DE2425185B2 - Verfahren zum herstellen von halbleitervorrichtungen, insbesondere von feldeffekttransistoren - Google Patents

Verfahren zum herstellen von halbleitervorrichtungen, insbesondere von feldeffekttransistoren

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DE2425185B2 DE19742425185 DE2425185A DE2425185B2 DE 2425185 B2 DE2425185 B2 DE 2425185B2 DE 19742425185 DE19742425185 DE 19742425185 DE 2425185 A DE2425185 A DE 2425185A DE 2425185 B2 DE2425185 B2 DE 2425185B2
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen, insbesondere von Feldeffekttransistoren, mit einem Halbleitersubstrat, mit einer darüberliegenden Isolierschicht und mit einer darüberliegenden Metallschicht, die mit entsprechenden Zonen des Substrats in Verbindung stehende Elcktrodenanschlüsse bildet, bei dem in die F.lektrodenanschlüsse das Halbleitersubstrat nichtdotierende Ionen mit einer derartigen Energie implantiert werden, daß alle
•Γ)
implantierten Ionen innerhalb der Elektrodenanschlüsse eingelagert werden.
Ein derartiges Verfahren ist aus der DT-OS 20 5b 125
bekannt. ,,,,,· · .
Bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen, insbesondere von Feldeffekttransistoren, ergibt sich eine Verunreinigung der Metallisierungen insbesondere durch mobile Ionen, beispielsweise Alkalimetallionen, wie ζ B Natriumionen, die eines der wesentlichen Probleme bei der Herstellung stabiler Halbleitervorrichtungen darstellen. Die Anwesenheit solcher mobiler Ionen in einem Feldeffekttransistor erzeugt eine Spannungsinstabilität des Schwellwertes und parasitische Leckströme zwischen Halbleitervorrichtungen, die auf dem gleichen Haibleiterplättchen angebracht sind.
Man hat bereits versucht, die Verunreinigung von Metallisierungen von Feldeffekttransistoren durch mobile Ionen durch ein ständiges Reinigen des Verdampfersystems zu beseitigen, da bei den hohen Temperaturen denen das Verdampfersystem ausgesetzt ist, eine Entgasung stattfindet, die bewirkt, daß beispielsweise Natriumionen in eine Metallschicht aus Aluminium oder Aluminium-Kupfer eindringen. Unabhängig von dem ständigen und mühsamen Reinigen des Verdampfersy stems ist dabei doch nicht sichergestellt, daß die Metallschicht frei von beweglichen Ionen ist. Demgemäß hat das Problem, daß bewegliche Ionen die Metallisierung einer Halbleitervorrichtung verunreinigen, insbesondere bei Feldeffekttransistoren die Herstelikosten erhöht und bewirkt, daß die Anzahl der tatsächlich zufriedenstellend arbeitenden Feldeffekttransistoren ziemlich gering ausfällt.
Aus der DT-OS 20 56 124 ist es über den Oberbegriff des Anspruchs 1 hinaus bekannt, als Halbleitersubstrat Silizium zu verwenden, und daß die Metallschicht Aluminium enthält. Aus der US-PS 36 82 729 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung bekannt, bei dem zunächst Teile der Metallschicht zur Bildung mindestens eines Elektrodenanschlusses vor der Implantation der Ionen entfernt werden und bei der die Implantation der Ionen so gesteuert wird, daß die Ionen nur in die Elektrodenanschlüsse implantiert werden Die Verwendung von Masken bei der Ionenimplantation ist aus der US-PS 35 14 844 bekannt. Aus der US-PS 35 15 956 ist es bekannt, durch Beschüß mit nichtdotierenden Ionen, insbesondere mit Wasserstoffionen, die Ladungsträgerbeweglichkett in einem Halbleitermaterial herabzusetzen.
Ferner ist es aus der US-PS 36 00 797 bekannt, ohmsche Kontakte in Halbleiterkörpern durch indirekte Ionenimplantation durch Beschießen eines auf der Oberfläche eines Halbleiterkörpers angebrachten Kontaktmaterials mit inerten Ionen aus einer Ionenquelle herzustellen. Dadurch werden Atome des Kontaktmaterials in den darunterliegenden Halbleiterkörper hineingetrieben. Anschließend wird die Kontaktschicht oder mindestens ein Teil derselben von der Oberfläche des Halbleiterkörpers entfernt.
In dem oben abgehandelten Stand der Technik wird jedoch das Problem, den Einfluß mobiler Ionen in metallischen Elektrodenanschlüssen auf das elektrische Verhalten von Halbleitervorrichtungen auszuschalten, nicht angesprochen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei Halbleitervorrichtungen, insbesondere bei Feldeffekttransistoren mit isolierter Gate-Elektrode, die möglicherweise als Verunreinigungen in Metallschichten vorkommenden mobilen Ionen, insbesondere mobile
Alkalimetallionen, wie /.. B. Nalriumionen, so weit zu utralisieren, daß ihre Anwesenheit nicht mehr meßbar !\ unl damit die eingangs erwähnte Instabilität der Sc'hwellwertspannung und das Auftreten von parasit!
hen Leckströmen zwischen auf dem Bleichen Halb- , ? iterplättchen untergebrachten Feldeffekttransistoren zu beseitigen.
Diese der Erfindung zugrunde hegende Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die zu implantierenden lonf-n aus eder Gruppe des periodischen Systems mit Ausnahme n der Gruppen Hl und V ausgewählt werden, daß die Ionen zur Herabsetzung der Zahl der in den Elektrodenanschlüssen frei beweglichen Alkalimetallionen bis zu einer Konzentralion zwischen 110'-' und fi.lO13 Ionen/cm2 implantiert werden und daß bei einer ι nach der Implantation erfolgenden Herstellung der ohmschen Kontakte zwischen den Elektrodenanschlüssen und den Source- und Drain-Elektroden die Temperatur unter 6000C liegt, so daß eventuell durch die Ionenimplantation in den Elektrodenanschlüssen ji hervorgerufene Beschädigungen der Kristallgitterstruktur nicht beseitigt werden.
Die nichtdotierenden Ionen können entweder vor oder nach dem Anlassen in der Metallisierung implantiert werden, und zwar mit einer genau _> gesteuerten Energie, so daß sich alle Ionen innerhalb der Metallschicht befinden. Dabei wird die Dosierung der Ionen genau gesteuert, um eine Zunahme der Dichte der schnellen Oberflächen-Zustände zwischen der Metallschicht und der Isolierschicht zu verhindern, üb^r der j der Elektrodenanschluß liegt.
Gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung geht man dabei so vor, daß als Halbleitersubstrat Silizium verwendet wird und daß die Metallschicht Aluminium enthält.
Wenn zunächst Teile der Metallschicht zur Bildung mindestens eines Elektrodenanschlusses vor der Implantation der Ionen entfernt werden, besteht eine weitere Ausbildung der Erfindung darin, daß die Implantation der Ionen so gesteuert wird, daß die Ionen nur in die Elektrodenanschlüsse implantiert werden, wobei die Ionen gernäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung durch eine Maske auf die Elektrodenanschlüsse gerichtet werden.
Andere weitere Ausbildungen der Erfindung bestehen darin, daß als Metallschicht eine ausschließlich aus Aluminium bestehende Schicht verwendet wird oder daß als Metallschicht eine Aluminium und/oder Kupfer enthaltende Schicht verwendet wird und daß zur Implantation Wasserstoffionen benutzt werden.
Auf diese neuartige Weise wird also erreicht, daß die Metallisierung einer Halbleitervorrichtung, insbesondere eines Feldeffekttransistors, frei von beweglichen Ionen ist. Die Feststellung, daß die Metallisierung frei von beweglichen Ionen ist, bedeutet, daß der Anteil beweglicher Ionen, der noch vorhanden ist, elektrisch nicht meßbar ist, so daß irgendwelche in der Metallisierung noch vorhandene bewegliche Ionen die elektrischen Eigenschaften der Vorrichtung nicht beeinflussen. Auf diese Weise lassen sich stabile Feldeffekttransistoren herstellen, wobei die Herstellkosten im Vergleich zu bisher zur Verfügung stehenden Verfahren für die Herstellung zufriedenstellend arbeitender Feldeffekttransistoren verringert werden.
Es ist nicht bekannt, ob die Beseitigung beweglicher Ionen auf die Anwesenheit nichtdotierter ionen im Kristallgitter der Metallisierung oder aber auf Beschädigungen der Kristallgitterstruktur der Metallisierung zurückzuführen ist, die sich aus der Ionenimplantation ergeben haben. Ls wurde- festgestellt, daß eine vollständige Beseitigung aller durch Ionenimplantation in der Krisiallgittersiruktur des metallischen Elektrodenanschlusses hervorgerufenen Schäden wieder eine solche Menge beweglicher Ionen zur Folge hat, daß sie elektrisch meßbar ist und die elektrischen Eigenschaften der Halbleitervorrichtung beeinflußt. Da die Freiheit von Beschädigungen der KristaUgitterstruktur ein Anlassen bei sehr hohen Temperaturen, wie z. B. etwa B00üC, erfordert, weisen die implantierten ionen, beispielsweise Wasserstoffionen, bei dieser Temperatur eine sehr starke Diffusion auf. Es ist daher nicht bekannt, ob die hohe Diffusion der implantierten Ionen oder die Abwesenheit von Beschädigungen der Kristallgitters'.ruktur des metallischen Elektrodenanschlusses bewirkt, daß die Natriumionen wiederum beweglich werden.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben.
In den Zeichnungen zeigt
F i g. 1 eine Teilschnittansicht eines Feldeffekttransistors mit einer Metallschicht,
Fig.2 eine Teilschnittansicht des Feldeffekttransistors nach F i g. 1, bei dem die Metallschicht zur Bildung von Elektrodenanschlüssen abgeätzt ist,
F i g. 3 eine Schnittansicht ähnlich F i g. 2 zur Darstellung der Ionenimplantation in der Metallschicht durch eine Maske.
Ionen, die jedoch nicht den Gruppen III und V des periodischen Systems angehören sollen, werden in eine über einer Isolierschicht auf einem Halbleitersubstrat liegenden Metallschicht implantiert, wobei diese Metall-, schicht mit mindestens einem Teil des Substrats zur Bildung eines Elektrodenanschlusses in Berührung ist. Die isolierende Schicht kann aus Siliziumdioxid bestehen, so daß es sich dabei um eine MOS-Vorrichtung handelt, oder die isolierende Schicht kann aus > Siliziumdioxid auf dem Substrat bestehen, über welcher Schicht eine Schicht aus Siliziumnitrid liegt, so daß es sich hierbei um eine MNOS-Vorrichtung handelt. Die vorliegende Erfindung kann also mit jeder Halbleitervorrichtung mit isolierter Metallschicht, d. h. bei einer ■> MIS-Vorrichtung, angewandt werden.
Beispiele von für die Implantation geeigneten Ionen sind Wasserstoff-, Helium-, Silizium-, Neon-, Argon-, Kohlenstoff-, Aluminium-, Stickstoff-, Sauerstoff-, Kupfer-, Gold-, Xenon- und Krypton-Ionen. Die Energie, bei mi der die Ionen in der Metallschicht implantiert werden, hängt von der Dicke der Metallschicht ab, da es erwünscht ist, daß alle Ionen innerhalb der Metallschicht implantiert werden. Die beispielsweise für die Implantierung von Wasserstoffionen in einer Aluminium-V) schicht mit einer Dicke von 1000 Λ erforderliche Energie ist 4,5 keV. Werden Heliumionen implantiert in einer Aluminiumschicht von 1000 Ä, dann beträgt die erforderliehe Energie 6,5 keV. Bei Siliziumionen beträgt die erforderliche Energie für eine Aluminiumschicht mit h<> der Dicke von 1000 A etwa 45 keV.
Die Ionen können in der Metallschicht entweder vor oder nach der Ätzung der Schicht zur Bildung von metallischen Elektrodenanschlüsscn implantiert werden. Meistens werden jedoch die Ionen nach der Ätzung tvi der Metallschicht implantiert, da dies die Schwierigkeiten beim Atzen verringert, wenn beispielsweise Siliziumionen implantiert werden.
Betrachtet man Fig. 1, so erkennt man eine
Halbleitervorrichtung 10, nämlich einen Feldeffekttransistor, mit einem Siliziumsubstrat 11 und Bereichen 12, nämlich einer Source- und einer Drain-Elektrode entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, die in geeigneter Weise hergestellt wurden. Eine Metallschicht 14, die aus Aluminium oder Aluminium-Kupfer bestehen kann, wird über einer Isolierschicht 15 auf dem Substrat 11 aufgebracht. Die Isolierschicht 15 kann Siliziumdioxid oder Siliziumn'itrid und Siliziumdioxid sein.
Nach Niederschlagen der Metallschicht 14 über der Isolierschicht 15 wird die Metallschicht 14 in geeigneter Weise zur Bildung metallischer Elektrodenanschlüsse 16 in F i g. 2 geätzt. Anschließend werden nichtdotierende Ionen in die metallischen Elektrodenanschlüsse 16 durch Ionenimplantation durch eine Maske 17 implantiert, wobei die Maske 17 aus einem geeigneten Material, wie z. B. Photolack, bestehen kann, und die Implantation durch Pfeile 18 in F i g. 3 angedeutet ist. Dadurch wird sichergestellt, daß die Ionen nur auf die metallischen Elektrodenanschlüsse 16 gerichtet sind.
Obgleich die Maske 17 für die Implantierung der Ionen ausschließlich in den metallischen Elektrodenanschlüssen 16 benutzt wird, ist es doch einleuchtend, daß die Maske 17 nicht unbedingt verwendet werden muß, da die Ionen die metallischen Elektrodenanschlüsse 16 viel leichter durchdringen können als die Isolierschicht 15 aus Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid und Siliziumdioxid. Es ist somit also nicht unbedingt erforderlich, daß die Maske 17 während der Implantation der Ionen benutzt wird.
Werden die Ionen in der Metallschicht 14 vor dem Ätzen implantiert, dann können selbstverständlich die Ionen auf alle Teile der Metallschicht 14 gerichtet werden. Selbstverständlich könnte man auch hier die Maske 17 einsetzen und die Ionen in der Weise steuern, daß sie nur auf die Teile der Metallschicht 14 gerichtet werden, die nach dem Ätzen zur Bildung der metallischen Elektrodenanschlüsse 16 verbleiben wurden.
Wird die Halbleitervorrichtung 10 nach der Ionenimplantation angelassen, dann ist es notwendig, daß der Anlaßvorgang, durch den die ohmschen Kontakte zwischen den Elektrodenanschlüssen 16 und den Source- und Drain-Elektroden hergestellt werden, bei einer Temperatur von nicht mehr als 6000C durchgeführt wird. Damit soll sichergestellt werden, daß eine eventuell durch die Ionenimplantation in den Elektrodenanschlüssen 16 hervorgerufene Beschädigung der Kristallgitterstruktur nicht beseitigt wird. Das Aufheizen der Halbleitervorrichtung 10 auf eine Temperatur von etwa 800° C würde alle Beschädigungen der Kristallgitterstruktur wiederum beseitigen, so daß die mobilen Ionen wiederum in den metallischen Elcktrodenanschlüssen 16 auftreten würden.
Das Anlassen der Halbleitervorrichtung 10 zur Bildung der ohmschen Kontakte zwischen den metallischen Elcktrodcnanschlüssen 16 und der Source- und Drain-Elektrode 12 kann vor der Implantation der Ionen in die Metallschicht stattfinden. In diesem Fall ist es unwichtig, bei welcher Temperatur die Halbleitervorrichtung 10 angelassen wird, soweit die Verhinderung oder die Verringerung der Anwesenheit von bewegli- ·-, chen Ionen in den metallischen Elektrodenanschlüssen 16 davon betroffen ist, da die Beschädigungen der Kristallgitterstruktur durch die implantierten Ionen erst nach dem Anlassen oder Aufheizen stattfindet. Man hat Versuche mit zwei MOS-Transistoren
ίο durchgeführt, die auf einem [100] N-leitenden HaIbleiterplättchen mit einem spezifischen Widerstand von 1,0 Ohm-cm hergestellt waren. Auf jedem der beiden Plättchen 1 und 2 waren eine Oxidschicht von einer Stärke von 500 Ä bei 97O0C in trockenem Sauerstoff
ii thermisch oxydiert. Anschließend wurde ein 0,5mm starkes Aluminiumkügelchen ver.dampft und bei 4250C für 20 Minuten in einem formierenden Gas gesintert, das zu 90 bis 95% aus Stickstoff und dem Rest aus Wasserstoff bestand.
Anschließend wurde die Anzahl der Natriumionen in jedem der Plättchen 1 und 2 durch Messen des Bereichs des Spitzenwertes an mobilen Ionen in einer Strom-Spannungs-Kennlinie bestimmt. Die Anzahl der Oberflächenionen wurde durch Messen des niedrigsten Wertes in der Strom-Spannungs-Kennlinie ermittelt.
Jedes der Plättchen 1 und 2 hatte eine Natriumionen-Konzentration von weniger als 1010, wobei die Anzahl der schnellen Oberflächenzustands-Ionen 3,4-10" im Plättchen 1 und 3,3-10" im Plättchen 2 betrugen. Die
jo niedrige Konzentration von Natriumionen war elektrisch nicht meßbar, da jede Konzentration von weniger als 10'° als solche die elektrischen Eigenschaften der Vorrichtung nicht beeinflußt.
Nach Feststellen der Anzahl der Natriumionen und
r> der Anzahl der schnellen Oberflächenzustands-Ionen in den Plättchen 1 und 2 wurden bei jedem Plättchen 1 und 2 die Aluminiumpunkte abgezogen. Dann wurden die Aluminiumpunkte erneut in einem Verdampfer bis zu einer Dicke von einem Mikron aufgebracht, wobei
■to bekannt war, daß der Verdampfer verunreinigt ist. Jedes der Plättchen wurde anschließend für 20 Minuten in Stickstoff bei 4500C erwärmt.
Die Plättchen 1 und 2 wurden erneut geprüft. Die Anzahl der Natriumionen war größer als 6,8-10" im
4-1 Plättchen 1 und war 4,5-10" im Plättchen 2. Plättchen 1 hatte 3,9-10" schnelle Oberflächenzustände und Platt chen 2 hatte 3,2-10" schnelle Oberflächenzustände.
Jedes der Plättchen 1 und 2 wurde in vier Teile unterteilt. Die Viertel des Plättchens 1 werden als \A Iß, IC und XD bezeichnet, während die Viertel de Plättchens 2 als 2A, 2ß, 2Cund 2Dbczcichnct werden.
Eine Implantation mit verschiedenen Mengen voi Wasserstoffionen (H2^) wurde dann bei 110 kc1 vorgenommen. Die Anzahl der Natriumionen Na', di ■>ri Anzahl der schnellen Obcrflnchcnzuständc N|S, di Implantationsdosis in Ionen/cm2, die Aufheizung nac der Implantation für jedes der einzelnen VicrtclpliU chen M, Iß, IC, lD,2A,2ß,2C,2Dsind wie folgt:
Plättchen Implan- weniger als ΙΟ"1 N,:, ΐ • 10" Anlassen nach
Nr. tations-Dosis weniger als ΙΟΙ» • 10" Implantation
\A 1 ■ 1013 7,2 kein
Iß 1 · ΙΟ"·"* weniger nls lOio 7,2 • 10" 20 Minuten in Stick
stoff bei 425"C
IC 5 · 1012 6,5 20 Minvitcn in Stick
stoff bei 425° C
7 Na H 24 25 185 ΙΟ" 8 in Stiick-
C
Fortsetzung Implan 2 · 1010 1012 Anlassen nach in Stick-
Plättchen tations-Dosis Nis Implantation C
Nr. 5 · 1012 weniger 10" 120 Minuten in Stick-
IZ? 6,8 · stoff bei 425° C
6 · 1013 weniger 10" 120 Minuten in Stick-
IA als 10'° 2,1 · stoff bei 450° C
1 ■ 1013 weniger 10" 120 Minuten in Stiick-
25 als ΙΟ·» 8,2 · stoff bei 450° C
5 ■ 1012 4 · lO'o 120 Minuten
IC als 10'° 5,7 · stoff bei 450°
1 ■ 10'2 120 Minuten
2D 4,0 · stoff bei 450°
Wie die Daten für die Plättchen \A und Iß zeigen, wird weder die Anzahl der Natriumionen noch die Anzahl der schnellen Oberflächenzustände geändert, wenn die Aufheizung bei 425°C erfolgt.
Dies zeigt, daß eine richtig gewählte Aufheiztemperatur die Anzahl der Natriumionen oder die Anzahl der schnellen Oberflächenzustände nach Ionenimplantation nicht ändert.
Wie beispielsweise Plättchen 2 zeigt, ergibt eine Erhöhung der lonenkonzentration des Implants auch eine Erhöhung der Anzahl der schnellen Oberflächenzustände. Es ist nicht bekannt, warum das so ist, doch man glaubt, daß es darauf zurückzuführen ist, daß die Dosierungskonzentration zu hoch ist, so daß die Ionen von der Implantation übrigbleiben und sich frei nach der Oberfläche bewegen können.
Im Plättchen 2D nimmt die Anzahl der Natriumionen zu, wenn die Dosierungskonzentration bei der Ionenimplantation zu niedrig ist. Somit ist als eine genaue Auswahl der Dosierung der lonenkonzentration bei der Implantation notwendig, um sowohl die Anzahl der Natriumionen und die Anzahl der schnellen Oberflächenzustände unter Kontrolle zu halten.
Unter Berücksichtigung der Beseitigung mobiler Ionen bei richtiger Auswahl der Dosierung und der Aufheiztemperatur liefert das Verfahren stabile Feldeffekttransistoren. Das heißt, daß die gleiche Vorspannung immer den gleichen Strom zur Folge hat.
Um also eine bestimmte Oberflächendichtc von schnellen Oberflächenzuständen und eine gewünschte Anzahl von Natriumionen in den metallischen Elcktrodenanschlüssen in einem Feldeffekttransistor zu erhalten, ist es notwendig, die Dosierung, die Art der Ionen, die Energie, mit der die Ionen implantiert werden, und
die Aufheiztemperatur richtig zu wählen, wenn die Aufheizung nach der Implantation stattfindet. Wenn man alle diese Parameter sorgfältig steuert und überwacht, kann man stabile Feldeffekttransistoren erzeugen.
Das oben beschriebene Verfahren kann auch bei anderen Halbleitervorrichtungen als Feldeffekttransistoren Anwendung finden, wenn man mobile Ionen beseitigen möchte. Außerdem haben die verschiedenen Versuche nur die Natriumionen betroffen. Das Verfahren kann aber auch zur Reduzierung der Anzahl anderer mobiler Alkalimetallionen dienen. Andere Alkalimetallionen sind beispielsweise Lithium- und Kaliumionen.
Obgleich die Versuche mit Halbleiterplättchen durchgeführt wurden, auf denen Isolierschichten eines bestimmten Materials auf einem Siliziumsubstrat angebracht waren, ist es doch ohne weiteres einleuchtend, daß das Verfahren auch auf andere Halbleitersubstrate Anwendung finden kann, die mit einer Isolierschicht bedeckt sind. In gleicher Weise läßt sich jedes andere geeignete Material als Aluminium oder Aluminium-Kupfer verwenden.
Ein Vorteil der Erfindung liegt darin, daß sie ein wesentlich billigeres Verfahren zur Herstellung einet Metallschicht ohne bewegliche Ionen für eine Halbleitervorrichtung, insbesondere einen Feldeffekttransistor, angibt. Ein weiterer Vorteil der Erfindung liegt darin, daß sichergestellt wird, daß in der Metallschicht keine beweglichen Ionen vorhanden sind. Ein weiteret Vorteil der Erfindung besteht darin, daß eine relativ kurze Zeit zum Implantieren der Ionen und damit zuir Beseitigen des Einflusses der beweglichen Ionen in der Metallschicht erforderlich ist.
Hierzu I Hliitt /eichnunucn

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen, insbesondere von Feldeffekttransistoren, mit einem Halbleitersubstrat, mit einer darüberliegenden Isolierschicht und mit einer daru Agenden Metallschicht, die mit entsprechend Zonen des Substrats in Verbindung stehende Elekirodenanschlüsse bildet, bei dem in die Elektrodenanschlüsse das Halbleitersubstrat nicht dotierende Ionen mit einer derartigen Energie implantiert werden, daß alle implantierten Ionen innerhalb der Elektrodenanschlüsse eingelagert werden, dadurch gekennzeichnet, daß die zu implantierenden Ionen (18) aus jeder Gruppe des periodischen Systems mit Ausnahme der Gruppen III und V ausgewählt werden, daß die Ionen (58) zur Herabsetzung der Zahl der in den Elektrodenanschlüssen (16) frei beweglichen Alkalimetallionen bis zu einer Konzentration zwischen 1 -1O12 und 6-10IJ Ionen/cm2 implantiert werden und daß bei einer nach der Implantation erfolgenden Herstellung der ohmschen Kontakte zwischen den Elektrodenanschlüssen (16) und den Source- und Drain-Elektroden (12) die Temperatur unter 6000C liegt, so daß eventuell durch die Ionenimplantation in den Elektrodenanschlüssen (16) hervorgerufene Beschädigungen der Kristallgitterstruktur nicht beseitigt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleitersubstrat (11) Silizium verwendet wird und daß die Metallschicht (16) Aluminium enthält.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem zunächst Teile der Metallschicht zur Bildung mindestens eines Elektrodenanschlusses vor der Implantation der Ionen entfernt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Implantation der Ionen so gesteuert wird, daß die Ionen (18) nur in die Elektrodenanschlüsse (16) implantiert werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ionen (18) durch eine Maske (17) auf die Elektrodenanschlüsse (16) gerichtet werden.
5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Metallschicht (14) eine ausschließlich aus Aluminium bestehende Schicht verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Metallschicht (14) eine Aluminium und/oder Kupfer enthaltende Schicht verwendet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Implantation Wasserstoffionen benutzt werden.
DE2425185A 1973-06-29 1974-05-24 Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen, insbesondere von Feldeffekttransistoren Expired DE2425185C3 (de)

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