DE1113521B - Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen zweier dicht nebeneinander-liegender Elektroden an Halbleiterkoerpern - Google Patents

Description

DEUTSCHES

PATENTAMT

S64847Vnic/21g

ANMELDETAG: 10. SEPTEMBER 1959

BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UNDAUSGABE DER AUSLEGESCHRIFT:

7. SEPTEMBER 1961

Bei Halbleiteranordnungen kann die Aufgabe auftreten, paarweise dicht nebeneinanderliegende, vorzugsweise extrem kleinflächige metallische Kontakte auf der Oberfläche von Halbleiterkristallen herzustellen. Ein Beispiel hierfür bietet die Herstellung des S als MESA-Transistor bekannten Typs. Hier wird in einem beispielsweise p-leitenden Halbleiterkristall zunächst durch Eindiffundieren eines dampfförmigen, den entgegengesetzten Leitungstyp erzeugenden Aktivators, z. B. von Arsen oder Antimon, eine dünne η-leitende Oberflächenschicht erzeugt. Diese Schicht wird mit paarweise dicht nebeneinanderliegenden metallischen Elektroden versehen, von denen die eine in gleichrichtender, die andere in sperrfreier Verbindung mit der umdotierten Schicht der Halbleiter-Oberfläche steht. Die eine Elektrode wird durch Aufdampfen eines mit der umdotierten Schicht sperrfrei kontaktierenden Metalls, z. B. von mit Antimon oder Arsen versetztem Gold, die andere durch Aufdampfen eines den der umdotierten Schicht entgegengesetzten Leitungstyp hervorrufenden Metalls, im Beispiel Aluminium oder Indium, erzeugt. Bei der sich an das Aufdampfen anschließenden Wärmebehandlung legieren die beiden aufgedampften Metallelektroden in die umdotierte Halbleiterschicht ein und erzeugen die gewünschten Kontakte. Sie dienen als Emitter- und Basiselektrode, während die Kollektorelektrode durch Einlegieren eines sperrfrei kontaktierenden Metalls in das durch die erstgenannte Umdotierung unbeeinflußt gebliebene Gebiet des Halbleiterkristalls, beispielsweise von Aluminium oder Indium, hergestellt wird. Die umdotierte Halbleiterschicht wird für gewöhnlich bis auf die unmittelbare Umgebung der beiden aufgedampften Elektroden durch Ätzen abgetragen. Die aufgedampften und einlegierten Elektroden werden dann mit Anschlußdrähten versehen.

Bei der Herstellung dieses Transistors handelt es sich um eine schwierige, mit großer Sorgfalt durchzuführende Arbeit. Schon beim Erzeugen der umdotierten Schicht soll eine möglichst große Präzision angestrebt werden. Aber auch die Herstellung der beiden benachbarten Elektroden stellt hohe Anforderungen in bezug auf Maßhaltigkeit, denn von der Reproduzierbarkeit der Abmessungen dieser beiden Elektroden hängt es in hohem Maße ab» ob die Schwankungto der elektrischen Eigenschaften solcher Transistoren innerhalb der bei anderen Transistoren üblichen Grenze bleiben. Um einen Begriff über die zu beherrschenden Größenordnungen zu geben, sei darauf hingewiesen, daß bei Mesatransistoren die einander benachbart aufgedampften, als Emitter- und Basiselektroden dienenden Anschlüsse üblicherweise eine Verfahren und Vorrichtung
zum Erzeugen zweier dicht nebeneinanderliegender Elektroden an Halbleiterkörpern

Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,

Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2

Andreas Weißfloch, München,

Otto Frodl, Kreuzstraße bei Holzkirchen,

und Dr. Reinhard Dahlberg, Freiburg (Breisgau),

sind als Erfinder genannt worden

Fläche von je 25 · 50 μ² und einen gegenseitigen Abstand von 10 bis 20 μ besitzen. Es wird angestrebt, diese Größen noch erheblich zu unterschreiten.

Zur Erzeugung dieser Kontaktstellen wird üblicherweise das sogenannte Schrägaufdampfverfahren benutzt. Dieses arbeitet nach dem folgenden Prinzip: Über der zu kontaktierenden Halbleiteroberfläche ist mit Abstand eine Schablone angeordnet, welche beispielsweise aus einem thermisch hochbeständigen, gegen den Halbleiterkristall möglichst indifferenten Metallblech besteht und welche eine die Größe der aufgedampften Elektrode bestimmende Blendenöffnung aufweist. Gegen diese Blendenöffnung wird ein definierter Strahl des aufzudampfenden Metalls gerichtet. Der Strahl ist dabei um einen so großen Winkel gegen das Lot geneigt, daß der auf der Halbleiteroberfläche erzeugte Metallfleck nicht von dem Mittellot auf die Öffnung der Schablone getroffen wird. Zur Erzeugung der zweiten Elektrode wird ein zweiter Aufdampfstrahl ebenfalls schräg zum Lot, aber unter einem dem Reflexionswinkel des erstgenannten Aufdampfstrahles entsprechenden Winkel gegen die Blendenöffnung in der Schablone gerichtet. Beide Aufdampfstrahlen, die natürlich nicht gleichzeitig angewendet werden, treffen die Halbleiteroberfläche somit an verschiedenen Stellen. Wenn der parallaktische Winkel zwischen den beiden Aufdampfstrahlen und die Entfernung der Schablone von der Halbleiteroberfläche genügend groß gewählt ist,

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erhält man somit zwei vollständig voneinander getrennte und somit als zwei Elektroden verwendbare Aufdampfflecken.

Dieses an sich vorteilhaft erscheinende Verfahren hat den Nachteil, daß die Dampf strahlen an und in der Blendenöffnung eine gewisse Absehattung und eine gewisse Beugung erleiden, wodurch die Begrenzung der Aufdampfflecken diffus wird. Erwünscht ist jedoch eine möglichst scharfe Begrenzung der Kontaktflecken, da nur dann damit gerechnet werden kann, den im Hinblick auf die elektrischen Eigenschaften des Transistors optimalen Grad der größtmöglichen Annäherung zu erreichen. Gegenstand der Erfindung ist daher ein von dem bisher ausgeübten Verfahren in wesentlichen Punkten abweichendes Verfahren, welches diesen Grad der gegenseitigen Annäherung zu erreichen gestattet. Dabei wird unter anderem im Gegensatz zum Schrägauf dampfverfahren die Blendenöffnung der Schablone in Berührung mit dem Halbleiterkristall gehalten, was an sich bereits beim Aufdampfen von Mustern auf Spiegel oder andere Gegenstände bereits bekannt war.

Die Erfindung Jbezieht sich auf ein Verfahren zum Erzeugen zweier dicht nebeneinanderliegender, vorzugsweise extrem kleinflächiger Elektroden auf Halbleiterkörpern, bei dem Kontaktierungsmetalle unter Verwendung einer die Gestalt dieser Elektroden mittels einer Blendenöffnung festlegenden Schablone unter Vakuum aufgedampft und durch eine Wärmebehandlung in den Halbleiterkörper einlegiert werden.

Gemäß der Erfindung ist vorgesehen, daß der zu kontaktierende Halbleiterkörper in einer mit der Schablone mechanisch verbundenen Halterung unverrückbar befestigt wird, daß die Blendenöffnung in der Schablone in zwei durch Anschläge festgelegten Grenzlagen einer durch Führungen ermöglichten, vorzugsweise parallel zu der zu kontaktierenden Halbleiteroberfläche erfolgenden Verschiebung zwischen Kristallhalterung und Schablone die zu kontaktierende Halbleiteroberfläche dicht berührt und daß die Elektroden in diesen beiden Grenzlagen der Schablone auf die Halbleiteroberfläche, gegebenenfalls unter gleichzeitiger Temperung des Halbleiterkörpers, aufgedampft werden.

Da bei jenem Verfahren die Blendenöffnung während des Aufdampfens in dichter Berührung mit dem Halbleiterkristall steht, kann eine Unscharfe der Begrenzung der aufgedampften Elektroden — insbesondere dann, wenn der Dampfstrahl senkrecht zur Blendenöffnung gerichtet ist — nicht auftreten. Anderseits lassen sich auch kleine Verschiebungen der Schablone gegenüber dem Halbleiterkristall, ζ. B. in der Größenordnung von 5 bis 20 μ, mit sehr großer Genauigkeit reproduzierbar einstellen, wenn für das Verfahren nach der Erfindung eine Vorrichtung verwendet wird, bei der die Einstellung und vorzugsweise auch der Wechsel der beiden Grenzlagen der Verschiebung durch Gewichte und/oder elastische Federn und/oder einen oder mehrere Magnete, vorzugsweise Elektromagnete, erfolgt, welche den bewegliehen Teil bzw. Anschläge des beweglichen Teils des mechanischen Systems Kristallhalterung—Schablone gegen den ortsfesten Teil bzw. Anschläge des ortsfesten Teils drücken. Dabei wird zweckmäßig der Wechsel der Grenzlage nach dem Aufdampfen der 6g ersten Elektrode des zu erzeugenden Elektrodenpaares durch Zuschaltung eines zweiten, die Kraftwirkung des die vorherige Grenzlage festhaltenden Gewichtes gegen- und überkompensierenden Gewichtes durchgeführt, das den beweglichen Teil bzw. Anschläge des beweglichen Teils des Systems Kristallhalterung-—Schablone gegen Anschläge des festen Teils bzw. den festen Teil und somit in die zweite Grenzlage drückt. In analoger Weise können einander entgegenwirkende, entsprechend starke Federn verwendet werden. Die Verwendung von Gewichten hat allerdings den Vorzug einer größeren Temperaturunabhängigkeit. Weiter können auch Magnete, insbesondere Elektromagnete, die Halterung und/oder Verschiebung der Schablone 4 bewirken.

Das Verfahren nach der Erfindung ist in erster Linie von Bedeutung, wenn das Aufdampfen der zweiten Elektrode ohne Wechsel des Aufdampfgefäßes erfolgt. Gegebenenfalls kann, wenn die beiden Elektroden aus verschiedenen Metallen bestehen sollen, ein Wechsel des Aufdampfgefäßes vorgenommen werden, jedoch ist ein solcher Wechsel nicht nötig, sofern der von der einen Verdampfungsquelle erzeugte Metalldampf sich nicht auf der dann benötigten zweiten Verdampfungswelle niederschlagen kann.

Bei dem Verfahren nach der Erfindung kann der Halbleiterkristall auch mit mehreren Elektrodenpaaren gleichzeitig versehen werden, wenn die Schablone mit mehreren Blendenöffnungen versehen wird. Desgleichen können gegebenenfalls mehrere Halbleiterkristalle gleichzeitig in die Kristallhalterung derart eingepaßt werden, daß sie gleichzeitig mit Elektrodenpaaren versehen werden können.

In der Fig. 1 ist eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß der Erfindung beispielsweise dargestellt. Bei dieser Einrichtung, mit deren Hilfe das Wesen des Verfahrens nach der Erfindung erläutert werden soll, besteht die Kristallhalterung aus einem ortsfesten, vorzugsweise horizontal gehalterten Rahmen 2, dessen Aussparung 3 an der einen Seite (bei der in der Figur dargestellten Anordnung an der unteren Seite) durch die gegebenenfalls in einem weiteren Rahmen aufgespannte, aus einem dünnen ebenen Blech bzw. einer Folie bestehende, mittels einer Führung auf der Kristallhalterung 2 gleitend verschiebbar montierte Schablone 4 abgeschlossen ist und der den in die Aussparung 3 eingebrachten Halbleiterkristall 1 unverrückbar festhält und gegen die Schablone 4, z. B. mittels einer Federung 5, drückt. Die mit dem Halbleiterkristall 1 in unmittelbarer Berührung stehenden bzw. in dessen Nähe angeordneten Teile der Anordnung bestehen aus Tantal bzw. Molybdän bzw. Nickel. Die Schablone ist mit einer oder mehreren Blendenöffnungen 6 versehen.

Bei der in der Figur dargestellten Anordnung ist die Schablone der bewegliche Teil. Die Bewegung der Schablone wird durch die mit ihr verbundenen Anschläge? und la begrenzt. Die Anschläge sind in bekannter Weise verstellbar am Rahmen der Schablone befestigt, so daß die Anschläge und damit die Grenzlagen der Verschiebung verstellt werden können.

Bei dem in der Figur dargestellten Beispiel einer Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens gemäß der Erfindung ist je ein entsprechend bemessener, aus wärmebeständigem Material bestehender Stab 8,9 (vorzugsweise aus Isoliermaterial, z. B. Quarz) derart mit seiner Achse gegen je einen der beiden Anschläge 7, Ta der Schablone 4 gerichtet und in je

einer Führung parallel zu seiner Achse und der Richtung der Verschiebbarkeit der Schablone 4 so weit verschiebbar gelagert, daß er bei jeder im Bereich ihrer Verschiebbarkeit möglichen Stellung den ihm gegenüberliegenden Anschlag 7,7 α der Schablone erreicht. Dabei ist für die Verschiebung der Stäbe 8,9 gegen die Anschläge 7, la der Schablone 4 je ein durch ein Gewicht 10, 11 zu betätigender Hebel 12, 13 vorgesehen. Weiter sind die beiden Gewichte 10, 11 bzw. die beiden Hebelmechanismen 12, 13 auf unterschiedliche Kraftwirkung dimensioniert. Dies kann entweder durch unterschiedliche Länge der Hebelarme und/oder, wie es im Beispiel der Figur der Fall ist, durch unterschiedliche Größen der Gewichte 10, 11 erreicht werden. Dabei ist die Vorrichtung in dem in der Figur dargestellten Beispiel mit einer während des Aufdampfverfahrens lösbaren, auf den die stärkere Kraftwirkung ausübenden Hebelmechanismus einwirkenden Blockierung versehen. Diese Blockierung besteht aus einem durch Stromdurehgang zu zerstörenden Faden oder Stäbchen 14. welches den Anschlag des Hebels oder Gewichtes an den ihm zugeordneten Stab 8, 9 verhindert.

Während des Aufdampfens der ersten Elektrode des zu erzeugenden Elektrodenpaares bzw. der zu erzeugenden Elektrodenpaare wird das größere Gewicht 11 mittels des aus leitendem, leicht schmelzbarem Stoff bestehenden Fadens 14 hochgehalten.

Das kleinere Gewicht 10 ist dagegen freigegeben. Es wird mittels des Hebels 12 im Anschlag an dem ihm zugeordneten Stab 8 gehalten, wodurch dieser Stab seinerseits an den Anschlag 7 der Schablone anschlägt und die Schablone 4 in die für die Herstellung der ersten Elektrode des aufzudampfenden Elektrodenpaares erforderliche Grenzlage relativ zu dem zu kontaktierenden Halbleiterkristall drückt und in dieser Grenzlage festhält. Nach dem Aufdampfen der ersten Elektrode wird die Blockierung des zweiten Gewichtes gelöst. Zweckmäßig wird die Blockierung des die stärkere Kraftwirkung auf die Schablone ausübenden Hebelmechanismus durch einen den als Blockierung benutzten Faden oder das Stäbchen 14 durchschmelzenden elektrischen Strom gelöst (Stromquelle 15). Nach Lösung der Blockierung wird der Stab 9 gegen den Anschlag der Schablone 4 und diese in die für die Erzeugung der zweiten Elektrode des Paares erforderliche Grenzlage gedrückt und dort festgehalten. Der Unterschied zwischen den beiden Gewichten 10 und 11 ist dabei so groß zu bemessen, daß das zweite Gewicht 11 sich gegen das erste Gewicht 10 eindeutig durchzusetzen vermag und die Schablone in die zum Aufdampfen der zweiten Elektrode auf die Halbleiteroberfläche erforderliche Stellung bringt.

Da das Aufdampfverfahren vorzugsweise unter Vakuum (es wird ein Vakuum von 10~⁵ Torr oder besser angestrebt) vorgenommen wird, ist die Anordnung gemeinsam mit einem oder mehreren zur Erzeugung des Dampfes der Kontaktierungsmetalle dienenden Verdampfern 17,18 in einem vorzugsweise unter laufender Evakuierung stehenden Vakuumgefäß angeordnet. Das Gefäß ist mit den zur Erzeugung und Überwachung des Vakuums erforderlichen Gerätschaften (Vakuumpumpe 16, Manometer 17) ausgerüstet.

Als Verdampfer wird am günstigsten eine aus hochwärmebeständigem und gegen das geschmolzene Kontaktierungsmetall indifferentem Metall bestehende, mit einer kleinen Öffnung versehene beheizbare Kapsel verwendet, die das Kontaktierungsmetall enthält und bei entsprechend hoher Temperatur einen scharf definierten Strahl des Kontaktierungsmetalls aus der Öffnung austreten läßt, Die Öffnung ist dabei senkrecht gegen die Schablone bzw. die Blendenöffnungen 6 der Schablone gerichtet, Einfachere Anordnungen bestehen aus einer napfartig gewickelten Heizspule oder noch einfacher aus einem gegebenenfalls napfförmigen Blech, welches durch direkten Stromdurchgang oder durch Induktion geheizt wird. Einzelheiten hinsichtlich der beiden Verdampfer 18 und 18 α sind in der Figur nicht dargestellt. Die zwischen den beiden Verdampfern angeordnete Schirmwand 19 soll eine gegenseitige Verunreinigung der Verdampfer 18 und 18 α durch auf ihnen niederschlagendes Kontaktierungsmetall verhindern,

Da das Aufdampfen der Elektroden in den meisten Fällen mit einem gleichzeitigen Einlegieren verbunden ist, ist eine Temperung des Halbleiterkristalls 1 während des Aufdampfens wünschenswert, Zu diesem Zweck ist die Kristallhalterung 2 mit vorzugsweise an einander gegenüberliegenden Enden angebrachten, zur Zuführung eines die Kristallhalterung beheizenden elektrischen Stromes dienenden Kontaktanschlüssen versehen. Bei dem in der Figur dargestellten Beispiel dienen die Kontaktanschlüsse 20 und 21 gleichzeitig zum Tragen der KristaUhalterang 2, der beiden Hebelmechanismen 10, 12 und 11, 13 sowie der beiden Verschiebestäbe 8 und 9. Sie sind mit einer Stromquelle 22 verbunden, die den zur Beheizung erforderlichen Strom liefert. Die Beheizung der Anordnung durch einen die Kristallhalterung 2 durchfließenden elektrischen Heizstrom stellt eine einfache Art der Temperung der Halbleiterkristaile dar. Im Interesse einer besonders gleichmäßigen Temperung empfiehlt es sich jedoch, einen besonderen Ofen zu verwenden. Dieser kann z. B. aus einem oder mehreren von einem Heizstrom durchflossenen Körper(n) aus Tantal- oder Molybdänblech bestehen, die die aus Kristallhalterung und Schablone bestehende Verschiebeeinrichtung umschließen. Eine Ausführung ist in Fig. 2 dargestellt. Die Darstellungen in dieser Figur sind auf die Anordnung der Verschiebeeinrichtung im Ofen beschränkt. Sie ist demgemäß, z. B. ähnlich wie in Fig. 1, durch die die Schablone 4 verschiebenden Gewichts- oder auch Federmechanismen sowie durch ein die Anordnung umschließendes Vakuumgefäß und die elektrischen Zuführungen zu ergänzen. Der Ofen ist am vorderen Ende aufgebrochen, um die wesentlichen Teile der Verschiebeeinrichtung zu zeigen.

Die rahmenförmige Halterung 2 für den Halbleiterkristall 1 wird durch Stäbe 2a .., Zd ortsfest in einem Support gehaltert, der gleichzeitig als Träger der Gewichtsmechanismen oder Fedenneehanismen dienen kann. Die von diesen Mechanismen ausgeübte Kraft wird über die Stäbe 8 und 9 auf die Anschläge 7 und la der Schablone 4 (nur der Anschlag 7 ist sichtbar) übertragen. Zweckmäßig bestehen die Stäbe 2ß .. . 2d sowie 8 und 9 aus Isolierstoff, vorzugsweise aus Quarz oder Keramik, so daß die Verschiebeeinrichtung (d. h. Kristallhalterung und Schablone) isoliert im Ofen angeordnet sind. Der Ofen besteht aus zwei getrennten, die Verschiebeeinrichtung ,schachtelartig umschließenden Metallblechen 23, 24 aus Tantal oder Molybdän, die durch einen über Elektroden zugeführten Strom (nur die

hintere Elektrode 25 des oberen Bleches 23 ist in der Figur zu sehen) beheizt werden. Durch lochartige Ausnehmungen 26 der Bleche 23 und 24 kann der Stromfluß durch die beiden Bleche gelenkt und damit auch die Wärmeverteilung in gewissem Umfang gesteuert und damit wenigstens in den Zentralteilen des Ofens eine gleichmäßige Temperatur erreicht werden. In diesem Zentralteil des Ofens soll sich die Verschiebeeinrichtung befinden. Die Temperatur wird durch ein oder mehrere an der Verschiebeeinrichtung ίο angebrachte Thermoelemente (in der Figur nicht dargestellt) überwacht. Die Verdampfer sind in der Figur ebenfalls nicht dargestellt. Sie befinden sich außerhalb der beiden Bleche 23, 24, so daß das den Verdampfern zugewandte der beiden Bleche mit einer oder mehreren Öffnungen 27 durchbrochen sein muß, um den aus den Kontaktierungsmetallen bestehenden Dampfstrahlen den Zutritt zu den Halbleiterkristallen 1 zu ermöglichen.

Mit Hilfe des Verfahrens und der Vorrichtung gemäß der Erfindung lassen sich bei der eingangs beschriebenen Herstellung des Mesatransistors auch Elektroden mit scharfen Konturen und höchster Präzision herstellen. Wegen der dadurch erzielten Genauigkeit der Einstellung der elektrischen Eigenschäften und der Reproduzierbarkeit dieser Eigenschaften bietet das vorliegende Verfahren besondere Vorteile gegenüber den bisher üblichen Verfahren.

Claims (15)

PATENTANSPRÜCHE:

1. Verfahren zum Erzeugen zweier dicht nebeneinanderliegender, vorzugsweise extrem kleinflächiger Elektroden auf Halbleiterkörpern, bei dem Kontaktierungsmetalle unter Verwendung einer die Gestalt dieser Elektroden mittels einer Blendenöffnung festlegenden Schablone unter Vakuum aufgedampft und durch eine Wärmebehandlung in den Halbleiterkörper einlegiert werden, dadurch gekennzeichnet, daß der zu kontaktierende Halbleiterkörper in einer mit der Schablone mechanisch verbundenen Halterung unverrückbar befestigt wird, daß die Blendenöffnung in der Schablone in zwei durch Anschläge festgelegten Grenzlagen einer durch Führungen ermöglichten, vorzugsweise parallel zu der zu kontaktierenden Halbleiteroberfläche erfolgenden Verschiebung zwischen Kristallhalterung und Schablone.die zu kontaktierende Halbleiteroberfläche dicht berührt und daß die Elektroden in diesen beiden Grenzlagen der Schablone auf die Halbleiteroberfläche, gegebenenfalls unter gleichzeitiger Temperung des Halbleiterkörpers, aufgedampft werden.

2. Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristallhalterung aus einem ortsfesten, vorzugsweise horizontal gehalterten rechteckigen Rahmen (2) besteht, dessen Aussparung (3) an der einen Seite durch die gegebenenfalls in einem weiteren Rahmen aufgespannte, aus einem dünnen Blech oder einer Folie bestehende, mittels einer Führung auf der Kristallhalterung (2) gleitend verschiebbar montierte Schablone (4) abgeschlossen ist und der den in die Aussparung (3) eingebrachten Halbleiterkristall (1) unverrückbar festhält und gegen die Schablone (4), z. B. mittels einer Federung (5), drückt.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß Gewichte und/oder elastische Federn und/oder ein oder mehrere Magnete den beweglichen Teil des Systems Kristallhalterung— Schablone bzw. dessen Anschläge gegen den ortsfesten Teil bzw. dessen Anschläge drücken und damit die Einstellung und vorzugsweise auch den Wechsel der beiden Grenzlagen der Verschiebung bewirkt.

4. Vorrichtung nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch ein zweites die Kraftwirkung des die andere Grenzlage festhaltenden Gewichtes überkompensierendes Gewicht, das den beweglichen Teil in die zweite Grenzlage drückt.

5. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die mit dem Halbleiterkristall (1) unmittelbar in Berührung stehenden bzw. in seiner Nähe angeordneten Teile aus Tantal und/oder Molybdän und/oder aus Nickel bestehen.

6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß je ein aus wärmebeständigem Material bestehender Stab (8, 9) mit seiner Achse gegen je einen der beiden Anschläge (7, la) der Schablone (4) gerichtet und in je einer Führung parallel zu seiner Achse und der Richtung der Verschiebbarkeit der Schablone (4) so weit verschiebbar gelagert ist, daß er bei jeder möglichen Stellung der Schablone an den ihm gegenüberliegenden Anschlag (7, Ία) der Schablone anschlägt.

7. Vorrichtung nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch je einen durch ein Gewicht (10, 11) zu betätigenden Hebel (12, 13) für die Verschiebung der Stäbe (8, 9) gegen die Anschläge (7, la) der Schablone (4).

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß sie mit einer während des Aufdampfverfahrens lösbaren, auf den die stärkere Kraftwirkung ausübenden Hebelmechanismus einwirkenden Blockierung versehen ist.

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Blockierung aus einem durch Stromdurchgang zu zerstörenden, den Anschlag des Hebels oder Gewichtes an dem ihm zugeordneten Stab (8, 9) verhindernden Faden oder Stäbchen (14) besteht.

10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristallhalterung (2) mit vorzugsweise an einander gegenüberliegenden Enden angebrachten, zur Zuführung eines die Kristallhalterung beheizenden elektrischen Stromes dienenden Kontaktanschlüssen versehen ist.

11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 10, gekennzeichnet durch einen aus einem oder mehreren Tantal- oder Molybdänblechen bestehenden, durch direkten Stromdurchgang zu beheizenden Ofen, der die Kristallhalterung und die Schablone umschließt.

12. Verfahren zum Erzeugen von paarweise dicht nebeneinanderliegenden Elektroden auf Halbleiterkörpern nach Anspruch 1 unter Verwendung einer Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode unter Blockierung des die größere Kraftwirkung übertragenden Hebelmechanismus und Freigabe des die geringere

Kraftwirkung übertragenden Hebelmechanismus in der einen Grenzlage der Vorrichtung unter Vakuum durch Aufheizen des zur Erzeugung der ersten Elektrode vorgesehenen Verdampfers unter Temperung des Halbleiterkristalls aufgedampft und einlegiert wird, daß dann durch Lösung der Blockierung des die größere Kraftwirkung übertragenden Hebehnechanismus die zweite Grenzlage der Vorrichtung eingestellt und fixiert und durch Aufheizen des zur Erzeugung der zweiten ίο Elektrode bestimmten Verdampfers diese unter Temperung des Halbleiterkristalls aufgedampft und einlegiert wird.

13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperung der Halbleiterkristalle während des Aufdampfens durch direkte elektrische Heizung der Kristallhalterung (2) und/oder einen besonderen, die Kristallhalterung umschließenden elektrischen Ofen vorgenommen wird.

14. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung der Blockierung des die stärkere Kraftwirkung auf die Schablone

ausübenden Hebehnechanismus durch einen den als Blockierung benutzten Faden oder Stäbchen durchschmelzenden elektrischen Strom bewirkt wird.

15. Verfahren zum Herstellen eines Transistors unter Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 und 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem durch Eindiffundieren eines gas- oder dampfförmigen, den entgegengesetzten Leitungstyp erzeugenden Aktivators in einen Halbleiterkristall von gegebenem Leitungstyp umdotierten Teil der Oberfläche dieses Halbleiterkristalls ein aus einer gleichrichtenden und einer sperrfreien Elektrode bestehendes, in den Halbleiterkörper einlegiertes Elektrodenpaar und auf dem hinsichtlich seines Leitungstyps unbeeinflußt gebliebenen Teil des Halbleiterkristalls eine weitere sperrfreie oder gleichrichtende Elektrode aufgebracht wird.

In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschrift Nr. 2453 582;
»Electronic Industries«, August 1958, S. 55 bis 60.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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