DE1163910B - Mehrstufiger Transistorverstaerker - Google Patents

Mehrstufiger Transistorverstaerker

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DE1163910B
DE1163910B DES74572A DES0074572A DE1163910B DE 1163910 B DE1163910 B DE 1163910B DE S74572 A DES74572 A DE S74572A DE S0074572 A DES0074572 A DE S0074572A DE 1163910 B DE1163910 B DE 1163910B
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transmission
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Dipl-Ing Eduard Seibt
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    • HELECTRICITY
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    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
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    • H03J7/30Automatic scanning over a band of frequencies where the scanning is accomplished by mechanical means, e.g. by a motor

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  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Attenuators (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Mehrstufiger Transistorverstärker Die Erfindung bezieht sich auf einen mehrstufigen Transistorverstärker mit zwischen einzelnen Stufen eingeschalteten, in der Übertragungsdämpfung regelbaren, vorzugsweise Dioden enthaltenden Vierpolen als Kopplungsnetzwerken.
  • Bei Verstärkern, die mit Transistoren aufgebaut sind, bietet die Verstärkungsregelung gewisse Schwierigkeiten. Ändert man nämlich die Verstärkung durch Änderung des Arbeitspunktes einer oder mehrerer Transistoren, so tritt durch die Änderung des Transistoreingangs- und -ausgangswiderstandes eine Änderung der Durchlaßkurve auf. Dies beruht auf einer Verstimmung der Eingangs- und Ausgangskreise. Besonders bei Breitbandverstärkern, eventuell auch bei Schmalbandverstärkern, ist dies unzulässig. Es wurde deshalb auch bereits angeregt, eine Verstärkungsregelung eines Transistorverstärkers durch ein mit dem Verstärker kombiniertes regelbares Dämpfungsnetzwerk oder durch eine veränderbare Gegenkopplung innerhalb des Verstärkers zu erzielen. Regelbare Dämpfungsnetzwerke sind dabei vor allem in Gestalt von Spannungsteilern realisiert worden, die einen nichtlinearen Widerstand enthalten, der von einem aus der Eingangsspannung und der Ausgangsspannung abgeleiteten Gleichstrom gesteuert wird. Derartige Regelungen sind unter anderem auch deshalb nicht zur Einführung gekommen, weil ein dem Verstärker vor- oder nachgeschaltetes Dämpfungsnetzwerk einen Leistungsverlust verursacht. Außerdem wurde hierzu die Auffassung vertreten, daß die Verwendung von nichtlinearen Widerständen, z. B. Dioden, zwar eine schnelle Verstärkungsregelung ermöglicht, aber verhältnismäßig große nichtlineare Verzerrungen und damit einen hohen Klirrfaktor verursacht. Eine Verstärkungsregelung durch Änderung der Gegenkopplung kann mit Hilfe von temperaturabhängigen Widerständen vorgenommen werden. Hierzu wird in Fachkreisen teilweise die Auffassung vertreten, daß in diesem Fall die Verstärkungsregelung nur langsamen Schwankungen folgen kann. Es wurden außerdem, wie z. B. im deutschen Patent 1080 146 angegeben, mit Dioden oder Heißleitern arbeitende Dämpfungsnetzwerke angegeben, die zusätzlich noch einen Transistor enthalten, wodurch die Grunddämpfung ausgeglichen werden kann. Die Änderung der Frequenzcharakteristik in Abhängigkeit von der Regelspannung ist hierbei aber immer noch vorhanden.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen in seiner Verstärkung regelbaren mehrstufigen Transistorverstärker in seiner Frequenzcharakteristik wenigstens nahezu unabhängig von der Verstärkungsregelung zu machen. Insbesondere soll dies für einen Breitbandverstärker, vor allem mit einem Regelbereich bis zu 40 db und darüber, gelten.
  • Bei einem mehrstufigen Transistorverstärker mit zwischen einzelnen Stufen eingeschalteten, in der Übertragungsdämpfung regelbaren, vorzugsweise Dioden enthaltenden Vierpolen als Kopplungsnetzwerken wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß in der Regelung der einzelnen Vierpole eine Bevorrechtigung in der Weise vorgesehen ist, daß bei zunehmendem Eingangspegel zunächst der in Übertragungsrichtung letzte regelbare Kopplungsvierpol seinen Regelbereich voll überstreicht und erst bei weiterem Zunehmen des Eingangspegels der in Übertragungsrichtung davorliegende Kopplungsvierpol wirksam wird. Hierbei ist es vorteilhaft, wenn der Regelbereich des einzelnen Kopplungsvierpols etwa 10 bis 15 db beträgt. Außerdem ist es vorteilhaft, wenn der Regelbereich etwa der jeweils bis zum nächsten Kopplungsvierpol vorausgehenden Verstärkung entspricht.
  • Vorteilhaft enthält der mehrstufige Transistorverstärker bei Ausbildung als Breitbandverstärker im einzelnen regelbaren Kopplungsvierpol derart im Wert frequenzabhängige Schaltelemente, daß sich für den einzelnen Kopplungsvierpol bei maximaler übertragungsdämpfung wenigstens näherungsweise die gleiche Frequenzcharakteristik ergibt wie bei minimaler Übertragungsdämpfung.
  • Als vorteilhaft hat es sich erwiesen, wenn zumindest die auf das Kopplungsnetzwerk folgende Transistorstufe als Basisschaltung ausgebildet ist, und das Kopplungsnetzwerk in Übertragungsrichtung zunächst einen regelbaren Querwiderstand und darauffolgend einen regelbaren Längswiderstand hat.
  • Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn vor allem bei Verwendung von Dioden, insbesondere Kristalldioden, als regelbare Widerstände, mit der im Querzweig liegenden Diode in Reihe die Parallelschaltung einer Kapazität und eines Ohmschen Widerstandes vorgesehen sind und/oder parallel zu der im Längszweig liegenden Diode die Reihenschaltung eines Ohmschen Widerstandes und einer Kapazität geschaltet sind, und daß die beiden Widerstandswerte zusätzlich derart gewählt sind, daß eine Begrenzung des Regelbereiches gegeben ist.
  • Nachstehend wird die Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • In der F i g. 1 ist zunächst ein Kopplungsvierpol mit drei im Widerstandswert regelbaren Widerständen D 1, D 2 und D 3 gezeigt, die beim Ausführungsbeispiel als Dioden ausgebildet sind und vor allem bei dem Erfordernis geringerer Regelgeschwindigkeit aber auch als Heißleiter od. dgl. ausgebildet sein können. Die drei im Wert regelbaren Widerstände bilden ein 7-Glied und sind durch Einfügung von Trennkondensatoren C 1, C 2, C 3 und C 4 sowie einer Drossel Dr der getrennten gleichstrommäßigen Beeinflussung über die Vorwiderstände R 1, R 2 und R 3 zugängig. Die Kondensatoren Cl, C 3 und C 4 haben dabei gleichzeitig die Funktion von Kopplungskondensatoren zur Verbindung der dem Kopplungsvierpol vorgeschalteten Transistorstufe mit der dem Kopplungsvierpol nachgeschalteten Transistorstufe. Wird für den einzelnen Widerstand der Gleichstrom größer gemacht, so wird sein Widerstandswert geringer. Wird der ihn durchfließende Strom geringer gemacht, so wird sein Widerstand größer. Die drei regelbaren Widerstände D1, D 2 und D 3 werden nun mittels der sie durchfließenden Gleichströme so gesteuert, daß zur Erhöhung der übertragungsdämpfung des gesamten Vierpols der Widerstand von D 2 größer und der von D 1 und D 3 kleiner wird. Zweckmäßig ist es hierbei jedoch, nicht den gesamten möglichen Widerstandsbereich für die Regelung der Übertragungsdämpfung auszunutzen. Vielmehr empfiehlt es sich, in Reihe mit D 1 einen Widerstand an sich geringen Wertes, z. B. 20 Ohm, einzufügen, und vor allem nur wechselspannungsmäßig parallel zu D 2 einen Widerstand nennenswert höheren Widerstandswertes, z. B. 200 Ohm, zu schalten. In Reihe mit D 3 wäre gegebenenfalls ein ähnlicher Widerstand wie in Reihe zu D 1 zu legen.
  • Bei Ausbildung der auf den Kopplungsvierpol in Übertragungsrichtung darauffolgenden Transistorstufe als Basisschaltung kann der veränderbare Widerstand D 3 mit Vorteil fortgelassen werden.
  • Als zweckmäßig hat sich für die Regelung die Bedingung herauskristallisiert, wenn der Gleichstrom J 1 durch den veränderbaren Widerstand D 1 und der Gleichstrom J2 durch den veränderbaren Widerstand D 2 der Gleichung J 1 + J 2 = konstant genügen. Ein etwas größerer Regelbereich bzw. ein etwas besseres frequenzmäßiges Verhalten läßt sich demgegenüber noch erreichen, wenn J 1 und J 2 gemäß der Bedingung gewählt werden, daß J 1 so lange Null sein soll; wie J2 ungleich Null ist und umgekehrt. Dies ist vor allem dann vorteilhaft, wenn, wie vorstehend erwähnt, in Reihe zu D 1 und parallel zu D 2 wechselstrommäßig Widerstände geschaltet werden, die den Änderungsbereich im Widerstandswert durch den Querzweig nach niedrigen Widerstandswerten hin begrenzen und für den Längszweig nach hohen Widerstandswerten hin.
  • Für Breitbandverstärker, z. B. mit einer Bandbreite von etwa 40 MHz und einer zulässigen Frequenzgangsänderung von etwa 0,5 db, erhält ein derartiger Regelvierpol vorteilhaft einen Regelbereich von etwa 10 bis 15 db. Da derartige Verstärker in der Praxis einen größeren Regelbereich haben müssen, ist in der Weise vorzugehen, daß, wie in der F i g. 2 angedeutet, mehrere Regelvierpole vorgesehen werden, die über vorzugsweise zweistufige Transistorverstärker verbunden sind. Bei Schmalbandverstärkern gibt man dem Regelvierpol unter Umständen einen größeren Regelbereich. Den Verstärkungswert, der zwischen aufeinanderfolgenden Regelvierpolen liegenden Verstärkerstufen bemißt man dann zweckmäßig im Absolutwert etwa gleich der maximal möglichen Übertragungsdämpfung des jeweils vorausgehenden Regelvierpols.
  • Die einzelnen Regelvierpole könnten an sich alle gleichzeitig geregelt werden. Für einen Breitbandverstärker, beispielsweise für einen Frequenzbereich von 50 bis 90 MHz ist es jedoch vorteilhaft, eine bevorrechtigte Regelung in der Weise vorzunehmen, daß bei ansteigendem Eingangspegel zunächst der in Übertragungsrichtung letzte Regelvierpol des gesamten Verstärkers wirksam wird, und zwar so lange, bis er seine maximale Übertragungsdämpfung erreicht. Bei weiter ansteigendem Eingangspegel behält dieser Regelvierpol seine maximale übertragungsdämpfung bei und der unmittelbar vorausgehende Regelvierpol wird wirksam gemacht, und zwar ebenfalls bis er seinen Maximalwert erreicht. Steigt der Eingangspegel noch weiter an, so bleiben beide Regelvierpole auf ihrem maximalen Übertragungsdämpfungswert eingestellt, und der nächste unmittelbar vorausgehende Regelvierpol wird in gleicher Weise wirksam gemacht.
  • Diese Art der Bevorrechtigung, der hinsichtlich der Anzahl der Regelvierpole keine Grenzen gesetzt ist, hat für Breitbandverstärker den großen Vorteil, daß die Frequenzcharakteristik des Verstärkers innerhalb des Regelbereiches günstig beeinfiußt werden kann. Man kann nämlich in den einzelnen Regelvierpol frequenzabhängige Widerstände so einfügen, daß sich für minimale übertragungsdämpfung des Vierpols und für maximale Übertragungsdämpfung desselben praktisch gleiche Frequenzcharakteristiken ergeben. Nur in dem dazwischenliegenden Regelbereich ist dann eine geringfügige Änderung der Frequenzcharakteristik gegeben. Da bei der bevorrechtigten Regelung jeweils nur ein Regelvierpol diese Änderung der Frequenzcharakteristik zeigen kann, wird somit auch bei vielen Regelstufen, entsprechend einem sehr großen Regelbereich, die Änderung der Frequenzcharakteristik des Gesamtverstärkers sehr gering gehalten.
  • Ein Ausführungsbeispiel für eine derartige Schaltung zeigt die F i g. 3, in der ein 10stufiger Transistorverstärker mit drei Regelvierpolen versehen ist. Die Regelvierpole sind hierbei jeweils durch gestrichelte Linien hervorgehoben und entsprechend mit 1, I1 und III bezeichnet. Die einzelnen Verstärkerstufen sind jeweils in Basisschaltung ausgeführt, wodurch sich die Schaltung des einzelnen Regelvierpols in der Weise vereinfacht, daß der in Übertragungsrichtung zweite Querwiderstand D 3 (vgl. F i g. 1) entfallen kann. Die hochfrequenzmäßige Kopplung des für einen Frequenzbereich von beispielsweise 50 bis 90 MHz bestimmten Breitbandverstärkers besteht aus einer Spule mit Kopplungskapazität und aus Widerständen. Zu der vorerwähnten Korrektur der Frequenzcharakteristik bei der Ausregelung des einzelnen Regelvierpols dient die hochfrequenzmäßige Parallelschaltung aus der im Wert einstellbaren Kapazität von beispielsweise 6 bis 30 Pikofarad und dem Widerstand R4. Diese Parallelschaltung liegt in Reihe mit D 1. Der Widerstand hat z. B. einen Wert von 20 Ohm. Parallel zu dem regelbaren Längswiderstand D 2 des Regelvierpols ist die erwähnte Reihenschaltung eines Widerstandes R 5 von z. B. 200 Ohm mit einer der Gleichstromtrennung dienenden Kapazität vorgesehen. Zusätzlich liegt zumindest hochfrequenzmäßig parallel zu D 1 ein weiterer Widerstand R 6 von z. B. 200 Ohm. Die Widerstände R 4, R 5, R 6 begrenzen den Regelbereich des Vierpols.
  • Die Speisung von D 1 bzw. D 2 erfolgt in der bereits angegebenen Weise, nämlich daß J 1 so lange gleich Null ist, wie J2 ungleich Null ist, und J2 so lange gleich Null, wie J 1 ungleich Null ist. Die Flußrichtungen der Ströme sind bei der gewählten Polung der Dioden gegensätzlich, was durch - Ur und #I Ur im Schaltbild angedeutet ist.
  • Die Abteilung der Regelspannungen vor allem hinsichtlich der Bevorrechtigung zwischen den Regelvierpolen I, 1I und 111 kann in der Weise erfolgen, daß die Ausgangsspannung des Verstärkers gleichgerichtet und drei Regelspannungsstufen parallel zugeführt wird. Jeder dieser Regelspannungsstufen ist ein bestimmter, von Regelspannungsstufe zu Regelspannungsstufe steigender Schwellwert der gleichgerichteten Spannung zugeordnet, ab dem die Stufe wirksam wird. Weiterhin ist jede Stufe derart auszubilden, daß sie bis zum Wirksamwerden den Querwiderstand ihres zugehörigen Regelvierpols hochohmig und den Längswiderstand niederohmig steuert und beim Wirksamwerden die entsprechende Umsteuerung vornimmt.
  • Insgesamt ergibt sich für den Verstärker nach der F i g. 3 ein Pegelverlauf längs des Verstärkers, wie in der F i g. 4 schematisch gezeigt ist. Es sind vier Fälle mit unterschiedlicher Eingangsspannung gezeigt. Die stark ausgezogene Kurve Eo gilt für den Fall, daß jede Regelstufe ihre minimale Übertragungsdämpfung hat, d. h., daß das Eingangssignal noch unter dem Wert liegt, für den die Regelung einsetzen soll. Bei einem etwas höheren Eingangssignal ergibt sich der Pegelverlauf E 1, und zwar für Eingangssignale, die innerhalb des Regelbereiches des Regelvierpols III liegen. Für noch größere Eingangssignale ergeben sich sinngemäß noch :die Pegelverläufe E 2 und E 3.

Claims (6)

  1. Patentansprüche: 1. Mehrstufiger Transistorverstärker mit zwischen einzelnen Stufen eingeschalteten, in der Übertragungsdämpfung regelbaren, vorzugsweise Dioden enthaltenden Vierpolen als Kopplungsnetzwerken, dadurch gekennzeichnet, daß in der Regelung der einzelnen Vierpole eine Bevorrechtigung in der Weise vorgesehen ist, daß bei zunehmendem Eingangspegel zunächst der in Übertragungsrichtung letzte regelbare Kopplungsvierpol seinen Regelbereich voll überstreicht und erst bei weiterem Zunehmen des Eingangspegels der in Übertragungsrichtung davorliegende Kopplungsvierpol wirksam wird.
  2. 2. Mehrstufiger Transistorverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei Ausbildung des Verstärkers als Breitbandverstärker der einzelne regelbare Kopplungsvierpol im Wert frequenzabhängige Schaltelemente derart enthält, daß sich für den einzelnen Kopplungsvierpol bei maximaler Übertragungsdämpfung wenigstens näherungsweise die gleiche Frequenzcharakteristik ergibt wie bei minimaler übertragungsdämpfung.
  3. 3. Mehrstufiger Transistorverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest die auf das Kopplungsnetzwerk folgende Transistorstufe als Basisschaltung ausgebildet ist und das Kopplungsnetzwerk in Übertragungsrichtung zunächst einen regelbaren Querwiderstand und darauffolgend einen regelbaren Längswiderstand hat.
  4. 4. Mehrstufiger Transistorverstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Dioden, insbesondere Kristalldioden als regelbare Widerstände mit der im Querzweig liegenden Diode in Reihe die Parallelschaltung einer Kapazität und eines Ohmschen Widerstandes vorgesehen ist und/oder parallel zu der im Längszweig liegenden Diode die Reihenschaltung eines Ohmschen Widerstandes und einer Kapazität geschaltet ist und daß die beiden Widerstandswerte zusätzlich derart gewählt sind, daß eine Begrenzung des Regelbereiches gegeben ist.
  5. 5. Mehrstufiger Transistorverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Regelbereich des einzelnen Kopplungsvierpols etwa 10 bis 15 db beträgt.
  6. 6. Mehrstufiger Transistorverstärker nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Regelbereich etwa der jeweils bis zum nächsten Kopplungsvierpol vorausgehenden Verstärkung entspricht. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1080146.
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Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL280372D NL280372A (de) 1961-06-30
DES74572A DE1163910B (de) 1961-06-30 1961-06-30 Mehrstufiger Transistorverstaerker
GB24448/62A GB944682A (en) 1961-06-30 1962-06-26 Improvements in or relating to multi-stage variable-gain transistor amplifiers
CH782462A CH404730A (de) 1961-06-30 1962-06-28 Mehrstufiger, in der Verstärkung regelbarer Transistorverstärker
US206080A US3222609A (en) 1961-06-30 1962-06-28 Wide-band automatic gain-controlled amplifier
NL62280372A NL145112B (nl) 1961-06-30 1962-06-29 Banddoorlatende multitraps-transistorversterker.
SE7326/62A SE301999B (de) 1961-06-30 1962-06-29
DES85914A DE1179600B (de) 1961-06-30 1963-06-28 Mehrstufiger Verstaerker, insbesondere Transistorverstaerker

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NL (2) NL145112B (de)
SE (1) SE301999B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1237625B (de) * 1964-07-31 1967-03-30 Comp Generale Electricite Zweistufiger Transistorverstaerker mit in weiten Bereichen regelbarer Verstaerkung
DE2260072A1 (de) * 1972-12-08 1974-06-20 Saba Gmbh Regelbares daempfungsglied mit pindioden

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB997142A (en) * 1963-05-15 1965-07-07 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to electric signal translating circuits
US3292098A (en) * 1963-07-24 1966-12-13 Honeywell Inc Amplifier circuit with unipolar output independent of input polarity
DE1197932B (de) * 1964-07-28 1965-08-05 Siemens Ag Mehrstufiger Breitband-Transistor-Verstaerker
US3308392A (en) * 1965-02-04 1967-03-07 Esso Production Company Seismic amplifier having means for changing the amplification of the seismic signal by discrete steps proportional to a given power of two
GB1088254A (en) * 1965-06-04 1967-10-25 Impulsphysik Gmbh Receiver for optical radiation pulse signals of low repetition rates with automatic control for maintaining a constant noise level
JPS5113967B1 (de) * 1967-09-20 1976-05-06
US3624561A (en) * 1970-02-24 1971-11-30 Ben H Tongue Broadband aperiodic attenuator apparatus
DE2026679A1 (de) * 1970-06-01 1971-12-09 Licentia Gmbh Anordnung zum Regeln der Ausgangsgröße eines Verstärkers
US3723894A (en) * 1971-08-13 1973-03-27 Gte Sylvania Inc Automatic gain control circuit
JPS4896834U (de) * 1972-02-22 1973-11-16
FR2179633B1 (de) * 1972-04-14 1974-10-18 Orega Cifte
US4236126A (en) * 1979-04-25 1980-11-25 Cincinnati Electronics Corporation Variable RF attenuator
FR2580446B1 (fr) * 1985-04-16 1987-06-26 Applic Electro Tech Avance Amplificateur-correcteur, en particulier pour liaisons numeriques en bande de base
US4646036A (en) * 1985-12-23 1987-02-24 Motorola, Inc. Signal attenuation circuit
US5126688A (en) * 1990-03-20 1992-06-30 Oki Electric Co., Ltd. Power amplifying apparatus for wireless transmitter

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1080146B (de) * 1957-12-31 1960-04-21 Siemens Ag Steuerbares Daempfungsglied fuer die Dynamikregelung von Verstaerkern

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2547703A (en) * 1948-07-10 1951-04-03 Shell Dev Seismic exploration system
US2830242A (en) * 1955-01-06 1958-04-08 Foxboro Co Servo system measuring apparatus
US2930987A (en) * 1955-05-23 1960-03-29 Itt Signal translation system
US3119077A (en) * 1960-12-09 1964-01-21 Bell Telephone Labor Inc Automatic gain control circuit using variable attenuators in the signal path
BE620605A (de) * 1961-03-07

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1080146B (de) * 1957-12-31 1960-04-21 Siemens Ag Steuerbares Daempfungsglied fuer die Dynamikregelung von Verstaerkern

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1237625B (de) * 1964-07-31 1967-03-30 Comp Generale Electricite Zweistufiger Transistorverstaerker mit in weiten Bereichen regelbarer Verstaerkung
DE2260072A1 (de) * 1972-12-08 1974-06-20 Saba Gmbh Regelbares daempfungsglied mit pindioden

Also Published As

Publication number Publication date
GB944682A (en) 1963-12-18
SE301999B (de) 1968-07-01
NL145112B (nl) 1975-02-17
NL280372A (de)
CH404730A (de) 1965-12-31
US3222609A (en) 1965-12-07

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