DE122856T1 - Verfahren und vorrichtung zum kontinuierlichen ueberziehen eines bleches mit einem oxydierbaren ueberzug. - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zum kontinuierlichen ueberziehen eines bleches mit einem oxydierbaren ueberzug.Info
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Claims (16)
1. Verfahren zum fortlaufenden Beschichten einer Bahn bzw.
eines Bandes mittels eines oxydierbaren Beschichtungsmaterials, gemäß dem man das Band in ein Bad einbringt, das
das Beschichtungsmaterial in einem flüssigen Zustand enthält, daß man das Band in einer aufsteigenden Richtung
aus diesem Bad austreten läßt, daß man das Band einem Dickenregelungsvorgang der Schicht des auf das Band aufgebrachten
flüssigen Beschichtigungsmaterials unterwirft, daß dieser Regelungsvorgang in einem Schutzgehäuse durchgeführt
wird, das bedeutend gegen die Atmosphäre isoliert ist und ein erstes, nicht oder wenig oxydierendes Gas enthält, das wenigstens teilweise einem Kreislauf unterliegt,
daß der Dickenbeschichtungs- Regelungsvorgang gegebenenfalls von einem Kernentstehungsvorgang gefolgt wird, in
dessen Verlauf man auf dem noch flüssigen Beschichtungsmaterial ein zweites, mit Kristallisationskernen des genannten
Beschichtungsmaterials beladenes Gas entwickelt,
daß dieses Gas danach wenigstens teilweise zurückgeleitet wird, dadurch gekennzeichnet, daß man wenigstens einen Teil
des ersten Gases und/oder wenigstens einen Teil des zweiten Gases reinigt, indem es mit einer reduzierenden Substanz
in Kontakt gebracht wird, um sein Gehalt an Sauerstoff wieder unterhalb eines vorher gewählten Wertes zu bringen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorgänge der Beschichtungsdickenregelung und des Einblasens
von Kernen in einem gemeinsamen Schutzgehäuse stattfinden, in welchem das erste und das zweite Gas in Kontakt sind.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gemäß dem man das zweite
Gas reinigt, dadurch gekennzeichnet, daß man die Reinigung und die Einführung von Kristallisationskernen in das zweite
Gas vor dessen Verwendung für die Entstehung von Kernen gleichzeitig vornimmt.
4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die Substanz, die die
Entstehung der Kristallisationskerne veranlaßt, reduzierend ist, dadurch gekennzeichnet, daß man die genannte Substanz
in das zweite Gas einführt, daß man das zweite Gas auf einer Temperatur hält, die zum Verringern seines Gehaltes an Sauerstoff
ausreichend hoch angehoben ist auf einen Wert, der zur Reaktion des Sauerstoffs mit der genannten Substanz gewählt
wird, und daß man dann das zweite Gas, das das Resultat der Oxydation der genannten Substanz und gegebenenfalls einen
Teil der Substanz,der nicht reagiert .hat,enthält,wieder auf
Temperaturbedingungen bringt, die für den genannten Vorgang der Kernentstehung geeignet ist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß man die Substanz im Dampfzustand in das zweite Gas einführt und
daß man nach der Oxydation eines Teils dieses Dampfes das zweite Gas abkühlt, um die Substanz wieder zum Bilden der
Kerne durch Kondensation zum festen Zustand zu bringen.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß man des weiteren eine unterkritische Menge an Kohlenwasserstoff
in das zweite Gas einführt, damit der Reinigungsvorgang des zweiten Gases durch Reduktion des Sauer-Stoffs
verbessert wird, wobei die Substanz, die die Entstehung von Kernen veranlaßt, in der Reaktion des Kohlenwasserstoffs
mit dem Sauerstoff eine größere Rolle spielt als ihre eventuelle angemessene Reduktionsrolle.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die genannte, die Entstehung von Kernen veranlassende Substanz Zink ist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
daß man das Reinigungsgas mit einer reduzierenden Substanz vom Kohlenwasserstofftyp reagieren
läßt, die in einer unterkritischen Menge auf einer warmen Oberfläche (erwärmte Platte oder beschichtetes Blech,
selbst im Fall eines Aluminiumbleches) aufgebracht wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Kohlenwasserstoff Methan ist und daß das Beschichtungsmaterial
Zink oder eines seiner Legierungen oder Aluminium oder eines seiner Legierungen ist.
10. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem
der Ansprüche 1 bis 9, bestehend aus Mitteln zum sukzessiv fortlaufenden Durchleiten einer Bahn bzw. eines Bandes
(1) quer durch ein Schmelzbad (7) aus Beschichtungsmaterial und zum Herausleiten dieses Bandes aus dem Bad
in aufsteigender Richtung, aus Mitteln (11) zur Dickenregelung der Schicht des auf das Band aufgetragenen
flüssigen Beschichtungsmaterials, wobei diese Mittel wenigstens eine Lufttrocknungsdüse aufweisen können, die
zum Einblasen eines streifenförmigen Gasstromes in Richtung des Bandes angeordnet ist, und wobei diese Mittel
im Innern eines Schutzgehäuses angeordnet sind, das nach unten offen ist und in das Bad eintauchende Seitenwände
und eine einen schmalen, den Ausgang für das Band darstellenden Schlitz (1.0) tragende Oberwand aufweist, wobei das
Schutzgehäuse einem Kreislauf (13,17) zum Zirkulieren des in ihm enthaltenen Gases und zum Führen dieses Gases
zu der oder den Lufttrocknungsdüsen zugeordnet ist, und des weiteren aus einer Blasdüse (12) zum Abkühlen des
Bandes unterhalb des Erstarrungspunktes des Beschichtungsmaterials und zum eventuellen Entwickeln von Kristallisationskernen,
wobei diese Blasdüse einem Kreislauf (20, 23) zum Zirkulieren des zweiten Gases zugeordnet ist,
der gegebenenfalls gegenüber der oder den Blasdüsen höher liegende Mittel zum Einleiten der Kristallisationskerne
in das zweite Gas aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß
sie des weiteren Mittel zum Einleiten einer reduzierenden Substanz in den Kreislauf für die Zirkulation des Gases
des Schutzgehäuses und/oder in den Kreislauf für die Zirkulation des genannten zweiten Gases aufweist und daß sie
Mittel zum Wiedereinleiten des Gases bei einer Temperatur aufweist, bei der die reduzierende Substanz mit dem Sauerstoff
reagiert, der in dem- Gas enthalten ist, um dessen Konzentration wieder unter den gewählten Wert zu bringen.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zur Dickenregelung der Beschichtung und die
Einblasdüse oder die Einblasdüsen in einem gemeinsamen Gehäuse angeordnet sind und daß die Mittel zum Einleiten der
reduzierenden Substanz und zum Bringen des Gases auf die Reaktionstemperatur entweder in dem Schutzgehäuse oder in
einem der Zirkulations-Kreisläufe angeordnet sind.
12. Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Einleiten der reduzierenden Substanz
in das Gas und zum Bringen desselben auf die Reaktionstemperatur aus einem Schutzgehäuse bestehen , das
von dem Gas durchströmt wird und ein Bad aus der redu-
zierenden Substanz in flüssigem Zustand und eine oberhalb
dieses Bades vorgesehene Plasmafackel zum Verdampfen der genannten Substanz enthält.
13. Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Einleiten der reduzierenden
Substanz in das Gas aus einem gemeinsamen Schutzgehäuse bestehen, das ein Bad mit der reduzierenden Substanz in
flüssigem Zustand und Mittel enthält, um das Gas zu zwingen, über die Oberfläche dieses Bades zu streichen
oder um das Bad zu durchblasen.
14. Vorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Einleiten der reduzierenden Substanz
in das Gas in dem Kreislauf für die Zirkulation des zweiten Gases vorgesehen sind und daß zwischen diesen Mitteln und
der oder den Einblasdüsen Mittel zum Abkühlen des zweiten Gases bis zur Bildung von Kernen durch Kondensation zum
festen Zustand der reduzierenden Substanz vorgesehen sind.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß sie des weiteren Mittel zum Einleiten
eines Kohlenwasserstoffs in das Gas enthält.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Inkontaktbringen des Gases mit einer
warmen Wand, wo die redizierende Substanz vom Kohlenwasserstoff typ mit dem Sauerstoff reagiert, in dem genannten
Schutzgehäuse in Nähe des schmalen Schlitzes ange-. ordnet sind, der in der Oberwand des Schutzgehäuses vorgesehen ist.
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