DE1138481B - Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der GasphaseInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 30
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 10
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 2
- IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-2,2,2-trifluoroethanone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 B. their halides Chemical class 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002291 germanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N phosphorus trichloride Chemical compound ClP(Cl)Cl FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013550 pizza Nutrition 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N trichlorosilicon Chemical compound Cl[Si](Cl)Cl PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
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- Y10S118/00—Coating apparatus
- Y10S118/90—Semiconductor vapor doping
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/072—Heterojunctions
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
S74267Vmc/21g
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABEDER
AUSLEGESCHRIFT: 25. OKTOBER 1962
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
von Halbleiteranordnungen, die aus einem einkristallinen Grundkörper mit mehreren Zonen unterschiedlichen
Leitfähigkeitstyps oder unterschiedlicher Dotierungskonzentration bestehen, durch einkristalline
Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase auf einem erhitzten Trägerkristall aus Halbleitermaterial
gleicher Gitterstruktur. Es ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß ein Halbleiterkörper
durch parallele, nicht ganz durch den Halbleiterkörper hindurchgeführte Schnitte in Scheiben zerschnitten
wird, so daß die Scheiben an einer Stelle miteinander in Zusammenhang bleiben und anschließend
dieser Halbleiterkörper in einem strömenden Gemisch einer gasförmigen Verbindung des Halb-Ieitermaterials
und eines gasförmigen Reaktionsmittels erhitzt wird, und daß dann die Scheiben vollständig
voneinander getrennt werden. Beispielsweise kann ein stabförmiger Halbleiterkörper durch Schnitte senkrecht
zur Stabachse in Scheiben aufgeteilt werden und nach der Abscheidung durch Schnitte parallel zur
Stabachse die vollständige Abtrennung dieser Scheiben vorgenommen werden.
Es sind bereits Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung
von Halbleitermaterial auf erhitzten Trägerkristallen bekanntgeworden. Derartige Halbleiteranordnungen
werden beispielsweise in der Mikrostromkreistechnik (microcircuitry) verwendet. Derartige
Verfahren zur Abscheidung von Halbleitermaterial sind beispielsweise aus den deutschen Patentschriften
865 160 und 1061593 bekannt. Durch das Verfahren nach der Erfindung werden diese Verfahren
weiter verbessert.
Vorzugsweise werden Halbleiterschichten aus demselben Halbleitermaterial wie der Trägerkristall auf
diesem abgeschieden, z. B. Germanium auf Germanium. Es kann aber auch für den Trägerkristall anderes
Halbleitermaterial verwendet werden als das, welches durch Abscheidung aus der Gasphase niedergeschlagen
wird. Scheidet man beispielsweise auf einem Siliziumträger Germanium ab, so ist auf den
Germaniumschichten eine Kontaktierung schon bei tieferen Temperaturen und gegebenenfalls auch mit
anderen Stoffen möglich.
Bei einer derartigen Abscheidung von unterschiedlichem Halbleitermaterial müssen selbstverständlich
die Reaktionstemperaturen für das Abscheiden und Niederschlagen des Überzugsmaterials niedriger sein
als die Schmelztemperatur des Trägermaterials. Außerdem dürfen die Gitterkonstanten des Trägerkristalls
und des abzuscheidenden Halbleitermaterials Verfahren zur Herstellung
von Halbleiteranordnungen
durch einkristalline Abscheidung
von Halbleitermaterial aus der Gasphase
Anmelder: Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen, Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Dr. phil. nat. Konrad Reuschel, Pretzfeld,
und Dr. Hans Merkel, Erlangen, sind als Erfinder genannt worden
sich nur um etwa 5 % unterscheiden. Es können demzufolge beispielsweise Germanium auf Silizium abgeschieden
werden, sowie Gallium-Arsenid auf Germanium, Aluminium-Arsenid sowohl auf Germanium als
auch auf Silizium, Gallium-Arsenid auf Aluminium-Arsenid und umgekehrt, Aluminium-Phosphid auf
Silizium, Gallium-Phosphid auf Silizium und Indiumphosphid auf Germanium.
Die Übergänge von einem Material auf das andere können auch über Mischkristalle erfolgen. Man kann
also beispielsweise, wenn man Germanium auf einem Siliziumeinkristall niederschlagen will, zunächst mit
einer Abscheidung von Silizium, z. B. aus entsprechenden Siliziumverbindungen, wie Siliziumtetrachlorid
(SiCl4) oder Silikochloroform (SiHCl3) beginnen.
Durch allmähliches Beimischen der entsprechenden Germaniumverbindungen zu dem Gasstrom, der in die
Reaktionskammer geleitet wird, sowie eine entsprechende Verminderung der Siliziumverbindung kann
man schließlich zum reinen Germanium übergehen. Die Abscheidung von Halbleitermaterial kann zweckmäßigerweise
aus den gasförmigen Verbindungen, z. B. ihren Halogeniden, durch chemische Reaktion,
beispielsweise durch Reduktion mit Wasserstoff, erfolgen. Im allgemeinen wird mit einem hohen Wasserstoffüberschuß
gearbeitet; der Wasserstoff dient also in diesem Falle auch als Trägergas.
In den Zeichnungen ist das Verfahren nach der Erfindung an Beispielen erläutert. In
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3 4
Fig. 1 ist ein Reaktionsgefäß zur Herstellung von Dicke des stehenbleibenden Materials kann beispiels-Halbleiteranordnungen
dargestellt; weise 0,25 mm betragen. Gegebenenfalls können auch
Fig. 2 zeigt in vergrößerter Darstellung einen Aus- Schlitzbreiten bis zu mehreren Millimetern Breite vorschnitt
aus Fig. 1 und gesehen werden und Materialdicken bis zu etwa einem Fig. 3 einen Schnitt längs der Linie III-III durch 5 Millimeter. Durch chemisches Ätzen, beispielsweise
Fig. 2; ' durch Tauchätzung, kann die Oberfläche des durch Fig. 4 zeigt eine andere Ausführungsform und Sägen mit Schlitzen versehenen Halbleiterstabes bis
Fig. 5 einen Querschnitt durch den mittleren Teil zu ungestörten Kristallschichten abgetragen werden,
von Fig. 4. - .;ΐ■■. λ
welche für die einkristalline Abscheidung geeignet
Der Reaktionsraum-in Fig. 1 besteht im wesent- io sind. Durch dieses Ätzen kann auch in gewissem
liehen aus einem Bodenteil 2 und einem glocken- Maße das stehenbleibende Halbleitermaterial auf
förmigen Teil 3, welcher auf den Bodenteil aufgesetzt seine endgültige Dicke gebracht werden. Nach dem
ist. Die Glocke 3 kann beispielsweise aus Quarz be- Abscheiden des Halbleitermaterials innerhalb der
stehen. Der Bodenteil 2 ist zweckmäßigerweise durch Reaktionskammer wird der Halbleiterstab durch
ein strömendes Kühlmittel gekühlt, was durch Pfeile 15 Brechen oder durch Schnitte parallel zur Stabachse
an den Anschlußstutzen 4 und 5 angedeutet wird. Ein endgültig zertrennt, beispielsweise durch Schnitte
Rohr 6 dient zur Zuführung des Reaktionsgemisches; längs der gestrichelten Linie in Fig. 3. Es entstehen
die in den Reaktionsraum ragende Öffnung ist düsen- rechteckige Halbleiterscheiben, welche in der Mitte
f örmig gestaltet. Ein zweites Rohr 7 mit größerem aus dem ursprünglichen Material des Halbleiterstabes,
Durchmesser dient zur Abführung der Abgase. Das 20 z. B. p-leitendem Silizium, bestehen, und welche auf
Zuführungsrohr 6 ist auf einer kurzen Strecke inner- der Ober- und Unterseite Schichten von abgeschiehalb
des Rohres 7 geführt, damit die Reaktionsgase denem Halbleitermaterial, beispielsweise von n-leitenvorgewärmt
werden. Durch den Bodenteil 2 ragen dem Silizium, besitzen. Diese Anordnung stellt also
zwei Stromzuführungen 8 und 9, von denen die eine einen npn-Transistor dar. In entsprechender Weise
geerdet und mit dem Boden galvanisch verbunden können pnp-Transistoren hergestellt werden. Für die
sein kann, während die andere isoliert durch den Verwendung als Gleichrichter muß die eine n-leitende
Bodenteil hindurchführt. Innerhalb des Reaktions- ■ Schicht wieder entfernt werden, z. B. durch Sandraumes
sind zwei Halbleiterstäbe 10 und 11 in der strahlen, Abläppen bzw. Abätzen. Die Teile der Halb-Weise
angeordnet, daß sie mit den Stromzuführun- leiteranordnung, welche nicht abgeätzt werden sollen,
gen 8 und 9 galvanisch verbunden sind. Eine Strom- 30 können beispielsweise mit Pizein abgedeckt werden,
brücke 12 dient zur Verbindung der beiden Halbleiter- In Fig. 4 ist eine andere Form eines bei dem erfinstäbe
10 und 11. Eine Stromquelle 13 ist außerhalb dungsgemäßen Verfahren verwendeten Halbleiterdes
Reaktionsraumes mit den beiden Stromzuführun- Stabes dargestellt. Ein Halbleiterstab 20 ist von einer
gen 8 und 9 verbunden. Diese Stromquelle ist zweck- Seite her mit Sehlitzen versehen. Dieser Halbleitermäßigerweise
regelbar. 35 stab ist innerhalb eines beispielsweise aus Quarz bein
Fig. 2 ist ein Ausschnitt aus Fig. 1 vergrößert stehenden verhältnismäßig engen Rohres 22 unterdargestellt,
und zwar die Stoßstelle zwischen dem gebracht, durch welches das Gasgemisch hindurch-Halbleiterstab
10 und der Strombrücke 12. Der Halb- geführt wird. Die Erwärmung des Stabes wird nicht
leiterstab 10 kann beispielsweise aus einem durch durch direkten Stromdurchgang, sondern induktiv betiegelfreies
Zonenschmelzen hergestellten zylindrischen 40 wirkt; eine Induktionsheizspule 23, die an einen
Einkristallstab hergestellt sein. Er ist mit parallelen Hochfrequenzgenerator mit z. B. 3 bis 5 MHz ange-Schlitzen
versehen, welche abwechselnd von gegen- schlossen ist, umgibt das Quarzrohr 22. Der Halbüberliegenden Seiten in den Stab hineingeführt sind. leiterstab 20 und die Induktionsheizspule 23 können
Hierdurch ergibt sich der mäanderförmige Aufbau ge- in Längsrichtung gegeneinander verschoben werden,
maß Fig. 2. 45 Bei der Durchführung des Verfahrens wird eine
Der Querschnitt des Halbleiterstabes kann bei- Glühzone ähnlich wie die Schmelzzone beim tiegelspielsweise
rund sein, also dem natürlichen Quer- freien Zonenschmelzen durch den Halbleiterstab 20
schnitt eines zonengeschmolzenen Halbleiterstabes hindurchgeführt. Die Abscheidung von Halbleiterentsprechen;
er kann aber auch eine andere Form be- material findet hauptsächlich an der Stelle statt, an
sitzen, beispielsweise die Form emes Rechteckes oder 50 der sich diese Glühzone befindet. Ob man diese Glüh-Quadrates.
In Fig. 3 ist ein zweckmäßiger Querschnitt zone mit derart langsamer Geschwindigkeit durch
dargestellt, der z. B. in der Weise erzielt werden kann, den Halbleiterstab 20 hindurchführt, daß eine genüdaß
von einem runden Halbleiterstab an gegenüber- gend dicke Schicht von abgeschiedenem Halbleiterliegenden
Seiten durch Schnitte parallel zur Stabachse material gleichzeitig beim ersten Durchgang der Glüh-Teile
entfernt werden. Der Durchmesser eines der- 55 zone niedergeschlagen wird, wie sie für die Herstelartigen
Halbleiterstabes kann z. B. 12 bis 20 mm be- lung der gewünschten Halbleiteranordnung nötig ist,
tragen. oder ob man die Glühzone mehrfach durch den HaIb-Bei Stromdurchgang durch diesen derart geschütz- leiterstab hindurchführt und hierdurch eine mehrfache
ten Halbleiterstab wird der mittlere rechteckige Teil Abscheidung von Halbleiterschichten bewirkt, hängt
am stärksten erwärmt, weil dieser den geringsten 60 von verschiedenen Faktoren ab, unter anderem von
Querschnitt hat. Da der Querschnitt und damit die dem Aufbau der gewünschten Halbleiteranordnung
Stromdichte an dieser Stelle vollkommen gleichmäßig und von den verwendeten Materialien.
. ist, wird der Halbleiterstab an dieser Stelle gleich- Fig. 5 zeigt einen Schnitt durch den Halbleiterstab
mäßig erwärmt. Daher ist auch die Abscheidung von 20 gemäß Fig. 4. Die endgültige Abtrennung der
Halbleitermaterial in diesem Bereich gleichmäßig. 65 scheibenförmigen Halbleiteranordnungen kann bei-Das
Schlitzen des Halbleiterstabes kann beispiels- spielsweise durch einen Schnitt parallel zur Stabachse
mit Hilfe von Diamantsägen durchgeführt werden. längs der gestrichelten Linie in Fig. 5 durchgeführt
Dabei entstehen Schlitze von z. B. 0,3 mm Breite. Die werden.
Damit eine Stromaufnahme des hochreinen HaIbieitermaterials
möglich ist, muß eine Vorheizung der verwendeten Halbleiterstäbe vorgenommen werden.
Man kann beispielsweise mit Hilfe von Strahlungsquellen, z. B. Bogenlampen, eine derartige Vorheizung
vornehmen. Bei Verwendung einer Vorrichtung gemäß Fig. 4 ist es zweckmäßig, an einer Stelle des
Halbleiterstabes 20, ζ. B. am oberen bzw. unteren Ende der Schlitzreihe, in einen der Schlitze eine
Scheibe aus einem Material einzulegen, welches sofort leitend ist. Man kann beispielsweise an dieser
Stelle einen verbreiterten Schlitz vorsehen und in diesen eine Molybdän- oder Wolframscheibe einlegen,
wie sie beispielsweise als Trägerplatte für Halbleiteranordnungen verwendet wird, oder eine Graphitscheibe.
Von dieser Stelle ausgehend kann dann die Glühzone leicht durch den gesamten Halbleiterstab
geführt werden.
Der Halbleiterstab 20 kann auch mit schrägen Schlitzen versehen werden, wodurch größere Halbleiterscheiben
entstehen.
Selbstverständlich können nicht nur Gleichrichter, sondern auch beliebige andere Halbleiteranordnungen
nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt werden, beispielsweise npn- bzw. pnp-Transistoren
oder Vierschichtanordnungen. Die Abscheidung von Schichten verschiedenen Leitfähigkeitstyps kann nacheinander
durch Beimischen entsprechender Dotierungsstoffe zu dem Reaktionsgasgemisch erfolgen. So kann
man beispielsweise Borchlorid (B Cl3) und Phosphortrichlorid
(PCl3) zur Herstellung von p- bzw. n-Schichten dem Reaktionsgasgemisch zugeben.
Zur Vermeidung von Strukturstörungen beim Aufwachsen kann es vorteilhaft sein, jeweils zu Beginn
eines Abscheidungsprozesses das Molverhältnis der Reaktionsgase oder/und die Reaktionstemperatur
so zu ändern, daß zunächst etwas Halbleitermaterial kurzzeitig abgetragen wird, und so eine ungestörte
Oberflächenbeschaffenheit sicherzustellen, welche anschließend ein einkristallines Aufwachsen der abgeschiedenen
Schichten ermöglicht. Gegebenenfalls kann während des Abscheidungsprozesses die Konzentration
der zugesetzten gasförmigen Verbindung eines Dotierungsstoffes verändert und somit eine kontinuierliche
Veränderung der Dotierungskonzentration des abgeschiedenen Halbleitermaterials bewirkt
werden.
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, die aus einem einkristallinen Grundkörper
mit mehreren Zonen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps oder unterschiedlicher Dotierungskonzentration
bestehen, durch einkristallines Abscheiden von Halbleitermaterial aus der Gasphase
auf einem erhitzten Trägerkristall aus Halbleitermaterial gleicher Gitterstruktur, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Halbleiterkörper durch parallele, nicht ganz durch den Halbleiterkörper hindurchgeführte
Schnitte in Scheiben zerschnitten wird, so daß die Scheiben an einer Stelle miteinander
in Zusammenhang bleiben und anschließend dieser Halbleiterkörper in einem strömenden Gemisch
einer gasförmigen Verbindung des Halbleitermaterials und eines gasförmigen Reaktionsmittels erhitzt wird, und daß dann die Scheiben
vollständig voneinander getrennt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein stabförmiger Halbleiterkörper
durch Schnitte senkrecht zur Stabachse in Scheiben aufgeteilt wird, und daß nach der
Abscheidung durch Schnitte parallel zur Stabachse die vollständige Trennung vorgenommen
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der stabförmige Körper durch Schnitte kammförmig aufgeteilt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der stabförmige Halbleiterkörper
durch Schnitte mäanderförmig aufgeteilt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der stabförmige Halbleiterkörper
induktiv erhitzt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der stabförmige Halbleiterkörper
durch direkten Stromdurchgang erhitzt wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 943 422;
deutsche Auslegeschrift Nr. 1 046 196;
britische Patentschrift Nr. 682 105;
Zeitschrift »electronics« vom 8. 7. 1960, S. 66, 68.
Deutsche Patentschrift Nr. 943 422;
deutsche Auslegeschrift Nr. 1 046 196;
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Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 209 678/272 10.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1961S0074267 DE1138481C2 (de) | 1961-06-09 | 1961-06-09 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase |
US200526A US3152933A (en) | 1961-06-09 | 1962-06-06 | Method of producing electronic semiconductor devices having a monocrystalline body with zones of respectively different conductance |
GB22172/62A GB987895A (en) | 1961-06-09 | 1962-06-07 | Improvements in or relating to the production of semi-conductor arrangements |
BE618732A BE618732A (fr) | 1961-06-09 | 1962-06-08 | Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs par dépôt monocristallin à partir de la phase gazeuse |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1961S0074267 DE1138481C2 (de) | 1961-06-09 | 1961-06-09 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1138481B true DE1138481B (de) | 1962-10-25 |
DE1138481C2 DE1138481C2 (de) | 1963-05-22 |
Family
ID=7504530
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1961S0074267 Expired DE1138481C2 (de) | 1961-06-09 | 1961-06-09 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch einkristalline Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3152933A (de) |
BE (1) | BE618732A (de) |
DE (1) | DE1138481C2 (de) |
GB (1) | GB987895A (de) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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