DE1237625B - Zweistufiger Transistorverstaerker mit in weiten Bereichen regelbarer Verstaerkung - Google Patents
Zweistufiger Transistorverstaerker mit in weiten Bereichen regelbarer VerstaerkungInfo
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- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
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- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int.Cl.:
H03f
Deutsche KL: 21 a2-18/08
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
C 36245 VIII a/21 a2
28. Juni 1965
30. März 1967
Die Erfindung betrifft einen zweistufigen Transistorverstärker mit in weiten Bereichen regelbarer
Verstärkung, der einen Eingangstransistor in Emitterschaltung und einen mit diesem gleichstromgekoppelten
Ausgangstransistor in Basisschaltung aufweist, wobei der Kollektor des ersten Transistors direkt mit
der Anode einer Diode verbunden ist, an deren Kathode eine Regelgleichspannung angelegt ist.
Es ist bereits ein regelbarer zweistufiger, gleichstromgekoppelter
Transistorverstärker bekannt, der ao aus einer Eingangsstufe in Emitterschaltung und aus
einer Ausgangsstufe in Basisschaltung sowie einer Diode parallel zur Eingangsstrecke der geregelten
Stufe besteht. Der bekannte Transistorverstärker hat jedoch den Nachteil, daß die Ausgangsbelastung der
ersten Stufe nicht in der erwünschten Weise konstant ist. Dadurch ist die Verstärkungsregelung der bekannten
Schaltung auf etwa 30 bis 40 db beschränkt.
Es ist auch schon bekannt, zwischen die einzelnen Verstärkerstufen eines Transistorverstärkers zwecks
Verstärkungsregelung einen regelbaren Dämpfungsvierpol zu schalten, welcher zwei Dioden aufweist,
von denen eine in Reihe mit den Transistoren, die andere parallel dazu geschaltet ist. Bei dieser bekannten
Schaltung sind jedoch zwischen die Diodenanordnung und die Transistoren Kondensatoren eingeschaltet,
und es sind zwei Vorspannungen, von denen wenigstens eine regelbar sein muß, erforderlich,
damit die Dioden in der entsprechenden Weise arbeiten. Die Einschaltung einer weiteren Diode erfordert
also bei der bekannten Schaltung zusätzliche Schaltmittel und -maßnahmen, so daß eine nicht
unerhebliche Komplizierung der Gesamtschaltung die Folge ist.
Ziel der Erfindung ist ein zweistufiger Transistorverstärker der eingangs genannten Gattung, bei dem
durch eine sehr einfache und nur mit geringem Aufwand verbundene Schaltungsmaßnahme eine wesentliche
Erweiterung des Verstärkungsbereiches erzielt wird.
t Hierzu sieht die Erfindung vor, daß bei dem zweistufigen
Transistorverstärker der eingangs genannten Gattung die Anode der Diode in an sich bekannter
Weise direkt an die Anode einer zweiten Diode angeschlossen ist, deren Kathode direkt mit dem
Emitter des Ausgangstransistors verbunden ist. Durch diese Ausbildung kann der Verstärkungsregelbereich
bis auf 60 db ausgedehnt werden. Die Anordnung erfordert nur eine Regelspannung und außer der
zusätzlichen Diode keine weiteren Schaltmittel.
Im Fall der Anwendung des erfindungsgemäßen
Transistorverstärkers bei einem mehrstufigen Ver-Zweistufiger Transistorverstärker mit in weiten
Bereichen regelbarer Verstärkung
Bereichen regelbarer Verstärkung
Anmelder:
Compagnie Generale d'Electricite, Paris
Vertreter:
Dr. W. Müller-Bore, Dipl.-Ing. H. Gralfs
und Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. G. Manitz,
Patentanwälte, München 22, Robert-Koch-Str. 1
Als Erfinder benannt:
Albert Burgert,
Arcueil, Seine (Frankreich)
Beanspruchte Priorität:
Frankreich vom 31. Juli 1964 (983 913)
stärker kann eine automatische Verstärkungsregelung dadurch erzielt werden, daß als Regelgleichspannung
eine am Verstärkerausgang gewonnene, gleichgerichtete Spannung verwendet ist.
Weiter kann eine automatische Verstärkungsregelung dadurch herbeigeführt werden, daß die
Regelgleichspannung einen festen Wert hat und daß an die Basis des Ausgangstransistors, dessen Emitter
direkt mit der Kathode der zweiten Diode verbunden ist, eine am Verstärkerausgang gewonnene Verstärkungsregelspannung
angelegt ist.
Um darüber hinaus noch eine Einstellung des Verstärkungsregelungsgrades zu ermöglichen, kann
die Verstärkungsregelspannung einen regelbaren Gleichspannungsteil umfassen.
Die vorstehenden Polungsangaben der Dioden und Transistoren beziehen sich auf pnp-Transistoren. Bei
npn-Transistoren sind die Dioden in entgegengesetztem Sinn zu polen.
Die Erfindung wird im folgenden beispielsweise an Hand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigt
F i g. 1 ein Schaltbild eines zweistufigen Transistorverstärkers gemäß der Erfindung und
Fig.2 einen Verstärker mit automatischer Verstärkungsregelung,
bei dem ein zweistufiger Transistorverstärker gemäß der Erfindung verwendet ist.
Nach F i g. 1 speist eine Stromquelle 1 einen Eingangskreis 2, der beispielsweise einen abgestimmten
und durch einen Widerstand nebengeschlossenen
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Claims (2)
1. Zweistufiger Transistorverstärker mit in weiten Bereichen regelbarer Verstärkung, der
einen Eingangstransistor in Emitterschaltung und einen mit diesem gleichstromgekoppelten Ausgangstransistor
in Basisschaltung aufweist, wobei der Kollektor des ersten Transistors direkt mit
der Anode einer Diode verbunden ist, an deren Kathode eine Regelgleichspannung angelegt ist,
dadurchgekennzeichnet, daß die Anode der Diode (14) in an sich bekannter Weise direkt
an die Anode einer zweiten Diode (15) angeschlossen ist, deren Kathode direkt mit dem
Emitter (51) des Ausgangstransistors (5) verbunden ist.
2. Verstärker nach Anspruch 1, an den sich weitere Verstärkungsstufen anschließen, dadurch
gekennzeichnet, daß als Regelgleichspannung eine
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FR983913A FR1524977A (fr) | 1964-07-31 | 1964-07-31 | Amplificateur à gain variable |
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