DE1058554B - Bistabiler Multivibrator - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine bistabile Multivibratorschaltung mit einem Paar Transistoren.

Eine Schaltung der im folgenden zur Erläuterung beschriebenen Art weist zwei stabile Zustände auf, die durch das ausgangsseitige Auftreten von zwei bestimmten Spannungspegeln gekennzeichnet sind. Derartige Schaltungen werden allgemein als bistabile Multivibratoren oder Flip-Flop-Kreise bezeichnet und werden allgemein in Wählschaltungen, Zählschaltungen, Torschaltungen und ähnlichen Schaltungen verwendet. Ein bistabiler Multivibrator ist im allgemeinen eine Schaltung, die durch Anlegen eines Kippimpulses abwechslungsweise von einem stabilen Zustand in den anderen gekippt werden kann. Wünschenswerte Eigenschaften dieser Schaltung sind, daß sie stabil und von relativ einfachem und gedrängtem Aufbau ist, rasch auf die Kippimpulse anspricht und nur sehr geringe Leistung zur Erzeugung von Ausgangssignalen ausreichender Amplitude benötigt, um die damit verbundenen Lastkreise auszusteuern.

In Verfolgung dieser Ziele wurden bistabile Multivibratorschaltungen aufgebaut, die zwei Halbleitervorrichtungen (Transistoren) mit je einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor verwenden. Im allgemeinen sind die beiden Transistoren kreuzweise über Widerstands - Kondensator - Netzwerke miteinander verbunden und sind durch eine Vorspannungspotentialquelle derart vorgespannt, daß dann, wenn eine Vorrichtung im leitenden Zustand ist, die andere im Sperrzustand oder im Zustand geringer Leitfähigkeit gehalten wird. Die Notwendigkeit, eine getrennte Potentialquelle oder Vorspannungspotentialquellen vorzusehen, kann für viele Anwendungsbereiche von Transistor-Multivibratoren zu umständlich sein.

In einer bekannten Art von Transistor-Flip-Flop-Schaltungen sind z. B. gesonderte Vorspannungspotentialquellen vorgesehen, die für den Emitter des Transistors, dessen Zustand vom leitenden in den nichtleitenden übergeht, ein Spern'orspannungspotential liefern, um den Transistor während seiner Sperrzeit zu unterstützen und noch besser abzuschalten. Da der eben abgeschaltete Transistor während der Zeit, in der er eingeschaltet ist, kräftig gesättigt wird, weist die Basis einen Überschuß von Minderheitsladungsträgern auf, die ausgeräumt werden müssen, bevor der Transistor in der Flip-Flop-Schaltung ordnungsgemäß arbeiten kann. In einem PNP-Transistor z. B. ergibt die Sperrspannung während der Sperrzeit des Transistors einen Strom in Sper-richtung in die Basis, um das Abführen der überschüssigen Träger zu beschleunigen und auch die Umschaltzeit des Flip-Flop-Kreises zu verkürzen.

Zusätzlich zu den Nachteilen, die sich aus der Notwendigkeit gesonderter Vorspannungsquellen in solchen

Anmelder:

Western Electric Company, Incorporated, New York, N.Y. (V.St.A.)

Vertreter: Dr.-Ing. K. Boehmert
und Dipl.-Ing. A. Boehmert, Patentanwälte,
Bremen, Feldstr. 24

Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 7. September 1955

Eric Eden Sumner, North Caldwell, Ν. J. (V. St. Α.),
ist als Erfinder genannt worden

Schaltungen und aus den Rückstell - Zeitkonstanten ergeben, die ein Arbeiten mit hoher Geschwindigkeit ausschließen können, kann sich beim Arbeiten mit Transistor - Flip - Flop - Schaltungen eine andere Schwierigkeit dadurch einstellen, daß einzelne Arten solcher Schaltungen keine Ausgangssignale mit ausreichend hoher Amplitude erzeugen können, um eine fortgesetzte zuverlässige Steuerung der Lastkreise und der mit der Flip-Flop-Schaltung verbundenen Vorrichtungen sicherzustellen. Bisher bekannte Schaltungen versuchen dieses Problem dadurch zu lösen, daß eine erhöhte Ausgangsspannung erreicht wird, was jedoch nur auf Kosten der Schaltgeschwindigkeit möglich ist.

Es ist bereits ein bistabiler Multivibrator mit einem Paar Transistoren bekanntgeworden. Bei dieser bekannten Schaltung wird eine Diode, und zwar eine sogenannte Zenerdiode, als Vorspannungseinrichtung verwendet. Diese Diode wird dabei so betrieben, daß eine bestimmte Vorspannung in Sperrichtung anliegt, und daß durch Überschreiten dieser Sperrvorspannung in negativer Richtung ein Zustand hergestellt wird, bei dem ein hoher Strom in die Diode fließt, so daß diese gekippt wird. Diese Zenerdioden haben den Zweck, den im gesperrten Zustand der Transistoren fließenden Strom herabzudrücken.

Es ist Aufgabe der Erfindung, eine verbesserte, bistabile Multivibratorschaltung mit zwei Halbleitervorrichtungen zu schaffen, die mit hoher Geschwin-

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digkeit arbeitet und keine gesonderten Vorspannungsquellen benötigt.

Weiterhin ist es Aufgabe der Erfindung, eine bistabile Transistor-Multivibrator-Schaltung zu schaffen, die das Prinzip der Verarmung der Basis verwendet. Genauer gesagt, soll eine bistabile Transistor-Multivibrator-Schaltung aufgebaut werden, die Schaltmittel enthält, um für die Sperrzeit des Transistors einen Sperrstrom in die Basis hineinfließen zu lassen und den Basisstrom für die Zeit, während der der Transistor gesperrt ist, auf einen Kleinstwert herabzudrücken oder abzuschalten, was im folgenden mit Verarmungswirkung bezeichnet wird.

Zu diesem Zweck wird ein bistabiler Multivibrator mit einem Paar Transistoren, deren Emitter an einem gemeinsamen Punkt, beispielsweise an Erde, angeschlossen sind und deren Kollektoren an einer beiden Transistoren gemeinsamen Potentialquelle angeschlossen sind und bei dem außerdem eine Vorspannungseinrichtung vorgesehen ist, die an den einen Transistor eine Sperrvorspannung liefert, wenn der andere Transistor gerade leitet, erfindungsgemäß dadurch verbessert, daß diese Vorspannungseinrichtung ein Paar Halbleiter-Schwellwertdioden der Art enthält, die in Durchlaßrichtung wenig oder gar keinen Strom durchlassen, bevor nicht ein Potential bestimmter Amplitude über den Dioden angelegt wird, und daß jede dieser Dioden die Basis des einen Transistors mit dem Kollektor des anderen Transistors koppelt.

Vorteilhafterweise besteht dabei die Basiszone jedes Transistors und die daran angeschlossene Zone der Schwellwertdiode aus Halbleitermaterial vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp.

Die erfindungsgemäße Transistor - Multivibrator-Schaltung weist dadurch eine hohe Stromempfindlichkeit für Kippimpulse auf, daß in den Kopplungswegen Schaltmittel vorgesehen sind, die ein möglichst geringes Ableiten des Kippstromes von dem zu kippenden Transistor ermöglichen.

Außerdem sind in den Kopplungswegen der bistabilen Transistor-Alultivibrator-Schaltung Einrichtungen vorgesehen, die eine Vergrößerung der Amplitude des Ausgangssignals bewirken.

Der verbesserte Transistor-Multivibrator benötigt außerdem relativ wenig Schaltelemente und hat daher den Vorteil des einfachen Aufbaus, niedriger Kosten und geringen Leistungsbedarfs.

Die erfindungsgemäße Schaltung wird in einem der Erläuterung der Erfindung dienenden Ausführungsbeispiel verwirklicht, das eine bistabile Multivibrator- schaltung mit zwei Transistoren, zwei Halbleiterdioden und vier Widerständen zeigt. Jeder Transistor enthält einen Emitter, einen Kollektor und eine Basis und liegt mit seinem Emitter an Erde. Die Basis jedes Transistors ist über eine Halbleiterdiode, die Vorzugsweise eine Siliziumschichtdiode ist, und einen Widerstand mit dem Kollektor des anderen Transistors gleichstromgekoppelt. Die einzige, erforderliche Potentialquelle ist die über geeignete Strombegrenzungswiderstände mit dem Kollektor jedes Transistors verbundene Potentialquelle, wobei in Schaltungen, die gemäß der Erfindung aufgebaut sind, keine gesonderte Potentialquelle zur Vorspannungserzeugung benötigt wird.

Beim Betrieb der MultiviLiratorschaltung wechselt der leitende Zustand jedes Transistors jeweils in Abhängigkeit von den anliegenden Kippimpulsen. Befindet sich der eine Transistor in seinem leitenden Zustand, dann ist der andere Transistor auf Grund der Eigenschaften der dazwischengeschalteten Silizium-

schichtdiode in Sperrichtung vorgespannt, da sich diese Diode in einem im wesentlichen offenen oder nichtleitenden Zustand befindet, bis eine Spannung vorbestimmter Größe über ihr angelegt wird. Für Spannungen unter diesem vorbestimmten Wert verhindert die Vorspannungswirkung jeder Siliziumdiode, daß ein Strom in den Basiskreis des mit der Diode verbundenen Transistors fließt. Dadurch wird ein solcher Transistor mit Ausnahme von Leckströmen in seinem Sperrzustand gehalten.

Die dynamische Sperrkennlinie oder Arbeitssperrkennlinie der Siliziumdioden in den Koppelschaltungen wird dazu verwendet, die Speicherzeit dadurch herabzusetzen, daß für die Dauer der Sperrzeit ein maximaler Sperrstrom in den Transistor der Flip-Flop-Schaltung fließen kann. Dadurch kommt der Transistor, der gerade gesperrt wird, viel schneller aus seinem Sättigungsbereich heraus, als dies sonst der Fall sein würde. Ist der Transistor in seinem nichtleitenden Zustand, dann stellt jedoch die damit verbundene Siliziumdiode einen hohen Widerstand für den Stromfluß in Sperrichtung dar. Durch die Verarmungswirkung der Siliziumdiode wird der Transistor mit Sicherheit gesperrt, ohne daß getrennte Vorspannungspotentiale benötigt werden.

Die statische Durchlaßkennlinie einer Siliziumdiode ist derart, daß die Diode für alle Werte einer anliegenden Durchlaßspannung bis zu einem bestimmten Wert eine hohe Impedanz und anschließend für alle diesen Wert überschreitende Durchlaßspannungen eine niedere Impedanz darstellt. Daher zieht die Siliziumdiode in jedem Kopplungsweg so lange keinen Strom, bis eine Spannung vorbestimmter Größe an ihr angelegt wird. Dieser vorgegebene Wert wird auf die normale Spannungsamplitude am Transistor-Kollektor aufgestockt und dient dazu, die Amplitude des Ausgangsspannungssignals zu erhöhen, das durch die Schaltwirkung der Flip-Flop-Anordnung erzeugt wird.

Gemäß einem Merkmal der Erfindung sind zwei Transistoren in einer bistabilen Multivibratorschaltung über ein Paar Halbleiterdioden miteinander gleichstromgekoppelt.

Ein anderes Merkmal der Erfindung besteht darin, daß keine getrennten Quellen von Gleichstrom-Vorspannungspotentialen für die Transistoren des bistabilen Multivibrators benötigt werden.

Ferner stellt es ein Merkmal der Erfindung dar, daß die Schaltzeit eines bistabilen Multivibrators durch die Verwendung von Halbleiterdioden in den Basiskreisen der Transistoren verkürzt wird, die während des Übergangs des Transistors in den Sperrzustand einen maximalen Sperrstrom in die Basis fließen lassen.

Ein anderes Merkmal der Erfindung besteht darin, daß das Ausgangssignal eines gleichstromgekoppelten. bistabilen Multivibrators durch das Einfügen von zwei Halbleiterdioden in die Koppelschaltungen erhöht wird.

Ein weiteres Merkmal der Erfindung besteht darin, daß die dynamische Sperrkennlinie und die statische Sperrkennlinie der Kopplungsdioden zum Erreichen des vorteilhaften Arbeitens einer bistabilen Transistorschaltung verwendet werden. Daher fließt nur während der Übergangs- oder Sperrzeit, d. h. wenn der Transistor seinen Zustand wechselt, ein Strom in die Basis des Transistors, der gerade gesperrt wird, und zwar auf Grund der dynamischen Sperrkennlinie der Diode. Wenn jedoch ein Transistor gesperrt ist, kann auf Grund der statischen Sperrkennlinie der Di-

oden kein Strom in Sperrichtung fließen. Ferner fließt gemäß diesem Merkmal der Erfindung der Sperrstrom nur während des Übergangs in den Sperrzustand des Transistors in die Basis dieses Transistors, wobei dann der Sperrstrom für die folgenden und anderen Betriebsintervalle der Schaltung verarmt.

Die Erfindung wird zusammen mit den obengenannten und anderen Merkmalen am besten aus einer Betrachtung der näheren Beschreibung an Hand der Figuren verständlich. Dabei zeigt

Fig. 1 eine schematische Darstellung eines bistabilen Multivibrators, die der Erläuterung einer besonderen Ausführungsform der Erfindung dient, und

Fig. 2 ein Diagramm der statischen Durchlaßkennlinie von Halbleiterdioden, die vorzugsweise in der Anordnung gemäß der Erfindung verwendet werden können.

Die in Fig. 1 dargestellte, besondere Ausführungsform einer bistabilen Multivibratorschaltung enthält einen Transistor 1 mit einer Basis 2, einem Emitter 3 und einem Kollektor 4 sowie einen Transistor 5 mit einer Basis 6, einem Emitter 7 und einem Kollektor 8. Gemäß einem Merkmal der Erfindung können die Transistoren 1 und 5 vorzugsweise legierte Schichttransistoren üblicher Bauart sein. Die Kollektoren 4 und 8 der Transistoren 1 und 5 sind über Strombegrenzungswiderstände 9 bzw. 10 mit einer einzigen Betriebsspannungsquelle 11 verbunden. Die Emitter 3 und 7 der Transistoren liegen an Masse. Die Basis jedes Transistors ist über eine Halbleiterdiode und einen Widerstand mit dem Kollektor des anderen Transistors verbunden. Insbesondere ist die Basis 2 von Transistor 1 über eine Halbleiterdiode 12 und einen Widerstand 13 mit dem Kollektor 8 des Transistors 5 und die Basis 6 des Transistors 5 über eine Halbleiterdiode 14 und einen Widerstand 15 mit dem Kollektor 4 des Transistors 1 gekoppelt.

Vorzugsweise können die Halbleiterdioden 12 und 14 jeweils einen Körper aus halbleitendem Material, wie z. B. Silizium mit zwei aneinanderstoßenden Teilen entgegengesetzter Leitfähigkeitsart (ein Teil aus p-leitendem Material, der andere aus η-leitendem Material) und einer dünnen Übergangsschicht eines Materials an der Zwischenfläche aufweisen, in der eine fortschreitende Änderung nach Grad und Art der Leitfähigkeitseigenschaft des einen Teiles des Körpers in den Grad und die Art der Leitfähigkeitseigenschaft des anderen Körperteils vor sich geht. Zwei die Verbindung mit den beiden Teilen des Körpers herstellende Elektroden vervollständigen die Vor- , richtung.

Die elektrischen Eigenschaften des Übergangs einer jeden solchen Diode hängen zu einem wesentlichen Teil von dem Konzentrationsgradienten in der Übergangsschicht ab, d. h. von der besonderen Art, mit der _; sich die Leitfähigkeit von einem Teil des Körpers zum anderen ändert. Es ist bekannt, daß bei geeigneter Beziehung zwischen dem Konzentrationsgradienten, der Übergangschicht und der Lebenszeit der Ladungsträger die Anordnung als Gleichrichter ι wirkt. In der Durchlaßrichtung des Stromes durch den Übergang ist für Potentiale bis zu einer gegebenen Höhe der Widerstand groß und wird dann klein, wobei der Strom bei jeder Erhöhung des über den Elektroden liegenden Potentials nach dem üblichen ι Exponentialgesetz ansteigt. In der umgekehrten oder Sperrichtung ist unter statischen Bedingungen der Widerstand anfangs hoch, und es tritt nur ein sehr kleiner Strom auf, bis die anliegende Spannung einen vorbestimmten Wert erreicht hat. Bei diesem Punkt ;

steigt der Strom bei weiteren kleinen Änderungen der Spannung plötzlich stark an. Die Eigenschaften derartiger Halbleiterdioden sind in allen Einzelheiten in einem Artikel »Transistors and Junction Diodes in Telephone Power Plants« von F. H. Chase u. a. beschrieben, der in »Bell System Technical Journal«, Juli 1954, Bd. 33, Nr. 4, S. 827 ff. erschienen ist. Solche Dioden sind auf Grund der oben erläuterten Sperrkennlinie schon verschiedentlich als Zenerdioden, Schwelldioden, Kippdioden oder Lawinendioden bezeichnet worden, wobei ein Zustand hoher Leitfähigkeit in der Sperrichtung nur nach Anlegen von Spannungsamplituden erreicht wird, die einem vorgegebenen Kipp- oder Schwellwert entsprechen. Obwohl diese im Sperrbereich auftretende Kippwirkung in vielen bekannten Schaltungen als brauchbar gefunden wurde, so spielt diese Wirkung in der Anordnung gemäß der Erfindung keine Rolle, da der Bereich der hierbei verwendeten Spannungen vorzugsweise unterhalb des Sperrkippspannungswertes liegt. Dementsprechend fließt in den Schaltungen gemäß der Erfindung auf Grund der statischen angelegten Spannung kein Strom in Sperrichtung, obgleich gemäß einem Merkmal der Erfindung ein dynamischer Sperrstrom fließt, während ein Transistor gerade gesperrt wird.

Wie bereits oben erläutert, sind die statischen Durchlaßkennlinien dieser Halbleiterdioden den statischen Sperrkennlinien insofern etwas ähnlich, als eine gegebene endliche Spannungsamplitude über der Diode in Durchlaßrichtung angelegt werden muß, bevor die Stromleitung einsetzt. Auf Grund des relativ geringen Wertes der erforderlichen kritischen Spannung wurde dieser Durchlaßeffekt, obgleich er an sich bekannt war, bis jetzt beim Entwurf und Aufbau von bistabilen Multivibratorschaltungen noch nicht verwendet, da diese Schaltungen im allgemeinen bei Potentialen betrieben werden, die wesentlich größer sind als diese kritische Spannungsamplitude. Gemäß einem Gesichtspunkt der Erfindung sind die Halbleiterdioden 12 und 14 vorzugsweise in Durchlaßrichtung angeschlossen. In Fig. 2 der Zeichnung ist die statische Durchlaßspannungs-Strom-Kennlinie einer Siliziumdiode dargestellt, die in der Erfindung vorzugsweise verwendet werden kann. Man sieht, daß für Durchlaßspannungen bis zu etwa 0,5 Volt der Durchlaßwiderstand jeder Diode sehr hoch ist, so daß wenig oder gar kein Strom durch die Diode fließt. Nur wenn die anliegende Durchlaßspannung größer ist als 0,5 Volt, dann beginnt ein merklicher Strom zu fließen, der im wesentlichen nach einem Exponentialgesetz zunimmt. Daraus ergibt sich klar, daß die Siliziumdiode für Spannungen von etwa 0,5 Volt oder weniger im wesentlichen gesperrt ist und tatsächlich in Reihe mit einer Vorspannungsquelle von 0,5 Volt als Gleichrichter wirkt. Ist jedoch, wie bereits oben ausgeführt, der Transistor nicht in einem seiner beiden stabilen Zustände, sondern geht gerade vom leitenden zum nichtleitenden Zustand über, so ge-

)o stattet die mit seiner Basis verbundene Siliziumdiode, daß ein Sperrstrom fließt, der als Teil des Speicherphänomens derartiger Dioden betrachtet werden muß.

Beim Betrieb der Schaltung gemäß der Erfindung sei angenommen, daß der Transistor 1 in seinem Iei-

>5 tenden Zustand und der Transistor 5 in seinem Sperrzustand ist. Werden geeignete Werte für die Spannung der Stromquelle und die Begrenzungswiderstände gewählt, z.B. —10 Volt und 1000 Ohm, dann liegen ungefähr — 0,2 Volt am Kollektor 4 des Transistors 1.

ro Da über der mit dem Kollektor 4 des Transistors 1

Claims (6)

verbundenen Siliziumdiode 14 in Durchlaßrichtung nur 0,2 Volt liegen, so ist die Diode im wesentlichen offen oder gesperrt, da dies unterhalb des kritischen Wertes für den leitenden Zustand liegt. Daraus ergibt sich, daß im Transistor 5 kein Basisstrom fließt und daß der Transistor mit Ausnahme möglicher Leckströme gesperrt ist. Liegt eine wesentlich größere Spannung als 0,5 Volt über der Siliziumdiode 12 im Basiskreis des Transistors 1, dann wird die Diode leitend. Ein negativer Kippimpuls an der Basis 6 des Transistors 5 überführt diesen in seinen leitenden Zustand und sperrt mittels des oben beschriebenen Vorgangs den Basisstroni des Transistors 1. Daher wird der Transistor 1 gesperrt. Eine Zustandsänderung läßt sich durch Anlegen negativer Impulse an die Basis des Transistors herbeiführen, der in dem gesperrten oder nicht leitenden Zustand ist. Gemäß einem Gesichtspunkt der Erfindung muß bemerkt werden, daß die Halbleiterdioden in den Kopplungsschaltungen eine äußerst geringe Ableitung des Kippstromes von dem gesperrten Transistor ergeben, wenn dessen Basis solche negativen Impulse zugeführt werden. Das tritt auf, weil die negativen Impulse dazu neigen, die mit der Basis des nichtleitenden Transistors verbundene Siliziumdiode in Sperrichtung vorzuspannen. Der hohe Sperrwiderstand dieser Diode ermöglicht es daher dem Kippstrom, nur in Richtung der Basis des gesperrten Transistors zu fließen. Diese Art des Kippens ergibt offenbar eine stark erhöhte Stromempfindlichkeit der Flip-Flop-Schaltung. Es leuchtet dem Fachmann dabei ohne weiteres ein, daß eine Zustandsänderung auch durch Anlegen positiver Kippimpulse an der Basis des leitenden Transistors erreicht werden kann. Ein weiterer Vorteil der Verwendung der Halbleiterdioden 12 und 14 besteht in einer Erhöhung der Amplitude der Ausgangsimpulse, die von den Ausgangsleitungen 16 und 17 abgenommen werden. Das ist möglich, da die zum Leiten jeder Diode erforderlichen 0,5 Volt zu den durch die Transistoren erzeugten Ausgangsimpulsen hinzugefügt werden. Daher tritt an den Ausgangsleitungen ein Ausgangsimpuls auf, dessen Amplitude durch diese Summe bestimmt ist. Ferner ist es dem Fachmann ohne weiteres klar, daß dann, wenn der leitende Transistor seinen Zustand ändert und gesperrt wird, die mit seiner Basis verbundene Siliziumdiode während der Sperrzeit einen maximalen Basisstrom fließen läßt. Dieser Sperrstrom kann auf Grund des Speicherphänomens derartiger Dioden fließen und stellt daher eine dynamische Wirkung dar, die sich eindeutig von den statischen Sperreigenschaften der Diode unterscheidet. Wie bereits erläutert, ist der Transistor einer Flip-Flop-Schaltung während der Zeit seines leitenden Zustandes im allgemeinen stark gesättigt. Da der Transistor frei von in seiner Basis als Ergebnis dieser Sättigung vorhandenen überschüssigen Ladungsträgern sein muß, bevor er in geeigneter Weise in einer Multivibratorschaltung arbeiten kann, so ist an sich eine beträchtliche Verzögerung in der LTmschaltzeit des Multivibrators möglich. Diese Verzögerung wird durch das Einschalten der Halbleiterdioden in den Koppelschaltungen zwischen den beiden Transistoren vermieden. Der Sperrstrom, der in die Basis des gerade vom leitenden in den gesperrten Zustand übergehenden Transistors fließt, hilft mit, diese überschüssigen Ladungsträger zu beseitigen, wodurch das Sperrintervall abgekürzt wird. Diese Wirkung der Halbleiterdioden beschleunigt die Erholzeit des Tran- sistors beträchtlich und gestattet die Verwendung der erfindungsgemäßen Schaltung in modernen, mit hoher Geschwindigkeit arbeitenden Wählschaltungen. In einer Ausführungsform gemäß der Erfindung hatten die verschiedenen Schaltelemente in der Schaltung nach Fig. 1 die folgenden Werte: Widerstand 9 1000 Ohm WiderstandlO IOOOOhm Widerstand 13 300 Ohm Widerstand 15 300 0hm Spannungsquellell — IOVolt Man sieht, daß die Koppelwiderstände 13 und 15 der Schaltung nach Fig. 1 dazu dienen, die Amplitude der Ausgangsimpulse dadurch zu erhöhen, daß sie die Spannungsänderung an den Kollektoren 4 und 8 der Transistoren 1 bzw. 5 vergrößern. Wird jedoch eine größere Arbeitsgeschwindigkeit verlangt, dann können die Koppelwiderstände 13 und 15 weggelassen und die Halbleiterdioden unmittelbar rr^jt den Kollektoren der Transistoren verbunden werden. Patentansprüche:

1. Bistabiler Multivibrator mit einem Paar Transistoren, deren Emitter an einem gemeinsamen Punkt, beispielsweise Erde, angeschlossen sind, und deren Kollektoren an einer beiden Transistoren gemeinsamen Potentialquelle angeschlossen sind, sowie mit einer Vorspannungseinrichtung, die an den einen Transistor eine Sperrvorspannung liefert, wenn der andere Transistor gerade leitet, dadurch gekennzeichnet, daß diese Vorspannungseinrichtung ein Paar Halbleiter-Schwellwertdioden der Art enthält, die in Durchlaßrichtung wenig oder gar keinen Strom durchlassen, bevor nicht ein Potential bestimmter Amplitude über den Dioden angelegt wird, und daß jede dieser Dioden die Basis des einen Transistors mit dem Kollektor des anderen Transistors koppelt.

2. Bistabiler Multivibrator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiszone jedes Transistors und die daran angeschlossene Zone der Schwellwertdiode aus Halbleitermaterial entgegengesetzter Leitfähigkeitsart besteht.

3. Bistabile Multivibratorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Potential vorbestimmter Amplitude etwa 0,5 Volt beträgt.

4. Bistabile Multivibratorschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jede Halbleiterdiode eine Siliziumschichtdiode ist.

5. Bistabile Multivibratorschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an der Basisverbindung jedes Transistors von einer Kippimpulsquelle aus über eine entsprechende Verbindung Kippimpulse angelegt werden können, um den Transistor in einen leitenden oder gesperrten Zustand zu überführen, während die Halbleiterdioden das Fließen eines Sperrstromes durch jeden der beiden Transistoren während seines Übergangs in den Sperrzustand gestatten und den Stromfluß durch jeden der beiden Transistoren sperren, wenn dieser in seinem Sperrzustand ist.

6. Bistabile Multivibratorschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jede Halbleiterdiode für geringe