FR2544337A1

FR2544337A1 - Procede et installation pour le revetement en continu d'une bande a l'aide d'un revetement oxydable

Info

Publication number: FR2544337A1
Application number: FR8306056A
Authority: FR
Inventors: Jean-Pierre Hennechart; Bernard Bramaud; Francois Prat
Original assignee: Ziegler SA
Current assignee: Ziegler SA
Priority date: 1983-04-13
Filing date: 1983-04-13
Publication date: 1984-10-19
Also published as: ATE34780T1; ES8501805A1; DE3471691D1; EP0122856A1; US4612215A; FR2544337B1; ES531555A0; JPH0534424B2; EP0122856B1; CA1251364A; JPS59205463A; DE122856T1

Abstract

PROCEDE ET INSTALLATION POUR LE REVETEMENT EN CONTINU D'UNE BANDE A L'AIDE D'UN REVETEMENT OXYDABLE. LE BUT DE L'INVENTION EST DE FOURNIR, DANS UNE INSTALLATION OU LE GAZ DE L'ENCEINTE DE PROTECTION DES MOYENS D'ESSORAGE POUR LA REGULATION DU REVETEMENT EST RECYCLE, UNE AMELIORATION DES TAUX DE RECYCLAGE ET UNE ECONOMIE DE GAZ INERTE D'APPOINT. POUR CE RESULTAT, ON PREVOIT UNE EPURATION CONTINUE DE CE GAZ PAR MISE EN CONTACT AVEC UNE SUBSTANCE REDUCTRICE. SI L'ENCEINTE DE PROTECTION CONTIENT AUSSI LES BUSES DE FLEURAGE MINIMISE, ON PEUT INTRODUIRE DE LA VAPEUR DE ZINC DANS LE GAZ. CELLE-CI REAGIT SUR L'OXYGENE ET, PAR CONDENSATION, FOURNIT LES GERMES.

Description

254433,

La présente invention est relative à un procédé et une installation pour le dépôt en continu d'un revêtement sur une bande, ce dépôt étant fait par passage de La bande dans un bain de matière de revêtement chauffée audeladesonpointdefusion L'invention s'applique en particu-

lier au revêtement d'une tôle d'acier par une couche de mé-

tal tet que du zinc.

On connaît depuis longtemps des procédés dans Lesquels une bande mince de métal est entraînée en continu d'abord dans des postes de préparation de surface et de préchauffage, puis, grâce à des rouleaux immergés, passe dans un bain de matière de revêtement fondu, du zinc

par exemple, après quoi elle sort du bain en suivant un tra-

jet vertical ascendant Elle entraîne à sa sortie du bain une couche de matière de revêtement liquide dont l'épaisseur

dépend, notamment, de la vitesse de défilement, de la tem-

pérature du bain et de l'état de surface de la bande Cet-

te couche Liquidé se solidifie Lorsque La bande se refroi-

dit a Lors qu'elle est au-dessus du bain.

Pour obtenir une couche de revêtement d'é-

paisseur uniforme, sans impuretés et à cristallisation ré-

gulière, il convient de contrôler avec précision tous Les

facteurs qui interviennent dans l'opération.

Dans la technique La plus ancienne, on u-

tilisait des rouleaux pour égaliser l'épaisseur de la cou-

che de revêtement alors qu'el Le était encore Liquide Le brevet FR 1 563 457 a décrit une méthode plus efficace qui

consiste à envoyer sur cette couche de matière de revête-

ment liquide un jet de gaz, de préférence de l'air dans le cas d'un revêtement de plomb et de la vapeur d'eau sèche

dans Le cas de zinc, ce jet de gaz étant fourni par une bu-

se en forme de fente dont la forme, la position et l'orien-

tation sont définies avec précision, de même que la pres-

sion de gaz, afin de fournir un jet en forme de lame qui enlève la fraction externe de l'épaisseur de Liquide et Ula

fait retomber vers le bain, entraînant avec elle les cras-

ses et oxydes qui pourraient provenir de la surface du bain.

Dans la pratique actuelle, le gaz utilisé

le plus fréquemment est l'air.

Par ailleurs, pour obtenir une couche de revêtement à cristallisation fine et régulière, on connaît un procédé dit de "fleurage minimisé" dans lequel on projet-

te sur la bande un gaz chargé de germes de cristallisation.

Usuellement ce gaz est de l'air comprimé dans lequel on a introduit de fines particules solides de

zinc Pour éviter que celles de ces particules qui ne se fi-

xent pas sur la bande aillent se répandre dans l'atelier, une bouche d'aspiration est placée à proximité immédiate de la buse de soufflage et l'air aspiré est recyclé après filtration. La combinaison du refroidissement accéléré

sous l'effet du jet de gaz et de la présence d'un grand nom-

bre de germes conduit à une cristallisation fine et régu-

lière.

Ces méthodes ont dans l'ensemble des résul-

tats satisfaisants; toutefois, les exigences des utilisa-

teurs sont toujours dans le sens d'une sévérité croissante, et il a été constaté que la constance du produit fini n'est

pas tout à fait parfaite en ce qui concerne la présence d'-

oxydes en surface et la cristallisation de la matière de re-

vêtement, notamment en ce qui concerne les tôles minces à

faible épaisseur de revêtement.

Il est connu (GB-A-777 353) de préserver le revêtement de l'oxydation au moment de sa sortie du bain

en faisant traverser à la bande une enceinte dont les pa-

rois plongent dans le bain et qui présente à sa partie su-

périeure une ouverture étroite par o sort la bande Un gaz

inerte séjourne dans cette enceinte, qui contient des rou-

leaux destinés à égaliser l'épaisseur du revêtement.

On a proposé pour améliorer encore la qua-

lité, d'utiliser un gaz inerte de haute pureté, par exem-

p Ie de l'azote à très basse teneur en oxygène Un tel gaz est coûteux, et on a prévu de le recycler, mais, malgré les précautions prises: circuits aussi étanches que possible, refroidissement, filtration, on arrive difficilement à un

taux de recyclage supérieur à 50 %.

Le prix élevé de l'azote à très basse te-

neur en oxygène et des autres gaz de haute pureté est une cause du prix de revient élevé. Le but principal de la présente invention

est de réduire la consommation de gaz inerte de haute pure-

té sans augmentation exagérée de la complication de l'ins-

tallation, de façon à atteindre au total un abaissement sen-

sible des prix de revient.

Un autre b-ut de l'invention est une amé-

lioration de la qualité du produit par une meilleure régu-

larité de la cristallisation.

L'invention fournit donc un procédé de re-

vêtement en continu d'une-bande à l'aide d'une matière de revêtement oxydable, procédé selon lequel on fait passer la

bande dans un bain contenant la matière de revêtement à l'é-

tat li quide; on fait sortir la bande de ce bain dans une di-

rection ascendante; on la soumet à une opération de régu-

larisation de l'épaisseur de la couche de matière de revê-

tement liquide entraînée par la bande, cette opération de régularisation étant faite dans une enceinte sensiblement

isolée de l'atmosphère et contenant un premier gaz non oxy-

dant ou peu oxydant qui subit au moins partiellement un re-

cyclage; l'opération de régularisation étant éventuellement suivie d'une opération de projection de germes au cours de

laquelle on projette sur la matière du revêtement encore li-

quide un second gaz chargé de germes de cristallisation de ladite matière de revêtement, ce gaz étant ensuite au moins partiellement recyclé, qui présente la particularité qu'on épure au moins une partie du premier gaz et/ou au moins une

partie du second gaz en le mettant en contact avec une sub-

stance réductrice pour ramener sa teneur enoxygène au-des-

sous d'une valeur choisie à l'avance.

La combinaison du recyclage connu avec u-

ne épuration faite au cours même de ce recyclage permet un contrôle très précis de la teneur en oxygène du gaz, et

une grande souplesse d'adaptation de cette teneur aux be-

soins La quantité de substance réductrice nécessaire est faible, puisqu'elle ne correspond, en marche normale, qu'à la compensation des rentrées d'oxygène, et elle s'ajuste aux besoins -

De préférence les opération de régulari-

sation d'épaisseur de revêtement et de soufflage de germes

ont lieu dans une enceinte commune, dans laquel Le le pre-

mier et le second gaz se mélangent De cette façon, on a-

méliore encore la qualité grâce au fait que la bande peut être protégée de l'atmosphère jusqu'à la cristallisation, et on simplifie l'installation du fait de l'existence

d'une seule enceinte et, éventuellement d'un seul dispo-

sitif d'épuration, disposé sur l'un ou l'autre des circuits

de recyclage ou en un point commun à ces deux circuits.

Suivant une modalité intéressante, lors-

qu'on procède à l'épuration du second gaz on opère simul-

tanément l'épuration et l'introduction de germes de cris-

tallisation dans ledit second gaz avant de l Uutiliser pour

la projection de germes.

Dans ce cas, si la substance qui donne naissance aux germes de cristallisation est réductrice, il

est avantageux de prévoir qu'on introduit ladite substan-

ce dans ledit second gaz, puis on porte le second gaz à

une température suffisamment élevée pour abaisser sa te-

neur en oxygène à la valeur choisie, par réaction de l'-

oxygène sur ladite substance.

Cette réaction de réduction peut être a-

méliorée par une injection d'un hydrocarbure, en faible quantité, la substance qui donne naissance aux germes, zinc par exemple, jouant alors en plus le rôle de catalyseur

dans la réaction hydrocarbure-oxygène, en plus de son é-

ventuel rôle réducteur propre.

Ensuite on amène le second gaz, qui con-

tient le résultat de l'oxydation de ladite substance et

éventuellement une partie de la substance qui n'a pas réa-

gi, aux conditions de température convenant pour ladite il

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opération de projection des germes De préférence, on in-

troduit la substance réductrice dans le second gaz à l'é-

tat de vapeur et après l'oxydation d'une partie de cette

vapeur, on refroidit le second gaz pour amener ladite sub-

stance à former les germes par condensation à l'état soli- de. Le fait de combiner l'introduction de germes et l'épuration, permet une simplification évidente

de l'installation, donc une réduction des investissements.

Le fait d'introduire la substance réduc-

trice à l'état de vapeur conduit à une nouvelle améLiora-

tion de la qualité grâce à une meilleure dispersion de cet-

te substance dans le second gaz, donc une meilleure cons-

tance de la teneur enoxygène et également de la teneur en

germes de cristallisation.

Suivant une autre modalité intéressante, qui peut s'ajouter ou se substituer à la précédente, on met

Le gaz à épurer en contact avec une surface chaude, en pre-

sence de la substance réductrice Celle-ci est avantageu-

sement un hydrocarbure (méthane par exemple) introduit en faible quantité Cette surface chaude peut être constituées

par des plaques chauffées par un moyen approprié, mais aus-

si par la tôle elle-même sortant du bain, dans le cas o le

bain métallique de revêtement est à haute température (fa-

brication de tôle aluminiée par exemple) Cette modalité

convient particulièrement au cas o on désire pouvoir à vo-

lonté utiliser ou laisser à l'arrêt l'appareillage de fleu-

rage minimisé En effet, cette modalité peut être mise en oeuvre en agissant aussi bien sur le premier gaz que sur

le second gaz, les germes de cristallisation étant intro-

duits dans ce dernier par exemple de façon classique Elle peut aussi être mise en oeuvre à P'intérieur de l'enceinte

commune aux deux circuits s'il y en a une.

L'invention fournit aussi, pour la mise

en oeuvre du procédé qu'on vient d'exposer, une installa-

tion comprenant des moyens pour faire passer successivement en continu une bande à travers un bain fondu de matière de

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revêtement, pour faire sortir cette bande du bain dans u-

ne direction ascendante, des moyens pour régulariser l'é-

paisseur de La couche de matière de revêtement Liquide en-

traînée par La bande, ces moyens pouvant comporter au moins -une buse d'essorage disposée pour souff Ler un jet de gaz en forme de Lame en direction de La bande, ces moyens étant disposés à L'intérieur d'une enceinte ouverte vers le bas et comportant des parois Latérales qui plongent dans le bain et une paroi supérieure présentant une fente étroite destinée à La sortie de La bande, L'enceinte étant associée à un circuit pour recycler Le gaz qu'e L Le contient et pour

envoyer ce gaz vers La ou Les buses d'essorage, L'insta Lla-

tion comprenant en outre au moins une buse de soufflage

pour refroidir La bande au-dessous du point de solidifica-

tion de La matière de revêtement et éventuel Lement projeter sur ce L Leci des germes de cristallisation, cette buse de

soufflage étant associée à un circuit pour recycler le se-

cond gaz qui comporte des moyens pour introduire des germes de crista L Lisation dans Ledit second gaz en amont de La ou des buses de soufflage, cette installation comprenant en

outre des moyens pour introduire dans le circuit-pour Le re-

cyc Lage du gaz de L'enceinte et/ou dans le circuit pour le recyclage dudit second gaz une substance réductrice, et des moyens pour amener le gaz correspondant à une température o Ladite substance réagit avec L'oxygène contenudans le gaz pour

amener sa concentration au-dessous de La valeur choisie.

De préférence Les moyens de régularisa-

tion de L'épaisseur de revêtement et La ou Les buses de

soufflage de germes sont disposés dans une enceinte commu-

ne et Lesdits moyens pour introduire La ou Les substances

réductrices et pour amener le gaz à La température de ré-

action sont disposés soit dans L'enceinte, soit dans un

seul des circuits pour Le recyclage.

Suivant une réalisation intéressante Les moyens pour introduire La substance réductrice dans Le gaz

et amener ce Lui-ci à La température de réaction, sont cons-

titués par une enceinte parcourue par Le gaz et contenant un bain de substance réductrice à l'état liquide et une

torche à plasma disposée au-dessus de ce bain pour vapori-

ser ladite substance Là réaction d'épuration peut être a-

métliorée par l' ajout d'une faible quantité d'hydrocarbu-

re.

Suivant une autre réalisation, plus sim-

ple d'installation, les moyens pour introduire la substan-

ce réductrice dans le gaz sont constitués par une enceinte contenant un bain de substance réductrice à l'état liquide, et des moyens pour forcer te gaz à lécher La surface de ce

bain ou pour y barboter La quantité de substance réductri-

ce introduite dans le gaz est une fonction de la température

du bain métallique de la substance réductrice, et/ou du dé-

bit de gaz barbotant dans cette enceinte Comme dans la ré-

alisation précédente, la réaction d'épuration peut être a-

méliorée par l'injection d'un hydrocarbure, en faible quan-

tité. De préférence, avec l'une ou l'autre des réalisations qu'on vient de mentionner, lesdits moyens pour introduire la substance réductrice dans le gaz sont disposés sur le circuit pour le recyclage du second gaz, et entre lesdits moyens et la ou les buses de soufflage de germes il est prévu des moyens de refroidissement du second gaz jusqu'à la formation de germes par condensation

à l'état solide de la substance réductrice.

Suivant une autre réalisation intéres-

sante, les moyens pour désoxyder le gaz sont obtenus en disposant, dans ladite enceinte, à proximité immédiate de

la fente étroite prévue dans la paroi supérieure de l'en-

ceinte, des plaques chauffées à haute température et en introduisant dans l'enceinte, à proximité de ces plaques,

une faible quantité d'hydrocarbure afin d'obtenir la dé-

soxydation des gaz contenus dans l'enceinte Ce disposi-

tif peut être installé à un autre endroit de l'un ou l'au-

tre circuit, maisl'avantage de la disposition qu'on vient de

décrite est un meilleur contrôle de la teneur en oxygène.

En effete la fente de sortie de la bande est le principal passage pour L' entrée d'oxygène dans l'enceinte, par

circulation à contre courant de la bande.

L'invention va maintenant être exposée

plus en détail à l'aide d'exemples non Limitatifs de réa-

' lisation pratique, relatifs à l'obtention d'un revêtement

de zone sur une tôle d'acier et illustrées par les figu-

res parmi lesquelles:

Fig 1 est une vue schématique, en cou-

pe verticale de l'instalitation.

Fig 2 est une vue schématique partiel-

le en coupe verticale d'un appareillage pour introduire

la substance réductrice dans le gaz.

Fig 3 est une vue analogue à la figu-

re 2 d'un autre appareillage pour introduire la substance

réductrice dans le gaz.

Fig 4 est une vue schématique de l'ap-

pareillage permettant la réaction hydrocarbureooxygène avec

plaques chauffées disposées à la sortie de l'enceinte.

Fig 5 est une vue schématique d'un ap-

pareillage fonctionnant suivant le même principe que ce-

lui de La figure 4, mais placé dans un circuit de recircu-

lation. La bande à revêtir arrive par la gauche

sur la figure 1, elle traverse d'abord un four 2, à at-

mosphère réductrice contrôlée, qui assure à la fois le net-

toyage et la préparation de surface, éventuellement un traitement thermique, et l'ajustement de la température de

la ttôle, à une température voisine de celle du bain.

La bande 1 guidée par des rouleaux 3, 4, 5 descend ensuite dans le bain de zinc fondu 7, puis remonte à la verticale au-dessous du bain et est envoyée

après un rouleau 6 vers un poste d'enroulage non represen-

té Une gaine 8 qui plonge dans le bain et communique a-

vec le four 2, entoure la bande sur son trajet entre le four et le bain 7, de façon-à empêcher toute formation d'oxyde sur le métal nettoyé et chaud avant son contact

avec le zinc du bain.

9 2544337

A sa sortie du bain, la bande est en-

tourée par un caisson 9 sans fond et dont les parois laté-

rales plongent dans le zinc fondu Le toit du caisson com-

porte une fente 10, très étroite, pour la sortie de la ban-

de 1 vers le haut. A l'intérieur du caisson sont disposées

deux buses 11, en forme de fente allongée, destinées à ré-

gulariser l'épaisseur du revêtement à l'épaisseur voulue,

et, au-dessus des buses 11, deux autres buses 12, de re-

froidissement et/ou-de fleurage minimisé.

Les buses d'essorage 11 sont alimentées

en azote par un circuit de recyclage qui comprend une con-

duite d'extraction 13 par laquelle du gaz est extrait du caisson 9, un réfrigérant à eau froide 14, qui abaisse la température du gaz pour améliorer le fonctionnement de la pompe 15 qui lui fait suite Un filtre 16 est intercalé

entre le réfrigérant et la pompe Une conduite d'alimen-

tation 17 relie la pompe 15 aux buses d'essorage 11 Sur

cette conduite 17 vient se brancher une conduite 18 d'ap-

point en azote munie d'une vanne et reliée à une source

d'azote de grande pureté 19.

Les buses de fleurage minimisé sont a-

limentées par un circuit analogue, comportant une con-

duite d'extraction 20, un réfrigérant 21, une pompe 22 et une conduite d'alimentation 23, mais sans conduite d'appoint.

On a représenté en tirets trois posi-

tions possibles du dispositif d'épuration: En 24 on a représenté, un dispositif

d'épuration branché sur le circuit du gaz de fleurage mi-

nimisé, et qui est alors combiné avec le dispositif d'a-

limentation en germes de cristallisation.

En 25 on a représenté un dispositif d'épuration branché sur le circuit du gaz d'essorage et

dans ce cas il peut être constitué par des moyens d'-

injecter un hydrocarbure gazeux ou liquide, ou une sub stance analogue et une surface chaude qui vient frapper

*le gaz.

En 26, on a représenté un dispositif d'épuration placé dans le caisson 9, à proximité de la fente 10 Ce dispositif peut comporter une ou plusieurs surfaces chaudes, l'injection d'hydrocarbure peut être

placée à un autre endroit des circuits.

La figure 2 montre un appareillage d'-

introduction de substance réductrice qui est de préféren-

ce placé à l'emplacement désigné par 24 sur la figure 1. Cet appareillage comprend une enceinte fermée 30 qui contient unbaindezinc liquide 3 l et, en-dessus,

de ce bain une torche à plasma 32 disposée pour vapori-

ser le zinc du bain L'enceinte 30 est reliée aux condui-

tes 20, 23 par deux conduites 33, 34, de part et d'autre

de la pompe 22, de façon à constituer un circuit parallè-

te au circuit qui comprend les buses 12 de projection de germes Une vanne de réglage est prévue sur la conduite

33 d'arrivée de gaz à l'enceinte.

La figure 3 montre un autre appareil-

lage d'introduction de substance réductrice qui peut ê

tre substitué à celui de la figure 2 Il comprend une en-

ceinte 40 dans laquelle un bain de zinc liquide 41 est

maintenu à température choisie pour introduire la quanti-

té voulue de vapeur de zinc dans le gaz La surface li-

bre du bain 41 est également définie en conséquence Les

conduites d'arrivée 43 et de sortie 42 du gaz sont dis-

posées de la même manière que dans le cas de la figure 2.

Si on désire augmenter la quantité de vapeur de zinc in-

troduite dans le gaz, on peut aussi prévoir de faire bar-

boter un peu de gaz par une canne 44 immergée dans le bain, cette canne étant reliée à une source d'azote de grande pureté 46 D'autre part, un tube 45, relié à la

c*analisation 43, permet d'introduire unetrès faible quan-

tité d'hydrocarbure; ce dernier en présence de poudre de

zinc améliore la désoxydation du gaz en recirculation.

11 i 2544337 Dans le cas de ces deux appareillages, la formation de germes, c'est-à-dire de particules de zinc a

lieu principalement dans la conduite 23 o le gaz se refroi-

dit de façon naturelle ou forcée avant d'atteindre les bu-

ses 12.

La figure 5 représente une autre réalisa-

tion d'appareillage d'épuration Dans une enceinte 50 sont disposées deux buses concentriques alimentées 51, 52, dont la première est alimentée en gaz à épurer à travers une

conduite d'arrivée 53, pourvue d'une vanne 54, et la secon-

de est alimentée en méthane, ou un autre hydrocarbure, par une conduite d'alimentation 55-pourvue d'une vanne 56 Le mélange de gaz à épurer et de méthane est projeté vers une plaque 57 chauffée par exemple par des résistances jusqu'à

une température suffisante pour que l'oxygène libre dispa-

raisse Le gaz épuré est renvoyé en circuit par une condui-

te de retour 58 Un tel appareillage peut être disposé aus-

si bien dans la position prévue en 24 à la figure 1, que dans la position repérée en 25 S'il occupe la position 24, un dispositif classique d'introduction de germes doit être prévu.

Suivant la variante représentée à la figu-

re 4, deux plaques 60 sont disposées de part et d'autre de la fente 10 par o la bande 1 sort de l'enceinte 9, ce qui correspond à la position 26 de la figure 1 Ces plaques-60

sont chauffées par des résistances 61 jusqu'à une tempéra-

ture telle que l'oxygène pénétrant par la fente 10 à contre

courant de la bande 1 réagisse immédiatement sur le métha-

ne introduit dans le gaz à proximité des surfaces chaudes.

Cette disposition plus efficace, n'est à préconiser que si les teneurs en méthane-sont assez faibles

pour ne pas entraîner les risques d'explosion.

On donne ci-après quelques données chif-

frées relatives à des marches effectuées dans l'installa-

tion qu'on vient de décrire, avec une bande de I m de lar-

ge défiante à 35 mètres/minute: pour une épaisseur de revêtement correspondant à 100 /m 2 sur chaque face, le revêtement correspondant à 10 0 g/m sur chaque face, le débit d'azote souff Lé aux buses était de 2800 Nm 3/heure sous une surpression de 0,1 bar à L'entrée des buses, la pression dans le caisson étant sensiblement en équilibre

avec la pression atmosphériqueo La température de l'atmos-

phère dans le caisson 9 était de 1500 C, celle de la bande,

au niveau de La fente 10 était de 430 O C alors que la tem-

pérature de solidification était de 420 o C. Dans une première marche, Le dispositif de vaporisation de zinc et l'injection de méthane était hors service Pour une qualité d'azote supplémentaire injectée dans le circuit de recirculation, de 200 m 3/h, la teneur

en oxygène de l'azote en circulation était de 2 %.

Dans une seconde marche, le dispositif de vaporisation de zinc décrit à la figure 2 était en action, la température du zinc dans le bain 31 était de 460-500 O C, les caractéristiques d'emploi de la torche p Lasma étaient

les suivantes: -

tension 100 V intensité 70 à 100 A argon 45 1/min hydrogène 10 1/min température de la bande à la sortie

fente 10 380 C.

La teneur en oxygène dans l'azote en circulation était

inférieure à 200 ppm.

Dans un autre essai, les autres conditions étaient les mêmes, on a utilisé le dispositif de la figure 3 La température du zinc dans le creuset annexe était de 600 C et le débit d'azote balayant la surface de ce creuset

était de 25 m 3/h, Le débit d'azote barbotant dans Le creu-

set était de 2 m /h et la quantité de méthane injectée de

1 m 3/h.

On a encore obtenu une teneur en oxygène

dans l'azote inférieure à 200 ppm-

Dans un quatrième essai on a utilisé le dispositif de La figure 4, le débit de méthane injecté était de 2 m 3/h, et la température de la surface chaude 60 était de 700 C On a obtenu une teneur en oxygène dans

l'azote de 10 à 20 ppm.

Le dispositif de la figure 4 permet donc

d'obtenir de très grandes puretés en oxygène, on doit ce-

pendant observer qu'il ne fournit pas de germes pour les

buses de fleurage minimisé Si cette opération est néces-

saire, il faut prévoir une alimentation distincte pour ces germes On peut par exemple faire fonctionner en parallèle un dispositif de vaporisation de zinc selon la figure 2 ou 3

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Claims

REVENDICATIONS

1 Procédé de revêtement en continu d'une

bande à l'aide d'une matière de revêtement oxydable, pro-

cédé selon lequel on fait passer la bande dans un bain con-

tenant la matière de revêtement à l'état liquide; on fait sortir La bande de ce bain dans une direction ascendante;

on la soumet à une opération de régularisation de L'épais-

seur de la couche de matière de revêtement liquide entraî-

née par la bande, cette opération de régularisation étant

faite dans une enceinte sensiblement isolée de l'atmosphè-

re et contenant un premier gaz non oxydant ou peu oxydant -qui subit au moins partiellement un recyclage; l'opération

de régularisation d'épaisseur de revêtement étant éventuel-

lement suivie d'une opération de projection de germes au

cours de laquelle on projette, sur la matière de revête-

ment encore liquide un second gaz chargé de germes de cris-

tallisation de ladite matière de revêtement, ce gaz étant ensuite au moins partiellement recycle, caractérisé en ce qu'on épure au moins une partie du premier gaz et/ou au moins une partie du second gaz en le méttant en contact avec une substance réductrice pour ramener sa teneur en

oxygène au-dessous d'une valeur choisie à l'avance.

2 Procédé selon la revendication 1, carac-

térisé en ce que les opérations de régularisation d'épais-

seur de revêtement et de soufflage de germes ont lieu dans une enceinte commune, dans laquelle la premier et le second

gaz sont en contact.

3 Procédé selon l'une des revendications

I ou 2 et dans lequel on épure ledit second gaz, caracté-

risé en ce qu 'on opère simultanément l'épuration et l'intro-

duction de germes de cristallisation dans ledit second gaz

avant de l'utiliser pour La projection de germes.

4 Procédé selon la revendication 3 et dans lequel la substance qui donne naissance aux germes de cristallisation est réductrice,, caractérisé en ce qu'on introduit ladite substance dans ledit second gaz,

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puis on porte le second gaz à une température suffisam-

ment élevée pour abaisser sa teneur en oxygène à la valeur choisie par réaction de L'oxygène sur ladite substance,

et ensuite on amène le second gaz, qui contient le résul-

tat de l'oxydation de ladite substance et éventuellement

une partie de la substance qui n'a pas réagi, aux condi-

tions de température convenant pour ladite opération de

projection des germes.

Procédé selon la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce qu'on introduit ladite substance à l'é

tat de vapeur dans le second gaz, et en ce qu'après l'oxy-

dation d'une partie de cette vapeur, on refroidit le se-

cond gaz pour amener ladite substance à former les germes

par condensation à l'état solide.

6 Procédé-selon la revendication 5, ca-

ractérisé en ce qu'on introduit en outre une faible quan-

tité d'hydrocarbure dans le second gaz, afin d'améliorer l'opération d'épuration du second gaz par réduction de l'oxygène, la substance qui donne naissance aux germes

jouant un rôle de catalyseur dans la réactiondel'hydro-

carbure avec l'oxygène, en plus de son éventuel rôLe réduc-

teur propre.

7 Procédé selon la revendication 1 à 6,

caractérisé en ce que ladite substance qui donne naissan-

ce aux germes est le zinc.

8 Procédé selon l'une des revendications

I à 7, caractérisé en ce qu'on fait réagir le gaz à épu-

rer avec une substance réductrice du type hydrocarbure in-

troduit en faible quantité, sur une surface chaude (pla-

que chauffée ou tôle revêtue el Le même dans -le cas de la

tôle aluminiée).

9 Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'hydrocarbure est le méthane et en ce que la matière de revêtement est le zinc ou un de

ses alliages, ou l'aluminium ou un de ses alliages.

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Installation pour la mise en oeuvre

du procédé selon L'une des revendications 1,à 9, et com-

prenant des moyens pour faire passer successivement en

continu une bande ( 1) à travers un bain fondu ( 7) de ma-

tière de revêtement, et pour faire sortir cette bande du bain dans une direction ascendante, des moyens ( 11) pour

régulariser L'épaisseur de la couche de matière de revête-

ment liquide entraînée par la bande, ces moyens pourront

comporter au moins une buse d'essorage disposée pour souf-

fler un jet de gaz en forme de lame en direction de la ban-

de, ces moyens étant disposes à l'intérieur d'une encein-

te ( 9) ouverte vers le bas et comportant des parois laté-

rales qui plongent dans le bain et une paroi supérieure présentant une fente étroite ( 10) destinée à la sortie de la bande, l'enceinte étant associée à un circuit ( 13, 17) pour recycler le gaz qu'elle contient et pour envoyer ce

gaz vers la ou les buses d'essorage, l'installation com-

prenant en outre une buse de soufflage ( 12) pour refroidir

la bande au-dessous du point de solidification de la ma-

tière de revêtement et projeter éventuellement des germes

de cristallisation, cette buse de soufflage étant asso-

ciée à un circuit ( 20, 23) pour recycler le second gaz qui comporte éventuellement des moyens pour introduire des germes de cristallisation dans ledit second gaz en amont

de la ou des buses de soufflage, caractérisée en ce qu'el-

Le comprend en outre des moyens pour introduire dans le circuit pour Le recyclage du gaz de l'enceinte et/ou dans

le circuit pour le recyclage dudit second gaz une subs-

tance réductrice, et des moyens pour amener le gaz corres-

pondant à une température o ladite substance réductrice réagit avec L'oxygène contenu dans le gaz pour amener sa

concentration au-dessous de la valeur choisie.

11 Installation selon la revendication 10, caractérisée en ce que les moyens de régularisation de

l'épaisseur de revêtement et la ou les buses de soufflage -

sont disposés dans une enceinte commune et en ce que lesdits moyens pour introduire la substance réductrice et pour amener Le gaz à la température de réaction sont disposés soit dans l'enceinte, soit dans un seul des circuits

pour le recyclage.

12 Installation selon l'une des reven- dications 10 ou 11, caractérisée en ce que les moyens pour introduire la substance réductrice dans le gaz et

amener celui-ci à La température de réaction sont cons-

torche à plasma disposée au-dessus de ce bain pour vapo-

riser ladite substance.

13 Installation selon l'une des revendi-

cations 10 ou 11, caractérisée en ce que les moyens pour

introduire la substance réductrice dans le gaz sont cons-

titués par une enceinte contenant un bain de substance réductrice à l'état liquide, et des moyens pour forcer

le gaz à Lécher la surface de ce bain ou pour y barbo-

ter.

14 Installation selon l'une des revendi-

cations 12 ou 13, caractérisée en ce que lesdits moyens pour introduire la substance réductrice dans le gaz sont disposés sur le circuit pour le recyclage du second gaz et en ce qu'entre lesdits moyens et la ou les buses de soufflage il est prévu des moyens de refroidissement du

second gaz jusqu'à la formation de germes par condensa-

tion à l'état solide de la substance réductrice.

15.Installation selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'elle comprend en outre des moyens

pour introduire dans le gaz un hydrocarbure.

16 Installation selon la revendication , caractérisée en ce que les moyens pour amener le gaz en contact d'une paroi chaude o la substance réductrice du type hydrocarbure réagit sur l'oxygène, sont disposés

dans ladite enceinte à proximité de la fente étroite pré-

vue dans la paroi supérieure de l'enceinte.