DE1901645A1 - Halbleiterbauelement mit Aluminiumueberzuegen - Google Patents
Halbleiterbauelement mit AluminiumueberzuegenInfo
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Description
6698-68/Schü/Ro.
RCA 59 616
US Ser.No. 699,211
Filed: January 19, I968
Radio Corporation of America, New York, N.Y. (V.St.A.)
Halbleiterbauelement mit Aluminiumüberzügen.
Die Erfindung betrifft Halbleiterbauelemente mit einem Körper aus Halbleitermaterial, in dessen einer Oberfläche Halbleiterschaltungselemente
ausgebildet sind. Die Oberfläche des aus monokristallinem Halbleitermaterial bestehenden Körpers ist mit einer
Aluminiumoxydschicht überzogen, welche die Schaltungselemente gegeneinander und gegen Verbindungsleitungen isoliert. Ferner
betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung solcher Überzüge.
i ! In der Halbleitertechnik werden üblicherweise Halbleiterma-
: terialien wie Silizium, Germanium oder Galliumarsenid mit Oxydj
schichten .überzogen, welche man aus diesem Halbleitermaterial ; selbst bildet oder mit Hilfe pyrolytischer Zersetzung eines Vor-
; ratsmaterials entstehen läßt. Aluminiumoxyd als Halbleiterüberzugsmaterial
hat man durch Ablagerung einer Aluminiumschicht auf
\ einer Oberfläche des Halbleiters und durch anodische Oxydierung
des Aluminiums in einem flüssigen Elektrolyt ausgebildet.
Bei monolithischen integrierten Schaltungen und auch bei diskreten aktiven Bauelementen verwendet man einen Oxydüberzug
als Einkapselungsmaterial zur Verhinderung eines Wanderns von
Verunreinigungen aus der Umgebung in das Halbleitermaterial und als Isolierträger, auf welchem die Verbindungsmetallisierung angeordnet
werden kann. Bei Feldeffekttransistoren mit isolierter Gate-Elektrode, welche üblicherweise aus Silizium hergestellt ;
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werden, benutzt man üblicherweise thermisch gewachsenes Silizium- |
dioxyd als Gate-Isolator, und thermisch gewachsenes Siliziumdioxyd
wird auch zum Schutz des Bauelementes gegen die Umgebung verwendet
Bisher waren sorgfältige Fabrikationstechniken zur Herstellung von Oxydüberzügen erforderlich, damit keine unerwünschten
Oberflächeneffekte in dem an das Oxyd angrenzenden Halbleitermaterial auftreten. Mangelnde Sauberkeit bei der Herstellung von
Silizium-Feldeffekttransistoren, bei denen der Gate-Isolator aus thermisch gewachsenen SiOp besteht, führen zu nicht stabilen Bauelementen.
Selbst wenn solche Bauelemente unter sauberen Bedingungen hergestellt werden, zeigen sie ungünstige Toleranzen hinsichtlich
Strahlungen. Werden Feldeffekttransistoren vom Stromerhöhungstyp unter ungenügend sauberen Bedingungen hergestellt,
dann hatten sie relativ hohe Schwellenspannungen.
Das oben erwähnte mit feuchtem Elektrolyten anodisierte Aluminiumoxyd befriedigt als Halbleiterüberzug nicht, weil neben
anderen Effekten aufgeladene Verunreinigungsteilchen, wie Natriumionen in das Oxyd während seiner Bildung einwandern. Diese Verunreinigungsteilchen
sind beweglich und können unter Einfluß von ■ Hitze und elektrischen Feldern wandern, wobei sie Veränderungen
der elektrischen Charakteristika der an das Oxyd angrenzenden Elemente verursachen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Vermeidung der Nachteile dieser bekannten Oxydschichten. Gemäß der Erfindung
wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers eine aus einem anodischen Plasma oxydierten
Aluminium bestehende Aluminiumoxydschicht aufgebracht ist, welche die Schaltungselemente gegeneinander und gegen Verbindungsleitungen
isoliert. Hierzu wird zunächst ein metallischer Aluminiumfilm auf der Oberfläche des Halbleitermateriales abgelagert, und
dann wird der Aluminiumfilm durch seine gesamte Dicke in einem Sauerstoffplasma anodisch oxydiert.
Es hat sich gezeigt, daß Bauelemente mit auf diese Weise
hergestellten Überzügen stabil und beständig gegen Umgebungsstrahlungen sind. Das Halbleitermaterial unter dem Überzug, hat
eine niedrige Oberflächenzustandsdichte und ist gegen die Umge-
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bung gut abgeschirmt. Feldeffekttransistoren mit isolierter Gate-Elektrode,
bei welchen der neue Aluminiumoxydüberzug als Gate-Isolator verwendet wird, haben relativ niedrige Schwellenspannungen
und eignen sich daher insbesondere für Anwendungen in integrierten Schaltungen, weil die Verkleinerung der Schwellenspannung
die Verlustleistung der Schaltung herabsetzt. Diese Bauele- ;
mente sind auch bei angelegten Vorspannungen und bei hoher Temperatur
besonders stabil.
Ein besonderer Vorteil bei der Herstellung der erfindungsgemäßen Oxydschichten liegt darin, daß die bisher erforderliche,
ganz besondere Sauberkeit bei der Herstellung nicht mehr notwendig ist. Daraus ergibt sich unter anderem eine vergrößerte Ausbeute
.
Die Erfindung ist im folgenden an Hand der Darstellungen von Ausführungsbeispielen näher beschrieben. Es zeigen:
Pig. 1 eine Draufsicht auf einen Teil einer integrierten Schaltung, bei welcher der neue Aluminiumoxydüberzug in verschiedener
Wiise angewendet ist;
Fig. 2 einen Querschnitt länrs der Linie 2-2 der Fig. 1;
Fig. ^ eine perspektivische Ansicht eines für die Ausführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens geeigneten Gerätes;
Fig. 4 eine Draufsicht zur Veranschaulichung einiger anderer
gegenseitiger Anordnungen des erfindungsgemäßen Aluminiumoxydüberzugs in integrierten Schaltungen;
Fig. 5 einen Querschnitt längs der Linie 5-5 der Fig. 4;
Fig. 6 einen Querschnitt längs der Linie 6-6 der Fig. 4 und
Fig. 7 einen Teilquerschnitt durch einen Feldeffekttransistor mit isolierter Gate-Elektrode, bei welchem der neue Aluminiumoxydüberzug
als Gate-Isolator benutzt wird.
Die Fig. 1 und 2 veranschaulichen einen Teil einer integrierten Schaltung 10, bei welcher der erfindungsgemäße Aluminiumoxydüberzug
vorgesehen ist. Im dargestellten Beispiel enthält die integrierte Schaltung 10 gemäß Fig. 1 drei Schaltungselemente,
nämlich einen Feldeffekttransistor 12 mit isolierter Gate-Elektrode, einen bipolaren Transistor 14 und eine tunnelartrige Überkreu-
909836/0BU1
zung 15* welche im rechten unteren Teil der integrierten Schaltung
10 sichtbar ist, wie Fig. 2 zeigt.
Die integrierte Schaltung 10 wird in einem Plättchen 16 aus monokristallinem Halbleitermaterial, wie Silizium, ausgebildet,
das im vorliegenden Beispiel ρ leitend ist. Auf einer Oberfläche 20 des Plättchens 16 wird eine η leitende epitaktische Schicht
ausgebildet, von deren oberer Seite 24 aus sich p+leitende isolierende
Diffusionsbereiche 22a, 22b und 22c durch die epitaktische Schicht 18 hindurch und ein kurzes Stück in das ρ leitende
Material des Plättchens 16 hinein erstrecken. Verfahren zur Ausbildung
der epitaktischen Schicht 18 und der p+leitenden, isolierenden Diffusionsbereiche 22a, 22b und 22c sind in der Technik
bekannt.
Der Feldeffekttransistor 12 hat einen Trägerbereich, der durch denjenigen Teil der η leitenden epitaktischen Schicht 18
gebildet wird, welcher zwischen den isolierenden Diffusionsbereichen 22a und 22b liegt. Innerhalb dieses Bereiches befinden
sich Teile des Transistors, welche aus zwei im Abstand angeordneten p+Bereichen 26 und 28 bestehen, welche die Bereiche der
Source-Elektrode bzw. der Drain-Elektrode des Transistors 12 bilden. Auf der Oberseite 24 der epitaktischen Schicht 18 befindet
sich eine Schicht ^O aus isolierendem Aluminiumoxyd, welche nach
dem im einzelnen nachstehend beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahren
ausgebildet ist. Auf der Alumiriiumoxydschicht JO sind
metallische Verbindungsschichten 32 und 34 angeordnet, von denen
sich Teile durch geeignete Öffnungen 36 und 38 in der Aluminiumoxydschicht
30 erstrecken und in Berührung mit den p+leitenden Source- und Drain-Bereichen 26 und 28 stehen.
Der Feldeffekttransistor 12 hat ferner einen Gate-Isolator 40, welcher ein Teil der Aluminiumoxydschicht J>0 ist, die beispielsweise
durch Wegätzen eines Teils der Schicht ^O im Zwischenraum
zwischen den Source- und Drain-Zonen 26 und 28 hergestellt ist. Über dem Gate-Isolator 40 liegt eine Gate-Elektrodenschicht
42. '
Zwischen den isolierenden Diffusionsbereichen 22b und 22c ist ein bipolarer Transistor 14 angeordnet. Er hat eine Kollektor-^
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zone 44, die durch denjenigen Teil der epitaktischen Schicht 18
gebildet wird, welcher zwischen den isolierenden Diffusionsbereichen 22b und 22c liegt. Innerhalb der Kollektorzone 44 ist
eine diffundierte Basiszone 46 angeordnet, innerhalb deren sich wiederum eine diffundierte Emitterzone 48 befindet. Fig. 2 zeigt
Teile einer Aluminiumoxydschicht 30, welche oberhalb der pn Über- ι
gänge zwischen den Kollektor-, Basis- und Emitterbereichen des Transistors 12 liegt. Im dargestellten Beispiel ragt die metallische
Verbindungsschicht 3^ durch eine öffnung 50 in der Aluminium-i
oxydschicht 30 und bildet einen Kontakt mit dem Kollektorbereich
44 des Transistors 14. Eine andere metallische Verbindungsschicht ■
52 liegt über der Aluminiumoxydschicht 30 und ragt durch eine ; öffnung 34 und bildet einen Kontakt mit dem Emitterbereich 48.
Eine Basiskontaktmetallisierungsschicht 56 (Pig. l) ragt durch
öffnungen in der Aluminiumoxydschicht 30 und stellt Kontakt mit der Basiszone 46 des Transistors 14 her.
Die tunnelartige Überkreuzung 15 im Bereich der epitaktischerf
Schicht 18 rechts von dem isolierenden Diffusionsbereich 22c in Pig. 2 weist eine diffundierte n+Zone 58 auf. Die Verbindungsmetallisierung
52 ragt mit einem Teil durch eine öffnung 60 in
der Aluminiumoxydschicht 30 und bildet einen Kontakt mit der
n+Zone 58. Eine andere Metallisierungsschicht 6l erstreckt sich vom gegenüberliegenden Ende der n+Zone 58. Eine Schicht der Überkreuzungsmetallisierung
62 liegt auf der Aluminiumoxydschicht 30 über der n+Zone 58.
Erfindungsgemäß wird der Aluminiumoxydüberzug 30 durch Ablagerung
einer Schicht reinen metallischen Aluminiums auf der Oberfläche 24 der epitaktischen Schicht 18 mit Hilfe irgendeiner
bekannten Technik, beispielsweise durch Aufdampfen, abgelagert. Anschließend wird das metallische Aluminium durch anodische Oxydierung
mit Hilfe von aus einem Plasma gewonnenen Sauerstoffionen in Aluminiumoxyd umgewandelt. Eine für die Anodisierung
geeignete Vorrichtung 64 ist in Fig. 3 dargestellt.
Die Vorrichtung 64 weist ein Vakuumsystem mit einer Trägerplatte 66 und einem Glasrezipienten 68 auf. Eine Leitung 70 führt
durch die Trägerplatte 66 in das Innere des Rezipienten 68, so daß dieser mit Hilfe einer nicht dargestellten geeigneten Vakuum-
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pumpe evakuiert werden kann; ferner läßt sich durch die Leitung 70 ein gewünschtes Gas in den Rezipienten einführen. Innerhalb
des Rezipienten 68 befinden sich drei von der Trägerplatte 66 getragene Ständer 72, 74 und 76, von denen die Ständer 72 und
ein Paar Plasmaelektroden 78 und 80 tragen. Eine Elektrode 80 dient als Kathode und besteht aus einem Aluminiumring. Die andere
Elektrode 78 dient als Anode und besteht ebenfalls aus einem
Aluminiumring, der jedoch mit einem nicht dargestellten Goldfolienfblatt
bedeckt ist. Die Goldfolie verhindert eine anodische Oxydation des Aluminiums der Elektrode 78. Nicht dargestellte Leitungen
zur Versorgung der Elektroden mit Spannungen können durch die Ständer 72 und 74 verlaufen.
Der Ständer 76 trägt an seinem oberen Ende eine Trägerhalte- j
lehre 82, welche eine Vertiefung 84 aufweist, in der ein inte- i griertes Schaltungsplattchen 10 angeordnet werden kann, das mit
einem anodisch zu oxydierenden Aluminiumüberzug versehen ist. !
Zum Betrieb der Vorrichtung 64 wird ein zu oxydierendes ! Plättchen 10 zunächst innerhalb der Vertiefung 84 des Halters 82 j
angeordnet. Dann wird der Rezipient auf die Trägerplatte 66 auf- ! gesetzt und evakuiert und mit einer Sauerstoffatmosphäre mit
einem Druck von etwa 0,3 mm Quecksilber versehen. Anschließend
wird ein Plasma zwischen den Elektroden 78 und 80 gezündet, indem an die Anode 78 eine Spannung von etwa 0 Volt und an die Kathode
80 eine Spannung von etwa -750 V gelegt wird. Der Halter 82 und das zu oxydierende Plättchen 10 werden positiv gegenüber der
Anode 78 vorgespannt. Das Plasma ionisiert die Sauerstoffatome zu negativen Ionen, die dann zu dem positiv geladenen Plättchen
10 wandern und mit dem Aluminium reagieren. Nachdem das Aluminium vollständig bis zur Siliziumoberfläche 24 durchoxydiert ist, wird
das Plättchen aus dem Vakuumsystem herausgenommen und einer Wärmebehandlung bei etwa 3000C, vorzugsweise in einer inerten Atmosphäre
wie Helium, unterworfen. Durch diese Wärmebehandlung sollen Ladungen, die sich an der Grenzfläche zwischen Silizium und Aluminiumoxyd
angesammelt haben entfernt werden und mechanische Spannungen beseitigt werden.
909836/090 1
I yU I b 4b
- 7 -
Die Fig. 4 und 5 veranschaulichen ein Verfahren zur Herstellung
von isolierten Leitungsüberkreuzungen eines anderen Typs. Wie insbesondere Fig. 5 zeigt, kann der Träger 16 und die epitaktische
Schicht 18 einer n+ Tunneldiffusion 86 unterworfen werden. Die Aluminiumoxydisolierschicht ist in Fig. 5 wiederum mit 30 bezeichnet.
'
Ein Typ einer Leitungsüberkreuzung, der etwa der Fig. 2 ent- [
spricht, wird durch eine Metallisierungsschicht 88 dargestellt, die auf der Aluminiumoxydschicht 30 angeordnet ist und über dem ;
Tunnelbereich 86 liegt. Die andere, in Fig. 5 dargestellte Über- |
kreuzung ist eine Metall-Metall-Überkreuzung mit einer Metalli- ! sierungsschicht 90, welche auf der Aluminiumoxydschicht 30 angeordnet
ist. Hierbei kann es sich beispielsweise um die Metalli- ; sierung handeln, welche mit den Enden des Tunnelbereiches 86 in :
Kontakt steht. Die Metallschicht 90 ist dicker als üblich und wird
den im Plasma erzeugten Sauerstoffionen in der Vorrichtung 64 unter Anwendung.geeigneter Spannungen ausgesetzt, so daß sie nur
zum Teil durch->oxydiert wird. Bei dieser Teiloxydierung entsteht
eine Al^ -niniumoxydhaut 92 auf den gesamten freiliegenden Oberflä- :-
chen der Metallschicht 90· Dann kann eine Metallschicht 94 so
abgelagert werden, daß sie die i "Herte Metallschicht 90 überkreuzt
.
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Aluminiumoxydisolierung
eignet sich auch für andere Formen von Halbleiterisolierungen. Beispielsweise stellt Fig. 7einen Feldeffekttransistor
100 mit isoliertem Gate dar, bei dessen Herstellung sowohl Siliziumdioxyd als auch Aluminiumoxyd verwendet wird. Der
ι Transistor 100 weist einen Träger 102 mit einer Oberfläche 104 auf, an die zwei diffundierte Zonen 106 und 108 angrenzen, welche
durch Ablagerung einer Schicht dotierten Siliziumdioxyds ausgebildet sind, also eines Siliziumdioxyds, welches Leitfähigkeitsmoderatoren für das Halbleitermaterial enthalten. Dieses dotierte
Oxyd wird selektiv weggeätzt, so daß Blocks 110 und 112 oberhalb der Bereiche verbleiben, welche die Source- und Drain-Zonen des
Transistors werden sollen. Dieser Aufbau wird dann in einem Diffusionsofen erhitzt, so daß die Dotiermaterialien in den Träger
102 hineindiffundieren und die Zonen 106 und 108 bilden. Die Oxyd-;
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ORIGINAL INSPECTED
blöcke 110 und 112 bedecken in diesem Fertigungsstadium vollständig
die Zonen 106 und 108. Anschließend werden gemäß Fig. 7 in den Blocks Kontaktöffnungen 114 und 116 ausgebildet.
Nach der Ausbildung dieser Kontaktöffnungen 114 und 116 in
den Blocks 110 und 112 wird eine metallische Aluminiumschicht über sämtliche freiliegenden Oberflächen des Transistors 100 abgelagert.
Das Bauelement wird dann mit seinem Aluminiumoxyd in die Vorrichtung 64 gebracht und das Aluminium wird vollständig
in eine Aluminiumoxydschicht 118 umgewandelt, die sowohl als Gate-Isolator wie auch als Oberflachenschutzmaterial für den
Transistor 100 dient.
Der nächste Herstellungsschritt für den Transistor 100 besteht in der Ausbildung von öffnungen 120 und 122 in der Aluminiu^-
oxydschicht 118 zum Freilegen von Oberflächenteilen der Source-
und Drain-Zonen 106 und 108. Dann wird eine Aluminiumschicht abgelagert und selektiv geätzt, so daß die Source- und Drain-Kontakte
lekt roden und eine Gate-Elektrode für den Transistor verbleiben.
Im Vergleich zu Siliziumdioxyd hat sich der erfindungsgemäß hergestellte Aluminiumoxydüberzug als überlegen erwiesen,
da er die Bauelemente stabiler und strahlungsunempfindlicher macht. Setzt man mit Siliziumdioxyd überzogene Bauelemente beispielsweise
einer energiereichen Elektronenstrahlung aus, dann bauen sich Ladungen in dem Oxyd auf, die unerwünschte Zustände
in den Trennflächen zur Folge haben. Kapazitäts-Spannungs-Messungen
bei einer typischen Metall-Oxyd-Halbleiterkapazität mit einem thermisch gewachsenen Siliziumdioxydfilm als Dielektrikum
zeigen infolge der Ansammlung von Oxydladungen unter einem Be-
1*2 O
schuß mit Elektronen von 1 MeV einer Dichte von 10 - e/cm eine
Shift von etwa 10 Volt. Ein gleiches Bauelement mit einem nach der Erfindung hergestellten Aluminiumoxydisolator zeigt bei
gleichen Bedingungen keine merkliche Ladungsansammlung und keine
Bildung von Zwischenschichterscheinungen. Bestrahlungsdichten
14/2
von 10 e/cm waren erfordferlich, um überhaupt eine merklich* Ladung in der Aluminiumoxydkapazität hervorzurufen.
von 10 e/cm waren erfordferlich, um überhaupt eine merklich* Ladung in der Aluminiumoxydkapazität hervorzurufen.
909836/09 UI
— Q Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate und einem er- |
findungsgemäßen Aluminiumoxydfilm als Gate-Isolator sind stabil, j
Feldeffekttransistoren vom Stromerhöhungstyp zeigen niedrige
Schwellenspannungen, die sie besonders geeignet für die Anwendung in integrierten Schaltungen machen, wo eine niedrige Verlustleistung erforderlich ist. Bei einem typischen Feldeffekttran- I sistor, wie etwa dem dargestellten Transistor 100, hat sich eine \ Dichte von Zwischenflächenerscheinungen von etwa 2 x 10 Erscheinungen/cm -ev gezeigt. Die Steilheit eines typischen Bauelementes ! beträgt 4000 MikroSiemens und die Schwellenspannung entwa 1,0 V.
Wenn man dieses Bauelement einer Temperatur von 2500C und einer
Gate-Spannung, welche ein Feld von 1,5 χ 10^f/cm erzeugt, aussetzt, dann ist noch keine Ionenbewegung feststellbar. Die Schwel-» lenspannung verschiebt sich nur um etwa +0,5 Volt. Typische Bau- ; elemente mit Siliziumdioxydisolator zeigen oft Schwellenspannungs-4 verschiebungen von + einigen Volt unter den gleichen Bedingungen. ;
Schwellenspannungen, die sie besonders geeignet für die Anwendung in integrierten Schaltungen machen, wo eine niedrige Verlustleistung erforderlich ist. Bei einem typischen Feldeffekttran- I sistor, wie etwa dem dargestellten Transistor 100, hat sich eine \ Dichte von Zwischenflächenerscheinungen von etwa 2 x 10 Erscheinungen/cm -ev gezeigt. Die Steilheit eines typischen Bauelementes ! beträgt 4000 MikroSiemens und die Schwellenspannung entwa 1,0 V.
Wenn man dieses Bauelement einer Temperatur von 2500C und einer
Gate-Spannung, welche ein Feld von 1,5 χ 10^f/cm erzeugt, aussetzt, dann ist noch keine Ionenbewegung feststellbar. Die Schwel-» lenspannung verschiebt sich nur um etwa +0,5 Volt. Typische Bau- ; elemente mit Siliziumdioxydisolator zeigen oft Schwellenspannungs-4 verschiebungen von + einigen Volt unter den gleichen Bedingungen. ;
Das zur Bildung der Aluminiumoxydschicht verwendete Aluminium wurde von einem Wolframfaden verdampft, und es wurden keine besonderen
Maßnahmen zur Ausschaltung von Natrium oder anderen , Alkalimetallverunreinigungen im Ablagerungsgerät getroffen. Die
Erfindung gestattet somit die Herstellung von besseren Bauele- \ menten auf einfachere Weise.
Erfindung gestattet somit die Herstellung von besseren Bauele- \ menten auf einfachere Weise.
909836/09U1
Claims (9)
1.) Halbleiterbauelement mit einem Körper aus Halbleitermaterial, in dessen einer Oberfläche Halbleiterschaltungselemente ausgebildet
sind, dadurch gekennzeichnet, daß auf
der Oberfläche eine aus in einem anodischen Plasma oxydierten Aluminium bestehende Aluminiumoxydschicht (j50) aufgebracht ist,
welche die Schaltungselemente (12, 14) gegeneinander und gegen Verbindungsleitungen (6o) isoliert.
2.) Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb des Halbleiterkörpers
ein Feldeffekttransistor (12) mit isolierter Gate-Elektrode angeordnet
ist, dessen Source- und Drain-Zonen (26, 28) in dem Halbleiterkörper an dessen Oberfläche (24) angrenzend angeordnet sind,
und daß die Aluminiumoxydschicht (4o) oberhalb des Zwischenraumes zwischen Source- und Drain-Zonen (26, 28) sich befindet und auf
der Aluminiumoxydschicht (4o) eine Gate-Elektrode (42) angeordnet ist.
3.) Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb des Halbleiterkörpers
an seine Oberfläche (24) angrenzend ein Transistor (44) mit einem Kollektor-, einem Basis- und einem Emitterbereich (44, 46, 48)
ausgebildet ist, welche zwischen sich die Endübergänge bilden, die mit geschlossener Begrenzung an die Oberfläche (24) heraustreten,
und daß diese an die Oberfläche tretenden Begrenzungen durch die Aluminiumoxydschicht (jJO) abgedeckt sind.
4.) Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Aluminiumoxydschicht (30)
eine Aluminiumschicht (90) vorgesehen ist, die auf einem Teil ihrer Oberfläche eine weitere Aluminiumoxydschicht (92) trägt,
auf der wiederum eine Metallschicht (94) angeordnet ist.
5.) Verfahren zur Herstellung eines Überzugs auf einem Körper aus Halbleitermaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß auf der Oberfläche des Halbleitermaterials ein Film aus metallischem Aluminium abgelagert wird und daß dieser
Film mit Hilfe anodischer Oxydation in einem Sauerstoffplasma in
909836/09 01
- ii -
seiner gesamten Dicke zu Aluminiumoxyd umgewandelt wird.
6.) Verfahren nach Anspruch 5* dadurch gekennzeichnet,
daß der Halbleitermaterialkörper mit dem
Aluminiumfilm neben dem Sauerstoffplasma angeordnet wird und der
Film gegenüber dem Plasma positiv vorgespannt wird.
Aluminiumfilm neben dem Sauerstoffplasma angeordnet wird und der
Film gegenüber dem Plasma positiv vorgespannt wird.
7.) Verfahren nach den Ansprüchen 5 und 6, dadurch gekennzeichnet,
daß der Halbleitermaterialkörper aus j der Nähe des Plasmas entfernt wird, nachdem der Film durch seine i
gesamte Dicke hindurchoxydiert ist, und daß der Körper in einer ; inerten Atmosphäre bei etwa 3OO°C erhitzt wird.
8.) Verfahren nach Anspruch 7* dadurch gekennzeichnet,
daß die inerte Atmosphäre eine Heliumatmosphäre; ist. !
9 0 9 8 "* R / Π Ρ
Leerseite
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JP (1) | JPS4831151B1 (de) |
DE (1) | DE1901645A1 (de) |
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GB (1) | GB1204210A (de) |
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JPS5142903B1 (de) * | 1970-02-12 | 1976-11-18 | ||
US3974516A (en) * | 1970-11-21 | 1976-08-10 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device having at least one insulated gate field effect transistor, and semiconductor device manufactured by using the method |
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LU69164A1 (de) * | 1974-01-15 | 1974-04-08 | ||
US4602192A (en) * | 1983-03-31 | 1986-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film integrated device |
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FR1600283A (de) | 1970-07-20 |
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