c abgezogen
werden und in bezug auf B angereichert sind, und Produkte P61, P62 und Phs, die bei 83 a, 83 b und 83 c
abgezogen werden und alle in bezug auf gelöste Substanz C angereichert sind. Das bei 87 abgezogene
Produkt Pc ist bezüglich A angereichert und enthält
eine relativ kleine Menge gelöster Substanz C und eine größere Menge an gelöster Substanz B als das Produkt
Pc 3 der Fig. 6, wenn die Seigerungsbedingungen
gleich sind. Diese Abart ist vorteilhaft, wenn der Seigerungskoeffizient von B günstiger ist als der von C.
Claims (4)
1. Kontinuierliches Verfahren zum Zonenschmelzen eines schmelzbaren Gemisches aus
einem Lösungsmittel und wenigstens einem darin gelösten Stoff, dessen Seigerungskoeffizient von 1
abweicht, in einem Gefäß, welchem das Ausgangsgemisch an einer hoch gelegenen Stelle zugeführt
und aus welchem das erhaltene Produkt an einer tiefer gelegenen Stelle entnommen wird, unter
wiederholtem stetigem Hindurchführen einer Schmelzzone durch das Gemisch von Entnahmebereich
zum Zuführungsbereich oder umgekehrt, dadurch gekennzeichnet, daß die
obere Fläche des lückenfrei in dem Gefäß enthaltenen Gemisches so eingestellt wird, daß sie
eine von der Zuführungs- zur Entnahmestelle verlaufende geneigte Fläche bildet, längs welcher jeweils
geschmolzenes Material im Bereich der Schmelzzone abwärts fließt.
2. Weitere Ausbildung des Verfahrens nach Anspruch 1, wobei auch an einer zweiten, auf der
der ersten Entnahmestelle abgelegenen Seite der Zuführungsstelle liegenden Stelle des Gefäßes,
welche unterhalb und im seitlichen Abstand von der Zuführungsstelle für das Ausgangsmaterial
liegt, Schmelze entnommen wird, dadurch gekennzeichnet, daß auch die obere Fläche des in dem
Gefäß zwischen der Zuführungsstelle und der zweiten Entnahmestelle befindlichen Gemisches
so eingestellt wird, daß sie eine von der Zuführungsstelle zur zweiten Entnahmestelle verlaufende
geneigte Fläche bildet und daß die Schmelzzone ständig in gleicher Richtung von dem einen
Entnahmebereich zum anderen geführt wird.
3. Weitere Ausbildung des Verfahrens nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die an
der ersten und der zweiten Entnahmestelle anfallenden Produkte nur anteilweise entnommen und
die nicht entnommenen Anteile jeder für sich in der Erstbehandlung analoger Weise nochmals
behandelt werden.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, gekennzeichnet durch die Durchführung in Gefäßen
mit Wehren im Bereich der geneigten Flächen des Behandlungsgutes.
In Betracht gezogene Druckschriften: Österreichische Patentschriften Nr. 183 790,194 444;
französische Patentschrift Nr. 1 112 171; Zeitschrift für Naturforschung, 12b (1957), S. 23
bis 26.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
709 589/310 5.67 © Bundesdruckerei Bertin
709 734/25
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US5161717A (en) * | 1991-01-08 | 1992-11-10 | Sematech, Inc. | Spin casting of silicon wafers |
US5133829A (en) * | 1991-01-08 | 1992-07-28 | Sematech, Inc. | Single wafer regrowth of silicon |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT183790B (de) * | 1951-11-16 | 1955-11-10 | Western Electric Co | Verfahren zur Herstellung einer vorbestimmten Verteilung eines oder mehrerer Nebenbestandteile in einem schmelzbaren Körper |
FR1112171A (fr) * | 1953-12-08 | 1956-03-09 | Western Electric Co | Procédé de redistribution des éléments de systèmes soluté-solvant fusibles |
AT194444B (de) * | 1953-02-26 | 1958-01-10 | Siemens Ag | Verfahren und Einrichtung zur Behandlung einer längserstreckten Halbleiterkristallanordnung |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT183790B (de) * | 1951-11-16 | 1955-11-10 | Western Electric Co | Verfahren zur Herstellung einer vorbestimmten Verteilung eines oder mehrerer Nebenbestandteile in einem schmelzbaren Körper |
AT194444B (de) * | 1953-02-26 | 1958-01-10 | Siemens Ag | Verfahren und Einrichtung zur Behandlung einer längserstreckten Halbleiterkristallanordnung |
FR1112171A (fr) * | 1953-12-08 | 1956-03-09 | Western Electric Co | Procédé de redistribution des éléments de systèmes soluté-solvant fusibles |
Also Published As
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