DE1141028B - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SelengleichrichternInfo
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- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 25
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 23
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- QHASIAZYSXZCGO-UHFFFAOYSA-N selanylidenenickel Chemical compound [Se]=[Ni] QHASIAZYSXZCGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 2
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- -1 B. selenious acid Chemical class 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JBEGZEVXCJOZKT-UHFFFAOYSA-N NN.[Se] Chemical compound NN.[Se] JBEGZEVXCJOZKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- XIMIGUBYDJDCKI-UHFFFAOYSA-N diselenium Chemical compound [Se]=[Se] XIMIGUBYDJDCKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 229940000207 selenious acid Drugs 0.000 description 1
- MCAHWIHFGHIESP-UHFFFAOYSA-N selenous acid Chemical compound O[Se](O)=O MCAHWIHFGHIESP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
- H01L21/101—Application of the selenium or tellurium to the foundation plate
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
L39935Vnic/21g
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UND AUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT:
DER ANMELDUNG
UND AUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT:
5. SEPTEMBER 1961
13. DEZEMBER 1962
Die Erfindung betrifft ein Verfahren, bei dem auf der Trägerelektrode von Selengleichrichtern eine
Metallselenidschicht auf chemischem Wege ausgebildet wird.
Es ist bekannt, daß die Erzeugung einer Selenidschicht auf der Trägerelektrode den Vorteil des besonders
guten Stromüberganges in der Flußrichtung hat. Ferner ist bekannt, daß man auf die vernickelte
Trägerelektrode eine geringe Menge Selen in Staubform oder durch Aufdampfen in Vakuum bringt und
die als Trägerelektrode dienenden Eisen- bzw. Aluminiumplatten bei etwa 300° C erhitzt und so die
Selenidbildung erzielt. Ferner läßt sich die Selenidschicht erhalten, wenn das bereits gebildete Selenid
auf die Trägerelektrode aufgebracht, z. B. im Vakuum aufgedampft wird. Die Selenidschicht kann
auch in der Weise erzeugt werden, daß eine vernickelte Aluminium- bzw. Eisenplatte in eine säurehaltige
Selenverbindung, wie z. B. selenige Säure, getaucht und dadurch das Selen auf der Platte niedergeschlagen
wird. Dieser Niederschlag wird dann durch eine nachfolgende Temperaturbehandlung zur
Reaktion mit der Nickelschicht gebracht, womit die Selenidschicht entsteht. Eine weitere Möglichkeit besteht
darin, die vernickelte Grundelektrode mit Diselenidbromid zu überstreichen.
Alle genannten Verfahren haben den Nachteil, daß sie sehr zeitraubend sind und teilweise im Vakuum
ausgeführt werden müssen. Alle Arbeitsgänge, die im Vakuum ausgeführt werden müssen, beanspruchen
aber bekanntlich viel Zeit und sind sehr umständlich. Die Verwendung säurehaltiger Selenverbindungen
hat bei Aluminiumplatten den Nachteil, daß die Säuren das Aluminium angreifen.
Das Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern nach der Erfindung unterscheidet sich von
den bekannten Verfahren dadurch, daß die Metallselenidschicht durch Eintauchen der Trägerelektrode
in eine Hydrazinlösung gebildet wird, in der elementares Selen gelöst ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich besonders für Trägerelektroden, die mindestens an der
mit der Halbleiterschicht zu belegenden Seite aus Nickel mindestens solcher Stärke besteht, daß sich
beim Eintauchen in die selenhaltige Hydrazinlösung eine lückenlose Nickelselenidschicht bildet.
Für die Ausübung des erfindungsgemäßen Verfahrens eignet sich eine Lösung von Hydrazinhydrat
in einer Konzentration von 30 bis 80%. Die in dem Hydrazin gelöste Selenmenge kann zwischen 30 und
100 g Selen pro Liter liegen. Die Trägerelektrode wird mit Vorteil für 0,5 bis 5 Minuten in die Hydrazin-Verfahren
zur Herstellung
von Selengleichrichtern
von Selengleichrichtern
Anmelder:
Licentia Patent-Verwaltungs-G. m. b. H.,
Frankfurt/M., Theodor-Stern-Kai 1
Frankfurt/M., Theodor-Stern-Kai 1
Dipl.-Chem. Dr. phil. nat. Josef Muschaweck,
Belecke/Möhne,
und Wolfgang Bruckhoff, Sichtigvor/Möhne,
sind als Erfinder genannt worden
sind als Erfinder genannt worden
lösung getaucht, und es empfiehlt sich, dabei die Lösung auf einer Temperatur zwischen 60 und 100° C
zu halten.
Gemäß einer als Beispiel geschilderten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird
die Basiselektrode aus Eisen oder Aluminium galvanisch vernickelt und anschließend in die selenhaltige
Hydrazinlösung getaucht. Dabei tritt eine deutliche Reaktion zwischen Nickel und dem im Hydrazin gelösten
Selen in einer technisch vertretbaren Zeit bei einer Temperatur oberhalb von 60° C ein. Bei 80
bis 90° C bildet sich in 1 bis 2 Minuten eine in auffallendem Licht vollkommen schwarz erscheinende
und gleichmäßige Schicht aus. Wie weit die Konzentration des Selens und des Hydrazins schwanken
kann, mögen folgende Beispiele aufzeigen:
Reaktionslösung I:
80'%ige Hydrazinlösung mit 80 g Selen pro Liter.
Reaktionslösung II:
80%ige Hydrazinlösung mit 40 g Selen pro Liter.
Reaktionslösung III:
40%ige Hydrazinlösung mit 40 g Selen pro Liter.
Die drei Reaktionslösungen führten zu gleich guten Ergebnissen, so daß eine mit hohem Selengehalt
angesetzte Lösung häufig benutzt werden kann, ehe sie durch eine neue Lösung ersetzt bzw. durch
Zugabe von Chemikalien regeneriert werden muß.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich besonders für solche metallischen Trägerelektroden, auf
die eine Nickelschicht auf elektrolytischem Wege aufgebracht wird. Dabei kann nämlich die Trägerelektrode
unmittelbar nach der Vernickelung ohne Trocknung in die selenhaltige Hydrazinlösung getaucht
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werden. Dieser Weg hat den Vorteil, daß man weniger Arbeitsgänge benötigt, und vor allem werden
teuere Valkuumbedampfungen eingespart, und schließlich wird eine definierte und vollkommen gleichmäßige
Nickel-Selenid-Schicht erzeugt.
Der weitere Aufbau des Selengleichrichters kann nach den herkömmlichen Verfahren vorgenommen
werden, d.h. durch Aufdampfen oder sonstige Verfahren. Das. .erfindungsgemäße Verfahren hat auf
Grand der gleichmäßigen Selenidschicht auch noch den großen Vorteil, daß die so hergestellten Gleichrichter
gleichmäßiger als bisher ausfallen.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern, bei dem auf chemischem Wege eine
Metallselenidschicht auf der metallischen Trägerelektrode des Selengleichrichters hergestellt
wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallselenidschicht durch Eintauchen der Trägerelektrode
in eine Hydrazinlösung gebildet wird, in der elementares Selen gelöst ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerelektrode mindestens
an der mit der Halbleiterschicht zu belegenden Seite aus Nickel mindestens solcher Stärke besteht,
daß sich beim Eintauchen in die selenhaltige Hydrazinlösung eine lückenlose Nickelselenidschicht
bildet.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Lösung von Hydrazinhydrat
in einer Konzentration von 30 bis 80% angewendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß in dem
Hydrazin zwischen 30 und 100 g Selen pro Liter gelöst sind.
5. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die
Trägerelektrode 0,5 bis 5 Minuten in die selenhaltige
Hydrazinlösung getaucht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur
der Lösung beim Eintauchen der Trägerelektrode etwa zwischen 60 und 100° C beträgt.
7. Verfahren nach Anspruch 2 oder einem der folgenden, bei dem auf die metallische Trägerelektrode
eine Nickelschicht auf elektrolytischem Wege aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet,
daß die Trägerelektrode unmittelbar nach der Vernickelung ohne Trocknung in die selenhaltige
Hydrazinlösung getaucht wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 724 888, 973 445.
Deutsche Patentschriften Nr. 724 888, 973 445.
© 209 747/276 12.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL39935A DE1141028B (de) | 1961-09-05 | 1961-09-05 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
CH992362A CH432657A (de) | 1961-09-05 | 1962-08-20 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
FR907647A FR1331855A (fr) | 1961-09-05 | 1962-08-23 | Procédé de fabrication de redresseurs au sélénium |
GB3350762A GB962192A (en) | 1961-09-05 | 1962-08-31 | A method of producing selenium rectifiers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL39935A DE1141028B (de) | 1961-09-05 | 1961-09-05 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1141028B true DE1141028B (de) | 1962-12-13 |
Family
ID=7268864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEL39935A Pending DE1141028B (de) | 1961-09-05 | 1961-09-05 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH432657A (de) |
DE (1) | DE1141028B (de) |
GB (1) | GB962192A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1276213B (de) * | 1965-03-15 | 1968-08-29 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters |
Citations (2)
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---|---|---|---|---|
DE724888C (de) * | 1936-05-30 | 1942-09-09 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Selen-Gleichrichtern |
DE973445C (de) * | 1941-07-12 | 1960-02-18 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von mit Selen bedeckten Platten aus Metall fuer Gleichrichter, Fotoelemente u. dgl. |
-
1961
- 1961-09-05 DE DEL39935A patent/DE1141028B/de active Pending
-
1962
- 1962-08-20 CH CH992362A patent/CH432657A/de unknown
- 1962-08-31 GB GB3350762A patent/GB962192A/en not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE724888C (de) * | 1936-05-30 | 1942-09-09 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Selen-Gleichrichtern |
DE973445C (de) * | 1941-07-12 | 1960-02-18 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von mit Selen bedeckten Platten aus Metall fuer Gleichrichter, Fotoelemente u. dgl. |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE1276213B (de) * | 1965-03-15 | 1968-08-29 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH432657A (de) | 1967-03-31 |
GB962192A (en) | 1964-07-01 |
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