DE1152827B - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines halbleitenden Koerpers aus einer Schmelze - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines halbleitenden Koerpers aus einer Schmelze

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DE1152827B
DE1152827B DEN16952A DEN0016952A DE1152827B DE 1152827 B DE1152827 B DE 1152827B DE N16952 A DEN16952 A DE N16952A DE N0016952 A DEN0016952 A DE N0016952A DE 1152827 B DE1152827 B DE 1152827B
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DE
Germany
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seedling
melt
axis
crucible
rotation
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Pending
Application number
DEN16952A
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German (de)
English (en)
Inventor
Johan Willem Beijer
Georg Friedrich Rhode
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • C30B15/305—Stirring of the melt

Landscapes

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1244111B (de) * 1964-05-23 1967-07-13 Consortium Elektrochem Ind Verfahren zur Herstellung von homogenen Staeben aus halbleitenden Mehrkomponentensystemen

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1256626B (de) * 1963-03-13 1967-12-21 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstaeben durch Ziehen aus der Schmelze
US3413098A (en) * 1966-08-10 1968-11-26 Westinghouse Electric Corp Process for varying the width of sheets of web material

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE973231C (de) * 1953-01-20 1959-12-24 Telefunken Gmbh Verfahren zur Herstellung von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE973231C (de) * 1953-01-20 1959-12-24 Telefunken Gmbh Verfahren zur Herstellung von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1244111B (de) * 1964-05-23 1967-07-13 Consortium Elektrochem Ind Verfahren zur Herstellung von homogenen Staeben aus halbleitenden Mehrkomponentensystemen

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