DE1129624B - Verfahren zum Herstellen eines Drift-Transistors mit einem plaettchen-foermigen Halbleiterkoerper mit einem Widerstandsgradienten entlang seiner Dicke - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Drift-Transistors mit einem plaettchen-foermigen Halbleiterkoerper mit einem Widerstandsgradienten entlang seiner Dicke

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DE1129624B
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Richard A Williams
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Maxar Space LLC
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Philco Ford Corp
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C25F3/12—Etching of semiconducting materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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