DE2748458C2 - Halbleiter-Schaltanordnung - Google Patents

Description

Eine Fernsprechvermittlungsanlage hat Teilnehmerschaltungen, von denen jede für einen Teilnehmeranschluß vorgesehen ist. um den Teilnehmerruf zu erfassen. Die Teilnehmerschaltung wird mit einer Sprechleitung verbunden, wenn diese nicht besetzt und bereit zum Erfassen des Teilnehmerrufsignals ist. Nach der Erfassung des Teilnehmer-Rufsignals oder wenn der

Teilnehmer von einem anderen Teilnehmer gerufen wird, muß die Teilnehmerschaltung von der Teilnehmer-Sprechleitung getrennt werden, um die Sprechleitung nicht nachteilig zu beeinflussen. Ein Trennschalter dient zum Trennen der Teilnehmerschal cung von der Sprechleitung. Herkömmliche Trennschalter sind mechanisch aufgebaut und verwenden teilweise einen Koordinatenwähler oder Kreuzschienenwähler (Crossbar-Wähler).

Mit der Entwicklung von integrierten Halbleiterschaltungen wu^rde bereits versucht, Kanalschalter in Fernsprechvermittlungsanlagen in Halbleitertechnik auszuführen, und im Zuge dieser Versuche wurde bereits daran gedacht, den oben beschriebenen Trennschalter ebenfalls in Halbleitertechnik herzustellen. Für einen Halbleiter-Trennschalter kann das folgende Beispiel gegeben werden. Ein Transistor wird als Schaltelement verwendet, das von einem Flipflop ein- und ausgeschaltet wird, wobei das Ausgangssignal des Flipflops an den Gate-Anschluß des Transistors angelegt wird. Durch das Leiten und Trennen des Transistors wird die Sprechleitung mit der Teilnehmerschaltung verbunden bzw. von der Teilnehmerschaltung getrennt

Ein derartiger Halbleiter-Trennschalter ist aber für den beabsichtigten Zweck aus den folgenden Gründen nicht geeignet Insbesondere werden an den Schalter verschiedene wesentliche Forderungen gestellt. Da z. B. jeder Teilnehmer einen Trennschalter hat und somit eine große Anzahl derartiger Schalter verwendet wird, muß die Leistungsaufnahme sehr klein sein. Wenn der Schalter eingeschaltet ist, muß ein zum Erfassen eines Rufsignals ausreichender Strom durchfließen, und er muß einen geringen Widerstandswert haben. Weiterhin muß er eine hohe Durchschlagsspannung in zwei Richtungen besitzen. Bei dem oben erläuterten Schalter jedoch ist einer der das Flipflop bildenden Transistoren unabhängig davon leitend, ob der Schalter leitet oder trennt, und der leitende Transistor nimmt Strom auf. Dies ist ein wesentlicher Nachteil, da der Schalter immer Leistung verbraucht Weiterhin ist der für das Schalt-Bauelement verwendete Transistor nicht als Strompfad für einen großen Strom geeignet

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine in Halbleitertechnik herstellbare Schaltanordnung mit geringer Leistungsaufnahme und großer Stromleitfähigkeit anzugeben, die als Trennschalter verwendbar ist.

Die Lösung dieser Aufgabe ist erfindungsgemäß durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils des Patentanspruches 1 gegeben.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind aus den Unteransprüchen ersichtlich.

Die erfindungsgemäße Halbleiter-Schaltanordnung weist also ein Halbleiter-Schaltelement mit der Wirkung eines Thyristors auf, das z. B. durch Verbinden des Kollektors und der Basis eines NPN-Transistors mit der Basis bzw. dem Kollektor eines PNP-Transistors entsteht und das eine Selbsthaltefunktion abwechselnd in zwei Zuständen erfüllt, wobei ein Steueranschluß-Steuerglied mit einem Halbleiter-Schaltelement zum Steueranschluß des Abschaltthyristors einen Strom zum Einschalten des Abschaltthyristors bei leitendem Schaltelement oder einen Strom zum Ausschalten des Abschaltthyristors bei ausgeschaltetem Schaltelement speist. Die Halbleiter-Schaltanordnung gemäß der Erfindung ist vorteilhaft als Trennschalter für eine Fernsprechvermittlungsanlage geeignet, da sie sehr wenig Leistung verbraucht, weil das Halbleiter-Schaltelement ausgeschaltet ist, wenn der Abschaltthyristor leitet, und da sie eine große Stromleitfähigkeit aufweist wenn der Abschaltthyristor leitet

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert Es zeigt

Fig. 1 eine Halbleiter-Schaltanordnung nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;

Fig.2 ein Beispiel einer Haltestufe und einer Konstantstromquelle für die erfindungsgemäße Halbleiler-Schaltanordnung;

Fig.3 ein Beispiel eines Trennschalters für die erfindungsgemnäße Halbleiter-Schaltanordnung;

Fig.4 ein Beispiel einer Logik-Eingangsschaltung einer Haltestufe für die erfindungsgemäße Halbleiter-Schaltanordnung;

Fig.5 ein Beispiel eines Steuergliedes für die erfindungsgemäße Halbleiter-Schaltanordnung und

Fig.6 ein weiteres Beispiel eines Trennschalters für die erfindungsgemäße Halbleiter-Schaltanordnung.

F i g. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Halbleiter-Schaltanordnung mit einem Trennschalter 1, der aus einem Abschaltthyristor 5 besteht (im folgenden auch als PNPN-Schalter S bezeichnet), mit einem Steuerglied 2, bestehend aus einem Transistor Q^ zum Abschalten des Thyristors S über seiner Steuerelektrode mit einer Konstantstromquelle 3, bestehend aus den Transistoren Q* und Qs, einer Diode D\ und Widerständen Ra und Rs, und mit einer Haltestufe 4, die aufweist eine Halteschaltung mit einem Halbleiter-Schaltelement mit der Wirkung eines Thyristors aus Transistoren Q2 und Q3 und Widerständen R₂ und R₃, und einer Logik-Eingangsschaltung mit einem Transistor Q\ und einem Widerstand R\. Der Trennschalter 1 hat einen Anodenanschluß A bzw. einen Kathodenanschluß K. die auf Masse bzw. negativem Potential liegen. Der Trennschalter 1 ist über seinen Anodenanschluß mit einer (nicht dargestellten) Sprechleitung und mit seinem Kathodenanschluß mit einer (nicht dargestellten) Schaltung zur Erfassung eines Rufsignals verbunden. Die Sprechleitung und die Rufsignal-Erfassungsschaltung sind verbunden, wenn der PNPN-Schalter 5 eingeschaltet ist, und getrennt, wenn der PNPN-Schalter S ausgeschaltet ist. Das Steuerglied 2 und die Konstantstromquelle 3 bilden eine Steueranschluß-Steuerschaltung, die die Richtung des durch den Steueranschluß des PNPN-Schalters 5 fließenden Stromes entsprechend dem Zustand der Haltestufe 4 steuert. Das Halbleiter-Schaltelement der Haltestufe 4, bei dem die Basis bzw. der Kollektor des PNP-Transistors Q₂ mit dem Kollektor bzw. der Basis des Transistors Q₃ verbunden ist, erfüllt eine Selbsthalte-Funktion und dient als Speicher. Das erwähnte Schaltelement ist in dem einen Zustand, wenn die Transistoren Q₂ und Q₃ beide ausgeschaltet sind, und im anderen Zustand, wenn die Transistoren Q₂ und Q₃ beide gesättigt sind. Abhängig von den beiden Zuständen kann eine Binär-Information gespeichert werden. Das Umschalten der Zustände erfolgt entsprechend der Richtung des Stromes am Steueranschluß 6 der P-Steuerzone. In Fig. 1 ist der Kollektor des NPN-Transistors <?i der Logik-Eingangsschaltung mit dem Steueranschluß 6 der P-Steuerzone verbunden. Die Basis und der Emitter des Transistors Qt sind mit Eingaiigsanschlüssen y bzw. * verbunden. Der Eingangsanschluß y empfängt ein Ansteuersignal, um einen der beiden Zustände der Haltestufe 4 in den anderen Zustand zu ändern und der Eingangsanschluß χ empfängt ein Eingangssignal, um das Halten eines der

beiden Zustände der Haltestufe 4 zu befehlen. Das Ansteuersignal und das Eingangssignal können z. B. durch ein TTL-Glied erzeugt werden und z. B. 1 μβ bzw.

3 μ$ dauern, wobei das Ansteuersignal in der Mitte des Eingangssignals liegt. Wenn die zugeordnete Teilnehmerschaltung auf ein Rufsignal wartet, empfängt der Eingangsanschluß χ ein Signal »0« (Signal mit niederem Pegel), und ein Signal »1« (Signal mit hohem Pegel), nachdem die Teilnehmerschaltung ein Rufsignal erfaßt hat oder wenn der Teilnehmer ruft. Wenn kein Ansteuersignal am Eingangsanschluß y liegt, bleibt der Transistor Q\ untätig, so daß der Zustand der Haltestufe

4 unabhängig vom Signalpegel am Eingangsanschluß χ unverändert gehalten wird. Wenn der Eingangsanschluß yein Ansteuersignal empfängt, während am Eingangsanschluß χ ein Signal »0« liegt, fließt ein Strom durch den Transistor Q\ vom Steueranschluß 6 der P-Steuerzone zum Eingangsanschluß x, so daß die PNPN-Halteschaltung ausgeschaltet wird. Wenn der Eingangsanschluß χ ein Signal »1« empfängt, während am Eingangsanschluß y ein Ansteuersignal liegt, fließt ein Strom vom Anschluß χ zum Steueranschluß 6 der P-Steuerzone, so daß die PNPN-Halteschaltung eingeschaltet wird.

Wenn die Halteschaltung ausgeschaltet ist, sind die Transistoren Q₄, Q₅ und Qe aus- bzw. ein- bzw. ausgeschaltet, so daß ein durch den Transistor Q₅ fließender Konstantstrom den Steueranschluß des PN PN-Schalters S ansteuert, wodurch dieser eingeschaltet wird. In diesem Zustand sind die Transistoren Qi, Qi und Q₃ alle ausgeschaltet, so daß durch diese keine Leistung verbraucht wird.

Wenn die Halteschaltung eingeschaltet ist, wird der Transistor Qt eingeschaltet, so daß ein konstanter Strom durch den Transistor Q4 fließt, und den Transistor Q₆ einschaltet Demgemäß fließt ein Sperr- oder Rückwärtsstrom durch den Steueranschluß des PNPN-Schalters S und schaltet ihn, so daß der Strompfad zwischen der Anode und der Kathode des PNPN-Schalters 5 gesperrt ist In diesem Fall sind die Transistoren Q2 und Qi leitend, und somit wird Leistung verbraucht Das Leiten der beiden Transistoren Qi und Qi bedeutet jedoch, daß die Sprechleitung besetzt ist (vgL oben), und damit erfolgt die obige Leistungsaufnahme nur, wenn die Sprechleitung besetzt ist Die Belegungszeit ist wesentlich kürzer als die Wartezeit für ein Rufsignal. Daher ist die Leistungsaufnahme sehr klein.

Um die Leistungsaufnahme zu verringern, sollte der durch den Transistor Qs zur Ansteuerung des Steueranschlusses des PNPN-Schalters 5 fließende konstante Strom vorzugsweise in der Nähe des Mindestwertes eingestellt werden bei dem der Steueranschluß angesteuert werden kann, und der durch den Transistor Q₄ zur Ansteuerung des Transistors Qs fließende konstante Strom sollte vorzugsweise in die Nähe des Mindestwertes eingestellt werden für den der Transistor Qs einen Stromfluß zum Ausschalten des PNPN-Schalters 5 bewirken kana Wenn diese Bedingungen vorliegen, ist der bei ausgeschalteter Halteschaltung durch den Transistor Q$ fließende Strom sehr klein, und der durch die Transistoren Q₄ und Qs fließende Strom ist nahezu vernachlässigbar, da die Zeitdauer, für die die Halteschaltung leitend ist, kurz ist, wie dies oben erläutert wurde.

Die erfindungsgemäße Schaltanordnung verbraucht also sehr wenig Leistung in einem der beiden Schaltzustände und kann somit im wesentlichen mit geringer Leistungsaufnahme betrieben werden. Da weiterhin bei dieser Schaltanordnung das Schaltelement mit PNPN-Aufbau als Trennschalter verwendet wird, kann ein großer Strom verarbeitet und eine hohe Durchschlagsspannung sowie ein niederer Einschalt-Widerstandswert erzielt werden.

Weiterhin kann diese Schaltanordnung, die aus Transistoren, Dioden und Widerständen besteht, einfach als integrierte Halbleiterschaltung hergestellt werden. F i g. 2 zeigt eine Abwandlung der Haltestufe 4 und der Konstantstromquelle 3, wobei einander entsprechende Teile mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind wie in F i g. 1. Das Ausführungsbeispiel der F i g. 2 hat einen Mehrfach-Kollektor-Transistor Qu für den Transistor Q₂ der Haltestufe 4 und den Transistor Q₄ der Konstantstromquelle 3. Der Mehrfach-Kollektor-Transistor Qu kann einfach integriert hergestellt werden, indem eine zusätzliche P-Zone in der N-Steuerzone eines Lateral-PNPN-Thyristors vorgesehen wird. Der Betrieb dieser Schaltung 5 ist gleich dem Betrieb der in F i g. 1 dargestellten Schaltstufen 3 und 4.

Durch Integration eines Teiles der Haltestufe 4 und eines Teils der Konstantstromquelle 3 kann die in einer integrierten Halbleiterschaltung eingenommene Fläche verringert werden, wodurch der Aufwand herabgesetzt wird.

F i g. 3 zeigt ein weiteres Beispiel des Trennschalters 1, bei dem eine Stromüberbrückung für den PNPN-Schalter 5 vorgesehen ist Ein Trennschalter 11 vom Abschaltthyristortyp besteht aus einem PNPN-Schalter S und einem Transistor Q₇. Da der größte Anteil des zwischen dem Anodenanschluß A und dem Kathodenanschluß K des Trennschalters 11 fließenden Stromes durch den Transistor Qr und lediglich ein geringerer Strom durch den PNPN-Schalter 5 fließt, erfolgt das Ausschalten über den Steueranschluß durch den Transistor Q₆ des Steuerglieds 2, das mit dem Steueranschluß des PNPN-Schalters 5 verbunden ist, sicherer. Daher vermeidet dieses Ausführungsbeispiel ein schwieriges Ausschalten über den Steueranschluß eines Lateral-PNPN-Schalters in einer integrierten Halbleiterschaltung aufgrund des Innenwiderstandes der P-Steuerzonen-Schicht des Schalters. Ein Widerstand Re erhöht die Durchschlagsspannung zwischen dem Kollektor und dem Emitter des Transistors Qi, und eine Diode D₂ ist eingefügt, um die gewünschte Rückwärts- oder Sperr-Spannung zu erhöhen.

F i g. 4 zeigt als ein weiteres Beispiel eine Haltestufe 25, die zusätzlich zur Haltestufe 4 von F i g. 1 einen PNP-Transistor Q₉, einen Widerstand R₈ und eine Diode Di aufweist Der Kollektor des Transistors Qs ist mit der Basis des Transistors Q\ (vgl. F i g. 4) zum Steuern des Transistors Qi verbunden. Der Emitter bzw. die Basis des Transistors Qj sind mit den Eingangsanschlüssen y bzw. ζ verbunden. Bei diesem Schaltungsaufbau wird der Transistor Qi durch das logische Produkt der Eingangssignale an den Anschlüssen y und ζ angesteuert, während bei der Schaltanordnung in Fig. 1 der Transistor Qi durch das Signal am Anschluß y allein angesteuert wird. Nur wenn beide Signale an den Anschlüssen y und ζ auf einem hohen Pegel (logische »1«) sind, kann das Signal am Anschluß χ an der Basis des Transistors Qj liegen. Die Diode D₁ ist eine Koppeldiode, um den Rauschabstand der Haltestufe zu erhöhen. DerWiderstand Rs verhindert einen fehlerhaften Betrieb der Haltestufe 24 mit den Transistoren Q₂ und Qi aufgrund eines Rate- oder Geschwindigkeitseffektes. Um weiterhin einen fehlerhaften Betrieb der Haltestufe 24 mit der Halteschaltung aus den Transisto-

ren φ und Q₃ in PNPN-Anordnung oder dem Trennschalter 1 aufgrund des Geschwindigkeitseffektes zu verhindern, und um die Steueranschlüsse mit hoher Empfindlichkeit anzusteuern, kann ein Schutzglied mit veränderlicher Impedanz zwischen dem Steueranschluß und der Kathode jedes Schaltgliedes vorgesehen sein.

F i g. 5 zeigt als weiteres Beispiel ein Steuerglied 22. Bei dem in F i g. 1 dargestellten Steuerglied 2 ist der Emitter des Transistors Q, mit der Kathode des PNPN-Schalters 5 verbunden, d.h. dem Kathodenan-Schluß K des Trennschalters 1, und wenn der PNPN-Schalter S ausgeschaltet ist, fließt ein Strom durch die Transistoren Q* und Q₀ zum Kathodenanschluß K. Wenn deshalb eine Sprechleitung mit dem Kathodenanschluß K verbunden ist, kann dieser Strom die Sprechleitung nachteilig beeinflussen. Das in F i g. 5 dargestellte Steuerglied 22 kann diesen Einfluß durch seinen speziellen Aufbau verhindern, indem der Emitter des Transistors Q₀ mit einer negativen Spannungsquelle Ve verbunden und vom Kathodenanschluß K des Trennschalters 1 getrennt ist, so daß in den Kathodenanschluß K kein Strom fließt. Eine Diode D_A verhindert einen Rückwärts- oder Sperrstrom, der sonst gegebenenfalls fließt, wenn das Potential an der Kathode des PNPN-Schalters S abfällt, da der Emitter des Transistors Qi mit der Spannungsquelle Ve verbunden ist. Der Betrieb der übrigen Teile des Steuergliedes 22 entspricht dem Betrieb des Steuergliedes 2 in F i g. 1.

F i g. 6 zeigt ein weiteres Beispiel des Trennschalters. Dieses Beispiel ist eine Abwandlung des Trennschalters 11 mit dem Nebenschlußweg in Fig.3. Wie in Fig.6 dargestellt ist, wird zusätzlich ein Transistor Qi vorgesehen, der zusammen mit dem Transistor Qj eine Darlington-Schaltung bildet Bei dieser Schaltungsanordnung wird der Teil des zwischen dem Anodenan-Schluß A und dem Kathodenanschluß K fließenden Stromes, der durch den PNPN-SchalterS fließt, weiter durch die Darlington-Schaltung verringert, und daher wird das Abschalten über die Steuerelektrode des PNPN-Schalters weiter erleichtert. Der Widerstand R₀ und ein Widerstand Rj erhöhen die Kollektor-Emitter-Durchschlagsspannungen der Transistoren Qi und Qn und bilden Entladungs-Strompfade für die in den Basiszonen der Transistoren angesammelten elektrischen Ladungen. Die Diode Di kompensiert eine Abnahme der Sperr- oder Rückwärts-Durchschlagsspannung durch die Anordnung der Transistoren Qj und Qs. Bei diesem Schaltglied 21 ist der Anodenanschluß A geerdet, während der Kathodenanschluß K mit der Sprechleitung verbunden ist.

Bei den oben erläuterten Ausführungsbeispielen der Erfindung ist der Abschaltthyristor aus- bzw. eingeschaltet, wenn das Halteglied ein- bzw. ausgeschaltet ist, und wenn die Zeit überwiegt, während der der Abschaltthyristor leitet, wie gerade bei einer Teilnehmerschaltung einer Fernsprechvermittlungsanlage, die ein Rufsignal erwartet, der Fall ist, wird der leitende Zustand des Thyristors bei Ausschalten des Halteglieds beibehalten, wodurch die Leistungsaufnahme der Haltestufe auf Null verringert und die gesamte verbrauchte Leistung herabgesetzt wird.

Alternativ kann jedoch die Schaltanordnung so aufgebaut sein, daß der Abschaltthyristor leitet, wenn die Haltestufe leitet Selbst wenn dabei die Zeitdauer, in der die Haltestufe leitet, länger ist als die Zeitdauer, in der die Haltestufe ausgeschaltet ist, und damit die Haltestufe auch in der Zeitdauer arbeitet, in der zum Halten keine Leistungsaufnahme benötigt wird, verbraucht es trotzdem weniger Leistung im Vergleich mit einem Flipflop bei den herkömmlichen Schaltanordnungen. Dies beruht darauf, daß das Flipflop immer Leistung aufnimmt unabhängig davon ob der Abschaltthyristor leitet oder sperrt.

Selbstverständlich können auch verschiedene Teile der oben erläuterten Ausführungsbeispiele miteinander vereinigt werden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (11)

Patentansprüche:

1. Halbleiter-Schaltanordnung, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Steuerelek- trode und der Kathode eines Abschaltthyristors (S) ein die Richtung des Stromflusses durch die Steuerelektrode des Abschaltthyristors (S) bestimmendes Steuerglied (2; 22) mit einem Transistor (Q₆) angeschlossen ist, daß mit dem Abschaltthyristor (S) und dem Steuerglied (2; 22) eine Konstantstromquelle (3) gekoppelt ist, die zwei emitterseitig miteinander verbundene Transistoren (Q₄, Qs) enthält, deren Kollektoren die Ausgänge der Konstantstromquelle (3) darstellen, wobei der erste Ausgang über das Steuerglied (2; 22) mit der Steuerelektrode des Abschaltthyristors (S) und der zweite Ausgang mit dem Steueranschluß des Steuergliedes (2; 22) verbunden ist, und daß der Konstantstromquelle (3) eine Haltestufe (4; 24) vorgeschaltet ist, die einen Eingangstransistorkreis (Q\ in Fig. 1, 2; Qi, Qs in Fig.4) und zwei zu einem PNPN-Schaltelement zusammengeschaltete Transistoren (Q₂, Q₃) aufweist, die ein Speicherglied mit Selbsthaltefunktion bilden, das in Abhängigkeit von an Eingangsan- 2s Schlüssen (x, y in Fig. 1, 2; x, y, ζ in Fig.4) des Eingangstransistorkreises (Qi in Fig. 1, 2; Qt, Qa in Fig.4) anliegenden Signalen in leitendem oder in gesperrtem Zustand verharrt und entsprechend über die Konstantstromquelle (3) und das Steuerglied (2; 22) den Abschaltthyristor (S) ein- oder ausschaltet

2. Halbleiter-Schaltanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Abschaltthyristor (S) bei Stromfluß in seine Steuerelektrode hinein eingeschaltet ist, wenn das PNPN-Schaltelement (Transistoren Q2, Q3) ausgeschaltet ist, während der Abschaltthyristor (S) bei Stromfluß aus seiner Steuerelektrode heraus ausgeschaltet ist, wenn das PNPN-Schaltelement (Transistoren Q₂, Q₃) leitet

3. Halbleiter-Schaltanor&nung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Abschaltthyristor (S) bei Stromfluß in seine Steuerelektrode hinein eingeschaltet ist, wenn das PNPN-Schaltelement (Transistoren Q₂, Q₃) leitet, während der Abschaltthyristor (S) bei Stromfluß aus seiner Steuerelektro- de heraus ausgeschaltet ist, wenn das PNPN-Schaltelement (Transistoren Q₂, Q₃) ausgeschaltet ist.

4. Halbleiter-Schaltanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangstransistorkreis der Haltestufe (4) einen an seinem Kollektor mit dem Eingang des PNPN-Schaltelements (Transistoren Q₂, Q₃) verbundenen Transistor (Q\) aufweist, dessen Emitter einen ersten Eingangsanschluß (x) für die Zuführung eines einen der Zustände der Haltestufe (4) bestimmenden Signale und dessen Basis einen zweiten Eingangsanschluß (y) für die Zuführung eines Ansteuersignals bildet.

5. Halbleiter-Schaltanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangstransistorkreis der Haltestufe (24) einen ersten Transistor (Q\) und einen zweiten Transistor (Qi) mit je einem Kollektor, einem Emitter und einer Basis aufweist, von denen der Kollektor des ersten Transistors (Q\) mit dem Eingang des PNPN-Schaltelements (Transistoren Q₂, Q₃) und der Kollektor des zweiten Transistors (Qi) mit der Basis des ersten Transistors (Q\) verbunden ist und der Emitter und die Basis des zweiten Transistors (Qi) zwei Eingangsanschlüsse (y bzw. z) für die Zuführung unabhängiger Ansteuersignale, deren gleichzeitige Anlage den ersten Transistor (Q\) einschaltet und der Emitter des ersten Transistors CQi) einen weiteren Eingangsanschluß (x) für die Zuführung eines einen der Zustände der Haltestufe (24) bestimmenden Signals bilden.

6. Halbleiter-Schaltanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Abschaltthyristor (S) mit einem Transistor (Qi) für eine Stromüberbrückung zusammengeschaltet ist, dessen Kollektor mit der Anode des Abschaltthyristors (SX dessen Basis mit der Kathode des Abschaltthyristors (S) und dessen Emitter über einen Widerstand (R₆) mit seiner Basis verbunden ist

7. Halbleiter-Schaltanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß von den beiden Transistoren (Q₄ und Q₅) der Konstantstromquelle (3) der eine Transistor (Q₄) bei eingeschalteter Haltestufe (4) und_ der andere Transistor (Qs) bei ausgeschalteter Haltestufe (4) leitet, wobei der durch den ersten Transistor (Q₄) fließende Strom der Basis des Transistors (Qt) im Steuerglied (2; 22) und der durch den zweiten Transistor (Q₅) fließende Strom der Steuerelektrode des Abschaltthyristors ^zugeführt wird.

8. Halbleiter-Schaltanordnung ndch Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des Transistors (Qt) des Steuergliedes (2) mit der Kathode des Abschaltthyristors (φ verbunden ist

9. Halbleiter-Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des Transistors (Q₆) des Steuergliedes (2) von der Kathode des Abschaltthyristors (S^ getrennt ist aber auf einem Potential von gleicher Polarität liegt wie diese.

JO. Halbleiter-Schaltanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß von den beiden Transistoren (Q₂ und Q₃) des PNPN-Schaltelements in der Haltestufe (4, 24) der erste Transistor (Q₂) ein PNP-Transistor und der zweite Transistor (Q₃) ein NPN-Transistor ist, wobei die Basis des ersten Transistors (Q₂) mit dem Kollektor des zweiten Transistors (Q₃) und die Basis des zweiten Transistors (Q₃) mit dem Kollektor des ersten Transistors (Q₂) verbunden ist und die Basis und der Kollektor des zweiten Transistors (Q₃) den Eingang bzw. den Ausgang des PNPN-Schaltelements bilden.

11. Halbleiter-Schaltanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor (Q₂) des PNPN-Schaltelements der Haltestufe (4; 24) und der erste Transistor (Q₄) der Konstantstromquelle (3) zu einem einzigen Bauelement (Qu) mit Mehrfachkollektorstruktur und gemeinsamer Basis und gemeinsamem Emitter zusammengefaßt sind.