-
Bistabile Kippschaltung mit zwei Transistoren und einem Speicherkern,
insbesondere zur Verwendung in elektronischen Speicherschaltungen für die Pegelregelung
in der Trägerfrequenz-Nachrichtentechnik Die Erfindung betrifft eine bistabile Kippschaltung
mit zwei Transistoren und einem Speicherkern, vorzugsweise Bandringkern, aus ferromagnetischem
Material mit möglichst rechteckiger Hystereseschleife, insbesondere zur Verwendung
für elektronische Speicherschaltungen für die Pegelregelung in der Trägerfrequenz-Nachii#htentechnik,
die ihren Inhalt nach Ausfall der Versorgungsspannung nicht -verlier t,
d. h. ein permanentes Gedächtnis besitzt, so daß sie den ursprünglichen Zustand
wieder einnimmt, wenn die Versorgungsspannung nach Ausfall wieder neu eingeschaltet
wird, selbst dann, wenn die verwendeten Transistoren in ihren Kenndaten erheblich
streuen und so die normalerweise symmetrisch aufgebaute bistabile Kippschaltung
weitgehend unsymmetrisch machen.
-
Bei bistabilen Kippschaltungen ist bereits eine teilweise Lösung dieser
Aufgabe bekannt (deutsche Auslege schriften 1050 376 und 1070 225),
bei der in die beiden Kollektorzweige je eine von zwei gegensinnigen Wicklungen
mit gemeinsamem ferromagnetischen Kein mit annähernd rechteckförmiger Hystereschleife
so geschaltet ist, daß in dem Kein beim Ausschalten der Betriebsspannung die in
der Kippschaltung gespeicherte Information gespeichert bleibt und die Kippschaltung
beim Wiedereinschalten der Betriebsspannung den Betriebszustand wieder annimmt,
welcher der im Kern gespeicherten Information entspricht. Diese Lösung hat jedoch
den Nachteil, daß schon eine relativ geringe Unsymmetrie in der bistabilen Kippschaltung
genügt, um das Gedächtnis dieser Schaltung an die vor Versorgungsspannungsausfall
vorhandene Lage der Kippschaltung unwirksam zu machen. Des weiteren ist die Schaltung
nicht ohne weiteres auf eine Speicherschaltung, die aus mehreren bistabilen Kippschaltungen
besteht, anzuwenden, denn beim Wiedereinschalten der Versorgungsspannung nach deren
Ausfall ist es erforderlich, daß die einzelnen bistabilen Kippschaltungen durch
Sperrpotentiale so voneinander abgetrennt werden, daß nicht ein beim Einstellen
durch das Kippen einer bistabilen Kippschaltung entstehender Impuls die folgende
bistabile Kippschaltung beim Einstellen in die vor Versorgungsspannungsausf all
vorhandene Lage beeinflussen, d. h. umkippen kann.
-
Es ist ferner eine aus zwei einstufigen Transistorverstärkern und
einem fünf Wicklungen tragenden, gemeinsamen 0 Magnetkern aus einem Werkstoff
mit annähernd rechteckförmiger Hystereseschleife aufgebaute Schaltung bekannt (USA.-Patentschrift
2 772 370), die sich bei Ansteuerung durch Eingangsimpulse wie eine bistabile
Kippschaltung verhält. In dieser Schaltung sind jedoch bei fehlenden Eingangsimpulsen
stets beide Transistoren gesperrt, während bei einer normalen bistabilen Kippschaltung,
wie sie der Erfindung zugrunde gelegt ist, immer ein Transistor leitend und gleichzeitig
der andere gesperrt ist. Die bekannte Schaltung hat den Nachteil, daß sie fünf Wicklungen
benötigt und mit ihr eine Pegelregelung, d. h. die Regelung eines ständig
fließenden Ausgangsstromes, nicht möglich ist.
-
Es sind außerdem transistorisierte bistabile Kippschaltungen bekannt
(deutsche Patentschriften 1089 805 und 1112 547 sowie deutsche Auslegeschrift
1100 695), bei denen bei Inbetriebsetzung ein bevorzugter Ausgangszustand
der Schaltung mit Hilfe eines RC-Gliedes, einer Diode oder einer Kombination beider
hierbeigeführt wird. Diese Schaltung hat jedoch keinen Magnetkern zur Informationsspeicherung.
-
Das der Erfindung zugrunde liegende, eingangs erwähnte Problem wird
unter Vermeidung der Nachteile der bekannten Schaltungen erfindungsgemäß dadurch
gelöst, daß der Basisanschluß des ersten oder zweiten Transistors über die Reihenschaltung
einer in Sperrichtung vorgespannte Diode und eines Kondensators an das eine Ende
einer dritten Wicklung des Speicherkernes geführt ist, dessen anderes Ende
direkt
oder über die gegensinnigen Wicklungen mit dem Emitteranschluß des ersten und zweiten
Transistors verbunden ist.
-
Die Erfindung wird im folgenden an Hand der F i g. 1 bis
3 näher erläutert: F i g. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer einzelnen
bistabilen Kippschaltung gemäß der Erfindung, F i g. 2 die bekannte, annähernd
rechteckförmige Hystereseschleife des verwendeten Speicherkernes, in Fig.
3 ist eine elektronische Speicherschaltung bzw. Einstellvorrichtung mit bistabilen
Kippschaltungen nach F i g. 1 dargestellt, wobei nur zwei bistabile Kippschaltungen
ausführlich angegeben sind.
-
Die bistabile Kippschaltung nach Fig. 1 umfaßt zwei Transistoren
Tsl und Ts2 mit zwei KollektorbelastungswiderständenR, und R2 und einem gemeinsamen
Emittervorwiderstand R V Der Basisanschluß des zweiten Transistors Ts2 ist
einerseits über die Reihenschaltung eines RC-Gliedes Gl und einer Wicklung Wi des
insbesondere als Bandringkem ausgebildeten Speicherkernes mit dem Kollektoranschluß
des ersten Transistors Tsl, andererseits über einen Widerstand R 4 mit Masse,
d. h. dem Potential Null, verbunden. Der Basisanschluß des ersten Transistors
Tsl ist entsprechend einerseits über die Reihenschaltung eines RC-Gliedes
G, und einer zur Wicklung W, gegensinnigen Wicklung W, des Speicherkernes
mit dem Kollektoranschluß des zweiten Transistors Ts2, andererseits über einen Widerstand
R, mit Masse verbunden. Der Basisanschluß des ersten Transistors liegt ferner über
die Serienschaltung eines Widerstandes R6 und einer Kapazität Ci am negativen Pol
der Versorgungsspannung Uo. Der Basisanschluß des ersten Transistors ist außerdem
über eine Diode D,' die über einen Widerstand R7 VOM
Punkt b aus in
Sperrichtung vorgespannt ist, und die Reihenschaltung einer Kapazität
C, und einer dritten Wicklung W, des Speicherkernes an den gemeinsamen Emitteranschluß
beider Transistoren geführt. Die Eingangsklemme k für die Steuer- bzw. Fortschaltimpulse
ist über einen Kondensator C, und über durch einen Widerstand R, vom Punkt
a aus in Sperrichtung vorgespannte Dioden D, bzw. D, an den Basisanschluß
des Transistors Ts 1 bzw. Ts2 iieführt. Die Wirkungsweise der Schaltung
nach F i g. 1
wird im folgenden in Verbindung mit der in F i g. 2 dargestellten
Hysteresekurve näher erläutert. Dabei sei zunächst angenommen, daß im Punkt
b eine kleine negative Sperrspannung für die Diode Di liege. Ist der erste
Transistor Tyl leitend, dann liege der Speicherkern. entsprechend F i
g. 2 in der Sättigungslage +B, Ist der zweite Transistor Ts2 leitend, dann
liege er in der Sättigungslage -B,. Das Umklappen des Kernes wird durch die Gegensinnigkeit
der beiden Kollektorwicklungen Wi und W, erreicht, wenn die über die beiden Transistoren
fließenden Kollektorströme eine genügende Größe besitzen. Jedes Umklappen des Kernes
von einer Sättigungslage in die andere infolge eines an der Klemme k auftretenden
Rechteckimpulses ruft in der dritten Wicklung W , einen Spannungsimpuls
hervor, der, wenn er positiv ist und von dem RC-Glied R71 C2 nicht differenziert
wird, die kleine negative Sperrspannung der Diode Di überwindet und auf den Basisanschluß
des Transistors Ts 1 gelangt. Die dritte Wicklung W, sei nun so gepolt, daß
ein Umklappen des Kernes von der Sättigungslage +B, in die Sättigungslage -B., an
ihr einen negativen Spannungsimpuls, ein Umklappen von -B, nach +B, entsprechend
einen positiven Spannungsimpuls hervorruft.
-
Ist beispielsweise im Ruhezustand der Schaltung der Transistor Tsl
leitend und der Transistor Ts2 gesperrt und gelangt an die Klemme k ein Rechteckimpuls
genügender Größe, so wird der Transistor Ts 1
gesperrt und der Transistor
TY2 leitend. Das bedeutet für den Kern ein Umklappen von der Sättigungslage +B,
in die Sättigungslage -B, und damit einen in der dritten Wicklung W, induzierten
negativen Spannungsimpuls. Dieser Impuls kann unter der Annahme, daß das RC-Glied,
bestehend aus dem Widerstand R7 und dem Kondensator C 21 so bemessen ist,
daß es ihn nicht differenziert, nicht auf die Basis des Transistors Ts
1 gelangen, da die Diode D,
negative Impulse sperrt.
-
Ein weiterer an die Klemme k gelangender Rechteckimpuls führt
den Transistor Tsl wieder in den leitenden und den TransistorTs2 in den gesperrten
Zustand. Der Kern klappt von der Sättigungslage - B, in die
Sättigungslage + B, um, was einem positiven Spannungsimpuls an der
Wicklung W, entspricht. Ist dieser Impuls genügend groß und zeitlich lang genug,
so wird bei nicht differenzierendem RC-Glied RV C2 der Transistor Ts 1 wieder
gesperrt und der Transistor Ts2 wieder leitend gemacht. Der Kern klappt von der
Sättigungslage +B, in die Sättigungslage -B, zurück, was in der dritten Wicklung
W 3 einen negativen Sparinungsimpuls hervorruft, der wegen der Diode
D, nicht an den Basisanschluß des Transistors Tsl gelangt und bewirkt, daß die bistabile
Kippschaltung in der Lage bleibt, in der der TransistorTs2 leitend und der TransistorT.91
gesperrt ist. Jeder weitere an der Klemme k auftretende Rechteckimpuls genügender
Größe macht den Transistor Tsl leitend und sperrt ihn wegen des in der Wicklung
W., auftretenden positiven Spannungsimpulses kurze Zeit danach wieder. Die Schaltung
bleibt also in der Lage liegen, in der der Transistor TY2 leitend und der Transistor
Ts 1 gesperrt ist.
-
Wird jetzt an der Klemme b eine so hohe negative Sperrspannung
für die Diode D, angelegt, daß der in der Wicklung W., induzierte positive
Spannungsimpuls nicht auf den Basisanschluß des Transistors Tsl ge-
langen
kann, dann kippt die bistabile Kippschaltung bei fortgesetzten Rechteckimpulsen
genügender Größe an der Klemme k in der üblichen Art hin und her, wobei die
beiden Wicklungen W, und W, dieses Kippen praktisch nicht beeinflussen, da sie nur
ganz geringfügig die Anstiegs- und Abfallzeit des an den Kollektoren auftretenden
Spannungssprunges vergrößern.
-
Es sei nun das Verhalten der bistabilen Kippschaltung beim Ausfall
und Wiedereinschalten der Versorgungsspannung näher betrachtet. Vor Ausfall der
Versorgungsspannung kann der Transistor Tsl lei-
tend bzw. gesperrt sein und
der Kein entsprechend in der Sättigungslage +B, bzw. -B, liegen.
-
Fällt die Versorgungsspannung aus, dann nimmt der Kern die Remanenzlage
+B,- bzw. -B,. ein. Beim Wiedereinschalten der Versorgungsspannung muß an der Klemme
b eine kleine negative Sperrspannung für die Diode D, liegen. Die Wicklung
W, sei, wie zuvor angegeben, gepolt, d. h., daß ein Umklappen des Kernes
vor der Reinanenzlage +B, bzw. -Br in die Sättigungslage -B, bzw. +B, an ihr
einen
negativen bzw. positiven Spannungsimpuls hervorruft.
-
War vor Versorgungsspannungsausfall der Transistor Ts 1 leitend
und der Kern entsprechend in der Sättigungslage +B., dann kann beim Wiedereinschalten
der Versorgungsspannung dieser Transistor leitend oder gesperrt werden. Im ersteren
Falle gelangt der Kein von der Remanenzlage +B,. in die Sättigungslage
+ B" wobei in der Wicklung W, nur ein kleiner positiver Spannungsimpuls induziert
wird. Im zweiten Falle gelangt der Kern von der RemanenAage +B, in die Sättigungslage
-B., wobei in der Wicklung W3 ein großer negativer Spannungsinipuls induziert wird.
-
War vor Versorgungsspannungsausfall der Transistor Tsl gesperrt und
der Kern entsprechend in der SättigUngslage -B" dann kann beim Wiedereinschalten
der Versorgungsspannung dieser Transistor wiederum gesperrt oder leitend werden.
Im ersteren Falle gelangt der Kern von der Remanenzlage -B, in die Sättigungslage
-B" wobei in der Wicklung W, nur ein kleiner negativer Spannungsimpuls induziert
wird. Im zweiten Falle gelangt der Kein von der Remanenzlage -B, in die Sättigungslage
+B, wobei in der Wicklung W, ein großer positiver Spannungsimpuls induziert wird.
Durch die Serienschaltung des Widerstandes R, und der Kapazität C, läßt sich
nun erreichen, daß beim Wiedereinschalten der Versorgungsspannung de.r Transistor
Tsl immer leitend wird, indem dessen Basisanschluß über die entsprechend bemessene
Serienschaltung einen negativen Impuls erhält. Es kann in der dritten Wicklung W..
beim Wiedereinschalten der Versorgungsspannung also immer nur ein kleiner oder großer
positiver Spannungsimpuls auftreten.
-
Das Wiedereinschalten der Versorgungsspannung bringt also zuerst immer
den Transistor Ts 1 in den leitenden Zustand. War er leitend, dann
wird in der Wicklung W, ein kleiner positiver Spannungsimpuls induziert, der an
dem leitenden Zustand nichts ändert. War der Transistor vor Versorgungsspannungsausfall
gesperrt, dann wird er beim Wiedereinschalten der Versorgungsspannung leitend, was
einen großen positiven Spannungsirnpuls in der Wicklung W, erzeugt.
-
Ist das RC-Glied RV C, so bemessen, daß es den in der Wicklung W,
induzierten großen positiven Spannungsimpuls nicht differenziert, dann wird der
Transistor Ts 1 gesperrt und damit wieder in die vor Versorgungsspannungsausfall
vorhandene Lage gebracht.
-
Ist das RC-Glied RV C, so bemessen, daß es den in der Wicklung W,
induzierten großen Spannungsimpuls differenziert, dann ist es erforderlich, die
Wicklung gegenüber dem Fall eines nicht differenzierenden RC-Gliedes RV C, umzupolen,
so daß jetzt in der Wicklung ein negativer Spannungsimpuls induziert wird, dessen
differenzierte positive Rückflanke auf den Basisanschluß des Transistors Ts
1 gelangt und diesen wieder sperrt.
-
Wenn man diese differenzierte positive Rückflanke zum Sperren des
Transistors Ts 1 benutzt, dann erhält man einen in bestimmten Grenzen wählbaren
zeitlichen Abstand zwischen dem nach Wiedereinschalten der Versorgungsspannung erreichten
leitenden Zustand des Transistors Tsl und dem Auftreten des durch Differentiation
der positiven Rückflanke am Basisanschluß dieses Transistors entstehenden positiven
Sperrimpuls, der etwa gleich der Umklappzeit des Speicherkernes ist. Das ist nicht
der Fall, wenn man den in der Wicklung W , induzierten, nicht differenzierten
positiven Spannungsimpuls zum Sperren des Transistors Tsl ausnutzt. Hier erscheint
der positive Sperrimpuls an der Basis dieses Transistors sofort dann, wenn der Transistor
Tsl leitend geworden ist. Der Vorteil der Differentiation besteht darin, daß der
durch Differentiation am Basisanschluß des Transistors Tsl entstehende positive
Spannungsimpuls in seiner Amplitude vergrößert wird. Das geschieht dadurch, daß
sich an die positive Rückflanke des in - der Wicklung W, induzierten negativen
Spannungsimpulses, der beim Umklappen des Kernes von der Remanenzlage -B" in die
Sättigungslage +B, entsteht, praktisch ohne zeitliche Verzögerung die positive Vorderflanke
des in dieser Wicklung induzierten positiven Spannungsimpulses, der sich beim Umklappen
des Kernes von der Sättigungslage +B, in die Sättigungslage #B., ergibt, anschließt.
-
Für den Fall, daß der Transistor Ts 1 vor Versorgungsspannungsausfall
leitend war, wird bei dieser Polung der Wicklung W, in ihr ein kleiner negativer
Spannungsimpuls induziert, dessen differenzierte positive Rückflanke an dem leitenden
Zustand dieses Transistor nichts ändert, weil sie in ihrer Amplitude viel zu klein
ist. Die bistabile Kippschaltung nach F i g. 1 kann nun zum Aufbau einer
elektronischen Speicherschaltung, insbesondere einer elektronischen Einstellvorrichtung
nach der deutschen Auslegeschrift 1118 831 verwendet werden, die nach Art
eines digitalen Urnkehrzählers aus hintereinandergeschalteten bistabilen Kippschaltungen
aufgebaut ist und insbesondere für die pilotge-steuerte Pegelregelung in der Nachrichtentechnik,
z. B. in Trägerfrequenzsystemen, zu schrittweise verlaufenden, in der Fortschalterichtung
umkehrbaren Regelvorgängen benutzt wird. Dabei können aber nicht ohne weiteres die
ohne Speicherkerne arbeitenden bistabilen Kippschaltungen der bekannten Einstellvorrichtung
durch bistabile Kippschaltungen nach F i g. 1 ersetzt werden. Wenn man nämlich
verlangt, daß der Zustand der Speicherschaltung vor Ausfall der Betriebsspannung
bei deren Wiedereinschalten wieder eingenommen werden soll, unabhängig davon, mit
welcher Zeitkonstante die Betriebsspannung eingeschaltet wird, muß die letztere
Zeitkonstante kleiner als etwa 20 #Lsec sein, denn nur dann wird die zu F i
g. 1 beschriebene Bevorzugung des jeweils ersten Transistors hinsichtlich
seines Leitendwerdens beim Einschalten der Betriebsspannung voll wirksam. Praktisch
muß man aber vielfach mit größeren Zeitkonstanten rechnen. Außerdem ist es unbedingt
erforderlich, daß beim Wiedereinschalten der Betriebssspannung nach deren Ausfall
die einzelnen bistabilen Kippschaltungen durch genügend hohe Sperrpotentiale so
voneinander abgetrennt werden, daß die jeweils zweiten Transistoren der bistabilen
Kippschaltungen auf die jeweils folgenden bistabilen Kippschaltungen keine positiven
Impulse abgeben können, was dann der Fall ist, wenn die zweiten Transistoren der
bistabilen Kippschaltungen vor Versorgungsspannungsausfall leitend waren, damit
sich beim Wiedereinstellen in die alte Lage die einzelnen bistabilen Kippschaltungen
nicht beeinflussen. Des weiteren muß beim Einstellen des alten Zustandes ein in
der Wicklung W, induzierter Impuls
auf die Basis des ersten Transistors
gelangen können, d. h. in den Punkten b der Kippschaltungen muß für
eine bestimmte Zeit eine kleine negative Sperrspannung für die Diode D, vorhanden
sein. Danach muß dann wieder eine hohe negative Sperrspannung in den Punkten
b angelegt sein, damit die Speicherschaltung normal arbeiten kann. Für die
Zeit der Einstellung der Speicherschaltung in den alten Zustand muß außerdem gewährleistet
sein, daß die erste bistabile Kippschaltung für Taktimpulse durch ein hohes Sperrpotential
an der Klemme a für die Dioden D, und D, gesperrt ist.
-
Die Vorgänge beim Wiedereinschalten der Betriebsspannung müssen also
nach einem vorgegebenen Zeitplan bzw. Programm ablaufen.
-
Eine den genannten Bedingungen genügende elektronische Einstellvorrichtung
mit zugehöriger Programmschaltung ist in F i g. 3 beispielsweise dargestellt.
-
Von der elektronischen Einstellvorrichtung sind nur die beiden ersten
Kippstufen nach F i g. 1 angedeutet. Die zweite bistabile Kippschaltung ist
über die Klemmen c und d mit der folgenden bistabilen Kippschaltung verbunden,
wie das in der vorgenannten deutschen Auslegeschrift 1118 83 1 näher beschrie-Iben
ist. An die Kollektoranschlüsse der zweiten Transistoren Ts2, Ts4 usw. ist der Regelwiderstand
R", z. B. ein indirekt geheizter Thermistor, über Widerstände R., RO usw. an die
Spannungsquelle UG angeschlossen, die aus der durch eine Stabilisierungsschaltung
STAB stabilisierten Versorgungsspannung UO gewonnen wird. Sie kann jedoch
auch zu Null gemacht werden. Zwei Voreinstellschaltungen VE1 und VE2 haben die Aufgabe,
die Einstellvorrichtung mit Hilfe von Vorspannungen, die über zwei Schmitt-TriggerST3
und ST4 eingestellt werden, auf »Zurückschalten« (z) bzw. »Weiterschalten« (w) einzustellen.
-
Die Programmschaltung besteht aus zwei Schmitt-TriggernST1 und ST2
und einem monostabilen MultivibratorMMV. An den Schmitt-TriggerST,2 ist ein Schalttransistor
S angeschlossen, in dessen Kollektorkreis sich ein prellfreies Relais R,
insbesondere ein Quecksilberschaltrelais, befindet, dessen Arbeitskontakt r die
Versorgungsspannung U, an die elektronische Einstellvorrichtung anlegt. An
Stelle des Relaiskontaktes kann auch ein Schalttransistor Verwendung finden, der
vom Schmitt-Trigger ST2 gesteuert wird.
-
Der Schmitt-Trigger ST 1 ist mit einer bestimmten Zeitkonstante
versehen, die durch ein RC-Glied z. B. im Eingangsspannungsteiler verwirklicht wird
und kippt, wenn die Betriebsspannung U angelegt wird, nach einer definierten,
einstellbaren Zeit um und gibt auf den monostabilen Multivibrator MMV einen Impuls
ab, der diesen aus der stabilen in die labile Lage überführt. Die Zeitkonstante
des Schnütt-Triggers ST1 muß so bemessen sein, daß die nach dem Einschalten mit
einer bestimmten Zeitkonstante sich wieder aufbauende Betriebsspannung
U mindestens 901/o ihres Sollwertes erreicht hat, bevor der Schmitt-Trigger
umkippt. Der in die labile Lage übergeführte monostabile Multivibrator MMV bewirkt,
daß an der Klemmea und über die VoreinstellschaltungVE1 an der Klemme z jeweils
eine hohe negative Spannung, an der Klemme b jedoch eine kleine negative
Spannung angelegt wird., Hierdurch wird verhindert, daß ein Einstell- bzw. Taktimpuls
auf die erste bistabile Kippschaltung gelangt. Außerdem werden, wie oben bereits
erwähnt, die einzelnen bistabilen Kippschaltungen voneinander abgetrennt. Schließlich
wird ermöglicht, daß der in der Wicklung W, entstehende Impuls an den Basisanschluß
des jeweils ersten Transistors gelangen kann.
-
Der Schmitt-TriggerST2 ist mit einer Zeitkonstante versehen, die nur
wenig größer zu sein braucht als die des Schmitt-Triggers ST1. Wenn der Schmitt-Trigger
St2 umkippt, wird der SchalttransistorS leitend, das Relativ R erregt und die Versorgungsspannung
U, über den Relaiskontakt r an die elektronische Einstellvorrichtung angelegt.
Danach fällt der mit einer entsprechenden Zeitkonstante versehene monostabile MultivibratorMMV
wieder in seine stabile Lage zurück, macht die Voreinstellschaltung VE
1 vom Schmitt-Trigger ST 3 aus wieder steuerbar, legt an die Klemme
a kleines negatives Potential und an die Klemmen b hohes negatives Potential.
Damit ist die Einstellvorrichtung für die Einstellimpulse wieder betriebsbereit
gemacht.
-
Wenn demnach die Betriebsspannung U ausfällt und nach einer
bestimmten Zeit wieder erscheint, vollziehen sich die eben geschilderten Vorgänge
nacheinander, und die elektronische Einstellvorrichtung wird wieder in den Zustand
vor Betriebsspannungsausf all gebracht.