DE1211723C2 - Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von HalbleiterbauelementenInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
PATENTSCHRIFT
Int. α.:
HOIl
Deutsche Kl.: 21 g -11/02
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Ausgabetag:
S 82594 VIII c/21g
27. November 1962
3. März 1966
8. September 1966
Patentschrift stimmt mit der Auslegeschrift überein
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, bei dem
eine gasförmige Verbindung eines Halbleitermaterials
thermisch zersetzt und wenigstens eine radiale Schicht des Halbleitermaterials unter Bildung wenigstens
eines Übergangs zwischen Schichten unterschiedlicher Leitfähigkeit und/oder unterschiedlichen
Leitungstyps auf einen aus Halbleitermaterial bestehenden, einkristallinen, stabförmigen Halbleiterkörper
epitaktisch abgeschieden wird.
Die abzuscheidenden Halbleiterschichten können hierbei durch gleichzeitige Abscheidung eines entsprechenden
Dotierungsstoffes eine andere Leitfähigkeit und/oder einen anderen Leitungstyp als der
Trägerkristall aufweisen. Ebenso kann durch Steuerung des Anteils des Dotierungsstoffes auch eine
Leitfähigkeitsabstufung in Richtung auf den Schichtenübergang oder von diesem weg gebildet werden.
Auch Rekombinationszentren oder Haftstellen lassen sich auf diese Weise im Halbleiterkristall erzeugen.
Es können auch Schichten aus einem vom Trägerkristall unterschiedlichen Halbleitermaterial auf dem
Träger zur Abscheidung gebracht werden, sofern Gitterstruktur und Gitterkonstante der beiden Halbleitermaterialien
gleich sind oder sich nur wenig unterscheiden und die Zersetzungstemperatur der gasförmigen Verbindung des abzuscheidenden Halbleitermaterials
unter der Schmelztemperatur des Trägerhalbleitermaterials liegt.
Bei diesen bekannten Abscheideverfahren zum Herstellen epitaktischer Schichten wird im allgemeinen
so vorgegangen, daß die gasförmige Verbindung des abzuscheidenden Halbleitermaterials, die
meist im Gemisch mit Wasserstoff und gegebenenfalls mit einer gasförmigen Verbindung eines entsprechenden
Dotierungsstoffes zur Anwendung gelangt, thermisch zersetzt und das anfallende Halbleitermaterial
auf erhitzten Halbleiterkristallen abgeschieden wird, so daß Epitaxie zwischen der Schicht und der Unterlage
besteht.
Erfindungsgemäß besteht nun dieses Verfahren darin, daß nach der Abscheidung wenigstens einer
radialen Schicht der verdickte stabförmige Halbleitereinkristall wenigstens längs des Schichtenübergangs
bzw. der Schichtenübergänge mit einer einkristallinen Siliziumkarbidschicht überzogen wird. Durch dieses
Verfahren lassen sich beispielsweise Gleichrichter, Transistoren, Fotoelemente, Fieldistoren usw. in besonders
einfacher Weise herstellen.
Man geht von einem verhältnismäßig dünnen Halbleiterstab aus, der sich z. B. aus einem Halbleiterdickstab
durch Anwendung des tiegelfreien Verfahren zur Herstellung von
Halbleiterbauelementen
Halbleiterbauelementen
Patentiert für:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Als Erfinder benannt:
Dr.-Ing. Theodor Rummel, München
Zonenschmelzens, bei dem eine z. B. mittels induk-
ao tiver Erhitzung erzeugte Schmelzzone zwischen den beiden gehalterten Enden des Stabes in Richtung der
Stabachse entlanggeführt und der Schmelzzonenquerschnitt durch Vergrößerung des Abstandes der beiden
Stabenden voneinander verringert wird, herstellen läßt. Beispielsweise wird ein Siliziumdünnstab verwendet,
der durch einen geringen Phosphorgehalt η-leitend ist. Auf diesem wird durch thermische Zersetzung
einer gasförmigen Siliziumverbindung, z. B. von Silicochloroform, mit einem geringen Gehalt
einer gasförmigen Borverbindung, ζ. B. von Bortrichlorid, eine p-leitende Siliziumschicht abgeschieden.
Hierdurch entsteht ein verdickter Siliziumstab, der senkrecht zur Stabachse einen pn-übergang enthält.
Die einzelnen Schichten werden wie üblich kontaktiert, wodurch ein Halbleiterbauelement entsteht. Um
den Übergang vor Feuchtigkeit zu schützen und das Bauelement korrosionsfest zu machen, wird die
Oberfläche des Bauelements längs des Schichtenübergangs, z. B. durch thermische Zersetzung einer organischen
Siliziumverbindung, die Silizium und Kohlenstoff im Verhältnis 1:1 enthält, etwa Methyldichlorsilan
(CH3SiHCl2), oder eines Gemisches einer Siliziumchlorwasserstoff-Verbindung
und eines Kohlenwasserstoffes mit einem Verhältnis Si: C wie 1:1, etwa ein Gemisch von Silicochloroform (SiHCl3) und
Methylenchlorid (CH2Cl2) im Molverhältnis 1:1, mit
einer einskristallinen Siliziumkarbidschicht bedeckt. Vorzugsweise jedoch wird die ganze Oberfläche des
Halbleiterbauelements mit Siliziumkarbid bedeckt.
Auf diese Weise erhält man eine Anordnung, wie sie in der Fig. 1 dargestellt ist, wobei 1 den p-leitenden
Siliziumdünnstab bedeutet und 2 die auf den
609 666/260
Stab aufgebrachte η-leitende Schicht. Die beiden Zonen bilden den pn-übergang 4. 3 zeigt die Siliziumkarbidschicht,
die den ganzen Kristall umschließt. Die elektrischen Anschlüsse werden vor der Abscheidung
der Siliziumkarbidschicht wie üblich angebracht.
Die Halbleiterstäbe können nach dem Verdicken durch epitaktisch aufgewachsene Schichten senkrecht
zur Stabachse zerteilt, etwa mit Hilfe einer Diamantsäge zersägt werden; die hierbei entstehenden, beliebig
dicken Scheiben werden nach dem Kontaktieren mit Siliziumkarbid überzogen. Hierdurch entstehen
Halbleiterbauelemente, deren Zonen konzentrisch angeordnet sind.
Besonders vorteilhaft jedoch ist es, die verdickten Halbleiterstäbe nicht senkrecht zur Stabachse zu
zerteilen,. sondern die Schnittebene in Richtung der Stabachse verlaufend zu legen, und zwar so, daß die
Schnittebene die Stabachse enthält, wie es in der Fig. 2 angedeutet ist. Dabei stellt 6 den Halbleiterkörper
dar, während 5 die Schnittebene andeutet.
Auf diese Weise lassen sich Halbleiterbauelemente herstellen, wie sie beispielsweise in derFig. 3 gezeigt
sind. Die Zone 7, beispielsweise Silizium mit n-Leitfähigkeit, ist mit einer Siliziumschicht 8 vom p-Leitungstyp
umgeben. Die Grundfläche der Anordnung ist praktisch die halbe Grundfläche des verdickten
stabförmigen Einkristalls, aus dem die Anordnung herausgeschnitten ist. 9 stellt die Siliziumkarbidschicht
dar, die die ganze Oberfläche der Anordnung bedeckt. Durch entsprechende Kontaktierung läßt sich aus
dieser Anordnung ein Gleichrichter herstellen, der gegen Feuchtigkeit und chemische Einflüsse äußerst
resistent ist.
Es ist auch möglich, vor dem Überziehen- dieses Halbleiterkörpers mit Siliziumkarbid eine Schnittebene
durch den Kristall zu legen, die den Kristall in Richtung der Längsausdehnung wieder in zwei Hälften
teilt, die sich dann nach Belieben nochmals weiter unterteilen lassen. So können mehrere Bauelemente
hergestellt werden, die der Forderung nach kleinen Ausmaßen entsprechen und außerdem gleiche elektrische
Eigenschaften aufweisen. Ein besonderer Vorteil dieser Anordnung besteht darin, daß die aktiven
pn-Übergänge durch die Schneidevorgänge nicht beschädigt werden können, da sie nicht parallel zu den
bearbeiteten Flächen liegen, sondern senkrecht dazu. Die jeweils erhaltenen kleinen Einheiten werden gemäß
der Erfindung mit Siliziumkarbid überzogen, wenigstens längs des Schichtenübergangs. .
Ein so hergestelltes Halbleiterbauelement mit zylindrischer Form ist in der Fig. 4 schematisch
dargestellt. Die Fig. 5 ist eine Draufsicht auf die Grundfläche des Zylinders und zeigt die einzelnen
Schichten. Durch entsprechende Kontaktierung entsteht aus die er Anordnung ein Transistor mit besonders
günstigen elektrischen Eigenschaften. 10 ist der verwendete stabförmige Einkristall, der im Beispiel
aus p-Silizium besteht. Diese sehr niederohmige Zone wird zweckmäßig als Emitterzone eines Transistors
geschaltet. Auf dem Stab ist durch thermische Zersetzung von z. B. Siliziumtetrachlorid oder Silicochloroform,
das im Gemisch mit der gasförmigen Verbindung eines Dotierungsstoffs zur Anwendung
gelangt, der dem Silizium entgegengesetzten Leitungstyp verleiht, etwa mit Phosphortrichlorid, die etwas
höherohmige Schicht 11 aufgebracht, deren elektrischer Widerstand etwa 0,5 Ohm · cm beträgt. Diese
Zone stellt die Basiszone des Transistors dar. Auf dieser Schicht befindet sich eine hochohmige oder
eine schwach p- oder η-dotierte bzw. eigenleitende, d. h. höherohmige Schicht 12, deren spezifischer
Widerstand etwa 50 Ohm · cm beträgt. Die auf dieser Schicht aufgewachsene, niederohmige p-leitende
Schicht 13 mit einem spezifischen Widerstand von etwa 5 Ohm »cm stellt die Kollektorschicht des Transistors
dar, auf welcher eine niederohmige p-leitende
ίο Schicht 14 aufgebracht ist, die nur als Stromzuführung
zum Kollektor dient. Auf diese Weise kann die Kollektorschicht sehr dünn hergestellt werden, so
daß ihr Bahnwiderstand nicht ins Gewicht fällt. Die Elektrodenanschlüsse werden nach der üblichen
Methode angebracht. Sie können auch während des Aufwachsens der jeweiligen Zone in der Zone eingebaut
werden. Das fertige Bauelement ist mit einer dünnen einkristallinen Siliziumkarbidschicht überzogen.
Die F i g. 6 zeigt einen Halbleiterkörper, der nach entsprechender Kontaktierung einen Siliziumtransistor
ergibt, der die Form eines Zylindersegments besitzt. Er ist aus einem epitaktisch verdickten Siliziumstab
durch zwei senkrecht aufeinanderstellende, in Richtung der Längsachse und durch den Mittelpunkt
der Stabgrundfläche verlaufende Schnittebenen herausgeschnitten und mit einer einkristallinen Siliziumkarbidschicht
überzogen. Der verdickte Siliziumstab weist eine Zonenfolge npn auf. Durch die zwei
senkrecht aufeinanderstellenden Schnittebenen entstehen also aus nur einem epitaktisch verdickten Stab
vier Anordnungen, die jeweils die Zonenfolge npn aufweisen, wie sie in der F i g. 6 dargestellt ist. Auf
der η-leitenden Siliziumzone 16, die zweckmäßig als Emitterzone eines Transistors geschaltet wird, ist eine
p-leitende Siliziumschicht abgeschieden; hierbei entsteht der pn-übergang 20. Die Schicht 17, die als
. Basiszone des Transistors verwendet wird, ist vorteilhaft sehr dünn ausgebildet. Auf die zuletzt abgeschiedene
Schicht vom p-Leitungstyp ist eine n-leitende Schicht 18 aufgebracht, dabei bildet sich der
pn-übergang 21. Die Zone 18 wird als Kollektorzone geschaltet. Die Anordnung ist nach entsprechender
Kontaktierung, die in der Figur nicht dargestellt ist, mit Siliziumkarbid überzogen.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, bei dem eine gasförmige Verbindung
eines Halbleitermaterials thermisch zersetzt und wenigstens eine radiale Schicht des Halbleitermaterials
unter Bildung wenigstens eines Übergangs zwischen Schichten unterschiedlicher Leitfähigkeit und/oder unterschiedlichen Leitungstyps
auf einen aus Halbleitermaterial bestehenden, einkristallinen, stabförmigen Halbleiterkörper
epitaktisch abgeschieden wird, dadurch gekennzeichnet, daß nach der
Abscheidung wenigstens einer radialen Schicht der verdickte stabförmige Halbleitereinkristall
wenigstens längs des Schichtenübergangs bzw. der Schichtenübergänge mit einer einkristallinen
Siliziumkarbidschicht überzogen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch geg5
kennzeichnet, daß der Halbleitereinkristall nach
dem Abscheiden wenigstens einer radialen Schicht und vor dem Aufbringen der Siliziumkarbidschicht
zerteilt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der epitaktisch verdickte
stabförmige Einkristall durch wenigstens eine die Stabachse enthaltende Schnittebene zerteilt wird.
4. Halbleiterbauelement, hergestellt nach einem Verfahren gemäß Anspruch 1, gekennzeichnet
durch eine zylindrische Form.
5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, hergestellt nach Anspruch 1, gekennzeichnet
durch einen dünnen, stabförmigen, als Emitterzone eines Transistors dienenden Einkristall, auf
dem eine dünne radiale Schicht als Basiszone und auf diese eine sehr schwach dotierte oder eigenleitende weitere Schicht aufgebracht ist und der
eine weitere Schicht besitzt, die die Kollektorzone eines Transistors darstellt und die von einer einkristallinen
Siliziumkarbidschicht umgeben ist.
ίο
6. Halbleiterbauelement, hergestellt nach einem ' Verfahren gemäß wenigstens einem der Ansprüche
1 bis 3, gekennzeichnet durch eine zylindersegmentähnliche Form.
7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß sie durch zwei senkrecht
aufeinanderstellende, in Richtung der Längsachse eines epitaktisch verdickten, stabförmigen
Einkristalls verlaufende, die Stabachse enthaltende Schnittebenen aus einem epitaktisch
verdickten Stab herausgeschnitten und mit einer einkristallinen Siliziumkarbidschicht überzogen ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 853 926, 943 422;
Deutsche Patentschriften Nr. 853 926, 943 422;
französische Patentschriften Nr. 1201 878,
767,1289 687.
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Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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DE (1) | DE1211723C2 (de) |
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- 1962-11-27 DE DE1962S0082594 patent/DE1211723C2/de not_active Expired
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1211723B (de) | 1966-03-03 |
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