DE1141028B - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

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DE1141028B
DE1141028B DEL39935A DEL0039935A DE1141028B DE 1141028 B DE1141028 B DE 1141028B DE L39935 A DEL39935 A DE L39935A DE L0039935 A DEL0039935 A DE L0039935A DE 1141028 B DE1141028 B DE 1141028B
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DE
Germany
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selenium
solution
nickel
hydrazine
carrier electrode
Prior art date
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Pending
Application number
DEL39935A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Phil Nat Josef Mu Dipl-Chem
Wolfgang Bruckhoff
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Publication date
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

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Description

DEUTSCHES
PATENTAMT
L39935Vnic/21g
ANMELDETAG:
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UND AUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT:
5. SEPTEMBER 1961
13. DEZEMBER 1962
Die Erfindung betrifft ein Verfahren, bei dem auf der Trägerelektrode von Selengleichrichtern eine Metallselenidschicht auf chemischem Wege ausgebildet wird.
Es ist bekannt, daß die Erzeugung einer Selenidschicht auf der Trägerelektrode den Vorteil des besonders guten Stromüberganges in der Flußrichtung hat. Ferner ist bekannt, daß man auf die vernickelte Trägerelektrode eine geringe Menge Selen in Staubform oder durch Aufdampfen in Vakuum bringt und die als Trägerelektrode dienenden Eisen- bzw. Aluminiumplatten bei etwa 300° C erhitzt und so die Selenidbildung erzielt. Ferner läßt sich die Selenidschicht erhalten, wenn das bereits gebildete Selenid auf die Trägerelektrode aufgebracht, z. B. im Vakuum aufgedampft wird. Die Selenidschicht kann auch in der Weise erzeugt werden, daß eine vernickelte Aluminium- bzw. Eisenplatte in eine säurehaltige Selenverbindung, wie z. B. selenige Säure, getaucht und dadurch das Selen auf der Platte niedergeschlagen wird. Dieser Niederschlag wird dann durch eine nachfolgende Temperaturbehandlung zur Reaktion mit der Nickelschicht gebracht, womit die Selenidschicht entsteht. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, die vernickelte Grundelektrode mit Diselenidbromid zu überstreichen.
Alle genannten Verfahren haben den Nachteil, daß sie sehr zeitraubend sind und teilweise im Vakuum ausgeführt werden müssen. Alle Arbeitsgänge, die im Vakuum ausgeführt werden müssen, beanspruchen aber bekanntlich viel Zeit und sind sehr umständlich. Die Verwendung säurehaltiger Selenverbindungen hat bei Aluminiumplatten den Nachteil, daß die Säuren das Aluminium angreifen.
Das Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern nach der Erfindung unterscheidet sich von den bekannten Verfahren dadurch, daß die Metallselenidschicht durch Eintauchen der Trägerelektrode in eine Hydrazinlösung gebildet wird, in der elementares Selen gelöst ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich besonders für Trägerelektroden, die mindestens an der mit der Halbleiterschicht zu belegenden Seite aus Nickel mindestens solcher Stärke besteht, daß sich beim Eintauchen in die selenhaltige Hydrazinlösung eine lückenlose Nickelselenidschicht bildet.
Für die Ausübung des erfindungsgemäßen Verfahrens eignet sich eine Lösung von Hydrazinhydrat in einer Konzentration von 30 bis 80%. Die in dem Hydrazin gelöste Selenmenge kann zwischen 30 und 100 g Selen pro Liter liegen. Die Trägerelektrode wird mit Vorteil für 0,5 bis 5 Minuten in die Hydrazin-Verfahren zur Herstellung
von Selengleichrichtern
Anmelder:
Licentia Patent-Verwaltungs-G. m. b. H.,
Frankfurt/M., Theodor-Stern-Kai 1
Dipl.-Chem. Dr. phil. nat. Josef Muschaweck,
Belecke/Möhne,
und Wolfgang Bruckhoff, Sichtigvor/Möhne,
sind als Erfinder genannt worden
lösung getaucht, und es empfiehlt sich, dabei die Lösung auf einer Temperatur zwischen 60 und 100° C zu halten.
Gemäß einer als Beispiel geschilderten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Basiselektrode aus Eisen oder Aluminium galvanisch vernickelt und anschließend in die selenhaltige Hydrazinlösung getaucht. Dabei tritt eine deutliche Reaktion zwischen Nickel und dem im Hydrazin gelösten Selen in einer technisch vertretbaren Zeit bei einer Temperatur oberhalb von 60° C ein. Bei 80 bis 90° C bildet sich in 1 bis 2 Minuten eine in auffallendem Licht vollkommen schwarz erscheinende und gleichmäßige Schicht aus. Wie weit die Konzentration des Selens und des Hydrazins schwanken kann, mögen folgende Beispiele aufzeigen:
Reaktionslösung I:
80'%ige Hydrazinlösung mit 80 g Selen pro Liter.
Reaktionslösung II:
80%ige Hydrazinlösung mit 40 g Selen pro Liter.
Reaktionslösung III:
40%ige Hydrazinlösung mit 40 g Selen pro Liter.
Die drei Reaktionslösungen führten zu gleich guten Ergebnissen, so daß eine mit hohem Selengehalt angesetzte Lösung häufig benutzt werden kann, ehe sie durch eine neue Lösung ersetzt bzw. durch Zugabe von Chemikalien regeneriert werden muß.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich besonders für solche metallischen Trägerelektroden, auf die eine Nickelschicht auf elektrolytischem Wege aufgebracht wird. Dabei kann nämlich die Trägerelektrode unmittelbar nach der Vernickelung ohne Trocknung in die selenhaltige Hydrazinlösung getaucht
209 747/276
werden. Dieser Weg hat den Vorteil, daß man weniger Arbeitsgänge benötigt, und vor allem werden teuere Valkuumbedampfungen eingespart, und schließlich wird eine definierte und vollkommen gleichmäßige Nickel-Selenid-Schicht erzeugt.
Der weitere Aufbau des Selengleichrichters kann nach den herkömmlichen Verfahren vorgenommen werden, d.h. durch Aufdampfen oder sonstige Verfahren. Das. .erfindungsgemäße Verfahren hat auf Grand der gleichmäßigen Selenidschicht auch noch den großen Vorteil, daß die so hergestellten Gleichrichter gleichmäßiger als bisher ausfallen.

Claims (7)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern, bei dem auf chemischem Wege eine Metallselenidschicht auf der metallischen Trägerelektrode des Selengleichrichters hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallselenidschicht durch Eintauchen der Trägerelektrode in eine Hydrazinlösung gebildet wird, in der elementares Selen gelöst ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerelektrode mindestens an der mit der Halbleiterschicht zu belegenden Seite aus Nickel mindestens solcher Stärke besteht, daß sich beim Eintauchen in die selenhaltige Hydrazinlösung eine lückenlose Nickelselenidschicht bildet.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Lösung von Hydrazinhydrat in einer Konzentration von 30 bis 80% angewendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Hydrazin zwischen 30 und 100 g Selen pro Liter gelöst sind.
5. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerelektrode 0,5 bis 5 Minuten in die selenhaltige Hydrazinlösung getaucht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur der Lösung beim Eintauchen der Trägerelektrode etwa zwischen 60 und 100° C beträgt.
7. Verfahren nach Anspruch 2 oder einem der folgenden, bei dem auf die metallische Trägerelektrode eine Nickelschicht auf elektrolytischem Wege aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerelektrode unmittelbar nach der Vernickelung ohne Trocknung in die selenhaltige Hydrazinlösung getaucht wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 724 888, 973 445.
© 209 747/276 12.
DEL39935A 1961-09-05 1961-09-05 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern Pending DE1141028B (de)

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DEL39935A DE1141028B (de) 1961-09-05 1961-09-05 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
CH992362A CH432657A (de) 1961-09-05 1962-08-20 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
FR907647A FR1331855A (fr) 1961-09-05 1962-08-23 Procédé de fabrication de redresseurs au sélénium
GB3350762A GB962192A (en) 1961-09-05 1962-08-31 A method of producing selenium rectifiers

Applications Claiming Priority (1)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1276213B (de) * 1965-03-15 1968-08-29 Licentia Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE724888C (de) * 1936-05-30 1942-09-09 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Selen-Gleichrichtern
DE973445C (de) * 1941-07-12 1960-02-18 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von mit Selen bedeckten Platten aus Metall fuer Gleichrichter, Fotoelemente u. dgl.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE724888C (de) * 1936-05-30 1942-09-09 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Selen-Gleichrichtern
DE973445C (de) * 1941-07-12 1960-02-18 Int Standard Electric Corp Verfahren zur Herstellung von mit Selen bedeckten Platten aus Metall fuer Gleichrichter, Fotoelemente u. dgl.

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1276213B (de) * 1965-03-15 1968-08-29 Licentia Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters

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CH432657A (de) 1967-03-31
GB962192A (en) 1964-07-01

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