-
Schutzschaltung für den Eingangskreis eines Empfängers Die Erfindung
bezieht sich auf eine Schutzschaltung für den Eingangskreis eines mit einem Transistor
versehenen Empfängers.
-
Bei mit Transistoren arbeitenden Empfängern ergibt sich der Nachteil,
daß eine auf Blitzschlag, der Annäherung des Senders od. dgl. beruhende Spannung
dem Eingangskreis zugeführt und der Transistor des Hochfrequenzverstärkers in der
ersten Stufe beschädigt oder in seinen Eigenschaften verschlechtert werden kann.
Um diese Nachteile zu vermeiden, ist bisher entsprechend F i g. 1 in den
Eingangskreis die Diode D eingeschaltet worden, an die eine Vorspannung in
der Sperrichtung angelegt ist. Beim Anlegen der erhöhten Spannung an den Eingang
E wird die Vorspannung der Diode D in der Sperrichtung abgebaut und
auf den Wert Null eingestellt, wodurch das Auftreten der erhöhten Spannung am Ausgang
A unterdrückt wird. Der übergang von der Sperrichtung in die Durchlaßrichtung
der Diode D erfolgt nur allmählich und der Unterdrückungsgrad der erhöhten
Eingangssignale kann verschlechtert werden. Um dies zu vermeiden, ist es bekannt,
den Widerstand zu verkleinern, damit der übergang der Vorspannung versteilert wird.
Dieses Verfahren bringt eine Zunahme des Leistungsverbrauchs mit sich, was sehr
nachteilig ist.
-
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diese Nachteile zu vermeiden
und eine Schutzschaltung mit hohem Unterdrückungsgrad und kleinem Leistungsverbrauch
zu schaffen. Gemäß der Erfindung, welche sich auf eine Schutzschaltung gegen zu
hohe Spannungen für den Eingangskreis eines Empfängers unter Verwendung einer Diode
bezieht, wird dies dadurch erreicht, daß die Schutzdiode, die mit einer Vorspannung
in der Sperrichtung versorgt ist, als ein Teil des Abstimmungskreises in dem Eingangskreis
eingeschaltet ist, daß die Vorspannung dieser Diode durch einen entsprechend der
Größe der Eingangssignalspannung in Betrieb gesetzten Transistor bestimmt ist, und
daß bei der Steigerung der Eingangssignalspannung durch Sättigung des Transistors
die Vorspannung abgebaut wird.
-
Bei der Schutzschaltung gemäß der Erfindung wird je nach der
Steigerung der Eingangssignalspannung die Vorspannung der Diode schnell auf die
Durchlaßrichtung gebracht, der Unterdrückungsgrad verbessert und der Leistungsverbrauch
für den Betrieb der Schutzschaltung sehr verkleinert.
-
Nachstehend ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung an Hand der
Zeichnung näher erläutert. In F i g. 2 ist die Schutzschaltung durch den
aus der Spule L, den Kondensatoren C 1, C 2 und der Kapazität der
Schutzdiode D 2 bestehenden Resonanzkreis auf die Durchlaßfrequenz der Schaltung
abgestimmt. D 1 stellt die Diode dar, die dem Widerstand R
1 des Transistors Tr für die Verstärkung des Gleichstroms einen Teil der
Eingangssignale gleichrichtend zuführt. Mit C3 und C4 sind die Nebenschlußkondensatoren
und mit R2 der Widerstand der Schutzdiode D 2 bezeichnet.
-
Wenn bei einer solchen Schaltung ein kleines SignalVE der EingangsklemmeE
zugeführt wird (vgl. F i g. 4, Linie a), wird der durch die Diode bedingte
Spannungsabfall des Widerstandes R 1, das ist die Vorspannung VT des Transistors
Tr, wie aus F i g. 3 ersichtlich ist, kaum bemerkt und es fließt kein Kollektorstrom
beim Transistor Tr. Die Schutzdiode D 2 erhält die durch den Widerstand R
2 bedingte Vorspannung und hält, wie in F i g. 3 mit der Kurve VD gezeigt
ist, die hohe Vorspannung in der Sperrichtung aufrecht. Wenn über das mittlere Signal
(Linie b in F i g. 4) hinaus die erhöhten Signale (Linie c in F i
g. 4) der Eingangsklemme E zugeführt werden, wird entsprechend der
in F i g. 4 gezeigten Kennlinie der Diode D 1 eine Halbwelle des Eingangssignals
S gleichgerichtet. Am Widerstand R 1
treten dadurch Spannungen
VT' auf, die an die Basis des Transistors Tr gelangen, der Kollektorstrom zieht.
Die Vorspannung VT des Transistors Tr wird, wie aus F i g. 3 ersichtlich,
entsprechend der Zunahme der Eingangssignalspannung VE gesteigert, und diese Steigerung
reicht bis an die Kollektorsättigungsspannung.
Die Vorspannung YD
der Schutzdiode D 2 ist dann - U + IcR 2 (Ic = Kollektorstrom
des Transistors). Den Verlauf dieser Spannung stellt die in F i g. 3 mit
YD bezeichnete Kennlinie dar, bis der Kollektor des Transistors den Sättigungspunkt
(e) erreicht.
-
Auf diese Weise stellt die Vorspannung der SchutzdiodeD2 in der Sperrichtung
an dem durch den Sättigungspunkt des Transistors bestimmten Punkt sprunghaft die
Nullvorspannung her und die Unterdrückungskennlinie der Eingangssignale wird, wie
in F i g. 5 gezeigt ist, sehr versteilert.
-
In F i g. 5 sind mit VE die Eingangssignalspannung,
mit VA die Ausgangsspannung bezeichnet. Am Punkt d beginnt die Unterdrückung
einer erhöhten Eingangsspannung. Nach der Erfindung wird somit bei der kleineren
Eingangssignalspannung der Transistor Tr nicht in Betrieb gesetzt, auch die Vorspannung
der Schutzdiode in der Sperrichtung ist hoch und der Leistungsverbrauch sehr gering.
Da die Vorspannung der Schutzdiode durch den Spannungsabfall am Widerstand R 2 bestimmt
wird, welcher auf dem aus der Stromversorgung entnommenen Kollektorstrom Ic des
Transistors Tr beruht, wird die Diode D2 auf der Vorspannung in der Sperrichtung
gehalten, bis die Eingangssignalspannung gesteigert und der Kollektor des Transistors
Tr gesättigt wird. Gleichzeitig mit der Erreichung des Sättigungspunktes wird die
Vorspannung Null, so daß auch die Unterdrückungskennlinie sehr versteilert wird
und der Schutz des Empfängers gewährleistet ist.