DE1155914B - Verfahren zum Herstellen von hochreinem Antimon - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von hochreinem Antimon

Info

Publication number
DE1155914B
DE1155914B DES74099A DES0074099A DE1155914B DE 1155914 B DE1155914 B DE 1155914B DE S74099 A DES74099 A DE S74099A DE S0074099 A DES0074099 A DE S0074099A DE 1155914 B DE1155914 B DE 1155914B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
antimony
chloride
water vapor
high purity
producing high
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES74099A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Manfred Wilhelm
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES74099A priority Critical patent/DE1155914B/de
Priority to CH215762A priority patent/CH432011A/de
Priority to US196343A priority patent/US3168395A/en
Priority to GB19918/62A priority patent/GB950154A/en
Priority to BE618028A priority patent/BE618028A/fr
Publication of DE1155914B publication Critical patent/DE1155914B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B30/00Obtaining antimony, arsenic or bismuth
    • C22B30/02Obtaining antimony

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

  • Verfahren zum Herstellen von hochreinem Antimon Es ist bekannt, daß beim Überleiten von Antimon(V)-chloriddämpfen über geschmolzenes Magne= sium unter blitzartiger Lichterscheinung elementares Antimon in Form glänzender Kügelchen und Kristalle entsteht, daß weiterhin Antimon(V)-chlorid durch feinverteiltes Kalium in siedendem Toluol zu metallischem Antimon reduziert werden kann und daß beim Abbrennen eines Gemisches aus SbC1.- Dampf und Chlor in Wasserstoff ein grauschwarzes, zu 93 % aus Antimon und 7,% aus SbCis bestehendes Pulver erhalten wird. Unter den Bedingungen einer elektrodenlosen elektrischen Entladung können aus SbCl, und H., ebenfalls kleine Mengen Metall erhalten werden.
  • Es ist ferner bekannt, daß das bei der Herstellung größerer Mengen von hochreinem Antimon, wie es z. B. für Halbleiteranordnungen benötigt wird, im Verlauf der chemischen Reinigung anfallende Antimon(V)-chlorid nach Hydrolyse zu Antimonpentoxydhydrat zum Tetroxyd verglüht und dieses anschließend im Wasserstoffstrom zu metallischem Antimon reduziert wird. Radiochemische Untersuchungen zeigten, daß metallische Verunreinigungen im Verlauf der drei genannten Verfahrensstufen Hydrolyse, Verglühen und Reduzieren keine wesentliche Abreicherung erfahren.
  • Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen von hochreinem Antimon aus Antimon(V)-chlorid, das durch mehrmalige Vakuumfraktionierung sorgfältig gereinigt worden ist. Das erfindungsgemäße Verfahren beruht darauf, daß Antimon(V)-chloriddampf bei etwa l00° C zusammen mit trockenem Wasserstoff in einer etwa 700 bis 900° C heiße Reduktionszone geleitet wird und das metallische Antimon bei tieferer Temperatur, z. B. 400 bis 500° C, in Form von Kristallen abgeschieden wird. Erfindungsgemäß können die Ausbeuten an Antimon in der Zeiteinheit dadurch wesentlich erhöht werden, daß dem Gemisch aus Antimon(V)-chloriddampf und Wasserstoff gleichzeitig Wasserdampf zugesetzt wird, der im Sinne einer homogenen Katalyse die Reduktion von SbCh über rasch verlaufende Teilreaktionen, z. B. Bildung und Reduktion von Oxychloriden oder Oxydhydraten bzw. Oxyden, ablaufen läßt. Ein gereinigtes Inertgas, z. B. Argon, das bei einer Temperatur von 60 bis 80° C mit Wasserdampf beladen ist, dient als Transportmittel für den Wasserdampf in die Reduktionszone. Das Inertgas wird mit Wasserdampf bei einer Temperatur von 60 bis 80° C beladen und liegt beispielsweise in stöchiometrischen Mengen vor. Das Antimon(V)-chlorid wird in Gegenwart dieses Wasserdampfes hydrolysiert und das dadurch entstandene Antimonpentoxydhydrat unter Vermeidung naßchemischer Reaktionen zum Antimon reduziert.
  • Durch Reaktion von gasförmigem, mehrfach fraktioniertem Antimon(V)-chlorid mit Wasserstoff in Gegenwart von z. B. stöchiometrischen Mengen Wasserdampfes gemäß der Erfindung wird eine zusätzliche beträchtliche Abreicherung von Fremdelementen, vor allem Magnesium, Calcium und Silicium, erzielt. Weiterhin werden beim erfindungsgemäßen Verfahren für z. B. 598 g Antimon(V)-chlorid zur Bildung von Antimonpentoxyd höchstens 90 g Wasser verbraucht. Bei den bisher bekannten naßchemischen Reinigungsverfahren werden zur Hydrolyse der gleichen Menge Antimon(V)-chlorid etwa 6000 g vierfach destilliertes Wasser benötigt.
  • Das neue Verfahren erlaubt eine Steigerung der Ausbeute an hochreinem Antimon von etwa 50 % auf rund 70 0/0, bezogen auf das eingesetzte Rohantimon. Außerdem fallen alle Arbeitsgänge, die Antimon bzw. Antimonoxyd mit T iegelmaterialien, wie Aluminiumoxyd, in Berührung bringen, weg. Die drei Verfahrensstufen Hydrolyse, Teilreduktion von Antimonpentoxydhydrat und Reduktion von Antimontetroxyd werden beim erfindungsgemäßen Verfahren in einem einzigen Arbeitsgang durchgeführt. Durch diese Maßnahme wird eine wesentliche Vereinfachung des bisherigen Reinigungsverfahrens erreicht.
  • Mit Hilfe der Zeichnung und eines Ausführungsbeispieles sei die Erfindung noch näher erläutert: In der Figur ist eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt. Gereinigter Wasserstoff wird unter Zwischenschaltung eines Überdruckventils 11 und eines Strömungsmessers 12 einer mit flüssigem Stickstoff gekälrlten Falle 13 zugeführt. Der von Feuchtigkeitsspuitn befreite Wasserstoff durchperlt das in einer Gaswaschflasche 14 auf 100° C erhitzte SbCls und gelangt dann in die etwa 80Ö° C heiße kedükiionszohe bei 15. Die Länge des Reduktionsofens 15 beträgt etwa 30 cm. Nachgereinigtes Argon oder nachgereinigter Stickstoff werden über ein Ventil 16 und einen Strömungsmesser 17 im Kolben 18 mit Wasserdampf beladen und ebenfalls dem Reduktionsofen 15 zugeführt. Die Badtemperatur für deri Kolben 18 liegt etwa Zwischen 60 und 80° C. Erst nach Zufuhr von feuchtem Argon zum Gemisch von Hz und SbC15 Dampf erfolgt eine zeitlich rasche Reduktion zum metallischen Antimon. Die intermediäre Bildung von Sb-O-Verbindungen infolge Hydrolyse ist dazu notwendig. Die Abscheidung des Antimons erfolgt innerhalb des Heizofens 19, dessen Länge etwa 13 cm beträgt und dessen Temperatur zwischen 400 und 500° C gehalten wird. Die Öfen 15 und 19 sind über die Regeltransformatoren 25 bzw. 26 mit einer Wechselspannungsquelle von 220 Volt verbunden. An den Heizöfen 19 schließt sich noch eine etwa 10 cm lange Kühlspirale 20 aus Kupfer an, welche zur Kondensation von Feuchtigkeit und nicht reduziertem SbCl" dient.
  • Nach Vorgabe von 100 ml Antimonpentachlorid wird die gesamte Apparatur zunächst mit trockenem Argon bzw. Stickstoff durchspült. Das Gas nimmt dabei den Weg über die Verbindung 21. Anschließend wird ein Wasserstoffstrom von 30 bis 401/h und ein Argon- bzw. Stickstoffstrom z. B. von 4 bis 81/h über die Verbindung 22 eingestellt. Die Heizbäder sowie Reduktionsöfen und Abscheider werden auf die oben angegebenen Temperaturen gebracht. Bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist besonders auf eine gute Wärmeisolation des Verbindungsstückes zwischen dem Wasserkolben 18 und dem Reduktionsrohr 23 zu achten. Außerdem soll die Temperatur des knieförmigen übergangsschliffes 24 Drittels Heizmantel oder Heißluft auf 100° C beiteSSLf seiA. Nur wenn diese Bedingungen erfüllt sind, ist eine hohe Ausbeute an metallischem Antimon gewährleistet.
  • Im Verlauf von einer Stunde können nach dem beschriebenen Verfahren etwa 9 g SbC15 mitgeführt werden, die in etwa 85 bis 90 % Ausbeute zum Metall reduziert werden. Eine Erhöhung der SbCls Temperatur in der Gaswaschflasche 14 auf 110 bis 120° C sowie eine weitere Steigerung der H.-Strömungsgeschwindigkeit begünstigt die Spaltung von SbCls in SbC13 und C1 stark. Es ist daher besonders vorteilhaft, um die Steigerung der Sb-Ausbeute zu erhöhen, die Oberfläche des verdampfenden Antimonpentachlorids zu vergrößern; z. B. durch Vorgabe mehrerer Gaswaschflaschen bzw. durch Verwendung entsprechender Rundkolben mit Frittenböden.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Einstufiges Verfahren zur Herstellung von hochreinem Antimon aus mehrfach im Vakuum fraktioniertem Antimon(V)-chlorid, dadurch gekennzeichnet, daß das auf etwa 100° C erhitzte Antimon(V)-chlorid mit trockenem Wasserstoff durchperlt und in eine auf etwa 700 bis 9a0° C erhitzte Reduktionszone geleitet wird, in die gereinigtes, bei 60 bis 80° C mit Wasserdampf beladenes Inertgas in solchen Mengenzugeführt wird, daß das Antimon(V)-chlorid in. Gegenwart vorzugsweise stöchiometrischer Mengen Wasserdampfes hydrolysiert und das entstandene Antimonpentoxydhydrat zu metallischem Antimon reduziert und dieses zwischen 400 und 500° C in Form von Kristallen abgeschieden wird.
DES74099A 1961-05-25 1961-05-25 Verfahren zum Herstellen von hochreinem Antimon Pending DE1155914B (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES74099A DE1155914B (de) 1961-05-25 1961-05-25 Verfahren zum Herstellen von hochreinem Antimon
CH215762A CH432011A (de) 1961-05-25 1962-02-22 Verfahren zum Herstellen von hochreinem Antimon
US196343A US3168395A (en) 1961-05-25 1962-05-21 Method of producing highly pure antimony
GB19918/62A GB950154A (en) 1961-05-25 1962-05-23 Process for the production of antimony
BE618028A BE618028A (fr) 1961-05-25 1962-05-24 Procédé d'obtention d'antimoine extrêmement pur

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES74099A DE1155914B (de) 1961-05-25 1961-05-25 Verfahren zum Herstellen von hochreinem Antimon

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1155914B true DE1155914B (de) 1963-10-17

Family

ID=7504423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES74099A Pending DE1155914B (de) 1961-05-25 1961-05-25 Verfahren zum Herstellen von hochreinem Antimon

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3168395A (de)
BE (1) BE618028A (de)
CH (1) CH432011A (de)
DE (1) DE1155914B (de)
GB (1) GB950154A (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112662894B (zh) * 2020-11-17 2022-11-04 中国恩菲工程技术有限公司 一种锑氧粉生产锑的方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2935399A (en) * 1955-11-14 1960-05-03 Battelle Development Corp Method for preparation of rhenium
US3043679A (en) * 1958-10-20 1962-07-10 Diamond Alkali Co Method of producing chromium

Also Published As

Publication number Publication date
US3168395A (en) 1965-02-02
BE618028A (fr) 1962-09-17
GB950154A (en) 1964-02-19
CH432011A (de) 1967-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1896362B1 (de) Verfahren zur herstellung von silicium aus halogensilanen
DE3635064C2 (de)
DE3586412T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von polykristallinem silicium.
DE1966747B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Titan- und/oder Zirkonoxid unter gleichzeitiger Gewinnung von Phosphor und metallischem Titan und/oder Zirken
DD298001A5 (de) Verfahren zur gewinnung von uran aus oxid
DE3390358T1 (de) Verfahren und Einrichtung zur Erzeugung von Silizium aus Fluorkieselsäure
DE1442999B1 (de) Verfahren zur Herstellung von feinverteiltem amorphem Siliciumdioxid
DE2629264A1 (de) Verfahren zur herstellung von schwefelfluoriden
DE1155914B (de) Verfahren zum Herstellen von hochreinem Antimon
DE1047180B (de) Verfahren zur Herstellung von sehr reinem kristallinem Siliciumcarbid
DE1119832B (de) Verfahren zur Herstellung von Chlorwasserstoff
AT200106B (de) Verfahren zur Herstellung von reinstem Silizium
DE222622C (de)
DE1814580B2 (de) Verfahren zum Herstellen von Aluminium
EP0335147B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Gewinnung von Galliumchlorid aus galliumhaltigen Verbindungen
DE1050321B (de) Verfahren zur Gewinnung von reinem Silicium
DE878342C (de) Verfahren zur Herstellung von feinverteilten Oxyden von Metallen oder Metalloiden
DE961215C (de) Verfahren zur elektrothermischen Gewinnung von Magnesium
DE2252567C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Mangan aus Manganhalogeniden durch Reduktion mit schmelzflüssigem Aluminium
DE1134973B (de) Verfahren zur Herstellung von hochreinen Siliciumhalogeniden
DE2145912C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Aluminium
DE1147761B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Titan durch Reduktion von Titantetrachlorid mit auf dem Wege der Schmelzflusselektrolyse erzeugtem fluessigem Magnesium
DE1123299B (de) Verfahren zur Herstellung von reinem Silicium
DE1467327C (de) Verfahren zur Herstellung von wasserfreiem Chrom-(III)-chlorid
DE887648C (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Perfluoraethylen