DE1180972B - Logische UND-Schaltungsanordnung - Google Patents
Logische UND-SchaltungsanordnungInfo
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- DE1180972B DE1180972B DES86829A DES0086829A DE1180972B DE 1180972 B DE1180972 B DE 1180972B DE S86829 A DES86829 A DE S86829A DE S0086829 A DES0086829 A DE S0086829A DE 1180972 B DE1180972 B DE 1180972B
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. KL: G 06 b;
G06f
Deutsche Kl.: 42 m-14
Deutsche Kl.: 42 m-14
Nummer: 1180 972
Aktenzeichen: S 86829IX c / 42 m
Anmeldetag: 21. August 1963
Auslegetag: 5. November 1964
In vielen Arten von kommerziellen Maschinen, wie beispielsweise Digitalrechnern, werden logische
Schaltungen als Grundbausteine verwendet. Derartige Schaltungen werden zur Durchführung zahlreicher
logischer Funktionen, wie beispielsweise der UND- oder ODER-Verknüpfung, benutzt. Zur
Realisierung derartiger logischer Verknüpfungen sind verschiedene Schaltkreise und Schaltungstechniken
bekanntgeworden. So sind bisher Transistorschaltkreise für logische Operationen verwendet
worden. Die Einsatzmöglichkeiten solcher Transistorschaltkreise sind jedoch durch die Arbeitsgeschwindigkeit
sowie die den Schaltkreisen zugeführten Eingangssignale begrenzt. Ebenso sind bisher auch
Tunneldioden-Schaltkreise eingesetzt worden, von denen jedoch einige ungenügende Verstärkungseigenschaften
aufweisen.
Den üblichen UND-Toren mit den Eingängen zugeordneten Eingangsdioden liegt die Wirkungsweise
zugrunde, daß das Tor erst anspricht, wenn alle Eingangsdioden gesperrt sind. Das Ansprechen kann
hierbei lediglich mit der bei solchen Dioden erreichbaren Schaltgeschwindigkeit erfolgen.
Die Erfindung bezweckt, eine UND-Schaltungsanordnung
zu schaffen, welche mit hoher Geschwindigkeit zu arbeiten vermag und Verstärkereigenschaft
aufweist. Dies erreicht die Erfindung dadurch, daß jeder Eingang eine Tunneldiode enthält, eine
Elektrode eines Transistors mit einem gemeinsamen Verbindungspunkt je einer Elektrode aller Tunneldioden
verbunden ist, mit diesem Verbindungspunkt eine Vorspannungsquelle verbunden ist, welche die
Tunneldioden im Betriebszustand niedrigerer Spannung hält, und eine weitere Vorspannungsquelle mit
dem Transistor verbunden ist, derart, daß ein Kippen der Tunneldioden in den Zustand hoher Spannung
und eine Umsteuerung des Transistors in den Bereich hoher Leitfähigkeit nur möglich ist, wenn
an allen Eingängen ein Signal liegt. Die Erfindung nutzt hierbei nicht nur die bekannte Tatsache aus,
daß Tunneldioden als Eingangsdioden eine bedeutend höhere Schaltgeschwindigkeit ergeben und
sich besonders gut eignen in Verbindung mit einer nachgeschalteten Transistorenverstärkerstufe, sondern
die Erfindung verwendet auch eine ganz andere Arbeitsweise für Tunneldioden. Bei der Anordnung
nach der Erfindung schneidet die Belastungskurve im Strom-Spannungs-Diagramm den stabilen Ast höherer
Spannung erst, wenn die Tunneldioden sämtlicher Eingänge ein Eingangssignal führen. Sobald diese
Bedingung erreicht ist, schalten sämtliche Tunneldioden plötzlich in den stabilen Bereich höherer
Logische UND-Schaltungsanordnung
Anmelder:
Sperry Rand Corporation, New York, N. Y.
(V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. E. Weintraud, Patentanwalt,
Frankfurt/M., Mainzer Landstr. 134-146
Frankfurt/M., Mainzer Landstr. 134-146
Als Erfinder benannt:
Jack Saul Cubert, Willow Grove, Pa.,
Francine Joy Weintraub, Somerdale, N. J.
(V. St. A.)
Jack Saul Cubert, Willow Grove, Pa.,
Francine Joy Weintraub, Somerdale, N. J.
(V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 27. August 1962
(219 555)
V. St. v. Amerika vom 27. August 1962
(219 555)
Spannung, wodurch der Transistor praktisch zeitlos leitend wird. Die UND-Schaltungsanordnung nach
der Erfindung hat somit bistabile Eigenschaften und wird weniger kritisch von dem ihr zugeführten Eingangssignaltyp
beeinflußt. Die naturgemäßen Verstärkereigenschaften des Transistors werden dabei
zur Verstärkung der von der mit extrem hoher Geschwindigkeit arbeitenden Tunneldiode erzeugten
Signale ausgenutzt.
Häufig tritt auch in größeren Schaltungsanordnungen, z. B. in Anordnungen, die aus einer Mehrzahl
von Verknüpfungsschaltungen bestehen, der Fall ein, daß am ersten Schaltkreis eine ganz andere Impulsoder
Wellenform auftritt als am letzten Schaltkreis, da durch den Betrieb der Zwischenschaltkreise das
Signal häufig entstellt oder anderweitig nachteilig beeinflußt wird. Da eine Tunneldiode bei ihrem Kippen
vom einen in den anderen Arbeitszustand eine sehr schnelle Pegeländerung bewirkt, wirkt sie im
Eingang eines Transistorschaltkreises als Impulsformer, so daß sich eine mit hoher Geschwindigkeit
arbeitende Verstärkerschaltung mit guter Impulswiedergabe ergibt.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt. Es zeigt
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt. Es zeigt
F i g. 1 die F-/-Arbeitskennlinie einer Tunneldiode und
409 710/343
Fig. 2 das Schaltbild eines bevorzugten Ausführungsbeispiels
der erfindungsgemäßen Schaltung.
F i g. 1 zeigt die typische Kennlinie einer Tunneldiode. Tunneldioden und ihre Kennlinien sind in der
Technik bereits bekannt, so daß sich eine detaillierte Beschreibung der Arbeitsweise der Tunneldiode erübrigt.
Über Halbleiterbauelemente ist verschiedene Literatur vorhanden, aus der eine detaillierte mathematische
Untersuchung der Arbeitsweise von Tun-
von etwa 100 Ω parallel geschaltet. Die Übertrager haben ein Windungsverhältnis von 4:1 oder 8:1
und liegen mit ihren Primärwicklungen jeweils in einem Eingangskreis 34, 35, 36, die der Einfachheit
5 wegen mit Eingang A, Eingang S und Eingapg C bezeichnet
sind. Diese Eingangskreise können aber auch aus anderen, der vorliegenden Schaltung ähnlichen
Schaltkreisen bestehen, wie noch nachstehend ersichtlich wird. Diese Eingangskreise können im-
neldioden und ihren Kennlinien entnommen werden io puls- oder pegelartige Signale liefern,
kann. Die Kennlinie der Tunneldiode besteht, kurz Die Tunneldioden 22, 23 und 24 liegen mit ihren
kann. Die Kennlinie der Tunneldiode besteht, kurz Die Tunneldioden 22, 23 und 24 liegen mit ihren
gesagt, aus dem dem Zustand hohen Stroms und nied- Anoden außerdem an einer Elektrode eines Tranriger
Spannung entsprechenden Gebiet 10, aus dem sistors 31. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel
den Zustand hoher Spannung und den Durchlaß- sind die Tunneldioden mit dem Emitter eines pnpbereich
darstellenden Gebiet 12 sowie dem zwischen 15 Transistors, beispeilsweise 2 N 695, verbunden. Die
beiden Gebieten liegenden Arbeitsbereich 11 des so- Basis des Transistors liegt an einer Spannungsquelle
genannten negativen Widerstandes. Die Arbeits- 38. Das Potential dieser Quelle kann Erdpotential
bereiche der Tunneldiode sind durch den Scheitel- oder leicht negativ gegen Erde sein, um den Transi-
und den Talpunkt definiert. Die Lastgerade 13 ent- stör bis auf den vorteilhaftesten Arbeitspunkt vorspricht
der typischen Lastgeraden einer konventio- 20 zuspannen. An diesem Arbeitspunkt leitet der Trannellen
linearen Last, wie beispielsweise eines Last- sistor leicht, stellt aber trotzdem noch einen hohen
Widerstandes. Die Lastgarde schneidet die V-I- Eingangswiderstand dar, so daß er erst dann ganz
Kennlinie der Tunneldiode in den beiden stabilen leitet, wenn sämtliche Tunneldioden in der nachArbeitsbereichen,
wobei die zwei Schnittpunkte 14, stehend beschriebenen Weise gekippt werden. Der
15 die beiden stabilen Arbeitszustände der Tunnel- 25 Kollektor des Transistors 31 ist mit einer Klemme
diode darstellen. F i g. 1 zeigt außerdem eine weitere der Primärwicklung des Ausgangsübertragers 32 ver-Lastlinie
16, welche die Kennlinie der Tunneldioden bunden, der wie die Übertrager 28, 29, 30 ein Winnur
in einem der beiden stabilen Zustände schneidet. dungsverhältnis von 4:1 oder 8:1 haben kann und
Diese Lastlinie stellt eine nichtlineare Last, wie z. B. so angeordnet ist, daß die Ausgangswellenform an
eine Diode, dar. Der Einfachheit halber fällt der 30 der Sekundärwicklung gegenüber der Eingangs-Schnittpunkt
mit dem zuvor genannten Schnittpunkt wellenform an der Primärwicklung umgekehrt auf-14
zusammen. Die Lastlinie 16 ist gekrümmt und tritt. Mit der anderen Klemme liegt die Primärwickschneidet
die Kennlinie der Tunneldiode im zweiten lung des Übertragers 32 an einer Spannungsquelle 37,
stabilen Arbeitsbereich nicht. Der genaue Verlauf die eine Gleichspannungsquelle ist und eine Spander
Lastlinie 16 ist für den Betrieb der Schaltung 35 nung von etwa —10 V liefern kann. Diese Gleichgemäß F i g. 2 nicht kritisch, solange der die höhere spannung wird dazu benutzt, den Kollektor des Tran-Spannung
andeutende Teil der Linie unterhalb des sistors 31 vorzuspannen, so daß man den günstigsten
Talpunktes der Kennlinie der Tunneldiode liegt. Die Arbeitspunkt erhält. In einem bevorzugten Ausvorliegende
Schaltung ist gekennzeichnet durch eine führungsbeispiel wird der Transistor 31 so weit vorMehrzahl von Lastlinien, die denen der Linie 16 40 gespannt, daß er leicht leitet, jedoch auf jeden Fall
ähnlich sind und eine Kurvenschar darstellen, in der ungesättigt bleibt. Dieses durch Vorspannung bealle
Kurven der Lastlinie 16 ähnlich sind, und durch wirkte Leiten ermöglicht eine Spannungsverstärkung
eine der Lastgeraden 13 ähnliche Lastgerade. Gemäß sowie kurze Schaltzeiten. Die Sekundärwicklung des
dieser Anordnung von Lastkurven und -geraden Übertragers 32 ist mit einem Ausgangs-Schaltkreis 33
kann die Tunneldiode somit als bistabiles oder mono- 45 verbunden, der auch aus einem anderen Schaltkreis
stabiles Schaltelement betrieben werden, wobei die als dem gezeigten bestehen kann,
zu benutzende Anordnung von Lastkurven und -ge- Diese Schaltung kann als UND-Gatter arbeiten,
zu benutzende Anordnung von Lastkurven und -ge- Diese Schaltung kann als UND-Gatter arbeiten,
raden von den Eingangssignalen abhängt, wie nach- d. h., daß ein Ausgangssignal erzeugt wird, wenn
stehend noch ersichtlich wird. eine vorbestimmte Anzahl von Eingangssignalen, im
F i g. 2 zeigt ein Schaltbild der erfindungs- 50 vorliegenden Fall drei, anliegt. Im Betrieb erhält die
gemäßen Schaltung. Eine herkömmliche Gleich- dargestellte Schaltung einen Versorgungsstrom von
Spannungsquelle 20, die eine Spannung von etwa der aus der Spannungsquelle 20 und dem Widerstand
— 25 V liefern kann, ist mit einem Widerstand 21 21 bestehenden konstanten Stromquelle. Dieser
von etwa 1000 Ω verbunden. Diese aus Spannungs- Strom ist so bemessen, daß bei Vorspannung aller drei
quelle 20 und Widerstand 21 bestehende Kombi- 55 Tunneldioden auf den Zustand niedriger Spannung
nation kann als eine konventionelle Stromquelle an- diese Dioden jeweils ein Drittel des durch den Widergesehen werden, welche etwa 25 mA liefert. Dieser stand 21 fließenden Stroms durchlassen. Bezeichnet
Stromwert ist nur zur Erläuterung angegeben und man den von der Stromquelle gelieferten Strom
nicht als Grenzwert gedacht. Der Widerstand 21 ist mit /, so läßt jede Tunneldiode im statischen Betrieb
außerdem mit den Anoden von Eingangs-Tunnel- 60 einen Strom I/n, d. h. im vorliegenden Fall 1/3,
dioden 22, 23 und 24 verbunden. Als Eingangs- durch. In F i g. 1 ist I/n durch IB dargestellt. Der
Tunneldioden können Tunneldioden vom Typ Wert In wird bestimmt von dem Typ der verwende-RCA
IN 3129 mit einem Spitzenstromkennwert von ten Tunneldiode, der Stromquelle, dem zur Verfügung
20 mA verwendet werden. Diese Tunneldioden liegen stehenden Eingangssignal sowie dem gewünschten
mit ihre Kathoden einzeln an jeweils einer Klemme 65 oder erforderlichen Ausgangssignal. Im Prinzip stel-
der Sekundärwicklungen von Übertragern 28, 29
und 30. Mit den Sekundärwicklungen sind Widerstände 25, 26, 27 mit einem kleinen Widerstandswert
und 30. Mit den Sekundärwicklungen sind Widerstände 25, 26, 27 mit einem kleinen Widerstandswert
len der Tunneldiodentyp sowie die Stromquelle
Kenngrößen dar, die innerhalb annehmbarer Grenzen veränderbar sind. I11 wird also mehr von dem
Kenngrößen dar, die innerhalb annehmbarer Grenzen veränderbar sind. I11 wird also mehr von dem
verfügbaren Eingangssignal und dem gewünschten Ausgangssignal bestimmt. Mit anderen Worten: Je
größer das gewünschte Ausgangssignal ist, desto größer ist der Wert/ß. Andererseits gilt jedoch: Je
größer I11, desto kleiner IEIN, da IP feststeht. Für den
Maximal- und den Minimalwert von IB bestehen also
Grenzwerte, die durch I9 und Iv gegeben sind, durch
welche die Arbeitspunkte der Tunneldiode definiert sind. Für einen einwandfreien Betrieb muß IB wesentlich
größer als Iv sein. Da die erfindungsgemäße
Schaltung außerdem für eine Kaskadenschaltungsanordnung vorgesehen ist, muß das Ausgangssignal
nach Verstärkung durch den Transistor 31 genügend groß sein, um einen nachgeschalteten Schaltkreis zu
steuern. Das Ausgangssignal einer Tunneldiode oder einer Tunneldiodenkombination darf jedoch nicht so
groß sein, daß die dem gleichen Gatter zugeordneten Tunneldioden unbeabsichtigt gekippt werden. Als
typischer Wert von IB kommen daher etwa 8 bis 1OmA in Frage. Dieser Wert liefert ein Ausgangssignal
(Jaus~Ib~Iv) m der Größenordnung von 3 bis
6 mA und erfordert ein Eingangssignal (IEiN=IP—Iv)
in der Größenordnung von etwa 10 bis 14 mA, je nach Toleranz, usw. Nimmt man als Mittelwert
/fi=9mA mit //J=ZOmA und /v=5mA, so läßt
sich das erforderliche Eingangssignal (wobei Übersteuerung usw. der Einfachheit halber nicht berücksichtigt
ist) wie folgt errechnen: Iein=Ip~Ib
= 11 mA. Das erzeugte Ausgangssignal beträgt dann IAUS~IB—Iv--4mA. Werden also von den drei
einem UND-Gatter zugeordneten Tunneldioden 22, 23 und 24 zwei (oder weniger) durch Eingangssignale
gekippt, so ist das maximale Ausgangssignal insgesamt kleiner als das zum Kippen der anderen
Tunneldiode erforderliche Eingangssignal, also 2/4t;S=8mA</£W=ll mA. Im Emitterkreis des
Transistors fließt also wenig oder gar kein Strom. Allgemein ausgedrückt ergibt sich somit, daß
(n-l)IAus
< 1EiN-
Der Emitter des Transistors 31 ist außerdem durch die Tunneldioden auf etwa +5OmV gegen Erde
vorgespannt, während seine Basis durch die Spannungsquelle 38 auf etwa — 5OmV vorgespannt ist.
Angesichts des am Verbindungspunkt zwischen Emitter und Basis auftretenden Durchlaßspannungsabfalls
ist ersichtlich, daß der Transistor einen hohen Widerstand bietet und im Emitter-Kollektor-Kreis
sehr wenig Strom fließt. Da der Transistor zu dieser Zeit kein Ausgangssignal erzeugt, erhält auch der
Ausgangs-Schaltkreis 33 kein Eingangssignal, Aber selbst wenn der Transistor unter diesen Umständen
einen vernachlässigbaren Kollektorstrom erzeugen würde, sorgt der Übertrager 32 für eine wirksame
Gleichstromtrennung vom Ausgangskreis 33. Erhält also die Schaltung keine Eingangssignale, so wird
auch kein Ausgangssignal erzeugt.
Als Beispiel soll angenommen werden, daß der Übertrager 28 ein Eingangssignal vom Eingang Ά erhält.
Die Polarität des Eingangssignals hängt vom Anschluß des Übertragers ab. Im dargestellten Beispiel
bewirkt das Eingangssignal das Auftreten eines gegen Erde negativen Signals an der Kathode der
Tunneldiode. Dieses Signal ist so groß, daß die Tunneldiode auf den Arbeitsbereich hoher Spannung
gesteuert würde. Die Tunneldiode würde also von ihrem Arbeitspunkt 14 auf den Arbeitspunkt 15 gekippt
werden (Fig. 1). Zum Lastwiderstand an der Tunneldiode 22 gehört jedoch nicht nur der Transistor
31, sondern auch die parallelliegenden Tunneldioden 23 und 24. Der Durchlaßwiderstand der
Tunneldioden 23, 24 beträgt nur einige Ohm. Außerdem stellen diese Tunneldioden eine nichtlineare
Last an der Tunneldiode 22 dar, so daß ihre Lastlinie sich mehr der Lastkurve 16 (F i g. 1) nähert.
Mit der Entfernung des Eingangssignals von der Kathode der Tunneldiode 22 kippt diese daher sofort
wieder in ihren Zustand niedriger Spannung zurück
ίο (Arbeitspunkt 14), da dies der einzige stabile Arbeitspunkt der Schaltung ist.
Obwohl die Tunneldiode 22 weniger Strom durchläßt, sind die Tunneldioden 23, 24 so vorgespannt
worden (IB beträgt etwa 9 mA), daß der Extrastrom
(der als ein Ausgangs- oder zusätzlicher Strom angesehen werden kann, der jetzt durch die konstante
Stromquelle zur Verfügung steht und etwa 4 mA beträgt) durch sie fließen kann, ohne diese Dioden über
den Scheitelpunkt hinaus zu kippen. Die Tunneldioden 23 und 24 lassen also jeweils 2 mA des
Extrastroms durch, der infolge der Umschaltung der Tunneldiode 22 verfügbar ist. Der Arbeitspunkt 14
der Tunneldioden 23, 24 wird also auf etwa 11 mA verschoben und liegt damit klar unter dem Strommaximum
(/P=20mA).
In ähnlicher Weise kippen die Tunneldioden 22, 23 und/oder 24 in ihren Zustand hoher Spannung,
wenn von zweien der Eingänge^, B, C Eingangssignale geliefert werden. Wie im Falle des Beispiels
mit nur einem Eingangssignal stellt auch bier die nicht gekippte Tunneldiode neben dem als Last wirkenden
Transistor 31 eine nichtlineare Last an den gekippten Dioden dar, so daß sich die Lastlinie dieser
Tunneldioden der Lastkurve 16 nähert. Die gekippten Tunneldioden arbeiten also nicht im bistabilen
Betrieb, da nur der Arbeitspunkt 14 stabil ist. Infolge der unterschiedlichen Lasten, die an den gekippten
Tunneldiode im ersten und zweiten Beispiel anliegen, kann die Lastlinie in Wirklichkeit zu
einer Gruppe von Lastkurven gehören, die der Lastkurve 16 ähnlich sind, wobei die Lastlinie nicht unbedingt
mit der Lastkurve 16 zusammenfallen muß. Wie bei dem zuerstgenannten Beispiel steht nach dem
Kippen der beiden Tunneldioden mehr Strom für die nicht gekippte Tunneldiode bereit. Nimmt man an,
daß die Tunneldioden 22 und 23 die gekippten Dioden darstellen und die Tunneldiode 24 die nicht
gekippte Diode ist, so erhält die Tunneldiode 24 somit einen Mehrstrom in der Größenordnung von
10 mA. Da die Tunneldiode indessen so vorgespannt ist, daß das Eingangssignal mindestens HmA betragen
muß, kann der Mehrstrom diese Tunneldiode nicht unbeabsichtigt kippen. Da die Tunneldioden 22
und 23 außerdem im monostabilen Betrieb arbeiten, kippen diese Dioden wieder auf den Arbeitspunkt 14
zurück, sobald die von den Eingängen 34 und 35 gelieferten Eingangssignale entfernt werden. Danach
arbeiten die Tunneldioden 22, 23 und 24 wieder im Bereich niedriger Spannung, wobei jede Diode//3
Strom durchläßt.
Erhält also die Schaltung von den ihr zugeordneten Eingängen nur ein oder zwei Eingangssignale (oder
eine beliebige andere Zahl von Eingangssignalen, die kleiner ist als die Gesamtzahl der Eingänge), so
arbeiten die Tunneldioden im monostabilen Betrieb. Dieser Betrieb erfolgt unter dem Einfluß der nichtlinearen Belastung durch die der Schaltung zugeordneten
nicht gekippten Tunneldioden. Da die
Tunneldioden im monostabilen Betrieb arbeiten und so vorgespannt sind, daß sie zufallsbedingten Mehrstrom
durchlassen, wird der Transistorteil der Schaltung nicht beeinflußt, so daß im Ausgangskreis 33
kein Ausgangssignal auftritt.
Liefern dagegen alle Eingänge 34, 35 und 36 jeweils ein Signal des oben angegebenen Typs, also
einen gegen Erde negativen Impuls, so erscheint an den Kathoden sämtlicher Tunneldioden 22, 23 und
24 jeweils ein negativer Impuls. Jedes dieser Eingangssignale reicht aus, die Tunneldiode, an die das
Signal angelegt wird, in den Zustand hoher Spannung zu kippen. Da an der Schaltung drei Eingangssignale
anliegen, werden also alle drei Tunneldioden 22, 23 und 24 in den Zustand hoher Spannung gekippt. Es
ist also keine nichtgekippte Tunneldiode vorhanden, welche als nichtlineare Last auf die Schaltung einwirken
könnte. Somit gilt jetzt die Lastgerade 13 (Fig. 1); die Tunneldioden 22, 23 und 24 arbeiten
also jetzt im bistabilen Betrieb, so daß sie nach Ent- ao fernen der Eingangssignale auch weiterhin im Zustand
hoher Spannung (Arbeitspunkt 15) bleiben.
Da die Tunneldioden im bistabilen Betrieb arbeiten und im Zustand hoher Spannung (Arbeitspunkt
15) bleiben, steigt das Potential am Emitter des Transistors 31 selbst nach Entfernung der Eingangssignale naturgemäß auf etwa +50OmV gegen Erde
an. Dieser Potentialanstieg erfolgt von dem früheren Potentialpegel, der etwa + 50 mV gegen Erde betrag.
Durch den Spannungsanstieg am Emitter des Transistors 31 erhöht sich die Spannung zwischen
Emitter und Basis des Transistors. Der Transistor wird daher stärker leitend in Richtung auf seinen
gesättigten Arbeitszustand, so daß ein großer Strom vom Emitter zum Kollektor fließt. Dieser große
Stromfluß wird durch das Kippen der Tunneldioden gesteuert. Der große Stromfluß vom Emitter zum
Kollektor des Transistors 31 erscheint also als Stromimpuls mit im wesentlichen kurzer Anstiegszeit.
Dieser eine kurze Anstiegszeit habende Impuls durchläuft die Primärwicklung des Übertragers 32
und gelangt zur negativen Spannungsquelle 37. Der die Primärwicklung des Übertragers 32 durchlaufende
Stromimpuls erzeugt naturgemäß einen Magnetfluß, wodurch die Sekundärwicklung des
Übertragers 32 angekoppelt wird und ein Ausgangssignal im Ausgangskreis 33 auftritt. Da das von der
Sekundärwicklung des Übertragers 32 erzeugte Signal ein kurzzeitiger Impuls ist, kann als Ausgangskreis
eine Schaltung verwendet werden, die der zuvor beschriebenen ähnlich ist, oder eine bistabile Kippschaltung,
die in Abhängigkeit von den vom Übertrager 32 erzeugten Signalen ein- bzw. rückgestellt
wird. Diese Ausgangskreise werden lediglich als Beispiel angegeben bzw. vorgeschlagen und sollen die
Erfindung nicht einschränken.
Mit der Ankopplung von Impuls- oder pegelartigen Signalen an die Eingangs-Schaltkreise können
also Ausgangssignale erzeugt werden, die entweder Impuls- oder pegelartige Signale darstellen. Wie ferner
ersichtlich ist, arbeitet der aus den Tunneldioden bestehende Ausblendteil der Schaltung als Impulsformer
für den Transistor 31; d. h., der Transistor 31 erhält einen ausgeprägten, relativ schnellen Impuls
mit kurzer Anstiegszeit, unabhängig von der An- «5 stiegszeit der an die Eingänge angelegten Signale.
Zum Rückstellen der Schaltung kann es wünschenswert sein, eine konventionelle Diode 39 als
Rückstellelement vorzusehen, die mit ihrer Anode an den Anoden der Tunneldioden 22, 23 und 24 liegt
und so gepolt ist, daß die Tunneldioden bei Ankopplung eines gegen Erde negativen Impulses auf
den Arbeitspunkt 14 rückgekippt werden. Dieser Impuls wird von einer Impulsquelle 40 geliefert, die
mit der Kathode der Diode 39 verbunden ist. Andererseits kann es wünschenswert sein, als Eingangssignale Signale mit wechselnder Polarität zu verwenden,
die ein Taktsignal enthalten, welches die zugeordnete Tunneldiode vor dem Anlegen eines eine
Information beinhaltenden Eingangssignals automatisch in den Zustand niedriger Spannung rückkippt.
Der als Rückstellteil der Schaltung verwendete Schaltkreistyp ist in erster Linie ein Funktionsschaltkreis
und wird auch für Alternativschaltungen vorgeschlagen, da er kein kritischer Teil der Schaltung
ist, sondern den jeweiligen an die Schaltung gestellten betrieblichen Anforderungen angepaßt werden
kann. Ähnlich können auch andere Änderungen an der Schaltung vorgenommen werden. Einige dieser
Änderungen sind bereits oben vorgeschlagen worden, wonnach die Typen der Tunneldioden oder anderer
Elemente geändert werden können, ohne von dem der Erfindung zugrunde liegenden Gedanken abzuweichen.
Ebenso braucht auch die Basis des Transistors der Schaltung nicht geerdet zu sein, sondern
der Transistor kann anders geschaltet sein, je nachdem, welche Ergebnisse, wie beispielsweise Verstärkung,
kurze Schaltzeiten usw., der Transistorbetrieb liefern soll.
Claims (5)
1. Logische UND-Schaltungsanordnung mit einer Mehrzahl von Eingängen und einem Ausgang,
dadurch gekennzeichnet, daß jeder Eingang eine Tunneldiode enthält, daß eine Elektrode eines Transistors (31) mit einem
gemeinsamen Verbindungspunkt je einer Elektrode aller Tunneldioden (22, 23, 24) verbunden
ist, daß mit diesem Verbindungspunkt eine Vorspannungsquelle (20, 21) verbunden ist, welche
die Tunneldioden im Betriebszustand niedrigerer Spannung hält, und daß eine weitere Vorspannungsquelle
(38) mit dem Transistor verbunden ist, das Ganze derart, daß ein Kippen der Tunneldioden (22, 23, 24) in den Zustand
hoher Spannung und eine Umsteuerung des Transistors (31) in den Bereich hoher Leitfähigkeit
nur möglich ist, wenn an allen Eingängen ein Signal liegt.
2. Logische UND-Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der
Vorspannungsquelle (20), welche bei Fehlen eines Eingangssignals nur einen Arbeitspunkt (14)
für jede Tunneldiode (22, 23, 24) in deren Bereich (10) niedriger Spannung ausbildet, ein
Widerstand (21) vorgeschaltet ist, welcher bei Kippen aller Tunneldioden (22, 23, 24) unter
dem Einfluß zugeordneter Eingangssignale die Vorspannung derart verändert, daß der Arbeitspunkt auf einen weiteren stabilen Ast (12) höherer
Spannung der Charakteristik verschoben wird.
3. Logische UND-Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der
Transistor (31) ein pnp-Transistor ist, dessen Emitter mit dem Verbindungspunkt je einer
Elektrode aller Tunneldioden (22, 23, 24) und dessen Basis mit der Vorspannungsquelle (38)
verbunden ist.
4. Logische UND-Schaltungsanordnung nach
Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Eingang (A, B, C) einen Übertrager (28, 29, 30)
enthält, dessen Sekundärwicklung mit der Kathode einer Tunneldiode (22, 23, 24) verbunden ist.
10
5. Logische UND-Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein
Rückstellmittel (40, 39) mit den Anoden sämtlicher Tunneldioden (22, 23, 24) verbunden ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
»Elektronische Rechenanlagen«, Bd. 1, 1959,
Heft 1, S. 21.
»Elektronische Rechenanlagen«, Bd. 1, 1959,
Heft 1, S. 21.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
409 710/343 10.64
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US219555A US3201614A (en) | 1962-08-27 | 1962-08-27 | Logic circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1180972B true DE1180972B (de) | 1964-11-05 |
Family
ID=22819744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES86829A Pending DE1180972B (de) | 1962-08-27 | 1963-08-21 | Logische UND-Schaltungsanordnung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3201614A (de) |
BE (1) | BE636127A (de) |
CH (1) | CH401153A (de) |
DE (1) | DE1180972B (de) |
GB (1) | GB1038068A (de) |
NL (1) | NL297003A (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE1950331A1 (de) * | 1969-06-28 | 1971-04-08 | Licentia Gmbh | Schaltungsanordnung zur Realisierung von logischen Funktionen |
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- 1963-08-21 DE DES86829A patent/DE1180972B/de active Pending
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Non-Patent Citations (1)
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None * |
Cited By (2)
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US5254737A (en) * | 1990-09-17 | 1993-10-19 | Texaco Chemical Company | Continuous preparation of secondary amines from nitriles using a two-step process |
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