DE1152827B - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines halbleitenden Koerpers aus einer Schmelze - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines halbleitenden Koerpers aus einer SchmelzeInfo
- Publication number
- DE1152827B DE1152827B DEN16952A DEN0016952A DE1152827B DE 1152827 B DE1152827 B DE 1152827B DE N16952 A DEN16952 A DE N16952A DE N0016952 A DEN0016952 A DE N0016952A DE 1152827 B DE1152827 B DE 1152827B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- seedling
- melt
- axis
- crucible
- rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
- C30B15/305—Stirring of the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL882570X | 1958-07-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1152827B true DE1152827B (de) | 1963-08-14 |
Family
ID=19853574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEN16952A Pending DE1152827B (de) | 1958-07-11 | 1959-07-07 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines halbleitenden Koerpers aus einer Schmelze |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1152827B (pt) |
FR (1) | FR1229486A (pt) |
GB (1) | GB882570A (pt) |
NL (1) | NL103463C (pt) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1244111B (de) * | 1964-05-23 | 1967-07-13 | Consortium Elektrochem Ind | Verfahren zur Herstellung von homogenen Staeben aus halbleitenden Mehrkomponentensystemen |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1256626B (de) * | 1963-03-13 | 1967-12-21 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstaeben durch Ziehen aus der Schmelze |
US3413098A (en) * | 1966-08-10 | 1968-11-26 | Westinghouse Electric Corp | Process for varying the width of sheets of web material |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE973231C (de) * | 1953-01-20 | 1959-12-24 | Telefunken Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze |
-
0
- NL NL103463D patent/NL103463C/xx active
-
1959
- 1959-07-07 DE DEN16952A patent/DE1152827B/de active Pending
- 1959-07-08 GB GB23486/59A patent/GB882570A/en not_active Expired
- 1959-07-09 FR FR799722A patent/FR1229486A/fr not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE973231C (de) * | 1953-01-20 | 1959-12-24 | Telefunken Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1244111B (de) * | 1964-05-23 | 1967-07-13 | Consortium Elektrochem Ind | Verfahren zur Herstellung von homogenen Staeben aus halbleitenden Mehrkomponentensystemen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR1229486A (fr) | 1960-09-07 |
GB882570A (en) | 1961-11-15 |
NL103463C (pt) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1136670B (de) | Tiegel zum Aufziehen von Kristallen aus einer darin befindlichen Schmelze und Verfahren zum Aufziehen von Kristallen aus einer Schmelze unter Anwendung eines solchen Tiegels | |
DE3325242C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines Verbindungshalbleiter-Einkristalls | |
DE2445146A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur ausbildung epitaktischer schichten | |
DE1256202B (de) | Verfahren zum Herstellen homogener stabfoermiger Kristalle aus einer Schmelze | |
DE3805118A1 (de) | Verfahren zum tiegelfreien zonenziehen von halbleiterstaeben und induktionsheizspule zu seiner durchfuehrung | |
DE1152827B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines halbleitenden Koerpers aus einer Schmelze | |
DE1619993A1 (de) | Verfahren zum Zuechten eines stabfoermigen Einkristalls aus Halbleitermaterial durch tiegelfreies Zonenschmelzen | |
DE2933172A1 (de) | Fluessigphasenepitaxie-beschichtung von substratscheiben | |
DE1432962B1 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von Waffelhuelsen | |
DE2307463C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von einkristallinen Metallgußstücken | |
DE1067409B (de) | Verfahren zur Herstellung eines synthetischen einkristallinischen Körpers. ' | |
DE973231C (de) | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze | |
DE1209997B (de) | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus schmelzbarem Material | |
DE1254590B (de) | Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial, insbesondere von Silicium | |
DE3321201A1 (de) | Tiegel zur herstellung von einkristallen | |
DE816030C (de) | Fahrbares Bodenbearbeitungsgeraet | |
DE1719515C3 (pt) | ||
DE495752C (de) | Herstellung von Ringen, insbesondere Gardinenringen | |
EP4106512A1 (de) | Pflanzenhaltevorrichtung | |
DE2051703A1 (de) | Verfahren zum Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere aus Silicium | |
DE929112C (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Anzuchttoepfen aus Pflanzenerde oder aehnlichem Material | |
DE2112048A1 (de) | Verfahren zum Fraesen eines Gasbetonbauteiles mit selbsttragender,noch halblplastischer Konsistenz oder Struktur | |
DE7313771U (de) | Bruchschneidevorrichtung | |
DE2234515C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von (111)-orientierten Halbleitereinkristallstäben mit zur Stabmitte abfallendem spezifischem Widerstand | |
DE2143394A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur erzielung eines gleichmaessigen radialen widerstandsverlaufs beim herstellen eines halbleiterkristallstabes durch tiegelfreies zonenschmelzen |