DE1221693B

DE1221693B - Schaltung zur Demodulation amplituden-modulierter Schwingungen mit einer Diode

Info

Publication number: DE1221693B
Application number: DET26666A
Authority: DE
Inventors: Heinz Rinderle
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1964-07-24
Filing date: 1964-07-24
Publication date: 1966-07-28

Description

Schaltung zur Demodulation amplitudenmodulierter Schwingungen mit einer Diode Es ist eine Demodulatorschaltung mit Diode für Transistorempfänger bekannt, bei der als Belastungswiderstand der Diode der Eingangswiderstand eines in Emitterschaltung arbeitenden Transistors dient, von dessen ohmschem Außenwiderstand die Niederfrequenzspannung abgenommen wird. Der Vorteil dieser Schaltung gegenüber,der üblichen Demodulatorschaltung mit Diode und ohmschem Belastungswiderstand und kapazitiv angekoppeltem Niederfrequenzverstärker liegt darin, daß sich der Gleichstrom-Lastwiderstand und der NF-Lastwiderstand der Diode kaum voneinander unterscheiden, so daß die sonst bei größerem Modulationsgrad auftretenden Verzerrungen fortfallen. Es hat sich aber gezeigt, daß die trotz selbsttätiger Verstärkungsregelung des Empfängers auftretenden Schwankungen des dem Demodulator zugeführten Signalpegels so groß sind, daß bei großem Signalpegel bei den Modulationsspitzen Verzerrungen durch Übersteuerung des Kollektors der vorhergehenden ZF-Treiberstufe auftreten und bei kleinem Signalpegel die Gleichrichtung nichtlinear wird.
Die Erfindung vermeidet weitgehend diesen Nachteil. Sie besteht darin, daß bei der bekannten Schaltung das Verhältnis des die Diode speisenden Quellwiderstandes zum Eingangswiderstand des Transistors so groß bemessen ist, daß der Transistor stromlinear gesteuert wird. Diese Bedingung ist am leichtesten durch Verwendung der Basisschaltung zu erfüllen.
Bei der bekannten Schaltung ist .das beanspruchte Verhältnis nicht erfüllt, wenl man ohne Kenntnis der Erfindung die Schaltung so bemessen wird, daß eine große Selektion auftritt und deshalb der vor der Diode liegende Schwingungskreis durch die Diode möglichst wenig belastet wird, also .die Bedämpfung höchstens verdoppelt wird. Bei der erfindungsgemäßen Bemessung findet jedoch eine starke Bedämpfung des Schwingungskreises statt, die bei größerem Signalstrom zunimmt, so daß bei größerem Signal die Kollektorwechselspannung das vorhergehenden Transistors weniger stark ansteigt. Die Gefahr des Auftretens von Verzerrungen durch Übersteuerung ist also vermindert.
Die Zeichnung zeigt ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Demodulatorschaltung. Der ZF-Treibertransistor 1 speist über eine Koppelwicklung den Demodulatorschwingungskreis 2. Der durch die Diode 3 gleichgerichtete Signalstrom (Richtstrom) fließt über die Elemente Transistor 4 (vom Emitter zum Kollektor), Lautstärkepotentiometer 5, Batterie 6 und Widerstand 7 zur Diode 3 zurück. Nur ein kleiner Teil des Richtstromes fließt über die Emitter-Basis-Strecke.
Die Wirkung der erfindungsgemäßen Schaltung entsteht dadurch, daß die Gleichridhterschaltung 2, 3 sehr niederohmig durch den Eingangswiderstand des Transistors 4 (insbesondere in Basisschaltung) belastet ist und dadurch bei Verwendung eines hochohmigen Schwingungskreiswiderstandes 2 der Transistor 4 stromlinear angesteuert wird. Der Richtstrom ist somit dem ZF-Kollektorstrom von 1 proportional. Da mit zunehmendem Richtstrom bzw. Signalstrom der Eingangswiderstand des Transistors 4 abnimmt und dadurch der Schwingungskreis mehr bedämpft wird, wird dieAussteuerungsgrenze für die Kollektorspannung des Transistors 1 gegenüber den bekannten Schaltungen in bezug auf das Steuersignal an der Basis von 1 weit später erreicht.
Zur Erzeugung einer Regelspannung kann der Richtstrom über einen Widerstand 7 geleitet werden. Die entstehende Regelspannung an 7 hat jedoch eine solche Richtung, daß damit eine Abwärtsregelung vorn pnp-Transistoren über die Basisspannung nicht möglich ist. Dagegen kann eine Abwärtsregelung eines pnp-Transistors erreicht werden, wenn der Richtstrom des erfindungsgemäßen Demodulators als Regelstrom über den Emitterwiderstand der zu regelnden Stufe geleitet wird. Dem Lautstärkepotentiometer 5 kann die Ausgangsspannung entnommen werden, welche im :allgemeinen zur direkten Ansteuerung einer Transistor-Treiberstufe ausreicht. Die Elemente 8 und 9 dienen zur Hochfrequenzsiebung für den Transistor 4 und der Kondensator 9 dient außerdem zur niederfrequenten Siebung der Regelspannung bzw. des Regelstromes.
Es ist auch möglich, durch Vertauschung von 5 mit der Kombination 7 und 9 die Regelgröße von der Kolllektorseite und das niederfrequente Nutzsignal von der Emitterseite zu entnehmen.

Claims

Patentansprüche: 1. Schaltung zur Demodulation amplitudenmodulierter Schwingungen mit einer Diode, bei der als Belastungswiderstand .der Diode der Eingangswiderstand eines Transistors dient, von dessen ohmschem Außenwiderstand die Niederfrequenzspannung abgenommen wird, d a d u r c h g @e k e n n z e i c h n e t , daß das Verhältnis des die Diode speisenden Quellwiderstandes zum Eingangswiderstand des Transistors so groß bemessen ist, daß der Transistor stromlinear gesteuert wird.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor in Basisschaltung betrieben wird.
3. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor zugleich zur Gewinnung der Regelspannung bzw. des Regelstromes für die selbsttätige Verstärkungsregelung dient. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift R 15864 VIII a/21 a4 (bekanntgemacht am 9. 5. 1956); schweizerische Patentschrift Nr. 334 480; »IRE-Transactions an Broadcast and Televisionreceivers«, Dezember 1959, S. 46 bis 52.