DE1222168B - Verfahren zum Erzeugen mindestens zweier dicht nebeneinanderliegender Elektroden aufHalbleiterkoerpern - Google Patents
Verfahren zum Erzeugen mindestens zweier dicht nebeneinanderliegender Elektroden aufHalbleiterkoerpernInfo
- Publication number
- DE1222168B DE1222168B DES84300A DES0084300A DE1222168B DE 1222168 B DE1222168 B DE 1222168B DE S84300 A DES84300 A DE S84300A DE S0084300 A DES0084300 A DE S0084300A DE 1222168 B DE1222168 B DE 1222168B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrodes
- semiconductor
- template
- stencil
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL128994D NL128994C (enrdf_load_stackoverflow) | 1959-09-10 | ||
NL255702D NL255702A (enrdf_load_stackoverflow) | 1959-09-10 | ||
CH1010560A CH395343A (de) | 1959-09-10 | 1960-09-07 | Verfahren zum Erzeugen mindestens zweier benachbarter Elektroden auf einem Halbleiterkörper |
FR838225A FR1341477A (fr) | 1959-09-10 | 1960-09-09 | Procédé pour réaliser deux électrodes étroitement juxtaposées sur un corps semi-conducteur |
GB3112760A GB907999A (en) | 1959-09-10 | 1960-09-09 | Improvements in or relating to methods and apparatus for producing electrodes on semi-conductor bodies |
DES84300A DE1222168B (de) | 1959-09-10 | 1963-03-22 | Verfahren zum Erzeugen mindestens zweier dicht nebeneinanderliegender Elektroden aufHalbleiterkoerpern |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES64847A DE1113521B (de) | 1959-09-10 | 1959-09-10 | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen zweier dicht nebeneinander-liegender Elektroden an Halbleiterkoerpern |
DES84300A DE1222168B (de) | 1959-09-10 | 1963-03-22 | Verfahren zum Erzeugen mindestens zweier dicht nebeneinanderliegender Elektroden aufHalbleiterkoerpern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1222168B true DE1222168B (de) | 1966-08-04 |
Family
ID=25995837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES84300A Pending DE1222168B (de) | 1959-09-10 | 1963-03-22 | Verfahren zum Erzeugen mindestens zweier dicht nebeneinanderliegender Elektroden aufHalbleiterkoerpern |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH395343A (enrdf_load_stackoverflow) |
DE (1) | DE1222168B (enrdf_load_stackoverflow) |
GB (1) | GB907999A (enrdf_load_stackoverflow) |
NL (2) | NL128994C (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61177366A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-09 | Sharp Corp | 超微粒子分散基板の製造装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1113521B (de) * | 1959-09-10 | 1961-09-07 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen zweier dicht nebeneinander-liegender Elektroden an Halbleiterkoerpern |
-
0
- NL NL255702D patent/NL255702A/xx unknown
- NL NL128994D patent/NL128994C/xx active
-
1960
- 1960-09-07 CH CH1010560A patent/CH395343A/de unknown
- 1960-09-09 GB GB3112760A patent/GB907999A/en not_active Expired
-
1963
- 1963-03-22 DE DES84300A patent/DE1222168B/de active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1113521B (de) * | 1959-09-10 | 1961-09-07 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen zweier dicht nebeneinander-liegender Elektroden an Halbleiterkoerpern |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL255702A (enrdf_load_stackoverflow) | |
CH395343A (de) | 1965-07-15 |
GB907999A (en) | 1962-10-10 |
NL128994C (enrdf_load_stackoverflow) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1053691B (de) | Verfahren und Einrichtung zur Materialbearbeitung mittels Ladungstraegerstrahl | |
DE1446270B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer dünnen, freitragenden Folie durch Vakuumaufdampfen | |
DE1950126A1 (de) | Verfahren zur Aufringung isolierender Filme und elektronische Bauelemente | |
DE1941254B2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum vakuumbedampfen einer traegeroberflaeche | |
DE1900569C3 (de) | Festkörper-Ionenquelle | |
DE1200403B (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrisch isolierenden Schicht zwischen zwei duennen, elektrisch leitenden Schichten | |
DE1165700C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Bauelementen oder Baugruppen | |
EP1662017A1 (de) | Vorrichtung zum Verdampfen von Materialien | |
DE1222168B (de) | Verfahren zum Erzeugen mindestens zweier dicht nebeneinanderliegender Elektroden aufHalbleiterkoerpern | |
DE3110783A1 (de) | Vorrichtung zum zerstaeuben einer probe | |
DE19642116C2 (de) | Verfahren zur strukturierten Energieübertragung mit Elektronenstrahlen | |
DE1615055A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Duennschicht-Bauelementen | |
DE2259133B2 (de) | Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiteranordnung und Anwendung des | |
DE1115367B (de) | Verfahren und Legierungsform zum Herstellen einer Halbleiteranordnung durch Aufschmelzen einer Elektrode auf einen Halbleiterkoerper | |
DE970970C (de) | Einrichtung zum Herstellen von Oberflaechenschichten durch Verdampfen oder Sublimieren des UEberzugsstoffes im Hochvakuum | |
DE1113521B (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen zweier dicht nebeneinander-liegender Elektroden an Halbleiterkoerpern | |
EP0525279A1 (de) | Vorrichtung für den Transport von Substraten | |
DE2505540A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer vorrichtung zum abscheiden von silicium an der oberflaeche eines u-foermigen traegerkoerpers aus silicium | |
DE907322C (de) | Verfahren zur Metallbedampfung eines Dielektrikums, insbesondere zur Herstellung von Belagschichten fuer elektrische Kondensatoren | |
DE2243067C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Induktionsspulen | |
AT241536B (de) | Verfahren zum Herstellen von Bedampfungsoberflächen | |
AT359797B (de) | Aufdampfquelle fuer das sog. flash-(blitz-)- aufdampfverfahren | |
DE1278194B (de) | Verfahren zum Vakuumaufdampfen von stabilen duennen Siliciummonoxyd-Schichten | |
DE892022C (de) | Verfahren zum Aufdampfen schwer kondensierbarer Stoffe im Vakuum auf insbesondere wärmieempfmdhche Unterlagen, insbesondere für die Herstellung von Kondensatoren | |
DE1783088C3 (de) | Verfahren zum Behandeln einer Oberfläche einer Metall-Folie mit einem Lichtbogen-Plasmastrahl |