DE1216929B

DE1216929B - Bistabile Kippschaltung

Info

Publication number: DE1216929B
Application number: DEJ24948A
Authority: DE
Inventors: David Hsiong Chung; Philip Mason Marino
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1962-12-28
Filing date: 1963-12-17
Publication date: 1966-05-18
Also published as: JPS411164B1

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND DEUTSCHES #|S PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. Cl.:

Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:

H03k

Deutsche KL: 21 al-36/18

J 24948 VIII a/21 al

17. Dezember 1963

18. Mai 1966

Die Erfindung betrifft eine bistabile, durch Eingangsimpulse umschaltbare Kippschaltung mit zwei gleichpolig in Serie zwischen zwei festen Spannungen geschalteten Tunneldioden, an deren Knotenpunkt ein Vorspannungspotential liegt und von denen jeweils eine geöffnet und die andere geschlossen ist.

Kippschaltungen dieser Art sind mit einem Tunneldiodenpaar bestückt, weil dadurch infolge der Charakteristik von Tunneldioden hohe Schaltgeschwindigkeiten erzielbar sind.

Bei einer aus »Proceedings of the IRE«, Januar 1961, S. 145, bekannten Kippschaltung dieser Art wird das Tunneldiodenpaar durch Eingangsimpulse in der Weise geschaltet, daß es immer denjenigen von zwei möglichen Spannungszuständen annimmt, der dem Potential des Eingangssignals entspricht. Dadurch ist eine Leistungsverstärkung bei geringer Verzerrung erzielbar. Synchronisierbar ist diese Kippschaltung nicht.

Auch bei anderen bistabilen Kippschaltungen in datenverarbeitenden Systemen sind oft hohe Schaltgeschwindigkeiten wünschenswert. Dies gilt insbesondere für Kippschaltungen, die als Kurzzeitspeicher verwendet werden oder die dazu verwendet werden, Datenimpulse, die nicht mehr mit der ursprünglichen Synchronisation zusammenfallen, erneut zu synchronisieren. In beiden Fällen erfolgt die Umschaltung des Diodenpaars nicht allein in Abhängigkeit von Eingangsimpulsen, sondern auch in Abhängigkeit von Taktimpulsen. Diese Schaltungen sind also synchronisierbar.

Eine aus der deutschen Auslegeschrift 1117 646 bekannte synchronisierbare Schaltung dieser Art ist mit Transistoren bestückt.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltung der eingangs genannten Art. synchronisierbar auszugestalten, und zwar unter Verwendung von möglichst wenigen Schaltelementen.

Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß an den Knotenpunkt der Tunneldioden ein vorgespannter, von Zeitimpulsen beaufschlagter Zeitkreis und ein von Eingangsimpulsen und dem Zeitkreis beaufschlagter Eingangskreis angeschlossen sind und daß der Eingangskreis ein Halbleiterschaltelement aufweist, das nur bei gleichzeitigem Vorliegen eines Zeit- und eines Eingangsimpulses die Umschaltung des Diodenpaares bewirkt, und daß der Zeitkreis ein Halbleiterschaltelement aufweist, das bei alleinigem Vorliegen eines Zeitimpulses die Rückschaltung des Diodenpaares bewirkt.

Mit der Erfindung ist es möglich, bei einfachem schaltungstechnischen Aufbau die bekannten Vor-Bistabile Kippschaltung

Anmelder:

International Business Machines Corporation,
Armonk, N. Y. (V. St. A.)

Vertreter:

Dr. H. K. Hach, Patentanwalt,

Mosbach (Bad.), Waldstadt, Hirschstr. 4

Als Erfinder benannt:
David Hsiong Chung,
Philip Mason Marino,
Poughkeepsie, N. Y. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:.
V. St. v. Amerika vom 28. Dezember 1962
(247 971)

teile von Tunneldioden in synchronisierbaren bistabilen Kippschaltungen auszunutzen.

Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung zweier bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung, die in der Zeichnung dargestellt sind. An der Zeichnung zeigt Fig. 1 die Schaltung eines Ausführungsbeispiels nach der Erfindung,

F i g. 2 das Kennliniendiagramm eines bistabilen Tunneldiodenpaars mit verschiedenen zugehörigen Ladeniveaulinien, die bei Betrieb der Schaltungen nach Fig. 1 und 4 auftreten,

F i g. 3 im Impulsdiagramm den zeitlichen Ablauf der Impulse aus der Schaltung nach F i g. 1,

F i g. 4 die Schaltung eines weiteren Ausfuhrungsbeispiels nach der Erfindung und
Fig. 5 im Impulsdiagramm den zeitlichen Ablauf der Impulse der Schaltung aus F i g. 4.

Bei der in Fig. 1 dargestellten bistabilen Kippstufe ist mit 12 eine Leitung bezeichnet, die zur Übertragung der Daten und als Rückleitung für die Schaltung dient. Der Eingangsanschluß der Leitung ist mit 14 und der Ausgangsanschluß mit 16 bezeichnet. Die beiden Tunneldioden 20 und 22, die

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3 4

das Tunneldiodenpaar 18 bilden, machen die Schal- am Ausgangsanschluß 16 auf den niedrigen Wert tung bistabil. An dem Knotenpunkt 19 liegt die (—200 Millivolt) zu halten. Die Tunneldiode 20 ist Kathode der einen und die Anode der anderen Tun- dabei im Sperrzustand und die Tunneldiode 22 befinneldiode. Die andere Anode bzw. Kathode der Tun- det sich im Durchlaßzustand, so daß die — 200-Mülineldioden ist an +200 bzw. —200 Millivolt an- 5 volt-Spannung auf der Leitung 12 liegt. Dieser Zugeschlossen. An der Leitung 12 liegen unter Zwi- stand entspricht in Fig. 2 dem Schnittpunkt schenschaltung. des Widerstandes 24 . ebenfalls 102(£?ÜZ5) zwischen der Ladeniveaulinie 104 und 200 Millivolt. Diese Schaltung ist in dem Aufsatz der Kennlinie 100.

»A Survey of Tunnel Diode Digital Techniques« von In Fig. 3 sind die in der Schaltung aus Fig. 1

Sims und weiteren, der auf S. 145 der Proceedings ιό auftretenden diversen Impulse im Zeitdiagramm dar-

of the IRE, Januar 1961, abgedruckt ist, beschrieben. gestellt. Mit 150 und 152 sind die Daten- und Zeit-

Das an die 200 Millivolt angeschlossene Tunnel- impulse bezeichnet, die am Eingangsanschluß 14 und

diodenpaar 18 bildet zusammen mit dem Widerstand am Basisanschluß 32 auftreten. Mit 154 ist ein

24 eine bistabile Schaltung, deren Kennlinie 100 und Stromimpuls bezeichnet, der durch einen Zeitimpuls

zugehörige Ladeniveaulinie 104 in F i g. 2 dargestellt 15 in der Diode 26 ausgelöst wird, und mit 156 ist ein

sind. In Fig. 2.ist die Spannung des Tunneldioden- Ausgangsimpuls bezeichnet, der durch die genannten

paars 18 in Abhängigkeit von dem Strom am Impulse am Ausgangsanschluß 16 ausgelöst wird.

Knotenpunkt 19 aufgetragen. Durch den Widerstand Ein Datenimpuls verursacht, wie aus der ersten

24 fällt die Ladeniveaulinie 104 im Verhältnis zur Zeile der. F i g. 3 ersichtlich, eine Unterbrechung des

Kennlinie 100 ab. Die Ladeniveaulinie 104 wird ab- ao Stroms Ib am Eingangsanschluß 14. Dies wirkt sich

hängig vom Vorzeichen des am Knotenpunkt 19 auch an dem Knotenpunkt 19 aus, und zwar hebt

fließenden Stromes gegenüber der Kennlinie 100 an- sich dadurch die Ladeniveaulinie 104, wie ausFig. 2

gehoben oder gesenkt." Die Arbeitsweise des Tunnel- ersichtlich, gegenüber der Kennlinie 100 an, der

diodenpaars 18 wird im folgenden im einzelnen be- Schnittpunkt zwischen diesen beiden Linien liegt

schrieben: 25 dann bei 106. Der Strom /5 ist so bemessen, daß

Durch die Diode 26 sowie die Transistoren 28 und die Tunneldioden 20 und 22 in einem solchen Fall 30 wird das Vorzeichen des Stroms am Knotenpunkt nicht umschalten können» Die Folge ist, daß sich die 19 gesteuert. Über die Basiselektrode 32 des Tran- Ladeniveaulinie auf Grund eines Datenimpulses nach sistors 28 werden Zeitimpulse C in die Schaltung ein- oben bewegt, ohne daß ein Schaltvorgang ausgelöst gesteuert. Der Transistor 28 ist ein NPN-Transistor 30 wird. Wenn jedoch gleichzeitig ein Zeitimpuls an der (das gleiche gilt auch für alle übrigen Transistoren Basiselektrode32 auftritt (vgl. 152 in Fig. 3), dann aus den Schaltungen in F i g. 1 und 4). Durch nahe- wird der Transistor 28 leitend, und durch den Tranliegende Maßnahmen können an Stelle dieser Tran- sistor fließt ein Strom I_Cv Wenn der Transistor sistoren unter entsprechender Änderung der Span- leitend wird, dann steigt die Spannung am Emitter nungsniveaus auch PNP-Transistoren verwendet 35 gegen das Kollektorpotential und damit auch die werden. Spannung in der Leitung 36, so daß der Transistor

Der Kollektor des Transistors 28 ist an die 30 leitend wird. Hierdurch wird das Kathodenpoten-

Leitung 12 angeschlossen, und der Emitter ist über tial der Diode 26 geerdet. Da das Anodenpotential

einen Widerstand 34 an —3 Volt angeschlossen. Der der Diode 26 bei —200 Millivolt liegt, solange die

Emitter des Transistors 28 ist über die Leitung 36 40 Tunneldiode 22 geöffnet ist, entsteht in dem Strom/_c

außerdem an die Basis des Transistors 30 angeschlos- ein Impuls, der in Fig. 3 mit 154 bezeichnet ist. Für

sen. Demzufolge wird der Leitungszustand des den Strom I_c steht nun kein anderer Weg als durch

Transistors 30 durch den des Transistors 28 ge- die Tunneldiode 22 zur Verfügung. Dieser Strom

steuert. Der Kollektor des Transistors 30 ist geerdet, übersteigt nun den Schaltstrom 109 für das Tunnel-

und sein Emitter ist zwischen der Kathode der Diode 45 diodenpaar 18. Die Folge ist, daß die Tunneldiode

26 und dem Widerstand 38 angeschlossen. Die 20 leitend wird und die Tunneldiode 22 in ihren

Anode der Diode 26 liegt an der Leitung 12, und die Sperrzustand umgeschaltet wird. Diesem Schaltvor-

Kathode ist über den Widerstand 38 an — 3VoIt gang entspricht der Schnittpunkt 108(OCD) aus

angeschlossen. F i g. 2 zwischen der Ladeniveaulinie 104 und der

Die Kippschaltung befindet sich, wenn kein Daten- 50 Kennlinie 100. Die Spannung an dem Ausgangsimpuls (D) und kein Zeitimpuls (C) vorliegt und am anschluß 16 steigt dann von —200 auf +200MiIIi-Ausgang die niedrige Spannung (O) vorliegt, im volt an, wie dies in der letzten Zeile der F i g. 3 einRuhezustand. Unter diesen Voraussetzungen fließt gezeichnet ist. Dieser Vorgang ereignet sich, wenn aus dem Eingangsanschluß 14 ein Strom (Is), der ein Datenimpuls und ein Zeitimpuls gleichzeitig voranzeigt, daß kein Datenimpuls (D) vorliegt. Dieser 55 liegen.

Strom gelangt aus der 200-Millivolt-Spannung über Wenn der Datenimpuls und der Zeitimpuls fortden Widerstand 24 in die Schaltung. Das gleiche gilt fällt, dann fließt wieder der Strom /5, und die Tranfür die Ströme I_Cl und /_c. Da kein Zeitimpuls vor- sistoren 28 und 30 geraten in Sperrstellung, so daß liegt, liegt eine negative Spannung an der Basis 32 der Strom I₀ wieder durch die Diode 26 fließen kann, des Transistors 28, die auf den Emitter zurückwirkt 60 Die Folge ist, daß sich die Ladeniveaulinie 104 aus und diesen sperrt. Wenn der Transistor 28 gesperrt Fig. 2 wieder nach unten bewegt. Der Schnittpunkt ist, dann reicht die an der Leitung 36 auftretende zwischen diesen Linien liegt nun bei UO(OOTT). Spannung aus, den Transistor 30 zu sperren. Durch Es fließt nun kein positiver Strom in den Knotenden gesperrten Transistor 30 entsteht an der Kathode punkt. Der Strom fließt vielmehr aus dem Knotender Diode 26 ein Potential von etwa —3 Volt, wo- 65 punkt 19, reicht aber nicht aus, den Schaltstrom 111 durch die Diode leitend wird. Durch die Diode fließt für das Diodenpaar 18 zu überwinden. Wie bereits dann der Strom I_c. Die beiden fließenden* Ströme I_c erwähnt, liegt auf der Leitung 12 eine Spannung von und /5 sind ausreichend, um die Ausgangsspannung +200MiUiVoIt. Wenn ein Datenimpuls, dem kern

Zeitimpuls folgt, auftritt, dann hebt sich die Ladeniveaulinie 104 wieder an, so daß der Schnittpunkt mit der Kennlinie bei 112(OCD) liegt. Die Ausgangsspannung wird dadurch nicht beeinflußt.

Wenn dagegen an der Basiselektrode 32 ein Zeitimpuls auftritt, ohne daß ein Datenimpuls am Eingangsanschluß 14 vorliegt, dann schaltet die Kippstufe wieder zurück. Durch den Zeitimpuls wird der Transistor 28 geöffnet, und als Folge davon wird auch der Transistor 30 geöffnet. Das Emitterpotential des Transistors 30 wird geerdet. Da das Anodenpotential der Diode 26 +200 Millivolt beträgt, wird die Diode 26 dadurch nicht gesperrt, und der Strom/_c fließt weiter. Es fließen nun drei Ströme von dem Knotenpunkt 19, und zwar Jß, Ic und Ici- *5 Der Strom I_{c t} ist kleiner als der Strom/_c oder /g und reicht aus, die Ladeniveaulinie unter den negativen Umschaltpunkt 111 des Tunneldiodenpaars zu drücken, so daß dieses umgeschaltet wird. Die Tunneldiode 20 kehrt dann wieder in.ihren Sperrzustand zo zurück, und die Tunneldiode 22 wird wieder geöffnet, so daß wieder —200 Millivolt an der Leitung 12 liegen.

Wenn also das Tunneldiodenpaar in den Schaltzustand umgeschaltet werden soll, in dem +200 Millivolt an der Leitung 12 liegen, dann müssen die beiden Ströme Id und I_c gesperrt und zu dem Knotenpunkt 19 umgeleitet werden.

Wenn dagegen das Tunneldiodenpaar 18 in den anderen Schaltzustand umgeschaltet werden soll, dann müssen nicht nur die Ströme /5 und I_c fließen, sondern der Strom I_c _x muß außerdem, fließen, damit der negative Umschaltpunkt 111 überwunden werden kann.

Bei dem in F i g. 4 dargestellten Ausführungsbeispiel wird die Ladeniveaulinie eines Tunneldiodenpaars — ähnlich wie in Fig.2.dargestellt —verschoben. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind das Tunneldiodenpaar 50 und der Widerstand 52 genauso ausgebildet und bemessen wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel, abgesehen davon, daß der Widerstand 52 an —80 Millivolt liegt. Dieser Unterschied ist schaltungstechnisch begründet, hat jedoch auf die Grundzüge der Betriebsweise der Impulsschaltung keinen Einfluß.

Wie bei dem in F i g. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel wird das Tunneldiodenpaar 50 durch den Stromfluß in oder aus dem Knotenpunkt 56 gesteuert. Mit 58 ist ein hoher Widerstand bezeichnet, der an eine konstante Spannungsquelle von" 10 Volt angeschlossen ist. Hierdurch entsteht ein Strom, der dazu dient, das Tunneldiodenpaar 50 umzuschalten. Der Strom aus dem Widerstand 58 gelangt zu dem Knotenpunkt 59 und fließt im wesentlichen durch den in Normalstellung geöffneten Transistor und den Widerstand 62 a zu einer Gegenspannung von — 6VoIt. An'den Emitter des Transistors 60 ist der Datenimpulseingangskreis mit dem Transistor 62 angeschlossen. Der Transistor 62 ist normalerweise gesperrt, bis ein Datenimpuls an die Basiselektrode 64 gelangt. Die Spannung an der Basisleitung 66 des Transistors 60 hängt von zwei Faktoren ab, und zwar erstens von dem Leitungszustand des Transistors 68, an dessen Basisanschluß 70 die Zeitimpulse gelegt werden, und zweitens von der Ausgangsspannung des Tunneldiodenpaars 50, die über den Widerstand 72 an den Kollektor des Transistors 68 gelangt.

In F i g. 5 ist ein Impulsdiagramm für das zweite Ausführungsbeispiel dargestellt. Die Impulse 170 und 172 sind die Datenimpulse und Zeitimpulse, die an die Anschlüsse 64 bzw. 70 gelegt sind. Die Impulse 174 sind Stromimpulse des Stroms I_a, der durch den Transistor 60 als Folge der Zeit- und Datenimpulse fließt. Mit 176 ist die Ausgangsspannung bezeichnet, die sich infolge der Daten- und Zeitimpulse ändert. Die Wirkungsweise der in F i g. 4 dargestellten Schaltung wird nun an Hand des Diagramms aus Fig. 5, in dem verschiedene Zeitpunkte t₀ bis t₆ angegeben sind, und unter 'Bezugnahme auf die in F i g. 2 dargestellte Kennlinie 100 und Ladungsniveaulinie 104 beschrieben.

Im Ausgangszustand t^ ist die Spannung am Ausgangsanschluß 54 niedrig, nämlich —200 Millivolt. Es liegt kein Zeitimpuls vor, der Transistor 68 ist gesperrt, und es liegt kein Datenimpuls vor, der Transistor 62 ist gesperrt. Der Transistor 60 ist dabei geöffnet, und der Strom I_a fließt über den Widerstand 62 a zu dem . — 6-Volt-Anschluß. Mit der Vorderflanke eines Zeitimpulses 172 im Zeitpunkt I₁ wird der Transistor 68 leitend, und der Strom I_b beginnt zu fließen. Die Basisspannung des Transistors 60 fällt dadurch auf -800MiUiVoIt ab. Hierdurch kann jedoch der Transistor 60 nicht gesperrt werden, weil dessen Emitterspannung — 6 Volt beträgt. Der Strom I_a fließt daher mit geringerer Stromstärke weiter (vgl. 174 aus Fig. 5). Dem entspricht der Schnittpunkt 101 (OCD) aus F i g. 2.

Mit der Vorderflanke eines Datenimpulses 170 im Zeitpunkt'^,, wird der Transistor 62 geöffnet. Hierdurch wird das Emitterpotential des Transistors 60 auf Erdpotential angehoben. Da jedoch der Transistor 68 jetzt gesperrt ist, liegt das'Potential an der Basis 66 etwas über dem Erdpotential. Der Transistor 60 bleibt daher in seinem leitenden Schaltzustand, nur der Strom l_a verringert sich etwas. Hierdurch wird der Stromfluß in den Knotenpunkt 56 des Tunneldiodenpaares 50 etwas größer. Die Folge ist, daß sich der Schnittpunkt 101 der Ladeniveaulinie 104 aus F i g. 2 auf den Schnittpunkt 106 (üü). verschiebt.

Im Zeitpunkt t₃ liegt sowohl ein Datenimpuls als auch ein Zeitimpuls vor, und beide Transistoren 68 und 62 sind geöffnet. Wie bereits erwähnt, wird durch den geöffneten Transistor 62 das Emitterpotential des Transistors 60 angehoben, während durch den geöffneten Transistor 68 das Basispotential des Transistors 60 abfällt. In diesem Moment und nur in diesem Moment wird das Potential an der Basis 66 negativer als das Emitterpotential des Transistors 60, so daß der Transistor 60 gesperrt wird und der Strom I_a zusammenbricht. Die Folge ist, daß der Stromfluß in den Knotenpunkt 56 proportional zum Abfall des Stromes I_a ansteigt und das, wie aus F i g. 2 ersichtlich, die Ladeniveaulinie 104 bis zu dem Schnittpunkt 108 angehoben wird. Hierdurch werden die Tunneldioden umgeschaltet, und die Ausgangsspannung steigt auf +200 Millivolt an.

Wenn sowohl ein Zeit- als auch ein Datenimpuls vorliegt, dann kann das Kollektorpotential des Transistors 68 nicht unter — 200 Millivolt abfallen. Aus diesem Grunde fließt der Strom, wenn der Strom I_a zusammenbricht, nicht durch den Widerstand 72, sondern zu dem Knotenpunkt 56.

Sobald an dem Knotenpunkt 56 die Spannung von — 200 auf +200 Millivolt umschaltet, wird durch

dieses Potential, das über den Widerstand 72 an den Basisanschluß 66 gelangt, der Transistor 60 geöffnet. Dies hat keinen Einfluß auf die Ladeniveaulinie aus-F i g. 2. Die dadurch verursachte Stromänderung ist in Fig. 5 bei 175 angezeigt. '

Mit der Rückflanke des Zeitimpulses 172 im Zeitpunkt /₄ wird der Transistor 68 gesperrt und das Basispotential an der Basis 66 steigt, so daß der Transistor 60 weiter geöffnet wird. Diesem Schaltzustand entspricht der Schnittpunkt 112 (OOD) aus Fig. 2.

Mit der Rückflanke des Datenimpulses im Zeitpunkt t₅ wird der Transistor 62 gesperrt, und der Transistor 60 kann voll geöffnet werden. Dies entspricht dem Schnittpunkt 110 (OUZJ) aus Fig. 2. Mit der Vorderflanke des nächsten Zeitimpulses im Zeitpunkt t₆ wird der Transistor. 68 erneut geöffnet, so daß der Strom I_b fließen kann. Dabei kann infolge des +200-Millivolt-Potentials am Ausgang das Potential am Anschluß 66 nicht so negativ werden, als wenn ein negatives Potential am Ausgang liegt. Demzufolge wird der Leitungszustand des Transistors 60 nur geringfügig beeinflußt, und der Strom /„ fließt praktisch ungeändert. Durch den Abfall der Ströme I_a und I_b wird jedoch die Ladeniveaulinie unter den negativen Umschaltpunkt 111 aus F i g. 2 des Tunneldiodenpaars 50 gedruckt. Hierdurch schaltet sich das Tunneldiodenpaar in den Schaltzustand um, in dem eine niedrige Spannung am Ausgang liegt, und die Ladeniveaulinie schneidet nun die Kennlinie im Punkt 101 (ÜUZJ). Mit der Rückflanke des Zeitimpulses 172 wird der Transistor 68 gesperrt und die Ladeniveaulinie 104 auf den Schnittpunkt 102 (UCD) angehoben. Damit ist. ein vollständiger Arbeitszyklus des Impulsgenerators beendet.

Die Erfindung ist an Hand bevorzugter Ausführungsbeispiele im einzelnen beschrieben. Es ist selbstverständlich, daß Fachleute diese Ausführungsbeispiele in vielerlei Hinsicht und im einzelnen abändern können, ohne daß vom Wesen der Erfindung abgewichen wird. Zum Beispiel kann eine einzelne Tunneldiode durch ein Tunneldiodenpaar aus F i g. 1 und 4 ersetzt werden. Die Schaltung wird dadurch etwas langsamer, im übrigen bleibt die Betriebsweise des Impulsgenerators aber im wesentlichen die gleiche.

Claims

Patentansprüche:

1. Bistabile, durch Eingangsimpulse umschaltbare Kippschaltung mit zwei gleichpolig in Serie zwischen zwei festen Spannungen geschalteten Tunneldioden, an deren Knotenpunkt ein Vorspannungspotential liegt und von denen jeweils eine geöffnet und die andere geschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß an den Knotenpunkt (19, 56) der Tunneldioden (20, 22) ein vorgespannter, von Zeitimpulsen beaufschlagter Zeitkreis (28, 34, 68) und ein von Eingangsimpulsen und dem Zeitkreis beaufschlagter Eingangskreis (26, 38, 60, 62) angeschlossen sind und daß der Eingangskreis ein Halbleiterschaltelement (26, 60) 'aufweist, das nur bei gleichzeitigem Vorliegen eines Zeit- und eines Eingangsimpulses die Umschaltung des Diodenpaares bewirkt, und daß der Zeitkreis ein Halbleiterschaltelement (28, 68) aufweist, das bei alleinigem Vorliegen eines Zeitimpulses die Rückschaltung des Diodenpaares bewirkt.

2. Kippschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zeitkreis· aus einem vorgespannten Transistor (28, 68) besteht, der basisseitig einen Eingangsanschluß (32, 70) für Zeitimpulse aufweist.

3. Kippschaltung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangskreis eine vorgespannte Diode (26) aufweist, die unter Zwischenschaltung eines Transistors (30) an den Zeitkreis (28) angeschlossen ist.

4. Kippschaltung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangskreis einen vorgespannten Transistor (60) aufweist, der basisseitig unmittelbar an den Zeitkreis (68) und unter Zwischenschaltung eines Transistors (62) an einen Eingangsanschluß (64) für Eingangsimpulse angeschlossen ist.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1100 692,
646, 1128 466, 1137 076.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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